半導(dǎo)體物理習(xí)題及答案

1、案 答 及 題習(xí)-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)JINGBIAN復(fù)習(xí)思考題與自測題第一章1 .原子中的電子和晶體中電子受勢場作用情況以及運(yùn)動(dòng)情況有何不同，原子中內(nèi)層電 子和外層電子參與共有化運(yùn)動(dòng)有何不同。答：原子中的電子是在原子核與電子庫倫相互作用勢的束縛作用下以電子云的形式存 在，沒有一個(gè)固定的軌道；而晶體中的電子是在整個(gè)晶體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的共有化電子，在晶 體周期性勢場中運(yùn)動(dòng)。當(dāng)原子互相靠近結(jié)成固體時(shí)，各個(gè)原子的內(nèi)層電子仍然組成圍繞各原子核的封閉殼層, 和孤立原子一樣;然而，外層價(jià)電子則參與原子間的相互作用，應(yīng)該把它們看成是屬 于整個(gè)固體的一種新的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。組成晶體原子的

2、外層電子共有化運(yùn)動(dòng)較強(qiáng)，其行為 與自由電子相似，稱為準(zhǔn)自由電子，而內(nèi)層電子共有化運(yùn)動(dòng)較弱，其行為與孤立原子 的電子相似。2 .描述半導(dǎo)體中電子運(yùn)動(dòng)為什么要引入”有效質(zhì)量”的概念,用電子的慣性質(zhì)量描述能帶 中電子運(yùn)動(dòng)有何局限性。答：引進(jìn)有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導(dǎo)體中 電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)律時(shí)，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用。慣性質(zhì)量描述 的是真空中的自由電子質(zhì)量，而不能描述能帶中不自由電子的運(yùn)動(dòng)，通常在晶體周期 性勢場作用下的電子慣性運(yùn)動(dòng)，成為有效質(zhì)量3 .一般來說,對應(yīng)于高能級的能帶較寬，而禁帶較窄，是否如此，為什么？答：不是，能級的寬窄取決于能帶的疏密

3、程度，能級越高能帶越密，也就是越窄；而 禁帶的寬窄取決于摻雜的濃度，摻雜濃度高，禁帶就會(huì)變窄，摻雜濃度低，禁帶就 比較寬。4 .有效質(zhì)量對能帶的寬度有什么影響，有人說嚴(yán)有效質(zhì)量愈大，能量密度也愈大,因而能 帶愈窄.是否如此，為什么？答：有效質(zhì)量與能量函數(shù)對于K的二次微商成反比，對寬窄不同的各個(gè)能帶，1 (k) 隨k的變化情況不同，能帶越窄，二次微商越小，有效質(zhì)量越大，內(nèi)層電子的能帶 窄，有效質(zhì)量大；外層電子的能帶寬，有效質(zhì)量小。5 .簡述有效質(zhì)量與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系；答：能帶越窄，有效質(zhì)量越大，能帶越寬，有效質(zhì)量越小。6 .從能帶底到能帶頂，晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化？外場對電子的作用效果有

4、什么不同；答：在能帶底附近，電子的有效質(zhì)量是正值，在能帶頂附近，電子的有效質(zhì)量是負(fù) 值。在外電F作用下，電子的波失K不斷改變，其變化率與外力成正比，因 dt為電子的速度與k有關(guān)，既然k狀態(tài)不斷變化，則電子的速度必然不斷變化。7 .以硅的本征激發(fā)為例，說明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶格結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，為 什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度？答：沿不同的晶向，能量帶隙不一樣。因?yàn)殡娮右獢[脫束縛就能從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶， 這個(gè)時(shí)候的能量就是最小能量，也就是禁帶寬度。2 .為什么半導(dǎo)體滿帶中的少量空狀態(tài)可以用具有正電荷和一定質(zhì)量的空穴來描述？ 答：空穴是一個(gè)假想帶正電的粒子，在外

5、加電場中，空穴在價(jià)帶中的躍遷類比 當(dāng)水池中氣泡從水池底部上升時(shí)，氣泡上升相當(dāng)于同體積的水隨氣泡的上升而 下降。把氣泡比作空穴，下降的水比作電子，因?yàn)樵诔霈F(xiàn)空穴的價(jià)帶中，能量 較低的電子經(jīng)激發(fā)可以填充空穴，而填充了空穴的電子又留下了一個(gè)空穴。因 此，空穴在電場中運(yùn)動(dòng)，實(shí)質(zhì)是價(jià)帶中多電子系統(tǒng)在電場中運(yùn)動(dòng)的另一種描 述。因?yàn)槿藗儼l(fā)現(xiàn)，描述氣泡上升比描述因氣泡上升而水下降更為方便。所以 在半導(dǎo)體的價(jià)帶中，人們的注意力集中于空穴而不是電子。3 .有兩塊硅單晶，其中一塊的重量是另一塊重量的二倍.這兩塊晶體價(jià)帶中的能級數(shù)是 否相等，彼此有何聯(lián)系？答：相等，沒任何關(guān)系4 .為什么極值附近的等能面是球面的半導(dǎo)體

6、，當(dāng)改變磁場方向時(shí)只能觀察到一個(gè)共振 吸收峰。答：各向同性。5 .金剛石晶體結(jié)構(gòu)和閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的晶向?qū)ξ锢硇再|(zhì)的影響。6 .典型半導(dǎo)體的帶隙。一般把禁帶寬度等于或者大于2. 3ev的半導(dǎo)體材料歸類為寬禁帶半導(dǎo)體，主要包括 金剛石，SiC, GaN,金剛石等。26族禁帶較寬，46族的比較小，如硫化鉛，硒化鉛(0. 3ev) , 35族的碑化錢(1.4ev) o第二章1. 說明雜質(zhì)能級以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級分別位于價(jià)帶之 上或?qū)е?而且電離能的數(shù)值較小？答：被雜質(zhì)束縛的電子或空穴的能量狀態(tài)稱為雜質(zhì)能級，電子脫離雜質(zhì)的原子的束 縛成為導(dǎo)電電子的過程成為雜質(zhì)電離，使這個(gè)多余的

7、價(jià)電子掙脫束縛成為導(dǎo)電電子 所需要的能量成為雜質(zhì)電離能。雜質(zhì)能級離價(jià)帶或?qū)Ф己芙?，所以電離能數(shù)值 小。2. 純信,硅中摻入III或V族元素后,為什么使半導(dǎo)體電學(xué)性能有很大的改變？雜質(zhì)半導(dǎo)體(P型或n型)應(yīng)用很廣，但為什么我們很強(qiáng)調(diào)對半導(dǎo)體材料的提純？ 答：因?yàn)閾饺隝II或V族后，雜質(zhì)產(chǎn)生了電離，使得到導(dǎo)帶中得電子或價(jià)帶中得空 穴增多，增強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。極微量的雜質(zhì)和缺陷,能夠?qū)Π雽?dǎo)體材料的物 理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響，當(dāng)然，也嚴(yán)重影響著半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。3. 把不同種類的施主雜質(zhì)摻入同一種半導(dǎo)體材料中,雜質(zhì)的電離能和軌道半徑是否不同？把同一種雜質(zhì)摻入到不同的半導(dǎo)體材料中（例如錯(cuò)

8、和硅），雜質(zhì)的電離能和軌道半徑又是否都相同？答：不相同4. 何謂深能級雜質(zhì)，它們電離以后有什么特點(diǎn)？答：雜質(zhì)電離能大，施主能級遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底，受主能級遠(yuǎn)離價(jià)帶頂。特點(diǎn)：能夠產(chǎn)生 多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級。5. 為什么金元素在德或硅中電離后可以引入多個(gè)施主或受主能級？答：因?yàn)榻鹗巧钅芗夒s質(zhì)，能夠產(chǎn)生多次電離，每一次電離相應(yīng)的有一個(gè)能級，因 此，金在硅德的禁帶往往能引入若干個(gè)能級。6. 說明摻雜對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。答：在純凈的半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)后，可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。摻雜半導(dǎo) 體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。例如，在常溫情況下，本征Si中的電子濃度和空穴濃度均為1.5X10%m-3

9、。當(dāng)在Si中摻入1.0X10%m-3后，半導(dǎo)體中的電子濃度將變?yōu)長0X109m- 3,而空穴濃度將近似為2.25X104cm-3。半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，而少 數(shù)載流子是空穴。7. 說明半導(dǎo)體中淺能級雜質(zhì)和深能級雜質(zhì)的作用有何不同？答：深能級雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起復(fù)合中心或陷阱的作用。淺能級雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起施主或受主的作用8. 什么叫雜質(zhì)補(bǔ)償，什么叫高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體，雜質(zhì)補(bǔ)償有何實(shí)際應(yīng)用。答：當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時(shí)，施主和受主將先相互抵消，剩余的雜志最后 電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償，若施主電子剛好填充受主能級，雖然雜質(zhì)很多，但不能向 導(dǎo)帶和價(jià)帶提供電子和空穴，這種現(xiàn)象稱為雜質(zhì)的高度補(bǔ)償。利用雜質(zhì)

10、補(bǔ)償效應(yīng)， 可以根據(jù)需要改變半導(dǎo)體中某個(gè)區(qū)域的導(dǎo)電類型，制造各種器件。9. 什么是半導(dǎo)體的共摻雜答：摻入兩種或兩種元素以上10. 用氫原子模型計(jì)算雜質(zhì)電離能第三章1. 半導(dǎo)體處于怎樣的狀態(tài)才能叫處于熱平衡狀態(tài)，其物理意義如何？載流子激發(fā)和載流子復(fù)合之間建立起動(dòng)態(tài)平衡時(shí)稱為熱平衡狀態(tài)，這時(shí)電子和空穴 的濃度都保持一個(gè)穩(wěn)定的數(shù)值，處在這中狀態(tài)下的導(dǎo)電電子和空穴稱為熱平衡載流 子。2. 什么是能量狀態(tài)密度能帶中能量E附近每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)。3. 什么叫統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)，費(fèi)米分布和玻耳茲曼分布的函數(shù)形式有何區(qū)別在怎樣的條件下前者可以過渡到后者，為什么半導(dǎo)體中載流子分布可以用玻耳茲曼分布描述 統(tǒng)計(jì)分

11、布函數(shù)描述的事熱平衡狀態(tài)下電子在允許的量子態(tài)如何分布的一個(gè)統(tǒng)計(jì)分布 函數(shù)。當(dāng)E-EF»kT時(shí)，前者可以過度到后者。4. 說明費(fèi)米能級的物理意義，根據(jù)費(fèi)米能級位置如何計(jì)算半導(dǎo)體中電子和空穴濃度，如何理解費(fèi)米能級是摻雜類型和摻雜程度的標(biāo)志。費(fèi)米能級的意義：當(dāng)系統(tǒng)處于熱平衡狀態(tài)，也不對外界做功的情況下，系統(tǒng)增加一 個(gè)電子所引起的系統(tǒng)自由能的變化，等于系統(tǒng)的化學(xué)能。n型摻雜越高，電子濃度越高，EF就越高，5. 在半導(dǎo)體計(jì)算中,經(jīng)常應(yīng)用這個(gè)條件把電子從費(fèi)米能級統(tǒng)計(jì)過渡到玻耳茲曼統(tǒng)計(jì),試說明這種過渡的物理意義。E-EF»kT時(shí)，量子態(tài)為電子占據(jù)的概率很小，適合于波爾茲曼分布函數(shù)，泡利原

12、理 失去作用，兩者統(tǒng)計(jì)結(jié)果變得一樣了。6. 寫出半導(dǎo)體的電中性方程，此方程在半導(dǎo)體中有何重要意義？電子濃度等于空穴濃度。意義：平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體體內(nèi)是電中性的。7. 半導(dǎo)體本征載流子濃度的表達(dá)式及其費(fèi)米能級載流子濃度：ni=nOpO= (NcNv) l/2exp (-Eg/2kT)費(fèi)米能級：Ei=Ef=(Ec+Ev) /2+(3kT/4)*ln(mp/mn)8. 若n型硅中摻入受主雜質(zhì),費(fèi)米能級升高還是降低？若溫度升高當(dāng)本征激發(fā)起作用時(shí)，費(fèi)米能級在什么位置，為什么？費(fèi)米能級降低了。費(fèi)米能級在本征費(fèi)米能級以上。9. 如何理解分布函數(shù)與狀態(tài)密度的乘積再對能量積分即可求得電子濃度？根據(jù)公式和常識，必然

13、是這樣。10. 為什么硅半導(dǎo)體器件比褚器件的工作溫度高？硅的禁帶寬度比褚大，且在相同溫度下，錯(cuò)的本征激發(fā)強(qiáng)于硅，很容易就達(dá)到較高 的本征載流子濃度，使器件失去性能。11. 當(dāng)溫度一定時(shí),雜質(zhì)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級主要由什么因素決定？試把強(qiáng)n,弱n型半導(dǎo)體與強(qiáng)P，弱P半導(dǎo)體的費(fèi)米能級與本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級比較。決定因素：摻雜濃度，摻雜能級，導(dǎo)帶的電子有效態(tài)密度等。費(fèi)米能級比較：強(qiáng)n弱n本征弱p強(qiáng)p12. 如果向半導(dǎo)體中重?fù)绞┲麟s質(zhì),就你所知會(huì)出現(xiàn)一些什么效應(yīng)？13.費(fèi)米能級深入到導(dǎo)帶或者價(jià)帶中14. 半導(dǎo)體的簡并化判據(jù)Ec-Ef<=0第四章1. 試從經(jīng)典物理和量子理論分別說明載流子受到散射的物理

14、意義。經(jīng)典：電子在運(yùn)動(dòng)中和晶格或者雜質(zhì)離子發(fā)生碰撞導(dǎo)致載流子速度的大小和方向發(fā)生了改變。量子理論：電子波仔半導(dǎo)體傳播時(shí)遭到了散射，2. 半導(dǎo)體的主要散射機(jī)制。電離雜質(zhì)散射；晶格振動(dòng)散射，包括聲子波和光學(xué)波散射；其他因素散射：等能谷散射，中性雜質(zhì)散射，位錯(cuò)散射，合金散射，等。3. 比較并區(qū)別下述物理概念:電導(dǎo)遷移率，漂移遷移率和霍耳遷移率。電導(dǎo)遷移率：漂移遷移率：載流子在電場作用下運(yùn)動(dòng)速度的快慢的量度，運(yùn)動(dòng)得越快，遷移率越大；運(yùn)動(dòng)得慢，遷移率小霍爾遷移率：Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率。的乘積，即| RH | 0,具有遷移率的量綱，Hall遷移率前實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率5因?yàn)檩d流子的速度分

15、布會(huì)影響到電導(dǎo)遷移率4. 什么是聲子？它對半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)起什么作用？聲子是晶格振動(dòng)的簡正模能量量子，聲子可以產(chǎn)生和消滅，有相互作用的聲子數(shù)不守恒，聲子動(dòng)量的守恒律也不同于一般的粒子，并且聲子不能脫離固 體存在。電子在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)若發(fā)生晶格振動(dòng)散射，則會(huì)發(fā)出或者吸收聲子，使電 子動(dòng)量發(fā)生改變，從而影響到電導(dǎo)率。5. 平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率平均自由程：電子在受到兩次散射之間所走過的平均距離；平均自由時(shí)間：電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間；散射幾率:用來描述散射的強(qiáng)弱，代表單位時(shí)間內(nèi)一個(gè)載流子受到散射的次 數(shù)。6. 幾種散射機(jī)制同時(shí)存在，總的散射幾率總散射概率等于多種散射概率之和

16、。7. 一塊本征半導(dǎo)體樣品,試描述用以增加其電導(dǎo)率的兩個(gè)物理過程。提高遷移率和和提高本征載流子濃度8. 如果有相同的電阻率的摻雜褚和硅半導(dǎo)體，問哪一個(gè)材料的少子濃度高，為什么？褚的少子濃度高。由電阻率二1/nqu和(ni) 2=n0p0以及硅和錯(cuò)本征載流子濃 度的數(shù)量級差別，可以算出鋪的少子濃度高。9. 硅電阻率與溫度的關(guān)系圖10. 光學(xué)波散射和聲學(xué)波散射的物理機(jī)構(gòu)有何區(qū)別各在什么樣晶體中起主要作用光學(xué)波散射：彈性散射，散射前后電子能量基本不變。主要在離子性晶體中起作用聲學(xué)波散射：非彈性散射，散射前后電子能量發(fā)生改變。主要在共價(jià)性晶 體中起作用。11. 說明本征德和硅中載流子遷移率隨溫度增加如

17、何變化？遷移率隨溫度的升高逐漸降低12. 電導(dǎo)有效質(zhì)量和狀態(tài)密度有效質(zhì)量有何區(qū)別？它們與電子的縱向有效質(zhì)量和橫向有效質(zhì)量的關(guān)系如何13.當(dāng)導(dǎo)帶底的等能面不是球面時(shí)，不同方向的電導(dǎo)的有效質(zhì)量就不同，且態(tài)密 度分布可能不同，通過把不同的電導(dǎo)有效質(zhì)量進(jìn)行加權(quán)平均，就可以換算得 到狀態(tài)密度的有效質(zhì)量。14. 對于僅含一種雜質(zhì)的錯(cuò)樣品，如果要確定載流子符號、濃度、遷移率和有 效質(zhì)量，應(yīng)進(jìn)行哪些測量15.進(jìn)行霍爾系數(shù)測量和回旋共振法測有效質(zhì)量。16. 解釋多能谷散射如何影響材料的導(dǎo)電性。多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同，當(dāng)電子從一能谷躍遷到另一能谷 時(shí)，遷移率會(huì)減低，導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。17. 解釋耿氏振

18、蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？耿氏振蕩來源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo)，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的 長度。18. 半導(dǎo)體本征吸收與本征光電導(dǎo)本征吸收：半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子，使電子直接躍遷到導(dǎo)帶。又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。19. 光電導(dǎo)靈敏度與光電導(dǎo)增益因子光電導(dǎo)靈敏度：單位光照度所引起的光電導(dǎo)增益因子：銅一種材料由于結(jié)構(gòu)不同，可以產(chǎn)生不同的光電導(dǎo)效果，用增益 因子來表示光電導(dǎo)的增強(qiáng)。第五章1. 區(qū)別半導(dǎo)體平衡狀態(tài)和非平衡狀態(tài)有何不同？什么叫非平衡載流子？什么叫非平衡載流子的穩(wěn)定分布？半導(dǎo)體的熱平衡狀態(tài)是相對的，有條件的。如果對半導(dǎo)體施加外界作用，破 壞了

19、熱平衡條件，這就迫使它處于與熱平衡狀態(tài)相偏離的狀態(tài)，稱為非平衡 狀態(tài)。處于非平衡態(tài)的半導(dǎo)體比平衡態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載 流子。2. 摻雜、改變溫度和光照激發(fā)均能改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，它們之間有何區(qū) 別？試從物理模型上予以說明。摻雜：增加濃度，溫度：增加本征載流子光照：產(chǎn)生非平衡載流子，增加載流子數(shù)目3. 在平衡情況下，載流子有沒有復(fù)合這種過程為什么著重討論非平衡載流子的復(fù)合過程有.4. 為什么不能用費(fèi)米能級作為非平衡載流子濃度的標(biāo)準(zhǔn)而要引入準(zhǔn)費(fèi)米能級費(fèi)米能級和準(zhǔn)費(fèi)米能級有何區(qū)別當(dāng)熱平衡狀態(tài)受到外界影響，遭到破壞,使半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)，不再存在統(tǒng) 一的費(fèi)米能級，因?yàn)橘M(fèi)米能級和統(tǒng)計(jì)分布

20、函數(shù)都是指熱平衡狀態(tài)下。而分別就 價(jià)帶和導(dǎo)帶中的電子來說，它們各自基本上處于平衡狀態(tài),導(dǎo)帶和價(jià)帶之間處于 不平衡狀態(tài)，準(zhǔn)費(fèi)米能級是不重合的。5. 在穩(wěn)定不變的光照下，半導(dǎo)體中電子和空穴濃度也是保持恒定不變的，但為什么說半導(dǎo)體處于非平衡狀態(tài)？光照是外部條件，6. 說明直接復(fù)合、間接復(fù)合的物理意義。直接：電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的直接躍遷而引起的電子和空穴的復(fù)合消失過 程間接復(fù)合：電子空穴通過禁帶中的能級復(fù)合；7. 區(qū)別:復(fù)合效應(yīng)和陷阱效應(yīng)，復(fù)合中心和陷阱中心，俘獲和復(fù)合，俘獲截面和俘獲幾率。復(fù)合效應(yīng)：陷阱效應(yīng)：積累非平衡載流子的作用。相應(yīng)的雜質(zhì)和缺陷為陷阱中心8. 非輻射復(fù)合主要有哪幾種9.非輻射復(fù)

21、合：表面復(fù)合；深能級復(fù)合；俄歇(Auger)復(fù)合；10. 載流子的壽命非平衡載流子濃度減少到1/e所經(jīng)歷的時(shí)間。11. 擴(kuò)散流密度與穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程單位時(shí)間通過單位面積的粒子數(shù)稱為擴(kuò)散流密度;參考P165 5-8112. 愛因斯坦關(guān)系的推導(dǎo)p no-171非簡并半導(dǎo)體平街故態(tài)下我流子的分布;0 = Ne exp(-KJ因?yàn)榇嬖诟郊油ｋ妱輖V(x)今導(dǎo)潛底發(fā)生移動(dòng):& 1 Ec- qV(x)因此有：利用：求導(dǎo)致得到：/ “ r E _qU(x) - Eg%&) = M exp_ -e一- kJ代人公式:%(對4。)=-2駕以ax得列愛國斯坦關(guān)8；式:4613. 連續(xù)性方程中各項(xiàng)的物理意義及其典型器件結(jié)構(gòu)的解 第1項(xiàng)一由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),單位時(shí)間單位體積中積累的空穴數(shù)； 第2,3項(xiàng).由于漂移運(yùn)動(dòng)，單位時(shí)間單位體積中積累的空穴數(shù)； 第4項(xiàng)一由于其它某種因素單位時(shí)間單位體積中產(chǎn)生的空穴數(shù)(產(chǎn)生率)； 第5項(xiàng)一為由于存在復(fù)合過程單位時(shí)間單位體積中復(fù)合消失的空穴數(shù)；第六章1 .平衡pn結(jié)有什么特點(diǎn)，畫出勢壘區(qū)中載流子漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向。2 .定性地畫出正向偏置時(shí)pn結(jié)能帶圖；在圖