TTL和CMOS的區(qū)別

1、v1.0可編輯可修改TTL和CMOS勺區(qū)別TTL和COM胞平比較：（一）TTL高電平5V,低電平0VCMO電平Vcc可達到12VTTL電路不使用的輸入端懸空為高電平另外，CMO集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化，因而對電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴格。（二）TTL電平是5V, CMO電平一般是12V。因為TTL電路電源電壓是5V, CMOSI路電源電壓一般是12V。5V的電平不能觸發(fā)CMO電路，12V的電平會損壞TTL電路，因此不能互相兼容 匹配。（三）TTL電平標準輸出 L : < ; H: >。輸入 L : < ; H: >TTL器件輸出低電平要小于，高電平要

2、大于。輸入，低于就認為是0,高于就認為是1。CMO電平：輸出 L : <*Vcc ; H: >*Vcc。輸入 L : <*Vcc ; H: >*Vcc.TTL和COM跑路比較：TTLCMOSTTL電路是電流控制器件，而coms電路是電壓控制器件。TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短（5-10ns）,但是功耗大。COM出路的速度慢，彳輸延遲時間長（25-50ns）,但功耗低。COM也路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關(guān)，頻率越高，芯片集越熱, 這是正?，F(xiàn)象總體特性比較：是場效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成的邏輯電平范圍比較大（515V）, TTL只能在5V下工作的高低電平

3、之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差功耗很小，TTL功耗較大(15mA/、1)的工作頻率較TTL略低，但是高速CMO睡度與TTL差不多相當(dāng)3、COM電路的鎖定效應(yīng)：COM電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一 直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時，COM的內(nèi)部電流能達到40mAW上，很容易燒毀芯片。防御措施：(1)、在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。(2)、芯片的電源輸入端加去耦電路，防止 VDD®出現(xiàn)瞬間的高壓。(3)、在VDD?口外電源之間加限流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。(4)、當(dāng)系統(tǒng)由

4、幾個電源分別供電時，開關(guān)要按下列順序：開啟時，先開啟 COMS 電路得電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關(guān)閉時，先關(guān)閉輸入信號和負載的 電源，再關(guān)閉COMSl路的電源。4、COM電路的使用注意事項(1)、COMS路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很 強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恒定的 電平。(2)、輸入端接低內(nèi)組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯(lián)限流電阻， 使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。、當(dāng)接長信號傳輸線時，在 COMSI路端接匹配電阻。(4)、當(dāng)輸入端接大電容時，應(yīng)該在輸入端和電容間接保護電阻。 電阻值為R=V0/ 是外界電容上的電壓。(5)、COM的輸入電流超過1mA就有可能燒壞COMS5、TTL門電路中輸入端負載特性(輸入端帶電阻特殊情況的處理)：1、懸空時相當(dāng)于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的 電阻。2、在門電路輸入端串聯(lián)10K電阻后再輸入低電平，輸入端出呈現(xiàn)的是高電平而 不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯(lián) 電阻小于910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯(lián)電阻再大的話輸入端就一直呈現(xiàn)高電平。這個一