模擬電路總復(fù)習(xí)知識(shí)點(diǎn)1

1、第一章 緒論1 模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào) 模擬信號(hào)：時(shí)間連續(xù)、幅度連續(xù)的信號(hào)（圖1.1.8）。數(shù)字信號(hào)：時(shí)間、幅度離散的信號(hào)（圖1.1.10）2放大電路的基本知識(shí)輸入電阻：是從放大器輸入口視入的等效交流電阻。是信號(hào)源的負(fù)載，從信號(hào)源吸收信號(hào)功率。輸出電阻：放大器在輸出口對(duì)負(fù)載而言，等效為一個(gè)新的信號(hào)源（這說(shuō)明放大器向負(fù)載輸出功率），該信號(hào)源的內(nèi)阻即為輸出電阻。放大器各種增益定義如下：端電壓增益：源電壓增益：電流增益：互導(dǎo)增益：互阻增益：負(fù)載開(kāi)路電壓增益（內(nèi)電壓增益）：，功率增益：、的分貝數(shù)為；的分貝數(shù)為。不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必須。任何單向化放大器都可以用模型來(lái)等效，可用模型有

2、四種（圖1.2.2）。 頻率響應(yīng)及帶寬：或 幅頻相應(yīng)（圖1.2.7）：電壓增益的模與角頻率的關(guān)系。 相頻相應(yīng)：輸出與輸入電壓相位差與角頻率的關(guān)系。BW 帶寬：幅頻相應(yīng)的兩個(gè)半功率點(diǎn)間的頻率差。線(xiàn)性失真：電容和電感引起，包括頻率失真和相位失真（圖1.2.9）非線(xiàn)性失真：器件的非線(xiàn)性造成。第二章 晶體二極管及應(yīng)用電路一、半導(dǎo)體知識(shí)1本征半導(dǎo)體單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有4價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅（Si）和鍺（Ge）（圖2.1.2），一些金屬化合物也具有半導(dǎo)體的性質(zhì)如砷化鎵GaAs。前者是制造半導(dǎo)體IC的材料，后者是微波毫米波半導(dǎo)體器件和IC的重要材料。本征半導(dǎo)體：純凈且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。

3、本征激發(fā)（又稱(chēng)熱激發(fā)或產(chǎn)生）：在一定的溫度下，本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子自由電子和空穴對(duì)。溫度越高，本征激發(fā)越強(qiáng)?？昭ǎ喊雽?dǎo)體中的一種等效載流子?？昭▽?dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位，使局部顯示電荷的空位宏觀(guān)定向運(yùn)動(dòng)（圖2.1.4）。復(fù)合：在一定的溫度下，自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇，使一對(duì)自由電子和空穴消失的現(xiàn)象。復(fù)合是產(chǎn)生的相反過(guò)程，當(dāng)產(chǎn)生等于復(fù)合時(shí)，稱(chēng)載流子處于平衡狀態(tài)。2雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征硅（或鍺）中滲入微量5價(jià)（或3價(jià)）元素后形成N型（或P型）雜質(zhì)半導(dǎo)體（P型：圖2.1.5，N型：圖2.1.6）。電離：在很低的溫度下，N型（P型）半導(dǎo)體中的雜質(zhì)會(huì)全部，產(chǎn)生自由電子和

4、雜質(zhì)正離子對(duì)（空穴和雜質(zhì)負(fù)離子對(duì)）。載流子：由于雜質(zhì)電離，使N型半導(dǎo)體中的多子是自由電子，少子是空穴，而P型半導(dǎo)體中的多子是空穴，少子是自由電子。在常溫下，多子少子（圖1-7）。多子濃度幾乎等于雜質(zhì)濃度，與溫度無(wú)關(guān)；少子濃度是溫度的敏感函數(shù)。在相同摻雜和常溫下，Si的少子濃度遠(yuǎn)小于Ge的少子濃度。二、PN結(jié)在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層PN結(jié)（圖2.2.2）。PN結(jié)（又稱(chēng)空間電荷區(qū)）：存在由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場(chǎng)和內(nèi)電壓；PN結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)（稱(chēng)耗盡層）；PN結(jié)內(nèi)的電場(chǎng)是阻止結(jié)外兩區(qū)的多子越結(jié)擴(kuò)散的（稱(chēng)勢(shì)壘層或阻擋層）。單向?qū)щ娞匦裕赫玃N結(jié)（

5、P區(qū)電位高于N）時(shí)，有隨正偏電壓指數(shù)增大的電流；反偏PN結(jié)（P區(qū)電位低于N區(qū)），在使PN結(jié)擊穿前，只有很小的反向。即PN結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?dǎo)通，反偏截止）。反向擊穿特性：當(dāng)反偏電壓達(dá)到一定值時(shí)，反向電流急劇增大，而PN結(jié)兩端的電壓變化不大（圖2.2.6）。 PN結(jié)的伏安方程為：，其中，在T = 300K時(shí)，熱溫度當(dāng)量。三、半導(dǎo)體二極管普通二極管內(nèi)就是一個(gè)PN結(jié)，P區(qū)引出正電極，N區(qū)引出負(fù)電極（圖2.3.1）。在低頻運(yùn)用時(shí)，二極的具有單向?qū)щ娞匦?，正偏時(shí)導(dǎo)通，Si管和Ge管導(dǎo)通電壓典型值分別是0.7V和0.3V；反偏時(shí)截止，但Ge管的反向飽和電流比Si管大得多（圖2.3.2、圖2.3.3）。

6、低頻運(yùn)用時(shí)，二極管是一個(gè)非線(xiàn)性電阻，其交流電阻不等于其直流電阻。二極管交流電阻：。二極管交流電阻估算：二極管直流電阻：二極管的低頻小信號(hào)模型：就是交流電阻，它反映了在工作點(diǎn)Q處，二極管的微變電流與微變電壓之間的關(guān)系。二極管的低頻大信號(hào)模型：是一種開(kāi)關(guān)模型，有理想開(kāi)關(guān)、恒壓源模型和折線(xiàn)模型。三、二極管應(yīng)用1單向?qū)щ娞匦詰?yīng)用二極管正向充分導(dǎo)通時(shí)只有很小的交流電阻，近似于一個(gè)0.7V（Si管）或0.3V（Ge管）的恒壓源。整流器：半波整流，全波整流，橋式整流限幅器：頂部限幅，底部限幅，雙向限幅鉗位電路*2反向擊穿及應(yīng)用二極管反偏電壓增大到一定值時(shí)，反向電流突然增大的現(xiàn)象即反向擊穿。反向擊穿的原因有價(jià)

7、電子被碰撞電離而發(fā)生的“雪崩擊穿”和耗盡層中價(jià)電子強(qiáng)場(chǎng)激發(fā)而發(fā)生的“齊納擊穿”。反向擊穿電壓十分穩(wěn)定，可以用來(lái)作穩(wěn)壓管（圖2.5.2）。穩(wěn)壓管電路設(shè)計(jì)時(shí)，要正確選取限流電阻，使穩(wěn)壓管在一定的負(fù)載條件下正常工作。3特殊二極管光電二極管、變?nèi)荻O管、穩(wěn)壓二極管、激光二極管。第三章 雙極型晶體三極管及其放大電路一、半導(dǎo)體BJT結(jié)構(gòu)及偏置 雙極型晶體管（BJT）分為NPN管和PNP管兩類(lèi)（圖3.1.3和3.1.2）。電流控制器件。當(dāng)BJT發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，稱(chēng)為放大偏置。在放大偏置時(shí)，NPN管滿(mǎn)足；PNP管滿(mǎn)足。 放大偏置時(shí)，作為PN結(jié)的發(fā)射結(jié)的VI特性是：（NPN），（PNP）。電流分配（圖3

8、.1.4）：在BJT為放大偏置的外部條件下，發(fā)射極電流將幾乎轉(zhuǎn)化為集電流，而基極電流較小。電流放大系數(shù)：在放大偏置時(shí)，令（是由轉(zhuǎn)化而來(lái)的分量），導(dǎo)出兩個(gè)關(guān)于電極電流的關(guān)系方程：其中，是集電結(jié)反向飽和電流，是穿透電流。放大偏置時(shí)，在一定電流范圍內(nèi)，、基本是線(xiàn)性關(guān)系，而三個(gè)電流與都是非線(xiàn)性指數(shù)關(guān)系。放大偏置時(shí)：三電極電流主要受控于，而反偏，對(duì)電流有較小的影響。影響的規(guī)律是；集電極反偏增大時(shí)，增大而減小。發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反偏時(shí)BJT為截止?fàn)顟B(tài)，發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都正偏時(shí)，BJT為飽和狀態(tài)。二、BJT靜態(tài)伏安特性曲線(xiàn)三端電子器件的伏安特性曲線(xiàn)一般是畫(huà)出器件在某一種雙口組態(tài)時(shí)輸入口和輸出口的伏安特性曲線(xiàn)族。

9、BJT常用共射伏安特性曲線(xiàn)：輸入特性曲線(xiàn)：（圖3.1.7）輸出特性曲線(xiàn)：（圖3.1.7）輸入特性曲線(xiàn)一般只畫(huà)放大區(qū)，典型形狀與二極管正向伏安特性相似。輸出特性曲線(xiàn)族把伏安平面分為4個(gè)區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)）放大區(qū)近似的等間隔平行線(xiàn)，反映近似為常數(shù)（圖3.3.5）。當(dāng)溫度增加時(shí)，會(huì)導(dǎo)致增加，增加和輸入特性曲線(xiàn)左移。三、BJT主要參數(shù)電流放大系數(shù)：直流，直流；交流和，、也滿(mǎn)足。極間反向電流：集電結(jié)反向飽和和電流；穿透電流極限參數(shù)：集電極最大允許功耗；基極開(kāi)路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓；集電極最大允許電流。特征頻率BJT小信號(hào)工作，當(dāng)頻率增大時(shí)使信號(hào)電流與不同相，也不成比例。若用相量表示為，

10、則稱(chēng)為高頻。是當(dāng)高頻的模等于1時(shí)的頻率。四、BJT小信號(hào)模型放大作用：無(wú)論是共射組態(tài)或共基組態(tài)，其放大電壓信號(hào)的物理過(guò)程都是輸入信號(hào)使正偏發(fā)射結(jié)電壓變化，經(jīng)放大偏置BJT內(nèi)部的的正向控制過(guò)程產(chǎn)生較大的集電極電流變化（出現(xiàn)信號(hào)電流），在集電極電阻上的交流電壓就是放大的電壓信號(hào)（圖3.2.1）。小信號(hào)：當(dāng)發(fā)射結(jié)上交流電壓mV時(shí)，BJT的電壓放大才是工程意義上的線(xiàn)性放大。BJT混合小信號(hào)模型是在共射組態(tài)下推導(dǎo)出的一種物理模型（圖3.7.5），模型中有七個(gè)參數(shù)：基區(qū)體電阻 由廠(chǎng)家提供、高頻管的比低頻管小基區(qū)復(fù)合電阻 估算式：，發(fā)射結(jié)交流電阻跨導(dǎo) 估算（ms），基調(diào)效應(yīng)參數(shù) 估算，厄利電壓估算以上參數(shù)滿(mǎn)

11、足：高頻參數(shù)：集電結(jié)電容 由廠(chǎng)家給出；發(fā)射結(jié)電容 估算*最常用的BJT模型是低頻簡(jiǎn)化模型（1）電壓控制電流源（）模型（圖3.7.5c）（2）電流控制電流源（）模型（圖3.7.5d，常用），其中五、放大電路基本概念向放大器輸入信號(hào)的信號(hào)源模型一般可以用由源電壓串聯(lián)源內(nèi)阻來(lái)表示，接受被放大的信號(hào)的電路模型一般可以用負(fù)載電阻來(lái)表示（圖3.4.4a）。未輸入信號(hào)（靜態(tài)）時(shí)，放大管的直流電流、電壓在特性曲線(xiàn)上對(duì)應(yīng)的點(diǎn)稱(chēng)為放大器的工作點(diǎn)。工作點(diǎn)由直流通路求解。放大器工作時(shí)，信號(hào)（電流、電壓）均迭加在靜態(tài)工作點(diǎn)上，只反映信號(hào)電流、電壓間關(guān)系的電路稱(chēng)為交流通路。放大器中的電壓參考點(diǎn)稱(chēng)為“地”，放大器工作時(shí)，某

12、點(diǎn)對(duì)“地”的電壓不變（無(wú)交流電壓），該點(diǎn)為“交流地”。交流放大器中的耦合電容可以隔斷電容兩端的直流電壓，并無(wú)衰減地將電容一端的交流電壓傳送到另一端，耦合電容上應(yīng)基本上無(wú)交流電壓（交流短路）。傍路電容也是對(duì)交流電流短路的電容。畫(huà)交流通路時(shí)應(yīng)將恒壓源短路（無(wú)交流電壓），恒流源開(kāi)路（無(wú)交流電流）；耦合、傍路電容短路（無(wú)交流電壓）（圖3.4.4b）。畫(huà)直流通路時(shí)應(yīng)將電容開(kāi)路（電容不通直流），電感短路（電感上直流電壓為零）。六、BJT偏置電路1固定偏置電路（圖3.4.4a）特點(diǎn)：簡(jiǎn)單，雖然隨溫度變化小；但輸出特性曲線(xiàn)上的工作點(diǎn)（、）隨溫度變化大。Q點(diǎn)估算：，直流負(fù)載線(xiàn) 作圖求Q點(diǎn)：在輸出特性曲線(xiàn)上，直流

13、負(fù)載線(xiàn)與的交點(diǎn)。2基極分壓射極偏置電路（圖3.5.1）特點(diǎn)：元件稍多。但在滿(mǎn)足條件（）時(shí)，工作點(diǎn)Q（，）隨溫度變化很小，工作點(diǎn)穩(wěn)定。原因是存在直流負(fù)反饋。Q點(diǎn)估算：，直流負(fù)載線(xiàn) 以上近似計(jì)算在滿(mǎn)足時(shí)有足夠的準(zhǔn)確性。七、基本共射放大器的大信號(hào)分析交流負(fù)載線(xiàn)（圖3.3.4）是放大器工作時(shí)，動(dòng)點(diǎn)（，）的運(yùn)動(dòng)軌跡。交流負(fù)載線(xiàn)經(jīng)過(guò)靜態(tài)工作點(diǎn)，且斜率為。非線(xiàn)性失真：因放大器中晶體管的伏安特性的非線(xiàn)性使輸出波形出現(xiàn)失真。非線(xiàn)性失真使輸出信號(hào)含有輸入信號(hào)所沒(méi)有的新的頻率分量。大信號(hào)時(shí)，使BJT進(jìn)入飽和區(qū)產(chǎn)生飽和失真；使BJT進(jìn)入截止區(qū)，產(chǎn)生截止失真。NPN管CE放大器的削頂失真是截止失真；削底失真是飽和失真。

14、對(duì)于PNP管CE放大器則相反。將工作點(diǎn)安排在交流負(fù)載線(xiàn)的中點(diǎn)，可以獲得最大的無(wú)削波失真的輸出。2CE、CB、CC放大器基本指標(biāo)，管端輸入電阻，管端輸出電阻。用電流控制電流源（）BJT低頻簡(jiǎn)化模型（圖2-24）導(dǎo)出的三個(gè)組態(tài)的上述基本指標(biāo)由表3-1歸納。3 高輸入電阻和電流放大系數(shù)可采用復(fù)合管（圖3.6.4、3.6.5）復(fù)合BJT是模擬IC中的一種工藝（又稱(chēng)達(dá)林頓組態(tài)）。CE放大器CB放大器CC放大器簡(jiǎn)化交流通路AV（大，反相）(rberbb)（大，同相）(rberbb)（rbb)rbe (中)(1+)re (rberbb) (小)re (rberbb)rbe+(1+) (大)(1+)(re+)

15、 (rberbb)0.5rcerce (大，與信號(hào)源內(nèi)阻有關(guān))rce0.5rbc(很大，與信號(hào)源內(nèi)阻有關(guān))(小，與RS有關(guān)), ()應(yīng)用功率增益最大，RiRo適中，易于與前后級(jí)接口，使用廣泛。高頻放大時(shí)性能好，常與CE和CC組態(tài)結(jié)合使用。如CE-CB組態(tài)CC-CB組態(tài)。Ri大而Ro小，可作高阻抗輸入級(jí)和低阻抗輸出級(jí)，隔離級(jí)和功率輸出級(jí)。表3.6.1 BJT三種基本放大器小信號(hào)指標(biāo)八、放大器的頻率響應(yīng)1. 基本知識(shí)對(duì)放大器輸入正弦小信號(hào)，則輸出信號(hào)的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)特性即放大器的頻率響應(yīng)。在小信號(hào)且不計(jì)非線(xiàn)性失真時(shí)，輸出信號(hào)仍為正弦信號(hào)。故可以用輸出相量與輸入相量之比，即放大器的增益的頻率特性函數(shù)來(lái)分析

16、放大器的頻率響應(yīng)的特性。表示輸出正弦信號(hào)與輸入正弦信號(hào)的振幅之比，反映放大倍數(shù)與輸入信號(hào)頻率的關(guān)系，故稱(chēng)為增益的幅頻特性（圖3.7.15b）；是輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的相位差，它反映了放大器的附加相移與輸入信號(hào)頻率的關(guān)系，故稱(chēng)為增益的相頻特性。 放大器在低頻段表現(xiàn)出增益的頻率特性的原因是電路中的耦合電容和旁路電容在頻率很低時(shí)不能視為交流短路，使交流通路中有電抗元件，從而造成輸出的幅度和附加相位與信號(hào)頻率有關(guān)；放大器在高頻段表現(xiàn)出增益的頻率特性的原因是晶體管內(nèi)部電抗效應(yīng)在高頻時(shí)必須考慮（如PN結(jié)電容的容抗不能再視為），使等效電路中存在電抗，造成輸出與頻率有關(guān)。當(dāng)信號(hào)頻率降低（或升高）到使下降到中頻段

17、增益的0.707倍時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱(chēng)為放大器的低頻截止頻率（或高頻截止頻率）。放大器的通頻帶是定義為,又稱(chēng)3dB帶寬。當(dāng)對(duì)放大器輸入頻帶信號(hào)，若輸入信號(hào)頻率的范圍超過(guò)時(shí)，輸出波形會(huì)因此發(fā)生畸變，此即放大器的頻率失真。頻率失真分為幅頻失真和相頻失真。前者是變化所致，后者是不與成正比所致。頻率失真與非線(xiàn)性失真的重要區(qū)別：對(duì)于前者，輸出信號(hào)沒(méi)有新的頻率分量，且只有輸入信號(hào)頻超過(guò)時(shí)才有頻率失真的問(wèn)題。在直角坐標(biāo)系下畫(huà)出的曲線(xiàn)稱(chēng)為幅頻特性曲線(xiàn)；曲線(xiàn)稱(chēng)為相頻特性曲線(xiàn)。2. 波特圖放大器對(duì)數(shù)頻率特性曲線(xiàn)波特圖的頻率軸按定刻度位置，但仍標(biāo)示頻率的值。對(duì)數(shù)頻率軸的特點(diǎn)是每10倍頻程相差一個(gè)單位長(zhǎng)度，且點(diǎn)在頻率軸處

18、。幅頻波特圖的縱坐標(biāo)按的分貝刻度，即所謂分貝線(xiàn)性刻度。相頻波特圖的縱坐標(biāo)仍按的角度刻度。波特圖的優(yōu)點(diǎn)是易于用漸近線(xiàn)方法近似作頻率特性曲線(xiàn)。漸近線(xiàn)波特圖繪法*：首先要判斷是低頻段還是高頻段的頻率特性函數(shù)（全頻段另行討論）。的通式為：若，則為；若，則為。1低頻波特圖畫(huà)法將每個(gè)極零點(diǎn)因子化成以下形式（，）（1）畫(huà)幅頻波特圖；在幅頻特性平面上畫(huà)出每個(gè)因子（包括中頻增益）的幅頻漸近線(xiàn)波特圖，然后相加。每個(gè)因子對(duì)幅頻波特圖的貢獻(xiàn)如下：的貢獻(xiàn)為，即一條與無(wú)關(guān)的水平線(xiàn)；極點(diǎn)因子在極點(diǎn)頻率左側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)分貝，斜率為20dB/dec。零點(diǎn)因子在零點(diǎn)頻率右側(cè)貢獻(xiàn)正分貝，斜率為dB/dec。（2）畫(huà)相頻波特圖：在相頻特性

19、平面上畫(huà)出每個(gè)因子（包括）的相頻漸近線(xiàn)波特圖，然后相加。每個(gè)因子的貢獻(xiàn)如下：，則對(duì)相頻波特圖貢獻(xiàn)為0o。，則對(duì)相頻波特圖貢獻(xiàn)為。極點(diǎn)因子，在頻點(diǎn)的左而貢獻(xiàn)正角度。在區(qū)間斜率為45o/dec。頻點(diǎn)為45o，小于處保持90o。零點(diǎn)因子在左側(cè)貢獻(xiàn)角度，在區(qū)間斜率為/dec；在頻點(diǎn)處為45o（或），在0.1處為90o（或），小于0.1時(shí)保持90o（或），角度的符號(hào)與零點(diǎn)因子幅角的符號(hào)一致。2高頻波特圖的畫(huà)法將中每個(gè)極零點(diǎn)因子化成以下形式（，）（1）畫(huà)幅頻波特圖畫(huà)出每個(gè)因子（包括）對(duì)幅頻波特圖的貢獻(xiàn)，然后相加，其規(guī)律如下：貢獻(xiàn)的分貝為，即一條與無(wú)關(guān)的水平線(xiàn)極點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)分貝，斜率是dB/dec。零

20、點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)正分貝，斜率是20dB/dec。（2）畫(huà)出相頻波特圖畫(huà)出每個(gè)因子對(duì)相頻波特圖的貢獻(xiàn)，然后相加。其規(guī)律如下：的貢獻(xiàn)是0o（）或180o（）。極點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)角度，斜率/dec；在時(shí)，貢獻(xiàn)達(dá)到。零點(diǎn)因子在0.1右側(cè)貢獻(xiàn)角度，斜率為45o/dec（或/dec）。在時(shí)，貢獻(xiàn)達(dá)到并保持90o（或）。角度符號(hào)與零點(diǎn)因子幅角的符號(hào)相同。3全頻段波特圖的繪制首先要畫(huà)出放大電路的交流通路，大電容視為短路，將BJT的高頻小信號(hào)模型帶入其中，得到高頻等效電路，求出高頻；保留大電容，將BJT的低頻小信號(hào)模型帶入，求出低頻。識(shí)別中的高、低頻極點(diǎn)和零點(diǎn)，然后將極、零點(diǎn)因子分別寫(xiě)成繪波圖所需形式，再按前

21、面兩節(jié)的方法繪出波特圖。從中頻除法遇到的高、低頻段第一個(gè)柺點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的頻率即為上限頻率和下限頻率。第四章 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）及基本放大電路場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是電壓控制半導(dǎo)體器件，體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。一、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）原理FET分別為JFET和MOSFET兩大類(lèi)。每類(lèi)都有兩種溝道類(lèi)型：N溝道和P溝道。而MOSFET又分為增強(qiáng)型和耗盡型（JFET屬耗盡型），故共有6種類(lèi)型FET（表4.3.1）。JFET和MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)有較大差別，但內(nèi)部的溝道電流都是多子漂移電流。一般情況下，該電流與、都有關(guān)。溝道未夾斷時(shí)，F(xiàn)ET的D-S

22、口等效為一個(gè)壓控電阻（控制電阻的大小），溝道全夾斷時(shí)，溝道電流為零；溝道在靠近漏端局部斷時(shí)稱(chēng)部分夾斷，此時(shí)主要受控于，而影響較小。這就是FET放大偏置狀態(tài)；部分夾斷與未夾斷的臨界點(diǎn)為預(yù)夾斷。在預(yù)夾斷點(diǎn)，與滿(mǎn)足預(yù)夾斷方程：耗盡型FET的預(yù)夾斷方程：（夾斷電壓）增強(qiáng)型FET的預(yù)夾斷方程：（開(kāi)啟電壓）各種類(lèi)型的FET，偏置在放大區(qū)（溝道部分夾斷）的條件由下表總結(jié)。FET放大偏置時(shí)與應(yīng)滿(mǎn)足的關(guān)系極 性放大區(qū)條件VDSN溝道管：正極性(VDS0)VDSVGSVP(或VT)0P溝道管：負(fù)極性(VDS0)VDSVGSVP(或VT)VP(或VT)P溝道管：VGSrds ，最大AI決定于RG ，AI1決定于RG ，AI1AI1類(lèi)似CE放大器CC放大器CB放大器第五章 功率放大器1基本概念功率放大器作為多級(jí)放大器輸出級(jí)，目的是提高輸出信號(hào)的功率。器件工作于大信號(hào)狀態(tài)，故小信號(hào)等效電路分析方法不適用。功放關(guān)注的指標(biāo)主要有：效率 最大輸出信號(hào)功率非線(xiàn)性失真系數(shù)D功放管工作于接近極限參數(shù)狀態(tài)，故功放管安全使用是設(shè)計(jì)功放要考慮的問(wèn)題。對(duì)BJT功放管，使