40種封裝技術..

1、1、BGA 封裝 (ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳，在印 刷基板的正面裝配 LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳 LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比 QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳 QFP 為40mm 見方。而且 BGA 不 用擔 心 QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國 Motorola 公司開發(fā)的，首先

2、在便攜式電話等設備中被采用，今后在 美國有 可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為 1.5mm，引腳數為225?，F在 也有 一些 LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的 BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查?，F在尚不清楚是否有效的外觀檢查方 法。有的認為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。 美國 Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為 OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見 OMPAC 和 GPAC)。2、BQFP 封裝 (quad flat package with bumper)帶緩沖墊的四側引腳扁平

3、封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程 中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和 ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm， 引腳數從84 到196 左右(見 QFP)。3、碰焊 PGA 封裝 (butt joint pin grid array)表面貼裝型 PGA 的別稱(見表面貼裝型 PGA)。4、C-(ceramic) 封裝表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在實際中經常使用的記號。5、Cerdip 封裝用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于 ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有

4、玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型 EPROM 以及內部帶有 EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在 日本，此封裝表示為 DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。6、Cerquad 封裝表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封裝 DSP 等的邏輯 LSI 電路。帶有窗 口的 Cerquad用 于封裝 EPROM 電路。散熱性比塑料 QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高35 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數從32 到368。帶引腳

5、的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于 封裝紫外線擦除型 EPROM 以及帶有 EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ-G(見 QFJ)。7、CLCC 封裝 (ceramic leaded chip carrier)帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫 外線擦除型 EPROM 以及帶有 EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ-G(見 QFJ)。8、COB 封裝 (chip on board)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷

6、線路板上，芯片與基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆 蓋以確?？?性。雖然 COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如 TAB 和倒片 焊技術。9、DFP(dual flat package)雙側引腳扁平封裝。是 SOP 的別稱(見 SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷 DIP(含玻璃密封)的別稱(見 DIP).11、DIL(dual in-line) DIP 的別稱(見 DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。12、DIP(dual in-line p

7、ackage) 雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯 IC，存貯器 LSI，微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封 裝分別稱為 skinny DIP 和 slim DIP(窄體型 DIP)。但多數情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為 DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷 DIP 也稱為 cerdip(見 cerdip)。13、DSO(dual small out-lint)雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見

8、SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。14、DICP(dual tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是 TAB(自 動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動 LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm 厚的存儲器 LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照 EIAJ(日本電子機械工業(yè))會標準規(guī)定，將 DICP 命名為DTP。15、DIP(dual tape carrier package)同上。日本電子機械工業(yè)會標準對 DTCP 的命名(見 DTCP)。16、FP(flat package)扁

9、平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或 SOP(見 QFP 和 SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。17、Flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在 LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上 的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與 LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固 LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。其中SiS 756北橋芯片采用最新的Flip-chip封裝，全面支持AMD Athlon 64/FX中央處理器。支持

10、PCI Express X16接口，提供顯卡最高8GB/s雙向傳輸帶寬。支持最高HyperTransport Technology，最高2000MT/s MHz的傳輸帶 寬。內建矽統(tǒng)科技獨家Advanced HyperStreaming Technology，MuTIOL 1G Technology。18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距 QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的 QFP(見 QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。塑 料四邊引出扁平封裝 PQFP(Plastic Quad Flat Package)PQFP 的封裝形式最為普遍。

11、其芯片引腳之間距離很小，引腳很細，很多大規(guī)?；虺蠹呻娐范疾捎眠@ 種封裝形式，引腳數量一般都在100個以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用這種封裝形式。 此種封裝形式的芯片必須采用 SMT 技術(表面安裝設備)將芯片與電路板焊接起來。采用 SMT 技術安裝的芯片 不必在電路板上打孔，一般在電路板表面上有設計好的相應引腳的焊點。將芯片各腳對準相應的焊點，即可實現 與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。SMT 技術也被廣泛的使用在芯 片焊接領域，此后很多高級的封裝技術都需要使用 SMT 焊接。以下是一顆 AMD 的 Q

12、FP 封裝的286處理器芯片。0.5mm 焊區(qū)中心距，208根 I/O 引腳，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8，由此可見 QFP 比 DIP 的封裝尺寸大大減小了。PQFP 封裝的主板聲卡芯片 19、CPAC(globe top pad array carrier)美國 Motorola 公司對 BGA 的別稱(見 BGA)。20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 (Ceramic Quad Flat-pack Package)右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP)，這是封裝還沒

13、被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業(yè)用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來，照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。21、H-(with heat sink)表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的 SOP。22、Pin Grid Array(Surface Mount Type)表面貼裝型 PGA。通常 PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型 PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm

14、。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱 為碰焊 PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型 PGA 小一半，所以封裝本體可制作得不 怎么大，而引腳數比插裝型多(250528)，是大規(guī)模邏輯 LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。PGA 封裝 威剛迷你 DDR333本內存23、JLCC 封裝(J-leaded chip carrier)J 形引腳芯片載體。指帶窗口 CLCC 和帶窗口的陶瓷 QFJ 的別稱(見 CLCC 和 QFJ)。部分半導體廠家 采用的名稱。24、LCC 封裝(Leadless chip carrier)無

15、引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻 IC 用 封裝，也稱為陶瓷 QFN 或 QFN-C(見 QFN)。25、LGA 封裝(land grid array)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?，F已實用的有227 觸 點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA，應用于高速邏輯 LSI 電路。LGA 與 QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速 LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用。預計今后對其需求

16、會有所增加。AMD 的2.66GHz 雙核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平臺 26、LOC 封裝(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作 有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。日立金屬推出2.9mm 見方3軸加速度傳感器27、LQFP 封裝(low profile quad flat package)薄型 QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的 QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據制定的新 QFP外形規(guī)格所

17、用的名稱。28、L-QUAD 封裝陶瓷 QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高78 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯 LSI 開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許 W3的功率?，F已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm 中心距)的 LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。29、MCM封裝(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大類。MCM-L 是使用通常的玻

18、璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。MCM-C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM-L。MCM-D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。30、MFP 封裝( mini flat package)小形扁平封裝。塑料 SOP 或 SSOP 的別稱(見 SOP 和 SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。31、MQFP 封裝 (metric quad flat package)按照 JED

19、EC(美國聯合電子設備委員會)標準對 QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為0.65mm、本體厚度 為3.8mm2.0mm 的標準 QFP(見 QFP)。32、MQUAD 封裝 (metal quad)美國 Olin 公司開發(fā)的一種 QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可 容許2.5W2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產。33、MSP 封裝 (mini square package)QFI 的別稱(見 QFI)，在開發(fā)初期多稱為 MSP。QFI 是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。34、OPMAC 封裝 (over molded pad array carrier)模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國 Motorola 公司對模壓樹脂密封 BGA 采用的名稱(見 BGA)。35、P-(plast