申請書正文r分解

1、（一）立項(xiàng)依據(jù)與研究內(nèi)容（4000-8000字）： 1. 項(xiàng)目的立項(xiàng)依據(jù)（研究意義、國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及發(fā)展動態(tài)分析，需結(jié)合科學(xué)研究發(fā)展趨勢來論述科學(xué)意義；或結(jié)合國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展中迫切需要解決的關(guān)鍵科技問題來論述其應(yīng)用前景。附主要參考文獻(xiàn)目錄）進(jìn)入二十一世紀(jì)以來，以液晶顯示（LCD）、等離子體顯示（PDP）為主的平板顯示器已經(jīng)以其大顯示面積、輕薄性和易于實(shí)現(xiàn)高清晰度影像顯示等特點(diǎn)而逐步取代傳統(tǒng)的陰極射線管（CRT）技術(shù)，成為了顯示器和電視的主流技術(shù)。中國在整個平板顯示器技術(shù)領(lǐng)域起步相對較晚，因此在擁有全球最強(qiáng)的CRT產(chǎn)業(yè)的同時(shí)卻非常缺乏作為升級換代的平板顯示器核心技術(shù)，整體顯示產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻的生存

2、挑戰(zhàn)。場發(fā)射顯示（field emission display, FED）的概念從二十世紀(jì)六十年代提出到目前已經(jīng)經(jīng)歷了近50年的研究。第一臺Spindt陰極矩陣選址32×32像素單色FED的誕生于1986年。1由于場發(fā)射顯示屏能提供類似于CRT的亮度和顏色，視角寬，對溫度變化不敏感，并且具有全運(yùn)動視頻功能，厚度薄，功耗低，因此繼LCD和PDP之后成為研究的熱點(diǎn)。至二十一世紀(jì)初，全球開展FED研制的機(jī)構(gòu)有SRI（美國）、Honeywll（美國）、Micro Display Tech（美國）、Motorola（美國）、TI（美國）、FED（美國）、Silicon Video（美國）、Pi

3、xTech（美國）、LETI（法國）、Futaba（日本）、松下（日本）、ISTOK RSP（俄羅斯）、Orin Electrical（韓國）、Samsung（韓國）、臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（中國臺灣）、福州大學(xué)（中國）、中山大學(xué)（中國）、東南大學(xué)（中國）、西安交通大學(xué)（中國）、中科院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所（中國）等等。目前基于薄膜技術(shù)和半導(dǎo)體工藝的FED已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。Futaba公司的單色Spindt陰極FED已經(jīng)進(jìn)入市場，彩色Spindt陰極FED也已投入大規(guī)模生產(chǎn)。Futaba公司投產(chǎn)的彩色Spindt陰極14.4英寸SVGA FED陽極電壓為3kV，亮度達(dá)到400cd/m2。2如

4、果將基于薄膜技術(shù)和半導(dǎo)體工藝的FED劃分為第一代FED，可以看出第一代FED盡管在色純、亮度、壽命等方面取得了巨大成功。但與其它平板顯示器件相比，成本過高，制作工藝復(fù)雜，最重要的就是向大尺寸發(fā)展會導(dǎo)致均勻性降低。為了提高FED在顯示器件市場的競爭力，調(diào)查表明第二代FED的研制將集中在大屏幕和低成本方面。3各家研究機(jī)構(gòu)一般在從兩方面進(jìn)行研究（1）用新型材料替換傳統(tǒng)的場發(fā)射材料，（2）研究新型結(jié)構(gòu)的FED。對于第一個方面的研究，經(jīng)過多家研究機(jī)構(gòu)的努力，近年來已經(jīng)取得了長足的進(jìn)展。在眾多被研究的材料中，碳系列材料顯示了最令人鼓舞的場發(fā)射的特性。而在碳材料中，碳納米管顯示出良好的電特性和化學(xué)特性，懸殊

5、的長徑比使其具有很低的開啟場強(qiáng)。因此大部分研究者將碳納米管場發(fā)射體作為新一代FED研究的重點(diǎn)。新型場發(fā)射材料的使用，使得制造大屏幕場發(fā)射顯示器件成為可能。同時(shí)為了進(jìn)一步降低成本與其它平板顯示技術(shù)競爭，還應(yīng)發(fā)展新的厚膜制作工藝來替代昂貴的薄膜技術(shù)。例如研究較多的碳納米管FED的陰極制作大多采用了直接生長4或絲網(wǎng)印刷的方法5，還有一些研究機(jī)構(gòu)采用了噴涂和噴墨的方法制作陰極，為FED的發(fā)展提供了新途徑6,7 。而在研究不同F(xiàn)ED結(jié)構(gòu)時(shí)，大部分研究機(jī)構(gòu)不約而同的選擇了碳納米管作為陰極發(fā)射材料，這也證明了碳納米管應(yīng)用于FED具有廣闊的前景。除了使用新型場發(fā)射材料和成本較低的制作工藝，對不同F(xiàn)ED結(jié)構(gòu)的研

6、制也是一個熱點(diǎn)。致力于這方面研究的代表性的項(xiàng)目有：（1）韓國Samsung公司的基于印刷碳納米管發(fā)射體的FED結(jié)構(gòu)，證實(shí)了大面積印刷碳納米管的可行性。2002年的IDW02會議上，Samsung公司報(bào)告了其研制的32英寸后柵極FED，亮度達(dá)到150cd/m2，實(shí)現(xiàn)了全彩色視頻顯示8。（2）日本ULVAC公司采用網(wǎng)狀柵極替代傳統(tǒng)柵極，有效地控制了電子束發(fā)散的現(xiàn)象，電子束斑由采用普通柵極時(shí)的0.5mm減小到0.2mm9。（3）韓國electronics and telecommunication institute 研制了錐形柵極的碳納米管FED。該結(jié)構(gòu)中的柵極是一個錐形孔，靠近陰極的部分開口大，

7、靠近陽極的部分開口小，可提高電子的匯聚性并能夠保護(hù)在高陽極電壓作用下的碳納米管陰極不受破壞。該公司成功研制了5英寸QQVGA彩色動態(tài)顯示的樣屏10。（4）Philips Research 和LG-Philips Display 合作研制了一種基于二次電子發(fā)射的FED結(jié)構(gòu)，HOPFED11。利用陰極發(fā)射的電子打到壁上產(chǎn)生大量二次電子和散射電子來轟擊熒光粉產(chǎn)生可見光。這種結(jié)構(gòu)能夠改善像素內(nèi)的光點(diǎn)形狀、提高對比度和色純、降低離子轟擊對陰極的損傷。（5）臺灣工研院最近研制了3折倍增電極結(jié)構(gòu)的FED，在該結(jié)構(gòu)中柵極和陽極之間增加了三個倍增電極，不僅可以降低陽極高壓對陰極的破壞，還提高了像素內(nèi)的顯示均勻性

8、12。另外臺灣工研院研制的平面柵極FED13和反射型FED14都是在結(jié)構(gòu)改進(jìn)方面進(jìn)行的新嘗試。綜上所述，目前場發(fā)射顯示技術(shù)要能與LCD和PDP在大屏幕高清晰度顯示領(lǐng)域競爭，必須解決以下幾個關(guān)鍵技術(shù)問題：1、 適用于大尺寸的厚膜陰極制造技術(shù)；2、 改善陰極發(fā)射的均勻性；3、 提高陽極工作電壓，以提高亮度和發(fā)光效率；4、 減少離子轟擊對陰極的損傷；5、 減小電子束斑以實(shí)現(xiàn)高分辨率。針對上述問題，本課題提出了輔助聚焦常開型后柵極場發(fā)射顯示板的結(jié)構(gòu)及其驅(qū)動方法。該顯示板的示意圖如圖1所示。圖1 輔助聚焦常開型后柵極場發(fā)射顯示板結(jié)構(gòu)示意圖該顯示板由前基板玻璃1、后基板玻璃2對向組裝而成，通過支撐體3陣列

9、來保持固定的距離。前基板玻璃1上制作陽極4、熒光粉5，后基板玻璃2上依次為條形柵極6，厚度為0.150微米的局部或全部覆蓋條形柵極6的介質(zhì)層7，在介質(zhì)層7上間隔制作與條形柵極6垂直的條形陰極8和條形輔助聚焦電極9。其中條形陰極8本身為能產(chǎn)生場致電子發(fā)射的材料，或在其上與條形柵極交叉點(diǎn)處或其全部表面制作能產(chǎn)生場致電子發(fā)射的材料。將上述前基板1和后基板2的四周用低熔點(diǎn)玻璃進(jìn)行氣密封接，經(jīng)過抽真空后封離，就形成了帶輔助聚焦極的后柵極場發(fā)射顯示板。與其它結(jié)構(gòu)的場發(fā)射顯示板相比，輔助聚焦常開型后柵極場發(fā)射顯示板在結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法上都有很大的不同，這種方案的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為：（1）在該場發(fā)射顯示板中，柵極對陰極的

10、作用是通過限制陰極電子發(fā)射來實(shí)現(xiàn)控制，而電子發(fā)射是直接由陽極高壓與陰極作用產(chǎn)生，因此比傳統(tǒng)的通過柵極電壓使陰極產(chǎn)生場致電子發(fā)射的均勻性好。（2） 與現(xiàn)有的后柵極三極管結(jié)構(gòu)相比，該顯示板的陰極發(fā)射面積大大增加，因此陰極所需電流密度減少，有利于提高器件壽命。（3） 該顯示板可采用全厚膜工藝制作，因此工藝簡單、成本低、成品率高。（4） 該顯示板中輔助聚焦極的作用，減少了后柵極結(jié)構(gòu)中電子束散焦的特性，因此可以增加前后基板之間的距離而不會增大光斑。而增加此距離有利于提高陽極工作電壓，從而允許采用發(fā)光效率高的高壓熒光粉來提高器件的發(fā)光效率。主要參考文獻(xiàn)1 Meyer R., Ghis A., Rambau

11、d P.C.,et.al. Microchip fluorescence displayC. Proc. of Japan Display, 1986. 512-5152 Shigeo Itoh, Mitsuru Tanaka, Takeshi Tonegwa, et.al. Development of Field-Emission DisplayC. Proc.of SID07, Long Beach, USA, 2007. 1297-13003 Talin A.A., Dean K.A., Jaskie J.E. Field emission displays: a critical r

12、eviewJ. Solid-State Electronics, 2001. 45(1): 963-9674 Lim S.H., Kim H.S., Moon J.H. et.al, Field Emission from Carbon Nanotubes Selectively Grown on Stainless Steel Using a-Si Buffer LayerC. Proc. of SID03. Baltimore, USA. 2003. 798-8015 Takai M., Zhao, W. J., Sawada A. et.al., Surface Modification

13、 of Screen-Printed Carbon Nanotube Emitter for Large Diagonal Field Emission DisplaysC. Proc. of SID03. Baltimore, UAS, 2003. 794-7976 Kuo C.C., Hsiao C.Y., Li,Y.A. et.al, Spray-Coating Process for Preparing CNT-FED CathodeC. Proc. of SID04. Seattle, USA, 2004. 825-8277 Burden A.P. Bishop H.E. Brier

14、ley M. et.al, Incorporating Consumer-Priced Fielding-Emitting Inks into Arrays of Triode DevicesJ. Solid-State Electronics. 2001. 45:987-9968 Lee C.G., Lee S.J., Whang S.Y., et.al, FEDs with CNT on Large Area ApplicationC. Proc. of IDW02. Hiroshima Japan, 2002. 1021-10249 Naoki Tsukahara, Haruhisa N

15、akano and Hirohiko Murakami，et.al, A 4.8 inch GNF-FED with A Mesh Gate StructureC. Proc. of SID06. San Francisco, USA, 2006. 660-66210 Yoon-Ho Song, Jin-Woo Jeong, Dae-Jun Kim, et.al. Active-Matrix Cathodes with Tapered Macro-Gate for High-Performance Field Emission DisplayC. Proc. of SID06. San Fra

16、ncisco, USA, 2006. 1849-185111 Junko Yotani, Sashiro Uemura, Takeshi Nagasako, et.al. Practical CNT-FED Structure for High-Luminance Character-Displays C. Proc.of SID07, Long Beach, USA, 2007. 1301-130412 Visser H. M., Rosink J.J.W.M., Gillies M.F. et.al, Field Emission Display Architecture based on

17、 Hopping ElectronC. Proc. of SID03. Baltimore, USA, 2003. 806-80913 Shy-Wen Lai , Jeng-Maw Chiou, Shu-Hsing Lee, et.al. Application of A Novel Dynode Structure to CNT Field Emission UnitC. Proc.of SID07, Long Beach, USA, 2007. 1421-142414 Chun T.L., Cheng H.C., Chang Y.Y. et.al, Planar Triode Struct

18、ure Carbon Nanotubes Field Emission DisplayC. Proc. of SID03. Baltimore, USA, 2003. 922-92515 Chuang F.Y., g Lee C.C., Lin J.D. et.al, A Reflective-Type Carbon Nanotube Field Emission DisplayC. Proc. of SID00. Long Beach, USA, 2000. 329-3312. 項(xiàng)目的研究內(nèi)容、研究目標(biāo),以及擬解決的關(guān)鍵科學(xué)問題（此部分為重點(diǎn)闡述內(nèi)容）研究內(nèi)容本項(xiàng)目研究內(nèi)容的核心是對輔助聚焦

19、常開型后柵極場發(fā)射顯示板進(jìn)行完整的理論研究，通過理論分析來優(yōu)化顯示板的結(jié)構(gòu)參數(shù)和電參數(shù)；研制樣屏進(jìn)行驗(yàn)證，并進(jìn)一步研究該技術(shù)實(shí)現(xiàn)所需解決的關(guān)鍵工藝制備技術(shù)。研究內(nèi)容包括多功能軟件包的開發(fā)；結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)；解決關(guān)鍵制備工藝，研制樣屏并測試分析。具體研究內(nèi)容包括以下幾個方面：（1）考慮空間電荷效應(yīng)的電場分布的有限元計(jì)算。（2）結(jié)合統(tǒng)計(jì)學(xué)原理和實(shí)際樣品測試建立更符合實(shí)際應(yīng)用的陰極場發(fā)射物理模型。（3）顯示空間內(nèi)陰極電子發(fā)射分布及強(qiáng)度計(jì)算、電子軌跡計(jì)算、著屏電子束斑的形狀及強(qiáng)度分布計(jì)算。（4）顯示板的結(jié)構(gòu)參數(shù)和電參數(shù)的優(yōu)化。（5）顯示板樣屏的研制與測試，以及厚膜工藝先進(jìn)性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。研究目標(biāo)通過對輔助聚

20、焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板以上五部分內(nèi)容的研究，建立起一套關(guān)于輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的設(shè)計(jì)理論和設(shè)計(jì)方法；然后將研究結(jié)果直接指導(dǎo)樣屏的設(shè)計(jì)；并用實(shí)驗(yàn)的方法驗(yàn)證所提方案的可行性與先進(jìn)性；從而為該技術(shù)的進(jìn)一步實(shí)用化提供理論依據(jù)和設(shè)計(jì)方法。擬解決的關(guān)鍵科學(xué)問題針對研究內(nèi)容，擬解決的關(guān)鍵問題如下：（1）傳統(tǒng)基于單個場發(fā)射陰極的物理模型（福勒-諾德海姆公式）不適用于基于厚膜場發(fā)射陰極的物理模型，必須在該公式的基礎(chǔ)上結(jié)合統(tǒng)計(jì)學(xué)原理和實(shí)際樣品測試建立更符合實(shí)際應(yīng)用的陰極場發(fā)射物理模型。（2）輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射結(jié)構(gòu)的特征之一是利用輔助聚焦極約束電子束斑，從而提高陽極距

21、，獲得更高的電子能量來提高亮度和效率。在這種工作條件下必須考慮空間電荷效應(yīng)，并通過優(yōu)化聚焦極幾何參數(shù)和電參數(shù)獲得更佳的陽極束斑。（3）輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的實(shí)現(xiàn)必須解決的關(guān)鍵技術(shù)包括基于厚膜技術(shù)的碳納米管陰極的制備、高寬高比的支撐體的制備、高真空獲得等。3. 擬采取的研究方案及可行性分析（包括有關(guān)方法、技術(shù)路線、實(shí)驗(yàn)手段、關(guān)鍵技術(shù)等說明）擬采取的研究方案為了解決輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的理論研究與樣屏制造，本項(xiàng)目擬采取如下的研究方案：（1）充分利用成熟的基于MATLAB的有限元法計(jì)算電場軟件FEMLAB，建立該顯示板的結(jié)構(gòu)模型、定義物理參量、劃分網(wǎng)格并計(jì)算顯

22、示空間的電場分布情況。（2）在福勒-諾德海姆公式的基礎(chǔ)上，結(jié)合統(tǒng)計(jì)學(xué)原理和實(shí)際測試結(jié)果，建立基于厚膜工藝的陰極發(fā)射模型；計(jì)算陰極電子發(fā)射情況，采用龍格-庫塔法計(jì)算空間電子軌跡并將結(jié)果在matlab中實(shí)現(xiàn)陰極電子發(fā)射、電子軌跡和著屏電子束斑的圖形化顯示。（3）利用以上計(jì)算方法，分別改變該顯示板的結(jié)構(gòu)參量和電參量或兩者的結(jié)合，計(jì)算陰極電子發(fā)射和著屏電子束斑情況，對結(jié)構(gòu)參量和電參量進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。（4）采用厚膜工藝制作該顯示板的前后基板，改善碳納米管的垂直取向性?？尚行苑治霰卷?xiàng)目所提出的研究方案是輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的理論研究和試驗(yàn)驗(yàn)證，其可行性表現(xiàn)在如下幾個方面：（1）與其它結(jié)構(gòu)

23、的場發(fā)射顯示板相比，輔助聚焦常開型后柵極場發(fā)射顯示板在結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法上都有明顯的技術(shù)優(yōu)勢，具有均勻性好、壽命長、工藝簡單、成本低、亮度和發(fā)光效率高以及分辨率高的特點(diǎn)。因此無論從理論還是技術(shù)上都具有較強(qiáng)的可行性。（2）東南大學(xué)顯示技術(shù)研究中心對場發(fā)射顯示已經(jīng)開展了多年的研究，在碳納米管厚膜陰極制備及器件制造等方面取得了一定的進(jìn)展，并且擁有一條平板顯示研制線，為本項(xiàng)目的研制提供了良好的硬件平臺；同時(shí)在厚膜制造工藝、真空獲得、測試等方面有豐富的經(jīng)驗(yàn)。（3）項(xiàng)目申請者在2005年對常開型后柵極場發(fā)射顯示板進(jìn)行了初期的理論研究并研制出樣屏，驗(yàn)證了常開型的驅(qū)動方式對改善電子束擴(kuò)散及提高陽極工作電壓的作用，

24、但束斑尺寸偏大，不利于高分辨率顯示。本項(xiàng)目所提出的方案是在上述結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)，通過增加輔助聚焦極，一方面可以進(jìn)一步抑制電子束擴(kuò)散，另一方面可以降低柵極工作電壓。4. 本項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處。 本項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處有如下幾點(diǎn)：（1）本項(xiàng)目所提出的輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法已向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請發(fā)明專利（申請?zhí)枮椋?3149669.5），具有自主知識產(chǎn)權(quán)。（2）在福勒-諾德海姆公式的基礎(chǔ)上，結(jié)合統(tǒng)計(jì)學(xué)原理和實(shí)際測試結(jié)果，對傳統(tǒng)單個陰極場發(fā)射模型的理論模型進(jìn)行改進(jìn)，建立基于厚膜工藝的陰極發(fā)射模型，具有較強(qiáng)的理論價(jià)值。（3）通過本項(xiàng)目的實(shí)施，針對場發(fā)射顯示板建立一套全新的

25、模擬、設(shè)計(jì)軟件，并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證進(jìn)行反饋修正，不斷完善設(shè)計(jì)理論，優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺，具有一定的實(shí)用價(jià)值。5. 年度研究計(jì)劃及預(yù)期研究結(jié)果（包括擬組織的重要學(xué)術(shù)交流活動、國際合作與交流計(jì)劃等）年度研究計(jì)劃2009年1月-2009年12月（1）通過理論分析和實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果相結(jié)合，建立厚膜碳納米管陰極發(fā)射物理模型；（2）編寫計(jì)算空間電場分布、陰極電子發(fā)射、空間電子軌跡和著屏電子束斑的軟件包；（3）建立輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的結(jié)構(gòu)模型，并完成結(jié)構(gòu)的初步設(shè)計(jì)。 2010年1月-2010年12月（1）對顯示板的結(jié)構(gòu)參數(shù)和電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的研究。（2）研究提高碳納米管垂直取向的厚膜制備工藝。（3）

26、根據(jù)優(yōu)化設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)制造顯示板樣屏。（4）研究工藝參數(shù)對顯示質(zhì)量的影響。 2011年1月-2011年12月（1）對顯示板性能進(jìn)行測試、分析。（2）通過試驗(yàn)研究，驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案的可行性與先進(jìn)性（3）文獻(xiàn)整理，撰寫結(jié)題報(bào)告，結(jié)題驗(yàn)收。 預(yù)期研究結(jié)果針對輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的研究，預(yù)期研究結(jié)果如下：（1）輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的建模和仿真分析。（軟件）（2）完成輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板原理性樣屏的設(shè)計(jì)和制造。（實(shí)物）（3）在國內(nèi)外核心刊物上發(fā)表論文4-5篇，其中SCI收錄至少1-2篇；顯示板設(shè)計(jì)報(bào)告1份；實(shí)驗(yàn)測試報(bào)告1份；培養(yǎng)碩士生2人。（二）研究基

27、礎(chǔ)與工作條件1、工作基礎(chǔ)（與本項(xiàng)目相關(guān)的研究工作積累和已取得的研究工作成績）（1）2005年東南大學(xué)顯示技術(shù)研究中心已經(jīng)針對場發(fā)射顯示板的結(jié)構(gòu)研究進(jìn)行資料收集、調(diào)研和各種研究方案的論證，并創(chuàng)新性的提出了輔助聚焦常開型后柵極碳納米管場發(fā)射顯示板的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方案。（2）已經(jīng)培養(yǎng)博士生1名，碩士生1名，申請發(fā)明專利1件（一種場發(fā)射顯示板及其驅(qū)動方法，公開號：CN1481200A）。（3）2005年申請者對無輔助聚焦極的常開型后柵極場發(fā)射顯示板開展了初步的理論研究，并通過研制原理性樣屏證明了常開型驅(qū)動方法的可行性，也為本項(xiàng)目的實(shí)施在理論和制造上積累了經(jīng)驗(yàn)。（4）組成研究團(tuán)隊(duì)的研究人員明確地分工以及各自

28、在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)所從事的多年的研究經(jīng)驗(yàn)和研究成果，滿足了本項(xiàng)目的要求，為圓滿完成本項(xiàng)目的研究工作奠定了基礎(chǔ)。2、工作條件（包括已具備的實(shí)驗(yàn)條件，尚缺少的實(shí)驗(yàn)條件和擬解決的途徑，包括利用國家實(shí)驗(yàn)室、國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和部門開放實(shí)驗(yàn)室等研究基地的計(jì)劃與落實(shí)情況）本項(xiàng)目的實(shí)施在東南大學(xué)顯示技術(shù)研究中心，該中心已經(jīng)具備了項(xiàng)目研究所需要的基本工作條件，包括平板顯示研制線一條，計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室。實(shí)驗(yàn)所需的設(shè)備，包括： 絲網(wǎng)印刷機(jī) 紅外干燥爐 顯影機(jī)高溫隧道燒成爐 磁控濺射設(shè)備 平板清洗機(jī)3、申請人簡介（包括申請人的學(xué)歷和研究工作簡歷，近期已發(fā)表與本項(xiàng)目有關(guān)的主要論著目錄和獲得學(xué)術(shù)獎勵情況。論著目錄要求詳細(xì)列出

29、所有作者、論著題目、期刊名或出版社名、年、卷（期）、起止頁碼等；獎勵情況也須詳細(xì)列出全部受獎人員、獎勵名稱等級、授獎年等）仲雪飛：女，博士，1975年12月出生。1993.9-1997.6 東南大學(xué)電子工程系學(xué)習(xí)，獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位。1998.9-2001.3 東南大學(xué)電子工程系學(xué)習(xí)，獲工學(xué)碩士學(xué)位。2001.4-2004.4 東南大學(xué)電子工程系工作，助教。2004.5-2006.5 東南大學(xué)電子工程系工作，講師。2005.11 于東南大學(xué)電子工程系獲工學(xué)博士學(xué)位。2006.6至今 東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院工作，副教授。主要研究領(lǐng)域包括場發(fā)射顯示器件的理論研究、顯示系統(tǒng)中的視覺感知研究、人工神經(jīng)

30、網(wǎng)絡(luò)在顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用研究等。先后參與國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目一項(xiàng)、國家973計(jì)劃課題一項(xiàng)以及多項(xiàng)國家九五、十五863計(jì)劃等研制項(xiàng)目。在本項(xiàng)目中負(fù)責(zé)項(xiàng)目的總體研究方案制定。申請者近期已發(fā)表與本項(xiàng)目有關(guān)的主要論著目錄1. Xuefei Zhong, Wilbert van der Poel, Daniel den Engelsen, Hanchun Yin. Influence of electrical and structural parameters on the performance of the spacers in HOPFED. Journal of Electronics (Chi

31、na). Vol.23, No.1, 2006. 117-1202. Zhong Xuefei, Yin Hanchun, Wang Baoping. Carbon-Nanotube-Based Normally-on-Driving Under-Gate Field Emission Display Panel. Frontiers of Electrical and Electronic Engineering in China.Vol.1, No.1, 2006. 82-873. Xuefei Zhong, Hanchun Yin, Wei Lei, Xiaobing Zhang. Nu

32、merical Study of the Emission Property of Normally-On Driving Under-Gate FED. Proceeding of INVNC 2005. 129-1304. 仲雪飛 樊兆雯 尹涵春 王保平.常開型后柵極場發(fā)射顯示板工作特性的研究. 真空科學(xué)與技術(shù). Vol.24, No.6, 2004. 404-4075. Xuefei Zhong, Hongping Zhao, Wei Lei, Xiaobing Zhang, Hanchun Yin Wilbert van der Poel, Daniel den Engelsen. N

33、umerical Study of the Electron and Ion Trajectories in HOPFED. Journal of SID. Vol.12 No.4, 2004 (注：該期刊只有光盤版，無頁碼)6. 仲雪飛，Wilbert van der Poel, Daniel den Engelsen, 尹涵春. 基于二次電子發(fā)射的FED 中支撐結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì). 真空科學(xué)與技術(shù). Vol.24, No.4, 2004. 249-2547. Xuefei Zhong, Zhaowen Fan, Yongming Tang, Hanchun Yin, Yan Tu, Baopi

34、ng Wang and Linsu Tong. Concept of a Carbon-Nanotube FED with a Normally on Driving Under-Gate Structure. Proceeding of SID 2004. 932-9358. Xuefei Zhong, Wilbert van der Poel, Daniel den Engelsen, Hanchun Yin. Monte Carlo Calculation of Electron Transport through Hop and Flu Spacers in HOPFED. Proce

35、eding of ASID 2004. 203-206 9. 仲雪飛，尹涵春，王保平. 一種基于納米碳管的常開型后柵極場發(fā)射顯示板. 東南大學(xué)學(xué)報(bào) （自然科學(xué)版）. Vol.34, No.1, 2004. 19-24李青：女，博士，1964年10月出生。1983.9-1987.6 南京理工大學(xué)光電技術(shù)系學(xué)習(xí) 獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位。1987.9-1990.3 南京理工大學(xué)光電技術(shù)系學(xué)習(xí) 獲工學(xué)碩士學(xué)位。1997.9-2002.9 東南大學(xué)電子工程系學(xué)習(xí) 獲工學(xué)博士學(xué)位。1990.4-1995.12 南京電子部五十五研究所液晶研究室，擔(dān)任副主任兼黨支部書記，承擔(dān)管理、科研工作。主要從事有源液晶顯示器件及

36、彩色液晶顯示器件研究。1995.12 至今 南京東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院顯示技術(shù)研究中心，從事液晶顯示、等離子體顯示等平板顯示的科研和教學(xué)工作。主要研究領(lǐng)域包括液晶顯示、等離子體顯示、場發(fā)射顯示等平板顯示的工藝研究等。先后主持國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目一項(xiàng)（名稱：掃描式表面放電型等離子體平板背光源的研究，項(xiàng)目號：60571033）、多項(xiàng)國家九五、十五863計(jì)劃等研制項(xiàng)目。近期已發(fā)表的主要論著目錄1. Li Qing, Zhang Xiong, Tang Yongming, Tu Yan, et.al. Development of 25-inch SVGA SMPDP. Journal of th

37、e SID Special Section of Selected Extended Papers from IDW/AD'05. Vol. 14, No.8, 2006. 695-7002. 李青，張雄，許曉偉，樊兆雯. SMPDP中熒光粉層制備方法的對比與研究. 液晶與顯示. Vol.20, No. 6, 2005. 467-4713. Qing. Li, Z. Fan, Y. Tang, et.al. Study on Properties of Si Doped MgO Layer in SMPDP. Proceeding of IDW 2006. 1173-11764. Qing Li, Zhaowen Fan, Yaosheng Zheng. Research on Characteristics of MgO with Adding Hydrogen in SMPDP. Procceding of ASID 2006. 144-1475. LI Qing, ZHANG Xiong, TANG Yongming, et.al. Fabrication of 25-inch SVGA SMPDP Panel. Proceeding of IDW 2005. 485-1488 6. Qing Li,