S7-200存儲區(qū)以及數(shù)據(jù)保存

1、FAQ： 關(guān)于S7-200存儲區(qū)以及數(shù)據(jù)保存的說明。解答： S7-200常用存儲區(qū)包括 RAM區(qū)、V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)和EEPROM區(qū)，這些所有的存儲區(qū)大小都是固定的，并不能進行擴展。下面對它們作簡單說明：EEPROM區(qū)：S7-200的永久程序數(shù)據(jù)保存區(qū)，EEPROM中可以保存用戶程序、V區(qū)數(shù)據(jù)：a 從PC機向PLC下載的過程就是將 程序 保存到EEPROM當中；b 對SMB31和SMW32進行編程，可以將V 區(qū)當中的數(shù)據(jù)保存到EPROM當中；EEPROM類似于PC機中硬盤的功能； 通過PC/PPI下載/上載 EEPROM區(qū) EEPROM區(qū)V 區(qū) 對SMB31和SMW32進行編程RA

2、M區(qū)： 當S7-200通電時，程序從EEPROM里裝載到RAM 區(qū)當中，S7-200運行時執(zhí)行的一條一條指令就存儲在該區(qū)，同時RAM區(qū)中包括V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)等數(shù)據(jù)區(qū)；RAM類似于PC機中的內(nèi)存，當您的程序大于內(nèi)存時，它是下載不到PLC當中的；關(guān)于RAM區(qū)的程序數(shù)據(jù)存儲情況有以下幾種：向RAM 區(qū)復(fù)制程序代碼EEPROM區(qū) S7-200通電RAM區(qū)電容保存V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū) S7-200斷電 50190小時后 RAM 區(qū)程序被清空 V 區(qū)、M 區(qū)、 T 區(qū)、C 區(qū)清空 V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)：V 區(qū)、M 區(qū)分別是S7-200 RAM區(qū)的數(shù)據(jù)存儲區(qū)，T 區(qū)是定時器

3、存儲區(qū)，C 區(qū)是計時器存儲區(qū)， 它們用來存放程序運行時的運算結(jié)果和計時、計數(shù)值：關(guān)于V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)的程序數(shù)據(jù)存儲情況有以下幾種：在Step7 MicroWin32編程軟件的系統(tǒng)塊當中若設(shè)定了V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)的調(diào)電保存范圍，如下所示：可以使用內(nèi)置在S7-200中的電容保存這些數(shù)據(jù)：V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)電容保存V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū) S7-200斷電 50190小時后 V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)清空 如果在S7-200上插有專用電池則在PLC斷電后：電容保存V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)電池保存V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū) 50190小時后 PLC持續(xù)斷電200天后 V 區(qū)、M 區(qū)、T 區(qū)、C 區(qū)清空 另外： 電容充電時間為24小時，PLC在不斷電的情況下專用電池能夠使用10年；EEPROM與V區(qū)之間數(shù)據(jù)交換的過程EEPROM中的數(shù)據(jù)復(fù)制到V區(qū)電容保持的V 區(qū)被清空V區(qū)當中的數(shù)據(jù)復(fù)制到EEPROM當中V 區(qū)用戶對SMB31和 S7-200斷電SMW32編程 50190小時后 S7-200通電 關(guān)于“保存數(shù)據(jù)到CPU內(nèi)置EEPROM”，新發(fā)布了一個指令庫文件，其中包含使用直接和間接尋址方式保存任意V存儲區(qū)和字節(jié)個數(shù)的子程序?？蔀榇顺绦蛑付ㄆ鹗嫉刂泛蛿?shù)據(jù)