專利技術(shù)交底書案例

1、中文柔性，有機電致發(fā)光器件，底發(fā)射，網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)英文發(fā) 明 人 填 寫相關(guān)性分析（本領(lǐng)域現(xiàn)有技 術(shù)的介紹，最好 有最接近的現(xiàn)有 技術(shù)的專利申請 號或者專利號）目前柔性O(shè)LED采用的陽極材料為 PEDOT，但是PEDOT的導(dǎo)電性不佳，所以需要在電極下面 制備電流匯集層，制備電流匯集層之后，陽極表面的平整性會受到影響，平整性太差會影響OLED的性能，甚至使OLED不能點亮，專利201210076439.3介紹了一種制備超平滑陽極結(jié)構(gòu) 的柔性O(shè)LED的方法，本專利采用在該專利的基礎(chǔ)上加上沉積、曝光、顯影等工藝使電流匯集 層嵌入柔性襯底里面，獲得擁有電流匯集層的平整的柔性襯底。摘要代表性附圖本發(fā)明提供了一

2、種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和 脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng) 狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層嵌入柔性基板里面， 該網(wǎng)狀匯流層在保證高透過率的同時，提高了電流的傳導(dǎo)能力，由于該柔性基底的制備工 藝，使得該柔性襯底表面的粗糙度非常小，有利于載流子的注入，使得該柔性基底有利于提 升OLED的發(fā)光效率?；谠撊嵝曰椎?OLED包括柔性基底、陽極、有機層、陰極， 陽極為導(dǎo)電高分子材料。6技術(shù)交底書第一發(fā)明人手機郵箱座機（總機+分機）技術(shù)問題聯(lián)系人手機郵箱座機（總機+分機）編號：專利發(fā)明人填寫發(fā)明名稱一種柔性基板及基于該基板的OLED關(guān)鍵詞（3 5 個）背景技術(shù)（

3、背景技術(shù)是指本技術(shù)交底書的基礎(chǔ)技術(shù)或者方法或結(jié)構(gòu)與本技術(shù)交底書最近似的技術(shù)。寫明對技術(shù)方案的理解、檢索有用的背景技術(shù)，有可能的，并引證反映這些背景技術(shù)的文件；記載現(xiàn)有技術(shù)的岀處，即參考文獻、專利公開號，并且詳細說明現(xiàn)有技術(shù)的實施情況；客觀指岀現(xiàn)有技術(shù)的不足之處與存在的問題。）到目前為止，實際應(yīng)用的顯示器主要有陰極射線管（CRT ），液晶顯示器（LCD ）、真空熒光器件（VFD）、等離子顯示器（PDP）、有機電致發(fā)光器件（OLED ）、場發(fā)射顯示器（FED）和電致發(fā)光顯示器（ELD ）等。OLED作為新型的平板顯示器與 LCD相比，具有薄、輕、寬視角、主動發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng) 速

4、度快、能耗小、驅(qū)動電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點。OLED正是由于具有其他顯示器不可比擬的優(yōu)勢以及美好的應(yīng)用前景得到了產(chǎn)業(yè)界和科學(xué)界的極大關(guān)注。在OLED的各項功能層，電極材料的選擇非常重要，大部分用于OLED的有機材料的LUMO 能級在 2.5eV-3.5eV,HOMO能級在5eV-6eV,因此陰極是一個低功函數(shù)的金屬，陽極需要一個高功函數(shù)的材料去配合，才能得到 最低的注入能壘，選擇陽極材料時，要求良好的導(dǎo)電性、化學(xué)及形態(tài)的穩(wěn)定性、功函數(shù)和空穴傳輸材料的HOMO能級匹配、可見光的透明度，最常用的透明導(dǎo)電聚合物為ITO，該類材料擁有上述的優(yōu)點，但是ITO也有

5、相關(guān)的缺點，比如價格比較昂貴，而且有實驗證明ITO會影響OLED的壽命，不僅如此，在柔性顯示中，ITO的濺鍍會影響柔性基底的平整性，柔性顯示中，反復(fù)的折疊會導(dǎo)致ITO從基底表面脫落，進而影響OLED的壽命PEDOT具有分子結(jié)構(gòu)簡單、能隙小、電導(dǎo)率高等特點，被廣泛用作有機薄膜太陽能電池材料、OLED材料、電致變色材料、透明電極材料等領(lǐng)域的研究。PEDOT有以下這些優(yōu)點： 導(dǎo)電率高。用旋涂或者澆鑄成膜得到的PEDOT其電導(dǎo)率能達到550S/cm，用氣相聚合法得到的聚合物更是達到1000S/cm以上；（2）氧化狀態(tài)下具有很高的穩(wěn)定性。在120C下保持1000h，其電導(dǎo)率基本不變；（3）氧化狀態(tài)下，P

6、EDOT的薄層幾乎是透明的，這是它在電子器件方面得到廣泛應(yīng)用的一個重要因素。采用一種水溶性的高分子電解質(zhì)聚苯乙烯磺酸（PSS）摻雜解決了 PEDOT的加工問題，獲得的 PEDOT/PSS膜具有高電導(dǎo)率、高機械強度、高可見光透射率和優(yōu)越的穩(wěn)定性等，PEDOT/PSS用作電極時，雖然相比于其它導(dǎo)電聚合物，導(dǎo)電率較高，但是相比于金屬和ITO還是有一定差距，因此一般都會在底部增加一層電流匯集層，電流匯集層會增加陽極的導(dǎo)電性，降低OLED起始電壓，但是也會導(dǎo)致陽極表面平整度降低，本發(fā)明增加了陽極表面的平整度，有助于增加陽極表面的載流子注入能力。發(fā)明內(nèi)容要解決的技術(shù)問題和 有益的技術(shù)效果（盡可 能多的列舉

7、本技術(shù)交底 書相比較現(xiàn)有技術(shù)帶來 的有益技術(shù)效果，要與最 接近現(xiàn)有技術(shù)進行對比 描寫）所有的實施方式（盡可能的多寫幾個優(yōu) 選的實施方式，。如果涉及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)， 必須結(jié)合附圖描述各部 件及各部件的安裝關(guān)系 , 給岀各部件的領(lǐng)域內(nèi)專 業(yè)名稱，各部件名稱在前 后描述中要保持一致，并 在各部件后加上附圖標(biāo) 記。如果涉及方法或工藝 流程，請詳細描述方法工 藝的步驟過程以及各步 驟中所參與或應(yīng)用到的 部件名稱及其結(jié)構(gòu)；如果 方法或工藝中涉及體現(xiàn) 發(fā)明點的工藝制造條件， 例如：溫度、濕度等取值 范圍也需要盡可能地提 供，并請?zhí)峁┝鞒谈綀D， 結(jié)合附圖詳細說明實施 方式。）本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的O

8、LED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng)狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層嵌入柔性基板里面，該柔性基板有如下優(yōu)點：1該柔性基板的制備工藝簡單，使用該柔性基板的OLED可以采用導(dǎo)電高分子材料為陽極，有助于提升柔性O(shè)LED的使用壽命 。2. 含有電流匯集層，該電流匯集層有助于提升陽極的導(dǎo)電能力，當(dāng)制備成OLED 后,有助于降低器件的起始電壓。3. 表面平整度高，當(dāng)制備成OLED后，使得陽極表面的平整度高，有助于提升載流子傳輸能力。本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基板采用成膜、曝光、旋涂和脫模工藝制得，制得的柔性基板表面有一層網(wǎng)狀匯流層，該網(wǎng)狀匯流層

9、嵌入柔性基板里面，該網(wǎng)狀匯流層在保證高透過率的同時，提高了電流的傳導(dǎo)能力，該柔性基底的具體結(jié)構(gòu)如下：該柔性基板的制作方法為：1）在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜；2）采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結(jié)構(gòu)；3）在金屬半透明結(jié)構(gòu)表面旋涂光敏聚合材料；4）對光敏聚合物材料進行紫外光處理使其固化；5）將固化后的光敏聚合物從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。制備基底所用的光敏聚合材料體系包括苯乙烯類、丙烯酸類、丙烯酸酯類、環(huán)氧樹脂類、 不飽和聚酯類、酰胺類或醋酸乙烯類材料體系；每一光敏可聚合材料體系包括單體、預(yù)聚物和 光引發(fā)劑；聚合類

10、型是自由基型、陰離子型或陽離子型，光敏材料的旋涂厚度為0.3-0.8mm。本發(fā)明不僅包括該柔性基底、該柔性基底的制備方法，而且包括基于該柔性基底的OLED，該柔性O(shè)LED的結(jié)構(gòu)如圖：由于該柔性基底表面包括一層金屬網(wǎng)狀半透明層，該層增加了 OLED陽極的電流匯集能力,所以基于該柔性基底的 OLED的陽極可以采用比較薄的金屬或者其他導(dǎo)電高分子材料。由于該 柔性基底的制備工藝，使得該柔性襯底表面的粗糙度非常小，有利于陽極載流子的注入，使得 該柔性基底有利于提升 OLED的發(fā)光效率。附圖說明有關(guān)本發(fā)明的詳細說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)配合附圖說明如下：圖1為該柔性基底的三維圖圖2本發(fā)明所述的柔性基底的制備流程；

11、圖3為基于該柔性襯底的 OLED ；圖4為圓形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的柔性基底；圖5為環(huán)形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的柔性基底；（1為表面帶有SiO2層的Si基板，21為刻蝕前的金屬薄膜層，22為刻蝕后的網(wǎng)狀金屬薄 膜層，31為固化前的光敏聚合材料， 32為固化后的光敏聚合材料， 4為OLED陽極導(dǎo)電高分子 材料，5為OLED有機層，6為OLED陰極）具體實施方式實施例1柔性基板的制備：1） 在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜Ag， 厚度為20 nm;2）采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結(jié)構(gòu)，所述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為矩形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)如圖1所述；3） 在襯底表面旋涂光刻膠NO

12、A63，旋涂速度為 1000rpm，旋涂時間為 20s，旋涂厚度為0.7mm ；4) 對光敏聚合物材料進行紫外光處理3min ;5) 由于金屬材料與聚合物的粘著性大于金屬材料與SiO2的粘著性，將固化后的光敏聚合物 從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。OLED 的制備：本發(fā)明柔性襯底/PEDOT:PSS(40 nm)/ EML(70 nm)/TPBI(30 nm) /CsF(1.5nm)/AL(120 nm)，EML 共混比例為， PVK:PBD: Flrpic=70:30:1A) 在柔性襯底表面旋涂一層PEDOT:PSS膜，蒸鍍厚度為100nm。B) 旋涂過PEDOT:PSS的

13、基片在真空烘箱里 80C干燥8h后，轉(zhuǎn)移至充滿氮氣的手套箱里制作發(fā)光層，實驗中所用PVK、PBD用氯苯溶解，旋涂厚度為70nm，PVK、PBD與銥配合物的比例為 PVK:PBD: FIrpic =70:30:1。C) 在小于3X 104 Pa的高真空下，以熱蒸發(fā)沉積的方式，蒸鍍約厚的CsF(1.5 nm)/Al(120n m)作為陰極。實施例2具體的實施方法與實施例1類似，不同的是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為圓形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如圖4所述。實施例3具體的實施方法與實施例1類似，不同的是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)為環(huán)形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如圖5所述。最后應(yīng)說明的是，以上實施例子僅用以說明本新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例 子對本專利進行

14、了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，按照需要可以使用不冋的材料 和設(shè)備實現(xiàn)之，即可以對本新型的技術(shù)方案進行修改或者等冋替換，而不脫離本實用新型技術(shù) 方案的精神和范圍。可替代的技術(shù)方案 (可完成與上述技術(shù) 方案冋樣功能實現(xiàn)冋 樣效果的技術(shù)方案)(如果有請寫岀替代方 案的要點、優(yōu)缺點；如果 沒有請?zhí)顚憽盁o”)附圖(用圖片正確地表示發(fā)明內(nèi)容。附圖統(tǒng)一用圖1、圖2、圖3.在每幅附圖下方標(biāo)示；對圖片內(nèi)容，采用阿拉伯?dāng)?shù)字1、2、3等附圖標(biāo)記對每幅附圖中的部件進行標(biāo)示；多幅附圖時，各附圖中的同一技術(shù)特征或同一對象，應(yīng)使用同一個標(biāo)記。在所有附圖繪制完成后，統(tǒng)一填寫附圖說明和附圖標(biāo)記，用cad格式。）圖1

15、為該柔性基底的三維圖圖2本發(fā)明所述的柔性基底的制備流程;圖3為基于該柔性襯底的 OLED ；42232AJQ WJ DOOOOOOC DOOOOOOC DOOOOOOC DOOOOOOC DOOOOOOC DOOOOOOC圖4為圓形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的柔性基底;圖5為環(huán)形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的柔性基底;著重保護的技術(shù)創(chuàng)新點（根據(jù)上述填寫內(nèi)容，說明本技術(shù)交底書著重保護的技術(shù)創(chuàng)新點，即最主要的發(fā)明點）1本發(fā)明提供了一種柔性基板及基于該基板的OLED，該柔性基底的具體結(jié)構(gòu)如下:2.如權(quán)利要求書1所述的柔性基板，其特征在于該柔性基板的制作方法為：1）在洗干凈的SiO2絕緣層的Si襯底上，采用蒸鍍或者旋涂等方法沉積一層金屬薄膜;2）采用曝光、刻蝕的方法將金屬薄膜變成網(wǎng)狀半透明結(jié)構(gòu)；3）在金屬半透明結(jié)構(gòu)表面旋涂光敏聚合材料；4）對光敏聚合物材料進行紫外光處理使其固化；5）將固化后的光敏聚合物從襯底上剝離，得到帶有金屬網(wǎng)狀半透明層的柔性基底。3如權(quán)利要求書1和2所述的柔性基底