JESD22簡(jiǎn)介+目錄列表

1、JESD22標(biāo)準(zhǔn)定義及意義詳細(xì)如下順序標(biāo)準(zhǔn) 編號(hào)簡(jiǎn)稱現(xiàn)行版本標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)標(biāo)準(zhǔn)工程11A100D Jul 2021現(xiàn)行循環(huán)溫濕度偏置壽命2.A101THBC Mar 2021現(xiàn)行穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命3.A102AC)Nov 2021現(xiàn)行加速水汽反抗性-無偏置高壓蒸煮高壓鍋4._|A103HTSLD Dec 2021現(xiàn)行高溫貯存壽命TC溫度循環(huán)5.A104)Mar 2021現(xiàn)行本實(shí)驗(yàn)用來確定組件、互聯(lián)器件對(duì)交替溫度極限變化產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力的耐反性PTC上電溫循6.A105C Jan 2004現(xiàn)行適用于半導(dǎo)體器件,在交替的上下溫極限中周期的施加卸二|除偏壓,用于模擬樣件所遭受的最惡劣環(huán)境7A106B Jun

2、 2004現(xiàn)行熱沖擊8A107C Apr 2021現(xiàn)行鹽霧9.A108HTOL)Nov 2021現(xiàn)行溫度,偏置電壓,以及工作壽命10.A109B Nov 2021現(xiàn)行,指密封可車標(biāo)111A110HAST)Nov 2021現(xiàn)行高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)HAST 有偏置電壓未飽和高壓口蒸汽12.A111A Nov 2021現(xiàn)行安裝在單面板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸焊水平的評(píng)價(jià) 流程13.A112n塑封表貼器件水汽誘發(fā)的應(yīng)力敏感性被J-STD-020替I/彼替代代14.A113PCF Oct 2021現(xiàn)行塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理15.A114F Dec 2021現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)ESD人體模型

3、HBM 16.IA115C Nov 2021現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)ESD機(jī)器模型MM 17.A117C Oct 2021現(xiàn)行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM 編程/擦除耐久性以及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)18.UHSTA Mar 2021_加速水汽反抗性一一無偏壓HAST 無偏置電壓未飽和高A118現(xiàn)行壓蒸汽高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)是為評(píng)估非氣密性固態(tài)設(shè)備器件在 卜朝濕的環(huán)境中的可靠性.19.A119Nov 2004現(xiàn)行低溫貯存壽命20.A120A Jan 2021現(xiàn)行用于集成電路的有機(jī)材料的水汽擴(kuò)散率以及水溶解度試驗(yàn) 方法21.A121A Jul 2021現(xiàn)行錫及錫合金外表鍍層晶須生長(zhǎng)的測(cè)試方法n22.A

4、122Aug 2007現(xiàn)行功率循環(huán)23.B100B Jun 2003現(xiàn)行物理尺寸24.B101B Aug 2021現(xiàn)行外部目檢25B102E Oct 2007現(xiàn)行可焊性26.1B103B Jun 2002 2現(xiàn)行振動(dòng),變頻27.B104C Nov 2004現(xiàn)行機(jī)械沖擊28.B105D Jul 2021現(xiàn)行i引出端完整性29.1B106D Apr 2021現(xiàn)行通孔安裝期間的耐焊接沖擊一30.B107D Mar 2021現(xiàn)行標(biāo)識(shí)耐久性31B108B Sep 2021現(xiàn)行表貼半導(dǎo)體器件的共面性試驗(yàn)32.B109A Jan 2021現(xiàn)行倒裝芯片拉脫試驗(yàn)33.B110B Jul 2021現(xiàn)行組件機(jī)械沖擊

5、34.B111Jul 2003現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件的板級(jí)跌落試驗(yàn)35. 1B112A Oct 2021現(xiàn)行i高溫封裝翹曲度測(cè)試方法36.B113A Sep 2021現(xiàn)行手持電子產(chǎn)品組件互連可靠性特性的板級(jí)循環(huán)彎曲試驗(yàn)方法37.B114A May 2021現(xiàn)行標(biāo)識(shí)可識(shí)別性38.B115A Aug 2021現(xiàn)行i焊球拉脫試驗(yàn)39.B116A Aug 2021現(xiàn)行引線鍵合的剪切試驗(yàn)40.1B117B May 2021現(xiàn)行焊球剪切41B118Mar 2021現(xiàn)行半導(dǎo)體晶圓以及芯片反面外目檢42.C100/t三廢止高溫連續(xù)性43. )C101F Oct 2021現(xiàn)行靜電放電敏感性試驗(yàn)ESD場(chǎng)誘導(dǎo)帶電器件

6、模型1.JESD22JESD22-BJESD22-B發(fā)布：2000年9月已被Published:Sep2000Superseded取代被系列測(cè)試方法 “JESD22-'取代SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'J“ JESD22提一個(gè)完整的系列試驗(yàn)方ESD22-'法,可在全球性的工程 文件中取得.AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocumentsAEC-Q100是基于集成電路應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理的標(biāo)準(zhǔn),它包含以下12個(gè)測(cè)試方法：?AEC-Q100

7、-001 邦線切應(yīng)力測(cè)試?AEC-Q100-002人體模式靜電放電測(cè)試?AEC-Q100-003 機(jī)械模式靜電放電測(cè)試?AEC-Q100-004集成電路閂鎖效應(yīng)測(cè)試?AEC-Q100-005可寫可擦除的永久性記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測(cè)試?AEC-Q100-006 熱電效應(yīng)引起的寄生閘極漏電流測(cè)試?AEC-Q100-007故障仿真和測(cè)試等級(jí)?AEC-Q100-008早期壽命失效率ELFR?AEC-Q100-009電分配的評(píng)估?AEC-Q100-010錫球剪切測(cè)試?AEC-Q100-011帶電器件模式的靜電放電測(cè)試?AEC-Q100-012 12V 系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述 二|

8、AEC-Q101是汽車級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證,它包含以下6個(gè)測(cè)試方法：?AEC-Q101-001人體模式靜電放電測(cè)試?AEC-Q101-002機(jī)械模式靜電放電測(cè)試?AEC-Q101-003邦線切應(yīng)力測(cè)試?AEC-Q101-004雜項(xiàng)測(cè)試方法?AEC-Q101-005帶電器件模式的靜電放電測(cè)試?AEC-Q101-006 12V 系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述2. A100 循環(huán)溫濕度| 偏置壽命JESD22-A100C 發(fā)布：2007 年 10 月 循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)循環(huán)溫濕|度偏置壽命試驗(yàn)以評(píng)估非氣密封裝固 態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠性為目的.它使用循環(huán)溫度,濕度,以及偏 置條件來加

9、速水汽對(duì)外部保護(hù)性材 料封裝或密封或沿著外部保護(hù)材 料和貫穿其的金屬導(dǎo)體的界面的穿透 作用.循環(huán)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)通常| 用于腔體封裝例如 MQIADs ,有蓋 陶瓷引腳陣列封裝等,作為JESD22-A101 或 JESD22-A110 的 替代試驗(yàn).JESD22-A100CPublished:Oct-2007CYCLEDTEMPERA TUREHUMIDITYBIASLIFETEST :TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthere liabilityofnonhermet

10、icpackagedsolidstatedevicesinhumidenvi ronments.Itemploysconditionsoftemperaturecycling,humidity, andbiasthatacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotecti vematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweenthee xternalprotectivematerialandthemetallicconductorsthatpassthroughit.The

11、Cycl edTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformed oncavitypackages(e.g.,MQUADs,liddedceramicpingridarrays I ,etc.)asanalternativetoJESD22-A101orJESD22-A110.3. A101 穩(wěn)態(tài)溫 濕度偏 置壽命4. A102 加速水 汽反抗 性-無偏 置高壓 蒸煮JESD22-A101-BPublished:Apr-1997 STEADY- STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST: Thisstand

12、ardestablishesadefinedmethodandconditionsf orperformingatemperaturehumiditylifetestwithbiasappli ed.Thetestisusedtoevaluatethereliabilityofnonhermeticp ackagedsol idstatedevicesinhumidenvironments.Itemployshightem peratureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrati onofmoisturethroughexternalprote

13、ctivematerialora10ngi nterfacesbetweentheexternalprotectivecoatingandcondu ctorsorotherfeatureswhichpassthroughit.Thisrevisionen hancestheabilitytoperformthistestonadevicewhichcanno tbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.JESD22-A102-CPublished:Dec-2000ReaffirmedJune2021 ACCELERATEDMOISTURERESIS-

14、TANCEUNBIASEDAUTOCLA VE:Thistestallowstheusertoevaluatethemoistureresistanceof nonhermeticpackagedsolidstatedevices.TheUnbiasedA utoclaveTestisperformedtoevaluatethemoistureresistanc eintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevicesusin gmoisturecondensingormoisturesaturatedsteamenviron ments.Itisahi

15、ghlyacceleratedtestwhichemploysconditio nsofpressure,humidityandtemperatureundercondensing conditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheex ternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongthei nterfacebetweentheexternal- protectivematerialandthemetallicconductorspassingthro ughit.Thistestisus

16、edtoidentifyfa iluremechanismsinternaltothepackageandi sdestructive.JESD22-A101-B發(fā)布：1997年8月穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)本標(biāo)準(zhǔn)建立了一個(gè)定義的方法,用 于進(jìn)行一個(gè)施加偏置電壓的溫濕度壽命試驗(yàn).本試驗(yàn)用于評(píng)估非氣 密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性.試驗(yàn)采用高溫和高濕條件 以加速水汽對(duì)外部 保護(hù)材料或沿 著外部保護(hù)材料和外部保護(hù)涂層, 貫穿其的導(dǎo)體 或其他部件的穿透 作用.本修訂版增強(qiáng)了在無法施加 偏置以到達(dá)很低功率耗散的器件 上運(yùn)用本試驗(yàn)的水平.5. A103高溫貯 存壽命JESD22-A103CPublish

17、ed:Nov-2004HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE:The test isapplicable for evaluation, screening, monitoring, and/orqualification of all solid state devices. High Temperaturestorage test is typically used to determine the effect oftimeand temperature, understorage conditions, forthermally activated failure mec

18、hanisms of solid state electronic devices, includingnonvolatile memory devices (data retention failure mechanisms). DuringtheJESD22-A102-C發(fā)布：2000 年12月,2021 年6 月經(jīng)重新確認(rèn)有效加速水汽反抗性一一無偏置高壓 蒸煮本試驗(yàn)允許用戶評(píng)估非氣密封裝 固態(tài)器件對(duì)水汽的反抗力.進(jìn)行無偏置高壓蒸煮試驗(yàn)的目的在于利用水汽冷凝或水汽飽和蒸汽環(huán)境評(píng)估非氣密封裝固態(tài)器件的水 汽反抗力.本方法是一個(gè)高加速試驗(yàn),使用冷凝條件下的壓力,濕 度和溫度以加速水汽對(duì)外部保護(hù)

19、性材料封裝或密封或沿著外部 保護(hù)材料和貫穿其的金屬導(dǎo)體的 界面的穿透作用.這一試驗(yàn)用于識(shí) 別封裝內(nèi)部的失效機(jī)理,本試驗(yàn) 為破壞性.JESD22-A103C發(fā)布：2004年11月高溫貯存壽命：試驗(yàn)可應(yīng)用于所有固態(tài)器件的評(píng)估,篩選,監(jiān)控, 以及鑒定.典型情況下,高溫貯 存試驗(yàn)用于確定在貯存條件下,時(shí) 間和溫度對(duì)固態(tài)器件,包括非易 失存儲(chǔ)器件數(shù)據(jù)保存失效機(jī)理 的 影響由熱激發(fā)的失效機(jī)理.在試驗(yàn)中,只施加提升的溫度應(yīng)6. A104 溫度循 環(huán)test elevated temperatures(accelerated test conditions) are used withoutelectrica

20、l stress applied. This test may be destructive,depending on Time, Temperature and Packaging (if any).JESD22-A104CPublished:May-2005 TEMPERATURECYCLING:Thisstandardprovidesamethodfordeterminingsolidstate devicescapabilitytowithstandextremetemperaturecyclin g.Changesinthisrevisionincluderequirementsth

21、atthewor st-caseloadt | emperaturemustreachthespecificextremesratherthanjust requiringthatthechamberambienttemperaturereachtheex tremes.Thisensuresthatthetestspecimenswillreachthespe cifiedtemper atureextremesregardlessofchamberloading.Definitionsa reprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa dT

22、emperature,andWorkingZone.Thetransfertimehasbee ntightenedfrom5minute sto1minute.Fivenewtestconditionshavebeenaddedaswel lasacautiono力加速試驗(yàn)條件,而不施加電應(yīng)力.本試驗(yàn)取決于時(shí)間,溫度和包裝如果有,可能為破壞性.JESD22-A104C 發(fā)布：2005年5月 溫度循環(huán)：本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種用 于確定固態(tài)器件耐受極限溫度循 環(huán)水平的 方法.在本修訂版中, 改變之處包括最壞條件下,加載溫 度而不是試驗(yàn)箱環(huán)境溫度必須達(dá) 到規(guī)定的極值的要求.這保證了無 論試驗(yàn)箱負(fù)載情況如

23、何,試驗(yàn)樣品| 均會(huì)到達(dá)規(guī)定的溫度極值.本修訂版提供了負(fù)載監(jiān)控傳感器,最壞 情況負(fù)載溫度,以及工作區(qū)的定義.轉(zhuǎn)換時(shí)間由 5分鐘加嚴(yán)到1 分鐘.新增了五個(gè)試驗(yàn)條件,以及試驗(yàn)條件超過塑封固態(tài)器件玻 璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)的考前須知.7. A105 上電溫 循JESD22-A105C發(fā)布：2004年1月功率溫度循環(huán)：功率溫度循環(huán)試驗(yàn)用于確定器件耐受變化的暴露 于極限上下溫,同時(shí)周期性施加 和去除工作偏置.本試驗(yàn)的目的是 模擬應(yīng)用環(huán)境中到達(dá)的最嚴(yán)苛條 件.功率溫度循環(huán)試驗(yàn)視為破壞 性,且只用于器件的鑒定.本試 驗(yàn)方法應(yīng)用于需經(jīng)受超溫,需要在j所有溫度條件上下電的半導(dǎo)體器 件.JESD22-A106C發(fā)布：20

24、04年6月熱沖擊：本試驗(yàn)用于確定部件對(duì) 于忽然暴露于極限溫變條件的抵 抗力,以及交替暴露于這些極限 條件的影響.JESD22-A107Cntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatu reofplasticpackagesoliddevices.JESD22-A105CPublished:Jan-2004POWERANDTEMPERATURECYCLING:Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeter minetheabilityofadevicetowithstandalte

25、rnateexposuresa thighandlowtemperatureextremesandsimultaneouslythe operatingbiasesareperiodicallyappliedandremoved.Itisi ntendedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinap pli cationenvironments.Thepowerandtemperaturecyclingte I stisconsidereddestructivean disonlyintendedfordevicequalification.This

26、testmethoda ppliestosemiconductordevicesthataresubjectedt otemperatureexcursionsandrequiredtopoweronandoffdu ringalltemperatures. I8. A106 JESD22-A106B熱沖擊 Published:Jun-2004THERMALSHOCK:Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttos uddenexposuretoextremechangesintemperatureandtothe effectofa

27、lternateexposurestotheseextremes.9. A107 JESD22-A107C以及工作壽命10. A108溫度,偏 置電壓,11. A109密封指 向軍標(biāo)12. A110高加速Published:April-2021 SALTATMOSPHERE: ThissaltAtmospheretestisconductedtodeterminetheresisJ tanceofsolidstatedevicestocorrosion.Itisanacceleratedte stthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastat mospher

28、eonallexposedsurfaces.Thesaltatmospheretestis considereddestructive.Itisintendedforlotac _| ceptance,processmonitor,andqualificationtesting. The latest revision of Method 1041 of MIL-STD-750 shall be used for discrete solid-statedevices. The latest revision of Method 1009 of MIL-STD-883 shall be use

29、d for solid-state microcircuits,integrated circuits, hybrids, and modules.發(fā)布：2021年4月鹽霧：本鹽霧試驗(yàn)用于確定固態(tài) 器件對(duì)于腐蝕的反抗力.本方法是 一個(gè)加速試驗(yàn)方法,模擬嚴(yán)酷的 海濱氣氛環(huán)境對(duì)所有暴露外表的 影響.本鹽霧試驗(yàn)視為破壞性.本 試驗(yàn)可用于批接收,工藝監(jiān)控,以及鑒定試驗(yàn).MIL-STD-750 試 驗(yàn)方法1041的最后修訂版應(yīng)用 于分立固態(tài)器件.MIL-STD-883 試驗(yàn)方法1009的最后修訂版應(yīng) 用于固態(tài)微電路、 集成電路及組 件.JESD22-A108CPublished:Jun-2005TEMP

30、ERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE: Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditio nsandtemperature,overtime,onsolid statedevicesis nowavailable.RevisionBof A108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhi ghtemperature gatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownreq uirementsforhightemp erat

31、urestress,andaproceduretofollowifpartsarenottested withintheallowedtime window. JESD22-A109BPublished:Nov-2021, Rewrite of total doc to point to Military standards. HERMETICITY: Most of these tests are controlled and updated in the military standards, the two standards thatapply are MIL-STD-750 for

32、Discretes, & MIL-STD-883 for microcircuits. The test within thesestandards can be used for all package types. Within these standards the tests are similar; MIL-STD- 750 Test Method 1071 Hermetic Seal isrecommended for any commercial hermetic requirements. For MIL- STD-883 the applicable test met

33、hod is 1014 Seal.JESD22-A110DJESD22-A108C 發(fā)布：2005年6月 溫度,偏置電壓,以及工作壽命： 本標(biāo)準(zhǔn)提供了一個(gè)可用的經(jīng)修訂 的試驗(yàn)方法,用于確定偏置條件和溫度在長(zhǎng)時(shí)間下對(duì)固態(tài)器件的 作用.A108修訂版 B包括了 低溫工作壽命LTOL 以及高溫 柵偏HTGB 應(yīng)力條件,修訂了 高溫應(yīng)力的冷卻需求,以及如果樣 品沒有在允許的時(shí)間窗口中測(cè)試的情況下,應(yīng)遵循的程序.JESD22-A109A發(fā)布：2021年11月,重新編制 了整份文檔以指向軍用標(biāo)準(zhǔn).密封：大局部這些試驗(yàn)在軍用標(biāo)準(zhǔn)J 中限制和更新,應(yīng)用的兩份標(biāo)準(zhǔn)分 別是 MIL-STD-750 分立器 件,以

34、及 MIL-STD-883 微 電路.這些試驗(yàn)?zāi)軌虮挥糜谒?有的封裝類型.在這些標(biāo)準(zhǔn)中, 試驗(yàn)方法是類似的,MIL-STD-750 試驗(yàn)方法 1071推薦作為所 有商用密封的要求.對(duì)于 MIL-STD-883 , 可應(yīng)用的試驗(yàn)方法是 試驗(yàn)方法 1014密封.JESD22-A110D發(fā)布：2021年11月Published:Nov-2021應(yīng)力試驗(yàn)溫濕度(HAST)13. A111 安裝在 單面板 底面的 小型表 貼固態(tài) 器件耐 浸焊能 力的評(píng) 價(jià)流程14. A112 塑表 貼器件i 水汽誘 發(fā)的應(yīng) 力敏感 性被j-STD-020 替代15. A113 塑封表 貼器件HIGHLYACCELERA

35、TEDTEMPERATUREANDHU MIDITYSTRESSTEST(HAST) :The purpose of this new test method is to evaluate the reliability of nonhermetic packaged solid state devices in humid environments. It employs severeconditions of temperature, humidity, and bias that accelerate the penetration ofmoisture through the exte

36、rnal protective material (encapsulantor seal) or along the interface between the external protective material and the metallic conductorswhich pass through it.高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)HAST : 該新的試驗(yàn)方法的目的是評(píng)價(jià)非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境下的可靠性.它采用嚴(yán)酷的溫度、濕 度和偏執(zhí)電壓以加速水汽對(duì)外部保護(hù)材料封裝或密封或沿著外 部保護(hù)性材料和金屬 導(dǎo)體間的界 面的穿透作用.JESD22-A111APublished:May-200

37、4EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGC APABILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYF ULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFA CEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:Frequently, small Surface Mount Devices (SMDs) are attached to the bottom side of a printed circuitboard by passing them through a wave solder (full body immersion) whi

38、le simultaneously solderingdevices with pins on the top of the board (plated through hole attach). As a result, these small SMDs maybe exposed to highJESD22-A111A發(fā)布：2004年5月安裝在單面 板底面的小型表貼固態(tài)器件耐浸 焊水平的評(píng)價(jià)流程：小型表貼器件SMDs常常被貼 裝在印制線路板底面,通過一次波峰焊接整體浸焊同時(shí)焊接表 貼器件和安裝在印制線路板正面的插裝器件通過通孔安裝.結(jié) 果是在這種組裝方法下,這些小型 SMDs可能暴露于高至

39、 265 C的高溫.如果足夠多的水汽引起水分 變?yōu)檎羝?導(dǎo)致封裝內(nèi) 部壓強(qiáng),可引起質(zhì)量和可靠性退化.本試驗(yàn)方法關(guān)注與確定固態(tài) 器件耐受整體波峰/浸焊水平,以 及 隨后的使用相關(guān)的問題.temperatures as high as 265° C during this type offboard寸裝內(nèi),暴露于熔化的焊料 attach method. If sufficient moisture exists in the package, exposure to the molten solder causes the moisture to turn tovapor, result

40、ing in increased pressure within the package which in turn may cause quality and/orreliability degradation. The test method in this document will address the issues related to the determination of the capability of asolid state device to withstand the stresses of full body wave solder immersion and

41、subsequent field use.JESD22-A112-AJESD22-A112-A發(fā)布：1995年11月,2000年 5月取消塑封表貼器件水汽誘發(fā) 的應(yīng)力敏感性,被J-STD-020A替代,1999 年 4 月.J-STD-020 現(xiàn)行版本為修訂版 D.01.JESD22-A113FPublished:Oct-2021JESD22-A113F發(fā)布：2021年8月PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUN塑封表貼器件可靠性試驗(yàn)前的預(yù)Published:Nov-1995RescindedMay2000 MOISTURE- INDUCEDSTRESSSENSI

42、TIVITYFORPLASTICSUR FACEMO UNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD- 020A,April1999. J-STD-020 is now on revision D.01.處理：本試驗(yàn)方法建立了一個(gè)非 氣密固態(tài)SMDs 外表貼裝器件 的 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化的預(yù)處理流程,這 一流程代表了一個(gè)典型的工業(yè)化 屢次回流焊接操作.這些SMDs在由半導(dǎo)體制造商進(jìn)行規(guī)定的內(nèi)部可靠性試驗(yàn)鑒定及可靠性監(jiān) 控前,應(yīng)經(jīng)受本文檔中適當(dāng)?shù)腗延理,列,以評(píng)估7長(zhǎng)期可靠性|器件的長(zhǎng)期可靠性可能受到回流焊接過程的影響.JESD22-A114F發(fā)布：2021年12月靜電放電敏感性試驗(yàn) ESD人

43、體 模型HBM :本試驗(yàn)方法建立了 一個(gè)通過將微電路暴露在定義的 人體模型的靜電放電應(yīng)力下,根 據(jù)其受損或降級(jí)的敏感度,對(duì)微電 路進(jìn)行 試驗(yàn)和評(píng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)化流 程.目標(biāo)是提供可靠的, 可重復(fù)性 的HBM ESD 試驗(yàn)結(jié)果,以使準(zhǔn) 確的等級(jí)評(píng)定能夠進(jìn)行.A115A發(fā)布：1997年10月.本試驗(yàn)方法有效,然而卻不是業(yè)界 常用 標(biāo)準(zhǔn),推薦的工業(yè)試驗(yàn)方法 為 JESD22A114 或 JESD22C101 靜電放電敏感性試驗(yàn) ESD機(jī)器 模型MM :本試驗(yàn)方法建立了 一個(gè)通過將微電路暴露在定義的 人體模型的靜電放電應(yīng)力下,根 據(jù)其受損或降級(jí)的敏感度,對(duì)微電 路進(jìn)行 試驗(yàn)和評(píng)級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)化流 程.目標(biāo)是提供可

44、靠的,可重復(fù)性的MM ESD試驗(yàn)結(jié)果,以使準(zhǔn) 確的等級(jí)評(píng)定能夠進(jìn)行.JESD22- JESD22-A117A 發(fā)布：2006年3月 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 EEPROM 編程/擦除耐久性以 及數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)：本方法建立了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化的流程,以確定非易失 存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)循環(huán)耐久性和數(shù)TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING: ThisTestMethodestablishesanindustrystandardprecondit ioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemou ntdevices)thatisrepres

45、entativeofatypicalindustry multiplesolderreflowoperation.Th eseSMDs shouldbe subjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthi sdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobein gsubmittedtospecificin- housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonit oring)toevalu atelongtermreliability(

46、whichmightbeimpactedbysolderr eflow). JESD22-A114F Published:Dec-2021 ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITY TESTINGHUMANBODYMODEL(HBM):Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortesting andclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibili tytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectros ta

47、ticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobje ctiveistoprovidereliable,repeatable HBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbe performed. JESD22-A115A Published:Oct1997 . Thisisavalidtestmethod,howeveritisnotcurrentlybeingu sedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJE SD22A114orJESD22

48、C101 ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITY TESTINGMACHINEMODEL(MM): Thismethodestablishesastandardprocedurefortestingand classifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilityto damageordegradationbyexposuretoadefinedMachineM odel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveisto providereliable,r ep

49、eatableMMESDtestresultssothataccurateclassificatio nscanbeperformed. JESD22-A117A Published:Mar-2006 ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLER OM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEA NDDATARETENTIONTEST: Thismethodestablishesastandardprocedurefordetermini ngthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo程/擦除fn

50、on-據(jù)保持水平.本試驗(yàn)方法可用十鑒耐久性volatilememorycells.Itisintendedasaqualificationandmo定和監(jiān)控試驗(yàn)流程.本試驗(yàn)也可以及數(shù)nitortestprMT FLASH EEPROM集成電路據(jù)保持ocedure.ThistestisalsoapplicabletoFLASHEEPROMint以及帶有內(nèi)嵌的 EEPROM或試驗(yàn)egratedcircuitsandFLASH存儲(chǔ)器的可擦除可編程ErasableProgrammableLogicDevices(EPLD)withembe邏輯器件EPLD oddedEEPROMorFLASHmemor

51、y.19. A118JESD22-A118AJESD22-A118A加速水Published:Mar-2021發(fā)布：2021年3月汽反抗ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-加速水汽反抗性一-無偏壓性UNBIASEDHAST:HAST :無偏壓HAST用于評(píng)估無偏壓TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluati非氣密封裝固態(tài)器件在潮濕環(huán)境HASTngthereliabilityofnon-hermeticpackagedsolid-下的可 靠性.這是一個(gè)高加速試statedevicesinhumidenvironment

52、s.Itisahi驗(yàn)方法,利用非冷凝條件下的溫度ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumid和濕度來加速水汽對(duì)外部保護(hù)性ityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetr材料封裝或密封或沿著外部保ationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(e護(hù)材料和貫穿其的金屬導(dǎo)體的界ncapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexterna面的穿透作用.不施加偏壓以保lprotectiv證被偏

53、置電壓掩蓋的失效機(jī)理能ematerialandthemetallicconductorswhichpassthroughit.夠被發(fā)現(xiàn)如：賈凡尼式腐蝕原Biasisnotappliedinthistesttoensurethefailuremechanism電池腐蝕.本試驗(yàn)用于確定封裝spotentiallyo內(nèi)部的失效機(jī)理,為破壞性試驗(yàn).vershadowedbybiascanbeuncovered(e.g.galvaniccorrosion).Thistestisusedtoidentifyfailuremechanismsinternaltothepackageandisdestructive.20.JESD22-A119JESD22-A119A119 低Publi