功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理3

1、教師教法貸：庫存現(xiàn)金 200（5）借：銀行存款 15000貸：主營業(yè)務(wù)收入 15000借：主營業(yè)務(wù)成本 1200012000學(xué)生學(xué)法（ 6 ）借：生產(chǎn)成本 40000 制造費(fèi)用 2000管理費(fèi)用 1000貸：原材料 43000組織與要求（7）借：預(yù)付賬款 100000貸：銀行存款 100000（8）借：財務(wù)費(fèi)用 2500應(yīng)付利息 5500貸：銀行存款 8000（9）借：制造費(fèi)用 15000銷售費(fèi)用 5000貸：累計(jì)折舊 2000039.資料：2009年6月30日B公司銀行存款日記賬余額為170150元，銀行對賬單余額269496元。經(jīng)核對發(fā)現(xiàn)下列未達(dá)賬項(xiàng)：收心熱向銀行借款100000身導(dǎo)入情節(jié)

2、8 (2送存銀行轉(zhuǎn)賬支票一張，金額1、體育委員整隊(duì)。2、師生問好，宣布教學(xué)內(nèi)容。447243、導(dǎo)入情境。二：徒手操：（1）腹背運(yùn)動（）踢腿運(yùn)動向供貨單位開出轉(zhuǎn)賬支票一張，金額47320（3）全身運(yùn)動一；課堂常規(guī)（13250（2）宣布內(nèi)容 導(dǎo)語：無論我們集體做什么事，都要聽從指揮（3）導(dǎo)入情境、二：徒手操：（1）導(dǎo)入：首先讓我們來做徒手操吧（2）老師講解具體方法（要求：根據(jù)上述資料，編制銀行存款余額調(diào)節(jié)表（格式如下）（4）針對不足，加以糾正銀行存款余額調(diào)節(jié)表一：課堂常規(guī)（1）體育委員整隊(duì)，報告人數(shù)。（2）了解本課學(xué)習(xí)的任務(wù)和目的。（3）步入課堂二：徒手操（1）復(fù)習(xí)擴(kuò)胸運(yùn)動；體側(cè)運(yùn)動；體轉(zhuǎn)運(yùn)動；2

3、009年6（3日（4）連續(xù)動作進(jìn)行教學(xué)。金額：元 金額（4）學(xué)生自我檢查自己是否做正確、規(guī)范。（5）對不到位的加以糾正小節(jié)發(fā)展分14尾聲170150“小姐，小姐你要什么水果” 二：教師作小結(jié)三：協(xié)助教師收回器材加：企業(yè)已收銀行未收組織：學(xué)生圍成一圈，中間站一人當(dāng)小姐或先生。3250答：銀行存款余額調(diào)節(jié)表為：銀行對賬單余額組織：成四路縱隊(duì)集合要求：快、靜、齊項(xiàng)目小中故 事 情 節(jié) 開 始 部 分10一、學(xué)習(xí)本領(lǐng)（一）看齊銀行存款日記賬余額加：銀行已收企業(yè)未收減：銀行已付企業(yè)未付一、學(xué)習(xí)本領(lǐng)（一）看齊（1）導(dǎo)入：同學(xué)們你們想像解放軍叔叔那樣把隊(duì)伍排的整整齊齊嗎，那樣多好看（2）老師講解三種看齊的具

4、體方法，并要求學(xué)生出來示范，引導(dǎo)學(xué)生觀察。（3）誘導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行正確的理解。（4）引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行看齊練習(xí)。（5）針對不足，加以糾正。加：企業(yè)已收銀行未收減：企業(yè)已付銀行未付一、學(xué)習(xí)本領(lǐng)（一）看齊（1）學(xué)生動腦經(jīng)想象。（2）認(rèn)真聽老師講解示范，有不明白的提出問題。（3組織（如圖）：成四路縱隊(duì)集合組織（如圖）：成四列橫隊(duì)集合小調(diào)節(jié)后余額故事二：沿直線走項(xiàng)目方法：沿直線走時上體正直，自然挺胸，眼向前看，兩臂自然前后擺動或放在不同部位，兩腳向前邁步，腳跟先著地，然后迅速過渡到前腳掌著地。注意糾正內(nèi)外八字腳。三：沿直線走比賽方法：在沿直線走的基礎(chǔ)上加快步頻，往前走，繞過標(biāo)志物走回，排在排尾，游戲繼續(xù)。金額項(xiàng)目

5、二：沿直線走導(dǎo)入：小朋友們，在路上你們有沒有注意到有些人走路八字形，那樣多難看，所以我們從小就得養(yǎng)成走正確的步子（1）講解具體的做法和示范正確動作。（2）組織學(xué)生進(jìn)行比賽。（3）觀察學(xué)生練習(xí)情況，針對比賽的突發(fā)事故和不足加以糾正。（4）評出優(yōu)秀隊(duì)伍。二：沿直線走（1）看教師進(jìn)行講解示范。（2）學(xué)生練習(xí)（3）針對不足加以糾正。（4）學(xué)生正確的動作和錯誤動作的示范，指出優(yōu)缺點(diǎn)。（5）學(xué)生分組進(jìn)行沿直線走的接力比賽。（6）針對比賽的不足加以糾正。（7）聽取教師賽后小結(jié)。組織（如圖）銀行存款日記賬余額加：銀行已收企業(yè)未收減：銀行已付企業(yè)未付恢復(fù)8一：游戲“小姐，小姐你要什么水果”二：課后小結(jié)三：安排回

6、收器材四；師生告別一：游戲“小姐，小姐你要什么水果”二；教師作小結(jié)三：安排回收器材四：宣布下課44724一：游戲中場地：一個籃球場；器材：標(biāo)志物四個預(yù)計(jì)練習(xí)密度：100000預(yù)計(jì)最高心率：130-135次分, 變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏?、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。課題：歡樂的一天P1、沿直線跑2電力場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有很大區(qū)別。小功率絕緣柵1、認(rèn)知目標(biāo)：通過沿直線跑使學(xué)生明白沿直線跑可以省力，省時。V2、技能目標(biāo)：通過教學(xué)，使80%左右學(xué)生掌握跑和接球的基本技術(shù)。VDMOSFET。1

7、72746MOSFET組成。N學(xué)習(xí)跑步和接球的動作要領(lǐng)； 40一：收心熱身、導(dǎo)入情節(jié)（一）課堂常規(guī)1，體育委員整隊(duì)，報告人數(shù)，檢查服裝情況。2，師生問好S和柵極，宣布本課內(nèi)容，溝道不導(dǎo)電，管子處于截止。如果在柵極和源極之間加一正向電壓4，步入課堂UGS大于或等于管子的開啟電壓學(xué)生學(xué)法：體育委員整隊(duì)，了解本課學(xué)習(xí)的任務(wù)和目的，步入課堂。（二）徒手操ID。U本年貸方凈發(fā)生額教學(xué)方法：（1二、電力場效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)Power （2（31、 靜態(tài)特性800000（1） 輸出特性輸出特性即是漏極的伏安特性。特性曲線，如圖2(b所示。由圖所見，輸出特性分為截止、飽和與非飽和3個區(qū)域。這里飽和、非

8、飽和的概念與GTR不同。飽和是指漏極電流ID不隨漏源電壓UDS的增加而增加，也就是基本保持不變；非飽和是指地UCS一定時，ID隨UDS增加呈線性關(guān)系變化。5000（2） 轉(zhuǎn)移特性營業(yè)稅金及附加轉(zhuǎn)移特性表示漏極電流ID與柵源之間電壓UGS的轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線，如圖2(a所示。轉(zhuǎn)移特性可表示出器件的放大能力，并且是與GTR中的電流增益相似。由于Power MOSFET是壓控器件，因此用跨導(dǎo)這一參數(shù)來表示?？鐚?dǎo)定義為                

9、60;         （12000圖中UT為開啟電壓，只有當(dāng)UGS=UT時才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道，產(chǎn)生漏極電流ID2000、  主要參數(shù)（1）銷售費(fèi)用59500管理費(fèi)用55200       漏極擊穿電壓BUDBUD是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它大于漏極電壓額定值。BUD隨結(jié)溫的升高而升高，這點(diǎn)正好與GTR和GTO相反。（2）       漏極額定電壓UDUD是器件的標(biāo)稱額定值。（3

10、）       漏極電流ID和IDMIDIDM是漏極脈沖電流幅值。（4）       柵極開啟電壓UTUT2000的柵-源電壓，它為轉(zhuǎn)移特性的特性曲線與橫軸的交點(diǎn)。施加的柵源電壓不能太大，否則將擊穿器件。（5）       跨導(dǎo)gmgm是表征Power MOSFET 柵極控制能力的參數(shù)。分頁三、電力場效應(yīng)管的動態(tài)特性和主要參數(shù)1、  動態(tài)特性動態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時間關(guān)系，它影響器件的開關(guān)過程

11、。由于該器件為單極型，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此開關(guān)速度快、時間短，一般在納秒數(shù)量級。Power 15000Power MOSFET 的動態(tài)特性用圖3(a電路測試。圖中，所得稅費(fèi)用700002009年初K公司盈余公積余額為80000元。本年度決定按稅后利潤的10%提取法定盈余公積，并將稅后利潤的30%向股東分配現(xiàn)金股利。要求：根據(jù)上述資料，計(jì)算K公司2009年的下列指標(biāo)（寫出計(jì)算過程）：(1本年?duì)I業(yè)利潤；(2本年利潤總額；(3本年凈利潤；(4年末盈余公積余額；(5本年應(yīng)付股利。9-227答：（1）營業(yè)利潤=主營業(yè)務(wù)收入+其他業(yè)務(wù)收入-主營業(yè)務(wù)成本-營業(yè)稅金及附加-其他業(yè)務(wù)成本-銷售費(fèi)用-管理費(fèi)用-

12、財務(wù)費(fèi)用+投資收益-資產(chǎn)減值損失=800000+5000-400000-6800-2000-59500-55200-3000+2000-15000=265500（元）（2）利潤總額=營業(yè)利潤+營業(yè)外收入-營業(yè)外支出=265500+16500-2000=280000（元）（3）凈利潤=利潤總額-所得稅費(fèi)用=280000-70000=210000（元）（4）年末盈余公積余額=年初盈余公積余額+本年提取的盈余公積=80000+210000*10%=101000（元）（5）應(yīng)付股利=凈利潤*股利分配比例=210000*30%=63000（元）全國2011年7月自學(xué)考試基礎(chǔ)會計(jì)學(xué)試題課程代碼：00041

13、一、單項(xiàng)選擇題（本大題共20小題，每小題1分，共20分）在每小題列出的四個備選項(xiàng)中只有一個是符合題目要求的，請將其代碼填寫在題后的括號內(nèi)。錯選、多選或未選均無分。1.下列各項(xiàng)中，屬于所有者權(quán)益內(nèi)容的是( C 1-562.下列業(yè)務(wù)會引起資產(chǎn)和負(fù)債同時增加的是( B 1-61p為矩形脈沖電壓信號源；C.償還借款 D.從銀行提取現(xiàn)金RG為柵極電阻；RL為漏極負(fù)載電阻；RF用以檢測漏極電流。C.會計(jì)規(guī)范MOSFET 的開關(guān)過程波形，如圖3(b所示。Power MOSFET 的開通過程：由于Power MOSFET 有輸入電容，因此當(dāng)脈沖電壓uA.資產(chǎn)與負(fù)債同增GS按指數(shù)曲線上升。當(dāng)C.資產(chǎn)增加與負(fù)債減

14、少 D.資產(chǎn)要素內(nèi)部項(xiàng)目有增有減T時，開始形成導(dǎo)電溝道并出現(xiàn)漏極電流iD。從upA.收入、費(fèi)用和利潤 B.收入、費(fèi)用和所有者權(quán)益iD的時刻，這段時間稱為開通延時時間td(on。此后，iD隨的上升而上升，uGS從開啟電壓UT上升到Power MOSFET臨近飽和區(qū)的柵極電壓uGSP7.r。這樣Power 8.企業(yè)收到投資者出資額超過其在注冊資本或股本中所占份額的部分，應(yīng)計(jì)入( B 1-569.下列各項(xiàng)應(yīng)作為銷售費(fèi)用核算的是( A 1-5810.下列各項(xiàng)中，屬于外來原始憑證的是( C 5-14711.生產(chǎn)領(lǐng)用原材料應(yīng)填制的記賬憑證是( A 5-16012.下列各項(xiàng)中，不屬于原始憑證審核內(nèi)容的是(

15、B 5-15413.根據(jù)記賬憑證登記賬簿時，誤將800元填寫為8000元，記賬憑證無誤。更正此錯賬應(yīng)采用的方法是( C 6-18314.關(guān)于科目匯總表賬務(wù)處理程序，下列表述正確的是( D 7-20215.企業(yè)對銀行存款利息收入的處理，應(yīng)貸記( A 1-57A.“財務(wù)費(fèi)用” B.“管理費(fèi)用”C.“其他業(yè)務(wù)收入” D.“營業(yè)外收入”16.下列各項(xiàng)屬于賬實(shí)核對內(nèi)容的是( D 7-19417.銀行存款清查應(yīng)采用的方法是( D 8-20818.下列各項(xiàng)中，屬于財務(wù)報告編制要求的是( A 9-21919.我國會計(jì)檔案管理辦法規(guī)定，總賬和明細(xì)賬的保管期限為( C 10-24520.=td(on+tr

16、0;     (2Power MOSFET的關(guān)斷過程：當(dāng)up信號電壓下降到0時，柵極輸入電容上儲存的電荷通過電阻RS和RG放電，使柵極電壓按指數(shù)曲線下降，當(dāng)下降到uGSP 繼續(xù)下降，iD才開始減小，這段時間稱為關(guān)斷延時時間td(off。此后，輸入電容繼續(xù)放電，uGS繼續(xù)下降，iD也繼續(xù)下降，到uGS< SPAN>T時導(dǎo)電溝道消失，iD=0，這段時間稱為下降時間tf。這樣Power MOSFET 的關(guān)斷時間toff=td(off+tf      (3從上述分析可知，要提高器件的開關(guān)速度，則必須減

17、小開關(guān)時間。在輸入電容一定的情況下，可以通過降低驅(qū)動電路的內(nèi)阻RS來加快開關(guān)速度。電力場效應(yīng)管晶體管是壓控器件，在靜態(tài)時幾乎不輸入電流。但在開關(guān)過程中，需要對輸入電容進(jìn)行充放電，故仍需要一定的驅(qū)動功率。工作速度越快，需要的驅(qū)動功率越大。分頁2、  動態(tài)參數(shù)（1） 極間電容Power MOSFET的3個極之間分別存在極間電容CGS，CGD，CDS。通常生產(chǎn)廠家提供的是漏源極斷路時的輸入電容CiSS、共源極輸出電容CoSS、反向轉(zhuǎn)移電容CrSS。它們之間的關(guān)系為CiSS=CGS+CGD      (4CoSS=CGD+CDS &

18、#160;    (5CrSS=CGD          (6前面提到的輸入電容可近似地用CiSS來代替。（2） 漏源電壓上升率器件的動態(tài)特性還受漏源電壓上升率的限制，過高的du/dt可能導(dǎo)致電路性能變差，甚至引起器件損壞。四、電力場效應(yīng)管的安全工作區(qū)1、  正向偏置安全工作區(qū)正向偏置安全工作區(qū)，如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線、漏源通態(tài)電阻線和最大功耗限制線，4條邊界極限所包圍的區(qū)域。圖中示出了4種情況：直流DC，脈寬10ms，1ms,1

19、0s。它與GTR安全工作區(qū)比有2個明顯的區(qū)別：因無二次擊穿問題，所以不存在二次擊穿功率PSB限制線；因?yàn)樗☉B(tài)電阻較大，導(dǎo)通功耗也較大，所以不僅受最大漏極電流的限制，而且還受通態(tài)電阻的限制。2、  開關(guān)安全工作區(qū)開關(guān)安全工作區(qū)為器件工作的極限范圍，如圖5所示。它是由最大峰值電流IDM、最小漏極擊穿電壓BUDS和最大結(jié)溫TJM決定的，超出該區(qū)域，器件將損壞。3、  轉(zhuǎn)換安全工作區(qū)因電力場效應(yīng)管工作頻率高，經(jīng)常處于轉(zhuǎn)換過程中，而器件中又存在寄生等效二極管，它影響到管子的轉(zhuǎn)換問題。為限制寄生二極管的反向恢復(fù)電荷的數(shù)值，有時還需定義轉(zhuǎn)換安全工作區(qū)。器件在實(shí)際應(yīng)用中，安全工作區(qū)應(yīng)留有

20、一定的富裕度。五、電力場效應(yīng)管的驅(qū)動和保護(hù)1、  電力場效應(yīng)管的驅(qū)動電路電力場效應(yīng)管是單極型壓控器件，開關(guān)速度快。但存在極間電容，器件功率越大，極間電容也越大。為提高其開關(guān)速度，要求驅(qū)動電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。另外，還需要一定的柵極驅(qū)動電流。開通時，柵極電流可由下式計(jì)算：IGon=CiSSuGS/tr=(GGS+CGDuGS/ t r     (7關(guān)斷時，柵極電流由下式計(jì)算：IGoff=CGDuDS/tf                       (8式（7）是選取開通驅(qū)動元件的主要依據(jù)，式（8）是選取關(guān)斷驅(qū)動元件的主要依據(jù)。為了滿足對電力場效應(yīng)管驅(qū)動信號的要求，一般采用雙電源