光耦的作用及工作原理資料

1、光耦的作用及工作原理 光耦合器(optical coupler,英文縮寫為OC)亦稱光電隔離器，簡(jiǎn)稱光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良 好的隔離作用， 所以，它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。目前它已成 為種類最多、用途最廣的光電器件之一。 光耦合器一般由三部分組成： 光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(LED),使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過進(jìn)一步放大后輸出。 這就完成了電光電的轉(zhuǎn)換， 從而起到 輸入、輸出、隔離的作用。由于光耦合器輸入輸出間互相隔離，電信 號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn)，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能 力。又

2、由于光耦合器的輸入端屬于電流型工作的低阻元件， 因而具有 很強(qiáng)的共模抑制能力。 所以，它在長(zhǎng)線傳輸信息中作為終端隔離元件 可以大大提高信噪比。 在計(jì)算機(jī)數(shù)字通信及實(shí)時(shí)控制中作為信號(hào)隔離 的接口器件，可以大大增加計(jì)算機(jī)工作的可靠性。光耦合器的主要優(yōu)點(diǎn)是： 信號(hào)單向傳輸， 輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了 電氣隔離隔離， 輸出信號(hào)對(duì)輸入端無影響， 抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定， 無觸點(diǎn)，使用壽命長(zhǎng)，傳輸效率高。光耦合器是 70 年代發(fā)展起來的 新型器件，現(xiàn)已廣泛用于電氣絕緣、 電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路、 開關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離 、脈沖放大電路、數(shù)字儀表、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大、固

3、態(tài)繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設(shè)備及微機(jī)接口中。在單片開關(guān)電源中，利用線性光 耦合器可構(gòu)成光耦反饋電路， 通過調(diào)節(jié)控制端電流來改變占空比， 達(dá) 到精密穩(wěn)壓目的。學(xué)習(xí)筆記： 光耦的主要作用就是隔離作用 ，如信號(hào)隔離或光電的 隔離。隔離能起到保護(hù)的作用 ，如一邊是微處理器控制電路，另一邊 是高電壓執(zhí)行端，如市電啟動(dòng)的電機(jī)，電燈等等，就可以用光耦隔離 開。當(dāng)兩個(gè)不同型號(hào)的光耦只有負(fù)載電流不同時(shí)， 可以用大負(fù)載電流 的光耦代替小負(fù)載電流的光耦。以六腳光耦 TLP641J 為例，說明其原理。一個(gè)光控晶閘管（Photo-thyristor）耦合（coupie to） 個(gè)砷化鎵（galliumarsen

4、 ide）紅外發(fā)光二極管（diode）組成。左邊1和2腳是發(fā)光二極管，當(dāng)外加電壓后，驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的 光，以此來觸發(fā)光控晶閘管。 光控晶閘管的特點(diǎn)是門極區(qū)集成了一個(gè) 光電二極管，觸發(fā)信號(hào)源與主回路絕緣， 它的關(guān)鍵是觸發(fā)靈敏度要高。光控晶閘管控制極的觸發(fā)電流由器件中光生載流子提。 光控晶閘管陽 極和陰極間加正壓， 門極區(qū)若用一定波長(zhǎng)的光照射， 則光控晶閘管由 斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)。為提高光控晶閘管觸發(fā)靈敏度，門極區(qū)常采用 放大 門極結(jié)構(gòu)或雙重放大門極結(jié)構(gòu)。 為滿足高的重加電壓上升率， 常采用 陰極發(fā)射極短路結(jié)構(gòu)。 小功率光控晶閘管常應(yīng)用于電隔離， 為較大的 晶閘管提供控制極觸

5、發(fā)；也可用于繼電器、自動(dòng)控制等方面。大功率 光控晶閘管主要用于高壓直流輸電。當(dāng) 1 和 2 腳加上 5V 以上電源后，就能使發(fā)光管發(fā)光，驅(qū)動(dòng)光控 晶閘管進(jìn)入通態(tài)，此時(shí)， 5和 4腳構(gòu)成一個(gè)電阻，阻值大約為 10K。當(dāng) 1 和 2 不加電壓時(shí)，則 4和 5 可以看成一個(gè)無窮大的電阻。2、 pc817 是常用的線性光藕 ，在各種要求比較精密的功能電路中 常 常被當(dāng)作耦合器件， 具有上下級(jí)電路完全隔離的作用， 相互不產(chǎn)生影 響。<光耦 pc8 1 7應(yīng)用電路圖 >當(dāng)輸入端加電信號(hào)時(shí)，發(fā)光器發(fā)出光線，照射在受光器上，受光器接受光線后導(dǎo)通，產(chǎn)生光電流從輸出端輸出，從而實(shí)現(xiàn)了“電-光-電”的轉(zhuǎn)

6、換。普通光電耦合器只能傳輸數(shù)字信號(hào)（開關(guān)信號(hào)） ，不適合傳輸模擬信 號(hào)。線性光電耦合器是一種新型的光電隔離器件， 能夠傳輸連續(xù)變化號(hào)，的模擬電壓或電流信號(hào)， 這樣隨著輸入信號(hào)的強(qiáng)弱變化會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的 光信號(hào)，從而使光敏晶體管的導(dǎo)通程度也不同， 輸出的電壓或電流也 隨之不同。PC817光電耦合器不但可以起到反饋?zhàn)饔眠€可以起到隔離作用。光耦的原理 ,參數(shù) ,特點(diǎn)及作用光電耦合器 （以下簡(jiǎn)稱光耦 ）是一種發(fā)光器件和光敏器件組成的光電器件。它能實(shí)現(xiàn)電光電信號(hào)的變換， 并且輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是 隔離的 。目前極大多數(shù)的光耦輸入部分采用砷化鎵紅外發(fā)光二極管， 輸出部分采用硅光電二極管、 硅光電三極管及光觸發(fā)

7、可控硅。 這是因 為峰值波長(zhǎng)900940nm的砷化鎵紅外發(fā)光二極管能與硅光電器件的 響應(yīng)峰值波長(zhǎng)相吻合，可獲得較高的信號(hào)傳輸效率。光耦的結(jié)構(gòu)光耦的內(nèi)部結(jié)構(gòu) （剖面）如圖 1 所示。光耦輸入部分大都是紅外發(fā)光二極管，輸出部分有不同的光敏器件，如圖 2 所示。這里要說明的是，圖 2(c)的輸入部分有兩個(gè)背對(duì)背的紅外發(fā)光二極管，它用于交流輸入的場(chǎng)合；圖2(d )采用達(dá)林頓輸出結(jié)構(gòu)，它可使輸出獲得較大的電流；圖2(e)、2(f)的輸出由光觸發(fā)雙向可控硅組成,它們主要用來驅(qū)動(dòng)交流負(fù)載。圖2(e)與圖2(f)的差別是圖2(f)有過零觸發(fā)控制(圖中的“ ZC”即“過零”的意思)，而圖2(e)沒有過零觸發(fā)控制

8、電路?；倦娐饭怦畹幕倦娐啡鐖D3所示。圖3(a)的負(fù)載電阻RL接在發(fā)射極 及地之間，圖3(b)的負(fù)載電阻RL接在電源Vdd與集電極之間。在圖3(a)中，輸入端加上Vcc電壓，經(jīng)限流電阻Rin后，有一定 的電流IF流經(jīng)紅外發(fā)光二極管，IF與Vcc、發(fā)光二極管的正向壓降VF 及 Rin 的關(guān)系為： IF=(Vcc-VF)/Rin 。式中的 VF 取 1.3V。 IF 的最 大值由資料給出(一般工作時(shí)IF< 10mA)。發(fā)光二極管發(fā)光后，光電三極管導(dǎo)通，集電極電流 Ic 由 Vdd 經(jīng)光電 三極管流過 RL到地，使輸出電壓 Vout=lc X RL(或Vout二Vdd-VCE ,VCE 為光

9、電三極管的管壓降 )。圖3(b)的工作原理與圖3(a)相同，不再重復(fù)。圖3中輸入、輸出也 可用各自的地。從圖3(a)可以看出；輸入端不加Vcc電壓，輸出端Vout=0V，輸入 端加了 Vcc 電壓，負(fù)載得電，這個(gè)功能相當(dāng)于“繼電器” 。如果在輸 入端加幅值為 5V 的脈沖(如圖 4 所示)，輸出端 Vdd=12V， RL=10kQ ,則輸出的脈沖幅值接近12V,從這一功能來看，相當(dāng)于“變壓器”； 若輸入電壓從0躍變到+5V，輸出則從0躍變到接近12V，它又可用 作電平轉(zhuǎn)換。特點(diǎn)及應(yīng)用范圍光耦的主要特點(diǎn) ：輸入與輸出之間絕緣 （絕緣電壓可達(dá)數(shù)千伏 ）；信號(hào)傳輸為單方向， 輸出信號(hào)不會(huì)對(duì)輸入信號(hào)有

10、影響； 能傳輸模擬信號(hào) 也可傳輸數(shù)字信號(hào)；抗干擾能力強(qiáng)；體積小、壽命長(zhǎng)；由于無觸頭， 因此抗振性強(qiáng)。 近年來由于生產(chǎn)工藝改進(jìn)， SMT 的發(fā)展，開發(fā)出性 能更好、尺寸更小的貼片式光耦，它由 DIP6 管腳封裝改進(jìn)成 4 管腳 封裝，不僅改小尺寸，并且減小了干擾，如圖 5 所示，但有一些公司 其管腳仍按 6 管腳排列， 如圖 2 所示。頂面有圓圈者為第 1 管腳，如圖 6 所示。由于該類器件有上述特點(diǎn)，它 主要應(yīng)用于隔離電路、開關(guān)電路、邏輯 電路、信號(hào)長(zhǎng)線傳輸、線性放大電路、隔離反饋電路、控制電路及電 平轉(zhuǎn)換電路等。光耦主要參數(shù)本文介紹 NEC 公司及 TOSHIBA 公司生產(chǎn)的一些常用的貼片式

11、光 耦及其主要參數(shù)。主要參數(shù)如表 1 及表 2 所示。這里要說明一下電流傳輸比（CTR）這個(gè)參數(shù)的意義。CTR是CurrentTransfer Ratio的縮寫。它是在一定工作條件下（IF及VCE），光耦的輸出電流 Ic 與輸入電流 IF 的比值，一般用百分比表示，其值低的從 幾到幾十，高的從幾十到幾百，達(dá)林頓輸出型可達(dá)上千。 CTR 大，則在同樣的 IF 下，輸出電流 Ic 大，驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力也強(qiáng) （或者說 IF較小可獲得大的 Ic）。這里順便指出， 當(dāng)用光電耦合器作交流信號(hào)傳輸時(shí)， 必須考慮它的 頻率特性。采用 GaAs 發(fā)光二極管及硅光電三極管的光耦，其最高工 作頻率約為500kHz;其

12、響應(yīng)時(shí)間小于10 a S。在使用時(shí)要注意的紅外發(fā)光二極管的反壓 VR 一般是很低的， 有的VR 僅 3V 。因此在使用時(shí)輸入端不能接反， 防止紅外發(fā)光二極管因反 壓過高而擊穿 （可在 1 腳、3腳接一個(gè)反向二極管來保護(hù) ，如圖 4所示）。光耦的簡(jiǎn)易測(cè)量方法光電三極管輸出的光耦是應(yīng)用最廣泛的， 若頂面印刷字跡或圓點(diǎn)看 不清楚，可采用指針式萬用表來測(cè)量，確認(rèn)哪個(gè)管腳是 1 腳，并且也 可簡(jiǎn)易測(cè)出光耦的好壞。由于它是一個(gè)二極管及一個(gè)三極管 C、e極組成的，所以用RX 1k擋來測(cè)量是十分方便的。 只要測(cè)出一個(gè)二極管： 黑表筆接二極管的陽 極，紅表筆接二極管的陰極，其阻值約 30kQ，則黑表筆端即1腳。

13、如圖7所示，其它三種測(cè)量都應(yīng)是R二乂（表筆不動(dòng)）。若光電三極管的測(cè)量電阻不是則此光耦不能用。本文來自DZ3W.COM原文網(wǎng)址http:/www.dz3w.Com/info/baSiC/0073650.html光耦組成的脈沖電路圖原理及應(yīng)用 本文介紹的光耦是由發(fā)光二極管和光敏三極管組合起來的器件， 發(fā)光 二極管是把輸入邊的電信號(hào)變換成相同規(guī)律變化的光， 而光敏三極管是把光又重新變換成變化規(guī)律相同的電信號(hào)，因此，光起著媒介的作用。由于光電耦合器抗干擾能力強(qiáng)，容易完成電平匹配和轉(zhuǎn)移，又不 受信號(hào)源是否接地的限制。所以應(yīng)用日益廣泛。一、用光電耦合器組成的多諧振蕩電路 用光電耦合器組成的多諧振蕩電路見圖

14、 1。當(dāng)圖1 (a)剛接通電源Ec時(shí)，由于UF隨C充電而增加，直到UF1伏時(shí)，發(fā)光二極管達(dá)到飽和，接著三極管也飽和，輸出UoEc。三極管飽和后，C放電(由C7FtE17Er和由C7RF-+EcRe兩 條路徑放電)，uo減小，二極管在C放電到一定程度后就截止，而三 極管把儲(chǔ)存電荷全部移走后，接著也截止， uo 為零。三極管截止后， 電源Ec又對(duì)C充電，重復(fù)上述過程，得出圖示的尖峰輸出波形，其 周期，為(當(dāng)RFRe時(shí))：T=C( RF+Re) In2圖1 (b)是原理相同的另一種形式電路。圖 1、用光電耦合的多諧振蕩器二、用光電耦合器組成的雙穩(wěn)態(tài)電路 用光電耦合器組碭雙穩(wěn)態(tài)電路如圖 2 所示。電路

15、接通電源后的穩(wěn)態(tài)是 BG 截止，輸出高電位。在觸發(fā)正脈沖作用 下，ib增加使BG進(jìn)入放大狀態(tài)，形成ib t-if t-ib f，結(jié)果BG截止，這種電路比普通的觸發(fā)具有更高的抗干擾能力。若設(shè) BG 的極限 電流Ic=6毫安，則R2=取為:R2>(13-1)/(6X )=24 歐限流電阻 R1 可按下式計(jì)算R1 > (E-lbmRce2mi n)/Ibm式中： Ibm 是晶體管的最大基極電流， Rce2min 是光敏三極管集射間 的最小電阻值。圖 2、用光電耦合的雙穩(wěn)態(tài)電路三、用光電耦合器組成的整形電路由于用光電耦合器組成的脈沖耦合電路，其前后沿時(shí)間都比較大，因此在耦合器后面接一級(jí)晶體

16、管的整形放大電路。 見表一列出幾 種整形電路的應(yīng)用實(shí)例。表一用光電耦合器組成的整形電路光電耦合 -晶體管整形電路光電耦合 -固定組件整形反相整形快速整形電路說明這是一種施密特整形電路，因?yàn)椴还茌斎胧鞘д娣讲ā⒄也ㄟ€是 鋸齒波，在輸出端均得到方波光電耦合順的輸出接一與非門時(shí)行整形光電耦合器的輸出端后面連接兩級(jí)與非門，構(gòu)成反相整形光電耦合器的輸出端后面連接兩只晶體管，構(gòu)成同相整形電路四、用光電耦合器組成的斬波電路用光電耦合器組成的斬波電路見表二表二用光電耦合器組成的斬波電路直接斬波電路隔離式斬波電路（ I ）隔離式斬波電路（ II ）電路說明輸出 Ei 被測(cè)電壓，經(jīng)斬波取樣后送到編碼器里進(jìn)行編碼

17、測(cè)量，當(dāng) A 點(diǎn)是低電位， B 點(diǎn)為高電位時(shí)， GD1 導(dǎo)通， GD2 截止，被測(cè)電 壓 Ei 直接送到輸出端，反之， A 點(diǎn)高電位， B 點(diǎn)低電位， GD1 截止，GD2導(dǎo)通，C經(jīng)GD2放電，輸出端回到零。比普通的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管斬波器具有更高精度當(dāng)斬波脈沖輸入時(shí)， BG 導(dǎo)通，則 GD 導(dǎo)通，輸入邊的 ui 傳至輸 出邊，而 uo 正比于 ui 但相位相反，反之，斬波脈沖為零時(shí)， GD 截 止， uo 為高電平，比普通用變壓器隔離的調(diào)制器，精度高，因變壓 器電壓不能太大，引起輸出脈沖波頂不平。用兩只GD1及GD2。其中GD1作開關(guān)器，當(dāng)斬波脈沖輸入時(shí),GD1 導(dǎo)通， ui 反相傳至 GD2

18、 的輸出邊，使 uo 與輸入 ui 及斬波脈沖 隔離起來。光耦反隔離反饋的幾種典型接法在一般的隔離電源中， 光耦隔離反饋是一種簡(jiǎn)單、 低成本的方式。但對(duì)于光耦反饋的各種連接方式及其區(qū)別， 目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場(chǎng)合下， 由于對(duì)光耦的工作原理理解不夠深入，光 耦接法混亂， 往往導(dǎo)致電路不能正常工作。 本研究將詳細(xì)分析光耦工 作原理，并針對(duì)光耦反饋的幾種典型接法加以對(duì)比研究。1 常見的幾種連接方式及其工作原理常用于反饋的光耦型號(hào)有 TLP521、PC817 等。這里以 TLP521為例，介紹這類光耦的特性。TLP521 的原邊相當(dāng)于一個(gè)發(fā)光二極管，原邊電流 If 越大，光強(qiáng) 越強(qiáng)，

19、副邊三極管的電流 Ic 越大。副邊三極管電流 Ic 與原邊二極管 電流 If 的比值稱為光耦的電流放大系數(shù)，該系數(shù)隨溫度變化而變化， 且受溫度影響較大。 作反饋用的光耦正是利用 “原邊電流變化將導(dǎo)致 副邊電流變化”來實(shí)現(xiàn)反饋，因此在環(huán)境溫度變化劇烈的場(chǎng)合，由于 放大系數(shù)的溫漂比較大，應(yīng)盡量不通過光耦實(shí)現(xiàn)反饋。此外，使用這 類光耦必須注意設(shè)計(jì)外圍參數(shù)， 使其工作在比較寬的線性帶內(nèi)， 否則 電路對(duì)運(yùn)行參數(shù)的敏感度太強(qiáng)，不利于電路的穩(wěn)定工作。通常選擇TL431結(jié)合TLP521進(jìn)行反饋。這時(shí)，TL431的工作原 理相當(dāng)于一個(gè)內(nèi)部基準(zhǔn)為 2.5 V 的電壓誤差放大器，所以在其 1 腳與3 腳之間，要接補(bǔ)

20、償網(wǎng)絡(luò)。常見的光耦反饋第 1 種接法，如圖 1 所示。圖中， Vo 為輸出電 壓， Vd 為芯片的供電電壓。 com 信號(hào)接芯片的誤差放大器輸出腳， 或者把PWM芯片（如UC3525）的內(nèi)部電壓誤差放大器接成同相放大 器形式， com 信號(hào)則接到其對(duì)應(yīng)的同相端引腳。 注意左邊的地為輸出 電壓地，右邊的地為芯片供電電壓地，兩者之間用光耦隔離。圖1所示接法的工作原理如下：當(dāng)輸出電壓升高時(shí)，TL431的1腳（相當(dāng)于電壓誤差放大器的反向輸入端）電壓上升，3腳（相當(dāng)于電壓 誤差放大器的輸出腳）電壓下降，光耦TLP521的原邊電流If增大, 光耦的另一端輸出電流Ic增大，電阻R4上的電壓降增大，com引腳

21、 電壓下降，占空比減小，輸出電壓減??；反之，當(dāng)輸出電壓降低時(shí), 調(diào)節(jié)過程類似。常見的第2種接法，如圖2所示。與第1種接法不同的是，該接 法中光耦的第4腳直接接到芯片的誤差放大器輸出端，而芯片內(nèi)部的利用運(yùn)電壓誤差放大器必須接成同相端電位高于反相端電位的形式,放的一種特性當(dāng)運(yùn)放輸出電流過大（超過運(yùn)放電流輸出能力）時(shí)，運(yùn)放的輸出電壓值將下降，輸出電流越大，輸出電壓下降越多。因此，采用這種接法的電路，一定要把PWM芯片的誤差放大器的兩 個(gè)輸入引腳接到固定電位上，且必須是同向端電位高于反向端電位,使誤差放大器初始輸出電壓為高。comTlT52icomrWK-71.431圖1光構(gòu)反«第t種接法圖

22、2光«反«的第2種接法圖2所示接法的工作原理是：當(dāng)輸出電壓升高時(shí)，原邊電流If增大，輸出電流Ic增大，由于Ic已經(jīng)超過了電壓誤差放大器的電流輸出能力，com腳電壓下降，占空比減小，輸出電壓減??；反之，當(dāng) 輸出電壓下降時(shí)，調(diào)節(jié)過程類似。常見的第3種接法，如圖3所示。與圖1基本相似，不同之處在 于圖3中多了一個(gè)電阻R6,該電阻的作用是對(duì)TL431額外注入一個(gè) 電流，避免TL431因注入電流過小而不能正常工作。實(shí)際上如適當(dāng) 選取電阻值R3,電阻R6可以省略。調(diào)節(jié)過程基本上同圖1接法一致。常見的第4種接法，如圖4所示。該接法與第2種接法類似，區(qū) 別在于com端與光耦第4腳之間多接了

23、一個(gè)電阻R4,其作用與第3在比較之前，需要對(duì)實(shí)際的光耦TLP521的幾個(gè)特性曲線作一下 分析。首先是Ic-Vce曲線，如圖5,圖6所示。圖5 TLP521的厶-人曲ajawB' 修V» F洛Dj 11丄J10 mAr"1 f 1丄一 r T丨J00.304060»L.0121/圖6 TLP521的曲S由圖5、圖6可知，當(dāng)If小于5 mA時(shí)，If的微小變化都將引起Ic與Vce的劇烈變化，光耦的輸出特性曲線平緩。這時(shí)如果將光耦作為電源反饋網(wǎng)絡(luò)的一部分，其傳遞函數(shù)增益非常大。對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)來 說，一個(gè)非常高的增益容易引起系統(tǒng)不穩(wěn)定， 所以將光耦的靜態(tài)工作 點(diǎn)設(shè)置在

24、電流If小于5 mA是不恰當(dāng)?shù)?，設(shè)置為510 mA較恰當(dāng)。此外，還需要分析光耦的Ic-If曲線，如圖7所0示。由圖7可以看出，在電流If小于10 mA時(shí)，Ic-If基本不變,而在電流If大于10 mA之后，光耦開始趨向飽和，Ic-If的值隨著If的增大而減小。對(duì)于一個(gè)電源系統(tǒng)來說，如果環(huán)路的增益是變化的, 則將可能導(dǎo)致不穩(wěn)定，所以將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在 If過大處（從而輸出特性容易飽和），也是不合理的。需要說明的是，Ic-If曲線是隨溫度 變化的，但是溫度變化所影響的是在某一固定If值下的Ic值，對(duì)Ic-If 比值基本無影響，曲線形狀仍然同圖 乙 只是溫度升高，曲線整體下 移，這個(gè)特性從Ic-Ta

25、曲線（如圖8所示）中可以看出。tooM)!llll»llii5STOIW IT-2St： »10 mj-Hu一I 甘J粗住門 ijHiyJ(丨 |關(guān).#1!附_I MH o.j I ji 耳 ojFHHlt t器MMM03 t 3 LO »10圖7 TLPS21妁4曲線由圖8可以看出，在If大于5 mA時(shí)，Ic-Ta曲線基本上是互相平行的。根據(jù)上述分析，以下針對(duì)不同的典型接法，對(duì)比其特性以及適用 范圍。本研究以實(shí)際的隔離半橋輔助電源及反激式電源為例說明。第1種接法中，接到電壓誤差放大器輸出端的電壓是外部電壓經(jīng) 電阻R4降壓之后得到，不受電壓誤差放大器電流輸出能力影響，光 耦的工作點(diǎn)選取可以通過其外接電阻隨意調(diào)節(jié)。按照前面的分析，令電流If的靜態(tài)工作點(diǎn)值大約為10 mA，對(duì)應(yīng)的光耦工作溫度在0100C變化，值在2015 mA之間。一般PWM芯片的三角波幅值大小不超過 3 V，由此選定電阻R4的大小為670Q，并同時(shí)確定TL431的3腳電壓的靜態(tài)工作點(diǎn)值為12 V，那么可以選定電阻R3的值為560 Q。電阻R1與R2的值容易選取，這里取為27 k與4.7 k。電阻R5與電容C1為PI補(bǔ)償，這里取為3 k與10 nF。實(shí)驗(yàn)中，半橋輔助電源輸出負(fù)載為控制板上的各類控制芯片，加上多路輸出中各路的死負(fù)載，最后的實(shí)際功率大約為