雙極型晶體管資料

1、雙極型晶體管晶體管的極限參數(shù)雙極型晶體管(Bipolar Transistor )由兩個背靠背 PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基 區(qū)注入少量電流時，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。雙極 型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。同場效應(yīng)晶體管 相比，雙極型晶體管開關(guān)速度快，但輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、

2、可靠性高， 已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計算機(jī)、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、 振蕩、開關(guān)等作用。晶體管：用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管.晶體管分類：NPN型管和PNP型管輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE 定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降 uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為：硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。輸岀特性曲線：描述基極電流IB為一常量時，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系?？杀硎緸椋弘p擊型晶體管輸岀特性可分為三個區(qū)截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE0，IC0，U

3、CEEC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這個狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE0，IC=EC / RC，把三極管當(dāng)作一個開關(guān)，這時開關(guān)處于閉合狀態(tài)。放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。放大區(qū)的特點(diǎn)是： IC受IB的控制，與 UCE的大小幾乎無關(guān)。因此三極管是一個受電流IB控制的電流源。特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時的IC就是穿透電流ICEO。在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為：U

4、CE=EC- ICRC, IC=p IB在放大區(qū)管子可等效為一個可變直流電阻。極間反向電流：是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動的結(jié)果。集電極一基極反向飽和電流ICBO :是集電結(jié)的反向電流。集電極一發(fā)射極反向飽和電流ICEO :它是穿透電流。ICEO與CBO的關(guān)系：特征頻率：由于晶體管中PN結(jié)結(jié)電容的存在，晶體管的交流電流放大系數(shù)會隨工作頻率的升高而下降，當(dāng)?shù)臄?shù)值下降到1時的信號頻率稱為特征頻率。雙極型晶體管極限參數(shù)最大集電極耗散功率如圖所示。最大集電極電流：使b下降到正常值的1/22/3時的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓即

5、為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。是發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓，這是集電結(jié)所允許加的最高反向電壓。是基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓，此時集電結(jié)承受的反向電壓。是集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓，這是發(fā)射結(jié)所允許加的最高反向電壓。溫度對的影響：是集電結(jié)加反向電壓時平衡少子的漂移運(yùn)動形成的，當(dāng)溫度升高時，熱運(yùn)動加劇，更多的價電子有足夠的能量掙脫共價鍵的束縛，從而使少子的濃度明顯增大，增大。溫度每升高10時，增加約一倍。硅管的比鍺管的小得多，硅管比鍺管受溫度的影響要小。溫度對輸入特性的影響：溫度升高，正向特性將左移。溫度對輸

6、岀特性的影響：溫度升高時增大。光電三極管：依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。暗電流ICEO :光照時的集電極電流稱為暗電流ICEO，它比光電二極管的暗電流約大兩倍；溫度每升高25，ICEO上升約10倍。光電流：有光照時的集電極電流為光電流。當(dāng)足夠大時，決定于入射光照度。Cc-集電極電容Ccb-集電極與基極間電容Cce-發(fā)射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極輸入電容Cie-共發(fā)射極輸入電容Cies-共發(fā)射極短路輸入電容Cieo-共發(fā)射極開路輸入電容Cn-中和電容（外電路參數(shù)）Co-輸出電容Cob-共基極輸岀電容。在基極電路中，集電極與基極間輸岀電容Coe-共發(fā)射極輸出電容 Coeo-

7、共發(fā)射極開路輸出電容Cre-共發(fā)射極反饋電容Cic-集電結(jié)勢壘電容CL-負(fù)載電容（外電路參數(shù)）Cp-并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）BVcbo-發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路，CE結(jié)擊穿電壓 BVebo- 集電極開路 EB結(jié)擊穿電壓BVces-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BV cer- 基極與發(fā)射極串接一電阻，CE 結(jié)擊穿電壓D- 占空比fT- 特征頻率fmax- 最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1 時的工作頻率hFE- 共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)hIE- 共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗hOE- 共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)h RE- 共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)hie- 共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗

8、hre- 共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)hfe- 共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)hoe- 共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納IB- 基極直流電流或交流電流的平均值Ic- 集電極直流電流或交流電流的平均值IE- 發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值Icbo- 基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB 反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo- 發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Iebo- 基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB 條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流Icer- 基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R ，集電極與發(fā)射極間的電壓V

9、CE 為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Ices- 發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE 條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流Icex- 發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE 下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流ICM- 集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM- 在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流 的最大平均值ICMP- 集電極最大允許脈沖電流ISB- 二次擊穿電流IAGC- 正向自動控制電流Pc- 集電極耗散功率PCM- 集電極最大允許耗散功率Pi- 輸入功率Po- 輸出功率Posc- 振蕩

10、功率Pn- 噪聲功率Ptot- 總耗散功率ESB- 二次擊穿能量rbb'- 基區(qū)擴(kuò)展電阻（基區(qū)本征電阻）rbb'Cc- 基極 -集電極時間常數(shù)，即基極擴(kuò)展電阻與集電結(jié)電容量的乘積rie- 發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻roe-發(fā)射極接地，在規(guī)定 VCE、lc或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻RE- 外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）RB- 外接基極電阻（外電路參數(shù)）Rc -外接集電極電阻（外電路參數(shù)）RBE- 外接基極 -發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）RL- 負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）RG- 信號源內(nèi)阻Rth- 熱阻Ta- 環(huán)境溫度Tc- 管殼溫度Ts- 結(jié)溫Tjm- 最

11、大允許結(jié)溫Tstg- 貯存溫度td 延遲時間tr- 上升時間ts- 存貯時間tf- 下降時間ton- 開通時間toff- 關(guān)斷時間VCB- 集電極 -基極（直流）電壓VCE- 集電極 -發(fā)射極（直流）電壓VBE- 基極發(fā)射極（直流）電壓VCBO- 基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VEBO- 基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓VCEO- 發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓VCER-發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓VCES- 發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)

12、射極之間在指定條件下的最高耐壓VCEX- 發(fā)射極接地， 基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓， 集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最 高耐壓Vp- 穿通電壓。VSB- 二次擊穿電壓VBB- 基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）Vcc- 集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VEE- 發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）VCE（sat）- 發(fā)射極接地，規(guī)定 Ic、 IB 條件下的集電極 -發(fā)射極間飽和壓降VBE（sat）- 發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、 IB 條件下，基極 -發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）VAGC- 正向自動增益控制電壓Vn（p-p）- 輸入端等效噪聲電壓峰值V n- 噪聲電壓Cj- 結(jié)（極間）電容，表

13、示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容Cjv- 偏壓結(jié)電容Co- 零偏壓電容Cjo- 零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn- 結(jié)電容變化Cs- 管殼電容或封裝電容Ct- 總電容CTV- 電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比CTC- 電容溫度系數(shù)Cvn- 標(biāo)稱電容IF- 正向直流電流 （正向測試電流） 。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF 下， 通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅 開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF（AV ） -正向平均電流IF

14、M （IM） -正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈 沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH- 恒定電流、維持電流。Ii- 發(fā)光二極管起輝電流IFRM- 正向重復(fù)峰值電流IFSM- 正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）Io- 整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流IF（ov）- 正向過載電流IL- 光電流或穩(wěn)流二極管極限電流ID- 暗電流IB2- 單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流IEM- 發(fā)射極峰值電流IEB10- 雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流IEB20- 雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流ICM- 最大輸出平均電流IFMP- 正向脈沖電流I

15、P- 峰點(diǎn)電流IV- 谷點(diǎn)電流IGT- 晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD- 晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM- 控制極正向峰值電流IR（AV ） -反向平均電流IR （ In ） - 反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半 波電阻性負(fù)載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓 V R 時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電 壓下的漏電流。IRM- 反向峰值電流IRR- 晶閘管反向重復(fù)平均電流IDR- 晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流IRRM- 反向重復(fù)峰值電流IRSM- 反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電

16、流）Irp- 反向恢復(fù)電流Iz- 穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流Izk- 穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流IOM- 最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負(fù)荷的 正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM- 穩(wěn)壓二極管浪涌電流IZM- 最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流iF- 正向總瞬時電流iR- 反向總瞬時電流ir- 反向恢復(fù)電流Iop- 工作電流Is- 穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流f- 頻率n- 電容變化指數(shù)；電容比Q- 優(yōu)值（品質(zhì)因素）Svz-穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt- 通態(tài)電流臨界上升率dv/dt- 通態(tài)電壓

17、臨界上升率PB- 承受脈沖燒毀功率PFT （ AV ） -正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖FTM- 正向峰值耗散功率PFT- 正向?qū)偹矔r耗散功率Pd- 耗散功率PG- 門極平均功率PGM- 門極峰值功率PC- 控制極平均功率或集電極耗散功率Pi- 輸入功率PK- 最大開關(guān)功率PM- 額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150 度所能承受的最大功率PMP- 最大漏過脈沖功率PMS- 最大承受脈沖功率Po- 輸出功率PR- 反向浪涌功率Ptot- 總耗散功率Pomax- 最大輸出功率Psc- 連續(xù)輸出功率PSM- 不重復(fù)浪涌功率PZM- 最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率RF（r）-正

18、向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在 某一正向電壓下，電壓增加微小量V，正向電流相應(yīng)增加I，則 V/ I稱微分電阻RBB- 雙基極晶體管的基極間電阻RE- 射頻電阻RL- 負(fù)載電阻Rs（rs） 串聯(lián)電阻Rth 熱阻R（th）ja 結(jié)到環(huán)境的熱阻Rz（ru）- 動態(tài)電阻R（th）jc- 結(jié)到殼的熱阻 r &-衰減電阻 r（th）- 瞬態(tài)電阻 Ta- 環(huán)境溫度 Tc- 殼溫 td- 延遲時間 tf- 下降時間 tfr- 正向恢復(fù)時間 tg- 電路換向關(guān)斷時間 tgt- 門極控制極開通時間 Tj- 結(jié)溫 Tjm- 最高結(jié)溫 ton- 開通時間 toff- 關(guān)斷時間 tr- 上升時間 trr- 反向恢復(fù)時間 ts- 存儲時間 tstg- 溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度 a- 溫度系數(shù) 入-發(fā)光峰值波長入-光譜半寬度 n-單結(jié)晶體管分壓比或效率 VB- 反向峰值擊穿電壓 Vc- 整流輸入電壓 VB2B1- 基極間電壓 VBE10- 發(fā)射極與第一基極反向電壓 VEB- 飽和壓降VFM- 最大正向壓降（正向峰值電壓） VF- 正向壓降（正向直流電壓） VF- 正向壓降差 VDRM- 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT- 門極觸發(fā)電壓VGD