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文檔簡介
1、作者:日期:關(guān)于地址線尋址的個人理解總結(jié)一、地址總線由N個地址導(dǎo)線組成:?首先需要知道什么是地址線,所謂地址線 也就是傳送地址信息的導(dǎo)線,傳輸?shù)刂肪€的所有導(dǎo)線的集合叫做地址總線,大家知道網(wǎng)線吧,一根網(wǎng)線里邊有8根電纜,同樣的,地址總線就是幾根地址導(dǎo)線組 成的。?二、一個地址線能表示1和0兩個數(shù):這幾根電纜有一個特性,就是其中的任意一根都只可以傳送高電平(強電流?)和 低電平(弱電流?)所以呢,也就只能表示0和1,也就是說,一根地址線只能表 示1和0。?三、地址總線是地址線的集合:?地址總線嘛,當(dāng)然傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是地址,注意這里是地址總線傳輸?shù)氖堑刂沸畔?,單一的地址線表示不了地址信息(除非你的地址
2、總線就1根地址線),所有地址線組合成的數(shù)據(jù)是一個地址信息。?四、地址總線表示的數(shù)字的個數(shù)是能夠?qū)ふ叶嗌賯€內(nèi)存單元,表示的內(nèi)容就是地址數(shù)據(jù)本身:好了,現(xiàn)在知道了,一個地址總線由N個地址線組成,一個地址線能表示1和0兩個 數(shù),2個地址線能表示4個數(shù)(具體哪四個數(shù)先不管),3個地址線能表示8個數(shù),S O,N個地址線能表示的數(shù)據(jù)的個數(shù)就是 N個2相乘,也就是2的N次方個數(shù)。這 個需要理解一下。?譬如一個地址總線由6根地址線組成,那么他的地址線的最大尋址范圍是 2的6 次方,也就是64個內(nèi)存單元。?根下面做兩個題目,一個地址總線的最大尋址范圍是 64KB,那么他有地址線?,F(xiàn)在需要理解的是,這個6 4KB
3、就是64K個內(nèi)存單元(64KB就是6 4 K個BYTE, 一個BYTE就是一個內(nèi)存單元),知道了這個,也就好理解了, 2的幾次方個內(nèi)存單元=64K個內(nèi)存單元,64KB =64* 1024=6553 6by t e,答案就是16。16?根地 址線所表示的地址數(shù)據(jù)的本身占據(jù)的內(nèi)存是16個位,為什么是16位,因為你每個地址線占一個位置,你的表示的數(shù)據(jù)范圍就是從111-00000? 111 1111111111所以,具有1 6根地址線的系統(tǒng)要在內(nèi)存中尋出一個地址要用2個內(nèi)存單元來表 示(一個內(nèi)存單元有8位)。?五:地址與內(nèi)存的關(guān)系:關(guān)于內(nèi)存與地址線的設(shè)計問題,可能大家會想到這個,這兩個是不是應(yīng)該有什么
4、 關(guān)系才可以,要知道的是,不管是什么系統(tǒng),所有的內(nèi)存的一個單元都是占據(jù)8個bit,那么,你的地址線要能在內(nèi)存中儲存,是不是地址線的個數(shù)需要什么限制, 我的理解是需要是8的整數(shù)倍。CPU中的寄存器與地址線的個數(shù)應(yīng)該是一致的,也就是地址線有16條,那么CPU中的寄存器也是16位的。存儲器的地址線(Ad dressLi ne)數(shù)據(jù)線(D ata L i ne)和存儲體(Bank)u p sdn首頁 > 嵌入式開發(fā) > 電路與通信系統(tǒng) ? 1.BAN K計算公式可表示為:BAN K數(shù)=顆粒數(shù)X位寬/6 4 bit下面來看看INT E L各芯片組對于內(nèi)存的支持(資料來自于官方文檔)?其中,芯
5、片 容量可如下計算:芯片容量=內(nèi)存容量X8b i t/顆粒數(shù)?例如:2 56M的內(nèi)存,雙面16顆粒,則芯片容量為256X 8 /1 6 =1 2 8b i t?Intel 4 40BX芯片組支持的SDRAM芯片類型芯片容量|數(shù)據(jù)深度I位寬I行地址線I列地址線I邏輯BA NK數(shù)|單B ANK最大 容量| 2M| 8bit I|2|1 6MB? I1?2M | 8 bi t |13 | 8 I 2 | 16MB1 6 M b i t |4M I 4 bit I 12 |10 | 2 | 32 M BI| 4M | 4b it |1 4 |8 | 2 I 32MB |4M I 16bit I 1 4
6、| 8 | 4 |3 2 M B|MI4MB?| 8b i t |14 I?16 4 M bit I 84|6? 1 6 M |4 b it | 14|1 0 I 4 | 1 2 8 MB|?In tel 815(E/E P ) 芯片組支持的 SDR A M 芯片類型?芯片容量|數(shù)據(jù)深度|位寬|行地址線|列地址線|邏輯BANK數(shù)|單BANK最大容量16 M bit I 2 M |8 bi t I 11 I 9 I 2 | 16M BII 8M | 8b it |12 | 9 | 4|64MB|16bit | 12 I 8| 4 | 32MB| -i64 M bit |4Mt| 14|10 I|
7、6M I 8bi t | 1 2 | 1 0 I 4|128MB? 16 M |128 M?12 8 M b it I8M |1 6bi t| 12 I 9| 4 | 6 4 MB? 32M II 256MB256?M10|418 bit I 13 Ibit|I 1 6M |16 b it I 1 3 I 9 I 4 I 128MB也有傳聞?wù)f8 1 5EP可支持3 2MK 4的結(jié)構(gòu),但據(jù)我測試好像不行。假設(shè)顆粒為8MX 3 2 b i t,則位寬其實從上表可以清楚地看出為什么會產(chǎn)生這樣的情況了。 同樣一根256M內(nèi)存,如果位寬不在支持之列, 不被北橋所識別,則該內(nèi)存無法使用;8 顆,貝U BA
8、N K= 8X1 6 / 6 4 = BANK可以支持到128M,則1根同時,若顆粒為16X1 6 bit,則這時顆粒數(shù)應(yīng)為Jo2,該內(nèi)存有2個BANK,而從表中可以看到單 DIMM可以支持到2 5 6M,完全可以使用。? 若像大度內(nèi)存,位寬為4,數(shù)據(jù)深度為32M,則由表中可見,位寬為4bi t的內(nèi)存, 最大支?持的數(shù)據(jù)深度為1 6M,則在B X和81 5EP主板上都識別為128M,其 余容量丟失。????市面上常見的內(nèi)存芯片格式:?芯片格式 容量 內(nèi)存條主要形式bx、8 15、via 備注8MX 88 M 單面6 4M,雙面128M 均支持 主流內(nèi)存16MX4 8 M 無單面 雙面1 28M
9、 均支持 較少見16MX816M 單面128M,雙面2 56M 均支持 主流內(nèi)存1? 6M X16 32M 單面25 6 M,雙面51 2 M bx不支持 很少見32? M X4 16M 無單面 雙面2 56M bx、815E不支持 例:大度2 5 6M內(nèi)存32?MX8 32M 單面2 5 6M,雙面512M bx不支持例:n C P單面2 56 M內(nèi)存結(jié)論:所以,對于12 8 M以下的內(nèi)存條來說,目前這些芯片組都支持。?對于256M內(nèi) 存,b x主板不支持所有的單面256 M內(nèi)存。?b x和8 1 5 E主板都不支持大度2 5 6M雙面內(nèi)存。?其他內(nèi)存基本沒有問題。?發(fā)信人:dzy (小D&
10、#167;愛佳佳),信區(qū):Com pMarke t ?標(biāo) 題:關(guān)于內(nèi)存bank和 主板支持的問題簡述發(fā)信站:BB S 水木清華站(Su n Jun 1 7 13:15:14 2001)?解釋一下:類似的文章前面好幾個人寫過了 ,ifan也剛剛寫過。但是我覺得這個 問題確實比較難以理解,我也是看過了好多文章才弄明白。所以我想我來說一說可能還是會有用處,因為每個人寫文章的側(cè)重點都不太一樣,讀者所能讀到的東西?可能就不一樣。所以我自己又寫了寫,不是認(rèn)為前人寫的文章不好,大家別誤會。?正文:?對于內(nèi)存的b an k和芯片組支持內(nèi)存的問題,好多人搞不明白。我也是一知半解。 ?今天把以前的文章看了看,發(fā)現(xiàn)
11、自己又多理解了一點?,F(xiàn)在我針對普通的網(wǎng)友數(shù)據(jù)深度MX數(shù)據(jù)寬度(單位bit)。這就是一般內(nèi)存芯片上* *?的含義。比如1 6X8、8 X8等,包括顯存也是如此。如果芯片上沒有直,如nep內(nèi)存編號:把這件事情解釋一下,同時可以回答幾個問題:1,內(nèi)存的標(biāo)號MX *接標(biāo)出,也?可以在編號中看出,一般是在編號的中部幾個數(shù)字NP 33S328 2 56 K-7. 568、324這樣的數(shù)的芯片,就是16中間的328就是3 2MX8,其他內(nèi)存也是如此,大家找一找象1 字就可以了。?2,內(nèi)存芯片的容量計算:數(shù)據(jù)深度X數(shù)據(jù)寬度。比如1 6X8X8=1 2 8 Mb。注意!是Mb,而8bit = 1Byt e ,所
12、以8Mb= 1M B。平時大家說的12 8M內(nèi)存,8M 芯片等等都是?指的MB。所以換算成大家常說的 MB的話,就應(yīng)該這么算:?數(shù)據(jù)深度X數(shù)據(jù) 寬度/8 =內(nèi)存顆粒容量?數(shù)一數(shù)內(nèi)存條上有幾個芯片,這條內(nèi)存的總?cè)萘恳簿退?出來了。大家可以自己驗證一下。???3,物理bank。大家經(jīng)常提到顯存的數(shù)據(jù)位寬這個概念,比如說t nt 2是12 8 位的,gef 0 rce256就是25 6位的。內(nèi)存也是如此,它是64位的,就是說cpu從內(nèi)存讀寫數(shù)據(jù), 是6 4位并行。而對于一條內(nèi)存來說,數(shù)據(jù)寬度 X芯片數(shù)量=數(shù)據(jù)位寬。?這個值可以是6 4或128,對應(yīng)著這條內(nèi)存就是1個或2個b ank。?如:12 8M
13、內(nèi)存1 6 X8格式8個芯片:8 X8= 6 4,所以單面內(nèi)存單b ank128M內(nèi)存8 X8格式16個芯片:8 X16 =128,所以雙面內(nèi)存雙ba nk?大度2 56 M內(nèi)存3 2 X4格式16個芯片:4X1 6 =64,所以雙面內(nèi)存單b ank2 56M內(nèi)存1 6 MX 16格式8各芯片:1 6X8 = 128,所以單面內(nèi)存雙b a nk?所 以說單或雙ba n k和內(nèi)存條的單雙面沒有關(guān)系,大家可以理解了吧?4,主板對于內(nèi)存的支持:?主板所能支持的內(nèi)存僅由主板芯片組決定。?每種芯片組具體支持的內(nèi)存格式可以去in t el、v ia等官方網(wǎng)站上查到。內(nèi)存芯片常見的數(shù)據(jù)寬度有4、8、1 6這
14、三種,芯片組對于不同的數(shù)據(jù)寬度支 持的最大數(shù)據(jù)深度不同:?內(nèi)存顆粒數(shù)據(jù)寬度 4 8 1 6bx支持的最大數(shù)據(jù)深度 1 616 4 815?E 16 3 2 16vi a芯片組支持所有深度?當(dāng)數(shù)據(jù)深度超過以上最大值時,多出的部分主板就認(rèn)不出了,比如把256M認(rèn)成1 28M就是這個原因,但是可以正常使用。??每個內(nèi)存芯片也有自己的位寬,即每個傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上,完全 可以做出一個位寬為 64b It的芯片來滿足 P-B an k的需要,但這對技術(shù)的要 求很高,在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式 機市場所用的 S DRAM芯片位寬最高也就是1 6b it,常見
15、的則是8 b i t。這樣,為了組成PB ank所需的位寬,就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對于1 6b i t芯片, 需要4顆(4X1 6 b i t = 64b it )。對于8bit芯片,則就需要8顆了。?以上就 是芯片位寬、芯片數(shù)量與P -Ban k的關(guān)系。P-Bank其實就是一組內(nèi)存芯片的集合,這個集合的容量不限,但這個集合的總位寬必須與CPU數(shù)據(jù)位寬相符。隨著計算機應(yīng)用的發(fā)展,一個系統(tǒng)只有一個P -Bank已經(jīng)不能滿足容量的需要。 所以,芯片組開始可以支持多個P -Ba nk, 一次選擇一個P-Ba nk工作,這就 有了芯片組支持多少(物理)Bank的說法。而在I n t e l的定義中,
16、則稱P-Ba nk為行(R ow),比如845G芯片組支持4個行,也就是說它支持4個P-Bank。 另外,在一些文檔中,也把P-Ba nk稱為Ran k (列)。?邏輯Bank與芯片位寬?講完SDR AM的外在形式,就該深入了解SD RAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)了。這里主要的概 念就是邏輯Ba nk。簡單地說,SDRAM的內(nèi)部是一個存儲陣列。因為如果是 管道式存儲(就如排隊買票),就很難做到隨機訪問了。 ?陣列就如同表格一樣,將數(shù)據(jù)填”進(jìn)去,你可以它想象成一張表格。和表格的檢索 原理一樣,先指定一個行(Row),再指定一個列(Colu m n),我們就可以準(zhǔn)確地找 到所需要的單元格,這就是內(nèi)存芯片尋址的基
17、本原理。對于內(nèi)存,這個單元格可稱為存儲單元,那么這個表格(存儲陣列)叫什么呢?它就是邏輯 Bank(Logical Bank,下文簡稱L -Bank)。?列地址(Column)123456789111121314151617234156789O234A?L- B ank存儲陣列示意圖?由于技術(shù)、成本等原因,不可能只做一個全容量的L-Bank, 而且最重要的是,由于SDRAM的工作原理限制,單一的L-Bank將會造成非常嚴(yán)重 的尋址沖突,大幅降低內(nèi)存效率(在后文中將詳細(xì)講述)。所以人們在SD RAM內(nèi)部分割成多個L-Ban k ,較早以前是兩個,目前基本都是 4個,這也是SD RAM規(guī) 范中的最
18、高L Bank數(shù)量。到了RD RA M則最多達(dá)到了 32個,在最新DDR - n的標(biāo)準(zhǔn)中丄-Ban k的數(shù)量也提高到了 8個。這樣,在進(jìn)行尋址時就要先確定是哪個 L-B a nk,然后再在這個選定的L-Bank中 選擇相應(yīng)的行與列進(jìn)行尋址。可見對內(nèi)存的訪問,一次只能是一個L Bank工作,而每次與北橋交換的數(shù)據(jù)就是L -Bank存儲陣列中一個 存儲單元”的容量。在 某些廠商的表述中,將L-Bank中的存儲單元稱為 Wo rd (此處代表位的集合而不 是字節(jié)的集合)。?從前文可知,SDRAM內(nèi)存芯片一次傳輸率的數(shù)據(jù)量就是芯片位寬,那么這個 存儲單元的容量就是芯片的位寬(也是L-Ba nk的位寬)
19、,但要注意,這種關(guān)系也 僅對SD RA M有效,原因?qū)⒃谙挛闹姓f明。??2、內(nèi)存芯片的容量?現(xiàn)在我們應(yīng)該清楚內(nèi)存芯片的基本組織結(jié)構(gòu)了。那么內(nèi) 存的容量怎么計算呢?顯然,內(nèi)存芯片的容量就是所有L Bank中的存儲單元的 容量總合。計算有多少個存儲單元和計算表格中的單元數(shù)量的方法一樣:?存儲單元數(shù)量=行數(shù)X列數(shù)(得到一個LB an k的存儲單元數(shù)量)XL Ban k的數(shù) 量?在很多內(nèi)存產(chǎn)品介紹文檔中,都會用MX W的方式來表示芯片的容量(或者說是芯片的規(guī)格/組織結(jié)構(gòu))°M是該芯片中存儲單元的總數(shù),單位是兆(英文簡 寫M,精確值是,而不是),W代表每個存儲單元的容量,也就是SDRAM芯片的
20、位 寬(Width),單位是bit。計算出來的芯片容量也是以b it為單位,但用戶可以采 用除以8的方法換算為字節(jié)(Byte)。比如8M X8,這是一個8 bit位寬芯片,有8 M個存儲單元,總?cè)萘渴?4M b i t( 8M B)。不過,MX W是最簡單的表示方法。下圖則是某公司對自己內(nèi)存芯片的容量表示 方法,這可以說是最正規(guī)的形式之一2,097,1 52-WORDSx 4B AN KSx 16-B ITS 4* 1! 94,304-WO RDSx4BANKSx8-B ITS 8,388,608-WO RDS x4BANKSx 4-B ITS業(yè)界正規(guī)的內(nèi)存芯片容量表示方法?我們可以計算一下,結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)這三個規(guī)格的容量都是
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