太陽(yáng)能硅材料物理法提純及單晶生長(zhǎng)

1、太陽(yáng)能硅材料物理法提純及單晶生長(zhǎng)行性報(bào)告1太陽(yáng)能硅材料物理法提純及單晶生長(zhǎng)可行性報(bào)告一、立項(xiàng)的背景和意義太陽(yáng)能發(fā)電屬于清潔可再生能源，無(wú)論從能源角度，還是從環(huán)境角度，都是未 來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)，太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電的推廣應(yīng)用，無(wú)疑會(huì)帶來(lái)良好的環(huán)境效益。作為綠 色能源中最重要的組成部分之一， 太陽(yáng)能的利用在我國(guó)有了很大的發(fā)展， 有樂(lè)觀的 估計(jì)，中國(guó)很可能在太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)量方面進(jìn)入世界的前三位。 然而，隨著全 球太陽(yáng)能電池產(chǎn)量的快速增長(zhǎng)， 用于制造太陽(yáng)能電池板的多晶硅原料的產(chǎn)量顯得越 來(lái)越不足。 這導(dǎo)致太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中的利潤(rùn)格局的改變， 上游硅原料的生產(chǎn)變?yōu)?利潤(rùn)最大的一部分。在中國(guó)上游多晶硅原料嚴(yán)重短

2、缺。除了一小部分太陽(yáng)能級(jí)的多晶硅能自主供應(yīng) 外，絕大多數(shù)用于太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的硅原料來(lái)自國(guó)外進(jìn)口。 這種情況嚴(yán)重制約了中 國(guó)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。一方面，行業(yè)的發(fā)展受制于國(guó)外的主要多晶硅供應(yīng)商， 使國(guó)內(nèi)的多晶硅價(jià)格居高不下； 另一方面，國(guó)內(nèi)的下游產(chǎn)業(yè)為了爭(zhēng)奪有限的硅原料， 使得利潤(rùn)不斷走低，直接影響到產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展和我國(guó)發(fā)展綠色可再生能源的戰(zhàn) 略。這些情況的根本原因在于，我國(guó)目前對(duì)高純多晶硅的制造技術(shù)沒(méi)有完全成熟。 同時(shí)，如果采用目前國(guó)際上流行的改進(jìn)西門子法進(jìn)行硅提純的話， 必然會(huì)面臨投資 大、周期長(zhǎng)和技術(shù)難度高的問(wèn)題。因此，如果能夠找到一種替代的硅提純的方法， 而這種方法可以避免龐大的資金投入

3、和長(zhǎng)周期的建設(shè)， 同時(shí)還能避免西方國(guó)家的技 術(shù)壟斷，就能夠突破我國(guó)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。 太陽(yáng)能硅材料物理法提純是采用冶金級(jí)多晶硅來(lái)提取太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的方法， 它具有原料來(lái)源廣泛，提純過(guò)程安全，設(shè)備投資小的特點(diǎn)， 還能在環(huán)保和節(jié)能上比 傳統(tǒng)的西門子法更勝一籌， 是各國(guó)研發(fā)機(jī)構(gòu)一直努力的目標(biāo)。 無(wú)論是哪一個(gè)國(guó)家或 地區(qū)的研發(fā)機(jī)構(gòu)， 一旦在物理法提純的技術(shù)上有所突破， 必將在生產(chǎn)成本的控制上 大大低于國(guó)際平均水平，形成新的硅原料壟斷。二、國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)在國(guó)內(nèi)，雖然太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展極快，但技術(shù)進(jìn)步，特別是在太陽(yáng)能級(jí)多 晶硅原料生產(chǎn)相關(guān)的技術(shù)進(jìn)步卻比較緩慢。 在引進(jìn)或國(guó)內(nèi)改進(jìn)的太陽(yáng)能

4、電池生產(chǎn)已 經(jīng)超過(guò) 1500MW 的情況下，生產(chǎn)晶體硅太陽(yáng)能電池的原材料高純度多晶硅在 我國(guó)卻極度短缺 , 絕大部分需要依賴進(jìn)口，其原因是我國(guó)目前還沒(méi)有生產(chǎn)多晶硅的 成熟技術(shù)。目前多晶硅的價(jià)格處于高位， 存在著更進(jìn)一步漲價(jià)的可能。如何向市場(chǎng) 提供低成本太陽(yáng)能級(jí)晶體硅成為各大廠商的戰(zhàn)略目標(biāo)， 更關(guān)系到整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的速 度與空間。硅元素是地球表面含量極豐富的元素，只是它以硅砂（二氧化硅）的狀態(tài)存于 地表，從硅砂中將硅還原出來(lái)，為制造高純度多晶硅的第一步。生產(chǎn)過(guò)程將硅砂、 焦碳、煤及木屑等原料混合置于一石墨電弧加熱還原爐中于15002000C高溫加熱，將氧化硅還原成硅，此時(shí)硅之純度約 98%左右，此

5、一冶金提煉的硅， 稱為冶金 級(jí)硅（Metallurgical grade Si）。這一過(guò)程沒(méi)有太多的技術(shù)壁壘，但冶金級(jí)純度的硅需 要進(jìn)一步純化才能用于太陽(yáng)能， 通常可以用采用化學(xué)提純、 物理提純兩種方法進(jìn)行 進(jìn)一步提純到 99.9999%以上。其中化學(xué)提純方法主要有西門子法（氣相沉淀反應(yīng)法)、甲硅烷熱分解法、流化床法。物理提純方法主要有等離子體/電子束精練，火法精煉( Pyro-metallurgical refining )，浸法精煉( Hydro-metallurgical refining )，加 定向凝固雜質(zhì)固液分離提純法。目前國(guó)際上制備高純多晶硅原料多系用化學(xué)提純法 , 其先進(jìn)的生產(chǎn)

6、技術(shù)一直掌 握在美、日、 德等國(guó)的幾家公司手中。 這幾家公司的生產(chǎn)規(guī)模都在千噸到數(shù)千噸規(guī) 模以上， 其生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)全程計(jì)算機(jī)控制并具有先進(jìn)的廢氣處理技術(shù)， 達(dá)到了能耗 低，對(duì)環(huán)境不產(chǎn)生污染，具有明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。在化學(xué)提純法中最常用的為所謂的 西門子技術(shù)。這種技術(shù)的原理是選用 HCl 在反應(yīng)器中將低純的冶金級(jí)硅粉反應(yīng)生 成三氯氫硅和氫氣(Si+ 3HCI - SiHCb +出)由于SiHCb在30C以下是液體， 因此很容易通過(guò)精餾使 SiHCl3 與其它氯化物(雜質(zhì)反應(yīng)物)分離，從而達(dá)到極高 的純度。 純化后的 SiHCI3 然后通過(guò) CVD 方法還原制備出高純多晶硅。西門子法是 目前國(guó)際上多晶

7、硅制備的主流技術(shù)，基于同一原理， MEMC 開(kāi)發(fā)出一種新的硅沉 積方法，使硅烷(SiH4)在流化床反應(yīng)器(Fluidized Bed Reactor)中分解沉積在微 小的硅晶種上，從而直接制備出粒狀多晶硅 (Granular Polysilicon)。比較西門子法， 硅烷(SiH4)流化床法的生產(chǎn)成本更低，而且其粒狀多晶硅比較容易在硅液表面溶 化，能夠連續(xù)地添加進(jìn)硅液中，從而生長(zhǎng)出更長(zhǎng)的硅錠，因此是一種非常好的投爐 料?？傊?，這兩種技術(shù)大同小異， 都建立在同一原理上。 它們的技術(shù)原理看似簡(jiǎn)單， 生產(chǎn)工藝卻非常復(fù)雜，如果沒(méi)有極先進(jìn)的控制及廢氣回收技術(shù) , 還會(huì)導(dǎo)致能耗高 , 污染嚴(yán)重的問(wèn)題。而且

8、該技術(shù)的資金投入大，建廠及工藝調(diào)試周期非常長(zhǎng)。例如建 一座 3000噸多晶硅廠，需要 2億到 2.5億美金的投資，而且得花起碼兩年時(shí)間建 成投產(chǎn)。綜合考慮，西門子法并不是一種效率 /成本性能比最佳的太陽(yáng)能多晶硅生 產(chǎn)技術(shù)?？紤]到太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的高速增長(zhǎng)及帶來(lái)的對(duì)多晶硅原料的巨大需求量， 加上進(jìn)一步降低成本的壓力， 人們意識(shí)到有必要開(kāi)發(fā)出一種專門用于制造太陽(yáng)能級(jí) 多晶硅的技術(shù)。 事實(shí)上，盡管太陽(yáng)能生產(chǎn)廠商加速了從電池片和組件方面降低成本 和提高產(chǎn)品率的努力， 以謀求減輕多晶硅原料飛漲的壓力， 業(yè)界普遍認(rèn)為最有效降 低成本的途徑是開(kāi)發(fā)出一種生產(chǎn)技術(shù)， 使得能夠從供應(yīng)充足， 價(jià)格低廉的冶金硅直 接生

9、產(chǎn)出高純的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。 近年來(lái)， 越來(lái)越多的公司加入了研究太陽(yáng)能級(jí)多 晶硅（SoG）的行列。這其中最重要的一個(gè)方向就是用物理法對(duì)冶金硅進(jìn)行提純進(jìn) 而生產(chǎn)出太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。在這個(gè)領(lǐng)域里處于領(lǐng)先的有挪威 Elkem Solar，美國(guó)Dow Corning,日本新日鐵及日本JFE制鋼公司。挪威Elkem Solar采用火法精練+浸法 精練定向凝固將冶金硅提純?yōu)樘?yáng)能級(jí)多晶硅， 目前該公司正在建設(shè)實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn) 線，并計(jì)劃形成千噸級(jí)規(guī)模。美國(guó) Dow Corning運(yùn)用了與挪威Elkem Solar類似的 技術(shù)路線，并在2006年10月推出了 PV1101太陽(yáng)能級(jí)硅材料產(chǎn)品。不過(guò)這一產(chǎn)品 需與電子級(jí)的

10、多晶硅混合使用（最多可混合 20%）才能達(dá)到要求。 2006年 6月日 本新日鐵公司宣布以冶金工藝為基礎(chǔ)試產(chǎn)出了 6N 級(jí)的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅， 并計(jì)劃建 一產(chǎn)能約500噸/年的試產(chǎn)線，預(yù)計(jì)將于2007年下半年投產(chǎn)。日本JEF制鋼公司采 用的是等離子火焰， 電子束和定向凝固方法除雜生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅， 并計(jì)劃建設(shè) 一產(chǎn)能 5001000噸的生產(chǎn)線?？v觀國(guó)內(nèi)外，雖然直接把冶金硅提煉成太陽(yáng)能多晶硅的冶金精煉法又重新獲得 了人們的重視， 成為太陽(yáng)能界最熱門的研發(fā)項(xiàng)目之一， 而且這方面的投入不光局限 在幾家全球大的太陽(yáng)能電池及多晶硅制造商， 美國(guó)、日本及歐洲政府也提供了大量 的資金開(kāi)發(fā)冶金硅精煉技術(shù)， 但

11、是目前的效果仍然不盡人意。 盡管工業(yè)界及政府的 大量人力、物力投入，一種低成本、高效率的大規(guī)模冶金硅純化為太陽(yáng)能多晶硅的 技術(shù)仍然還在人們的期待中。就目前國(guó)內(nèi)多晶硅研發(fā)情況來(lái)看， 由于國(guó)際上多年對(duì)我國(guó)實(shí)行技術(shù)封鎖， 加上 過(guò)去幾十年在多晶硅工藝技術(shù)研究方面沒(méi)有多少投入， 我國(guó)多晶硅生產(chǎn)目前仍停留 在技術(shù)水平低，生產(chǎn)規(guī)模小，環(huán)境污染重，能耗及生產(chǎn)成本高的狀態(tài)下。至 2005 年多晶硅生產(chǎn)廠家只有峨嵋半導(dǎo)體材料廠一家，年產(chǎn)量不足100噸。 2006 年，峨嵋半導(dǎo)體材料廠擴(kuò)大了產(chǎn)量，加上洛陽(yáng)中硅的投產(chǎn)，我國(guó)多晶硅的年產(chǎn)量仍不足 500 噸。進(jìn)入 2007 年，樂(lè)山星光硅業(yè)已建成投產(chǎn)，并正在逐步擴(kuò)大產(chǎn)

12、能，估計(jì)我 國(guó)這三家工廠 2007年的產(chǎn)量合計(jì)最多在 1000 噸左右。國(guó)內(nèi)與多晶硅提純相關(guān)的研發(fā)主要集中在以下幾個(gè)方面：1. 改良已有的類似西門子法的多晶硅提純技術(shù)，包括大型節(jié)電還原爐技術(shù) 的開(kāi)發(fā)、高效提純技術(shù)創(chuàng)新集成、四氯化硅等副產(chǎn)品回收等。2. 流化床多晶硅生產(chǎn)工藝的開(kāi)發(fā)。除西門子法生產(chǎn)多晶硅的工藝外，還有 同時(shí)開(kāi)發(fā)硅烷熱分解生產(chǎn)棒狀、 粒狀多晶硅工藝以及 SiH2Cl2 熱分解生產(chǎn)多晶 硅工藝。冶金級(jí)多晶硅物理法提純成太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的研發(fā)。相關(guān)的技術(shù)主要依 靠定向凝固法并結(jié)合一些火法及浸法精練。 但就目前來(lái)看， 國(guó)內(nèi)用該方法提純 出的多晶硅產(chǎn)品，其純度多為 4N-5N 級(jí)，而太陽(yáng)能電池

13、若要達(dá)到較高的轉(zhuǎn)換 效率，其結(jié)晶硅原材料的純度至少要達(dá)到 6N7N,因此該類技術(shù)還有待進(jìn)一 步突破和提升。6三、項(xiàng)目主要研究開(kāi)發(fā)內(nèi)容、技術(shù)關(guān)鍵以及科研創(chuàng)新的主要方式（一）、開(kāi)發(fā)內(nèi)容本項(xiàng)目采用的是“助劑法多相分離去雜工藝”來(lái)實(shí)現(xiàn)冶金級(jí)硅原料的提純。在 提純過(guò)程中， 采用了一種創(chuàng)新的， 并在規(guī)?；a(chǎn)上簡(jiǎn)單易行的方案，即通過(guò)添加 物 /除雜劑（固體 /氣體）與雜質(zhì)反應(yīng)生成另一種可以將其從硅溶液中分離開(kāi)來(lái)的物 質(zhì)。這個(gè)除雜過(guò)程完全區(qū)別于以往的任何提純的方法， 具有低成本、高效率、初投 資小、提純產(chǎn)品的純度高（6N7N）的優(yōu)點(diǎn)。具體的開(kāi)發(fā)內(nèi)容如下：1. 建立熱力學(xué)模型和熱力學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)分析雜質(zhì)的平衡動(dòng)力學(xué)

14、冶金級(jí)（MG Si）的硅原料來(lái)自硅砂還原，其純度一般在98%左右，其中的雜質(zhì)主要有 Al （1200-4000ppma）, Fe （1600-3000ppma）, Ti （150-200ppma和 Ca （400-900ppma）b另外還有硼（B）和磷（P）等雜質(zhì)，一般純度在20-60ppma 之間不等。 去除這些雜質(zhì)是物理法提純太陽(yáng)能級(jí)硅的關(guān)鍵所在。 一般要達(dá)到能 夠生長(zhǎng)單晶的太陽(yáng)級(jí)原料硅的純度要在 6N 左右。物理法提純是在高溫下進(jìn)行 的，為了能很好地控制提純過(guò)程， 就需要建立一套去雜的平衡熱力學(xué)模型和雜 質(zhì)在高溫熔硅中的特性數(shù)據(jù)庫(kù)。 這一熱力學(xué)模型考慮了雜質(zhì)溶質(zhì)的平衡分配系 數(shù)、偏析系數(shù)

15、、 擴(kuò)散系數(shù)等參數(shù)之間的相互關(guān)系，能夠反映雜質(zhì)在高溫硅熔液 中的吉布斯（Gibbs）自由能隨溫度和壓力的變化。而雜質(zhì)量的最小化就是通過(guò)優(yōu) 化提純環(huán)境和人為地增加和改變系統(tǒng)氛圍來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 去雜的過(guò)程包括氧化， 二 相分離（上浮及沉淀） ，蒸發(fā)及雜質(zhì)的固 /液偏析。2. 提純?cè)O(shè)備的開(kāi)發(fā) 硼、磷和金屬雜質(zhì)的去除設(shè)備的開(kāi)發(fā)思路是建立在對(duì)雜質(zhì)的熱力學(xué)性能分析的基礎(chǔ)上的。在雜質(zhì)中，大多數(shù)雜質(zhì)，特別是金屬雜質(zhì)有較小的偏析系數(shù)， 因此容易通過(guò)定向凝固的方法加以去除， 或者可以通過(guò)氧化、 沉淀和蒸發(fā)的方 法去除。 而硼和磷元素的偏析系數(shù)比較大， 分別達(dá)到 0.8和 0.3, 因此不能通過(guò) 凝固法去除。 因此在設(shè)

16、備的開(kāi)發(fā)上， 首先考慮了針對(duì)硼磷元素提純的一些特殊 設(shè)計(jì)，同時(shí)將平衡熱力學(xué)的分析方法合理地應(yīng)用于提純環(huán)境的控制。 在另一方 面，設(shè)備在設(shè)計(jì)上還必須實(shí)現(xiàn)投資少，操作方便，節(jié)能等特點(diǎn)。3. 單晶的生長(zhǎng)和工藝參數(shù)的完善 在本項(xiàng)目研發(fā)的太陽(yáng)能硅材料物理法提純及單晶生長(zhǎng)的生產(chǎn)程序中， 物理 法提純和單晶生長(zhǎng)均在同一套設(shè)備內(nèi)完成， 工藝上的控制是至關(guān)重要的。 在完 成提純工藝后，單晶的生長(zhǎng)采用丘氏(Czochralski)拉晶法來(lái)完成定向凝固過(guò) 程。生產(chǎn)出的產(chǎn)品將進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換效率分析、 少子壽命分析、電阻率和導(dǎo)電類 型測(cè)試等一系列的鑒定，測(cè)試的結(jié)果用于工藝參數(shù)的優(yōu)化和不斷改進(jìn)。(二) 、技術(shù)關(guān)鍵在以往的物

17、理法提純過(guò)程中，硼和磷元素的去雜一直是困擾科研人員的難題。 幾乎所有冶金硅提純研究都集中在這兩個(gè)雜質(zhì)上。 找到一種成本低、 效率高的大規(guī) 模硼和磷去除技術(shù)成了冶金硅提純的關(guān)鍵。本項(xiàng)目實(shí)驗(yàn)的初試結(jié)果已經(jīng)與熱力學(xué)計(jì)算得到的良好預(yù)期相吻合。 在硼和磷及 其他高偏析系數(shù)雜質(zhì)的提純上， 采用了一種創(chuàng)新的， 并在規(guī)?；a(chǎn)上簡(jiǎn)單易行的 方案，首先通過(guò)添加物/除雜劑（固體/氣體）與B和P反應(yīng)生成另一種可以將其從 硅溶液中分離開(kāi)來(lái)的物質(zhì)。 這個(gè)反應(yīng)物最好是氣相 （或者有很高的平衡偏壓）使其 能夠通過(guò)蒸發(fā)去處。 其次是具有高溶點(diǎn)的固相， 使其能夠通過(guò)上浮，下沉的方法除 去。第三個(gè)途徑是通過(guò)添加劑來(lái)減小 B 和

18、P 在硅液中的有效偏析系數(shù)，使其能夠 有效的通過(guò)定向凝固除去。公司的核心技術(shù)在于開(kāi)發(fā)出這樣一批高效的除雜劑及相應(yīng)的提純工藝， 使其能 夠簡(jiǎn)單易行的實(shí)施在規(guī)?；a(chǎn)上。 采用自主創(chuàng)新的物理法來(lái)提純多晶硅， 能耗比 傳統(tǒng)方法下降很多。 從目前的小規(guī)模試產(chǎn)結(jié)果看， 每公斤多晶硅生產(chǎn)的全部工序只 需要消耗電能150250度，而且產(chǎn)品能夠完全滿足拉制太陽(yáng)能單晶硅棒的要求。 而國(guó)內(nèi)企業(yè)使用的改良西門子法，由于西方的技術(shù)封鎖，電耗基本在每公斤300500 度之間。公司的節(jié)能改進(jìn)技術(shù)還體現(xiàn)在自主研發(fā)的另一項(xiàng)工藝改進(jìn)上， 即突破性地提出 冶金硅的熔煉提純與單晶生長(zhǎng)分而不離的方案。 在這一方案中， 由高溫硅熔液輸

19、送 系統(tǒng)將提純和單晶生長(zhǎng)這兩個(gè)工序直接連在一起， 這種結(jié)合使硅熔液能夠按需要補(bǔ) 充，通過(guò)減少冷卻和加熱的過(guò)程來(lái)縮短高溫高能耗的設(shè)備使用時(shí)間， 從而極大地降 低了總能耗。（三）、創(chuàng)新的主要方式在西門子法多晶硅生產(chǎn)工藝中，硼和磷的去除是通過(guò)轉(zhuǎn)化固態(tài)冶金硅為氣態(tài)SiHCl3 從而達(dá)到與硼和磷的分離而實(shí)現(xiàn)的。盡管這個(gè)技術(shù)很成熟而且已經(jīng)對(duì)公眾 公開(kāi)（核心專利已經(jīng)過(guò)期） ，如前面所述，這個(gè)技術(shù)工藝非常復(fù)雜，投資大、能耗 高、環(huán)境污染嚴(yán)重，從而使其制造成本高，并且實(shí)施非常困難。鑒于這種情況，工 業(yè)界一直致力于開(kāi)發(fā)較傳統(tǒng)西門子法工藝簡(jiǎn)單、 成本低、 制造周期短的硼和磷去除 （也即冶金硅提純）的新技術(shù)。其中研究

20、得最多的是冶金提煉法（ metallurgical process。在這個(gè)領(lǐng)域，最有名的方法是等離子精煉技術(shù)，基本原理是利用氣體激 發(fā)的等離子體產(chǎn)生非常高的溫度，進(jìn)而達(dá)到硅熔煉和去雜質(zhì)（尤其是硼）的目的。 這方面早期的工作可以在日本專利（號(hào)碼： 218506/1988 ）中找到。后來(lái)，一美 國(guó)專利公開(kāi)了一種改良的等離子體提純技術(shù)。 這個(gè)技術(shù)的特點(diǎn)是在等離子隋性氣體 中混合了水蒸氣和 SiO2 粉末以增強(qiáng)提純效果。 以后又有幾個(gè)美國(guó)專利宣稱發(fā)現(xiàn)了 一些新的精煉提純劑能夠進(jìn)一步提高等離子體的提純效率。 盡管等離子體技術(shù)能夠 在硅溶液的表面激發(fā)出一小片高溫區(qū)從而助長(zhǎng)硼和磷的去除， 但這種技術(shù)根本上具

21、 有的低熱利用效率和低生產(chǎn)率， 加上等離子技術(shù)帶來(lái)的額外設(shè)備成本和工藝復(fù)雜性 決定了它很難被開(kāi)發(fā)成一種大規(guī)模、 低成本的冶金硅提純及太陽(yáng)能級(jí)硅制備的生產(chǎn) 技術(shù)。本項(xiàng)目的物理法提純法提取了現(xiàn)有技術(shù)的精華并開(kāi)辟一套自已獨(dú)有的技術(shù)路 線。與化學(xué)法（西門子法等）和目前已有的冶金法提純的特點(diǎn)相比較，本項(xiàng)目的 主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)在于：1、提純首先是基于一套創(chuàng)新的熱力學(xué)模型和熱力學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)，能夠指導(dǎo)發(fā)現(xiàn) 高效除雜劑及高溫熔硅在提純工序中給定合理的提純氛圍。2、獨(dú)創(chuàng)性地提出了 “助劑法多相分離去雜工藝” ，去雜的過(guò)程包括氧化， 二 相分離（上浮及沉淀） ，蒸發(fā)及雜質(zhì)的固 /液偏析。3、提純后的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅不但可以作為

22、多晶鑄錠爐的投爐料生產(chǎn)出大陽(yáng) 能級(jí)多晶鑄錠，并且可以用傳統(tǒng)的拉晶爐生長(zhǎng)出合格的太陽(yáng)能級(jí)單晶。4、創(chuàng)新設(shè)計(jì)了相應(yīng)的提純?cè)O(shè)備和丘氏拉晶法的生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)提純和拉單晶在同一套設(shè)備中完成。5、本項(xiàng)目研制的提純方案具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，并且初投資低，可模塊式疊加擴(kuò)容，產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)單晶硅（純度在6N與7N之間） 的要求。這種方案可以方便地完善擴(kuò)大為一種大規(guī)模、低成本、高生產(chǎn) 率的冶金硅提純及太陽(yáng)能級(jí)硅制備的生產(chǎn)技術(shù)。（四）、主要技術(shù)、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在本項(xiàng)目中，由于多晶硅提純和單晶硅生產(chǎn)的緊密聯(lián)接可以節(jié)約能源，并減少生產(chǎn)、物流和管理上的成本。因此公司將多晶硅為中間產(chǎn)品，而單晶硅為最終的銷售產(chǎn)品。這兩種

23、產(chǎn)品的主要技術(shù)指標(biāo)如下：序號(hào)項(xiàng)目描述指標(biāo)1多晶硅電阻率0.5Q .cm3.0Q .cm少數(shù)載流子壽命> 1.5 s純度6N 7N2單晶硅電阻率0.5Q .cm3.0Q .cm少數(shù)載流子壽命2.5 10 宙晶向<100>導(dǎo)電類型P型以上技術(shù)數(shù)據(jù)完全達(dá)到了作為太陽(yáng)能級(jí)硅材料的要求。在經(jīng)濟(jì)指標(biāo)上， 本項(xiàng)目實(shí)施完成后， 可以達(dá)到年產(chǎn) 30 噸以上太陽(yáng)能級(jí)硅材料的 能力，以每噸 300 萬(wàn)元（當(dāng)前市場(chǎng)平均價(jià)）計(jì)，可新增年產(chǎn)值 15000萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)年 利潤(rùn) 4000萬(wàn)元，年上繳稅收 2050萬(wàn)元，年節(jié)約外匯 6000萬(wàn)元，相比傳統(tǒng)方法 （西 門子法）年節(jié)電 600 萬(wàn)度，經(jīng)濟(jì)效益十分顯著

24、。而且可以在項(xiàng)目完成后， 通過(guò)追加 投資實(shí)現(xiàn)模塊式疊加擴(kuò)容， 加快太陽(yáng)能應(yīng)用的普及。 以上經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)是通過(guò)前期試驗(yàn) 的初步驗(yàn)證得到的。在 前期年產(chǎn) 4 噸太陽(yáng)能級(jí)硅材料 的小試試驗(yàn)中，公司用物 理法提純得到的 6N 級(jí)多晶硅已經(jīng)用于太陽(yáng)能單晶硅錠的生產(chǎn)， 最終產(chǎn)品銷售 到了江西賽維 LDK 、江陰海潤(rùn)等多家國(guó)內(nèi)著名的硅片生產(chǎn)廠商，并得到了廠 商的質(zhì)量認(rèn)可。四、項(xiàng)目預(yù)期目標(biāo)（一）、投資回報(bào)預(yù)測(cè)目前，中國(guó)的太陽(yáng)能多晶硅基本上是采用西門子法生產(chǎn)的。如四川新光、洛陽(yáng) 中硅、 峨嵋半導(dǎo)體， 以及最近宣布要開(kāi)工建設(shè)的江蘇陽(yáng)光。 然而由于技術(shù)上的種種 原因，國(guó)內(nèi)的西門子法有著能耗大， 廢氣處理及回收技術(shù)落后和

25、材料利用率不高等 缺點(diǎn)。在國(guó)際上，主流的西門子法多晶硅提純技術(shù)已經(jīng)經(jīng)歷了三代技術(shù)改進(jìn)，目前 的還原能耗指標(biāo)大約為 70千瓦.小時(shí)/公斤，總能耗約 100千瓦 .小時(shí)/公斤。但我國(guó) 自主研發(fā)改良的氫還原西門子技術(shù)還沒(méi)有過(guò)關(guān)，還原能耗指標(biāo)大約為300 千瓦 .小時(shí)/公斤。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)的工業(yè)用電卻普遍高于歐洲、日本和美國(guó)的電價(jià)。因此 國(guó)內(nèi)西門子法多晶硅生產(chǎn)廠商與國(guó)外同行毫無(wú)競(jìng)爭(zhēng)力可言。 以下為國(guó)內(nèi)用西門子 法生產(chǎn)太陽(yáng)能多晶硅和物理法提純多晶硅的成本比較：對(duì)比內(nèi)容本項(xiàng)目西門子法國(guó)內(nèi)其他物理法年產(chǎn)100噸的投資0.4億人民幣1.4億人民幣0.6億人民幣每噸的成本8萬(wàn)人民幣60萬(wàn)人民幣12萬(wàn)人民幣污染無(wú)

26、有無(wú)最小產(chǎn)量6噸300噸30噸擴(kuò)容能力可以模塊式 疊加擴(kuò)容無(wú)法擴(kuò)容可以模塊式疊加 擴(kuò)容最高純度6N-7N9N, 10N6N提純后能否生長(zhǎng)單晶厶匕冃能能很難生產(chǎn)成本1020美元/公斤30美元/公斤1417美元/公 斤從表中可以看出，采用本項(xiàng)目的技術(shù)生產(chǎn)的太陽(yáng)能級(jí)多晶硅產(chǎn)品具有初投資小、 成本低、產(chǎn)品質(zhì)量較好、綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。以目前太陽(yáng)能多晶硅每公斤 200美元的價(jià)位，物理法提純多晶硅是有很豐厚的 利潤(rùn)的。即使太陽(yáng)能多晶硅價(jià)格下降到 2004年以前每公斤30美元的價(jià)位，用物理 法提純多晶硅仍然有越過(guò) 50%的毛利。而建設(shè)一個(gè)物理法提純多晶硅的工廠所需要 的投資卻可大可小，通過(guò)模塊式疊加擴(kuò)容的模式完

27、全可以實(shí)現(xiàn)邊生產(chǎn)邊擴(kuò)容的方 法，使工廠投資的風(fēng)險(xiǎn)降到最小。這種方式將大大加快太陽(yáng)能電池的應(yīng)用普及速度。二）、社會(huì)效益分析以低成本生產(chǎn)太陽(yáng)能硅原料帶來(lái)的社會(huì)效益將是巨大的。因?yàn)樘?yáng)能發(fā)電的大 范圍推廣， 關(guān)鍵取決于能否制造低成本的太陽(yáng)能電池。 而太陽(yáng)能電池中所占成本最 大的一部分正是所用的太陽(yáng)能級(jí)硅材料。首先，項(xiàng)目的成功能夠突破我國(guó)光伏行業(yè)發(fā)展的瓶頸，使我國(guó)的太陽(yáng)能的利用 不再受制于人。 當(dāng)前，我國(guó)的西門子法提純硅原料因技術(shù)或資本風(fēng)險(xiǎn)問(wèn)題不能解決 多晶硅短缺，而國(guó)外廠商出于商業(yè)利益的考慮， 不愿意向中國(guó)廠商轉(zhuǎn)讓相關(guān)的技術(shù)， 并且還可能以專利問(wèn)題為由， 對(duì)中國(guó)公司的技術(shù)改進(jìn)設(shè)置障礙。在這種情況下，

28、另 辟途徑，以低成本生產(chǎn)太陽(yáng)能硅原料，不但可以促進(jìn)光伏行業(yè)的發(fā)展，而且能進(jìn)一 步提升我國(guó)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，促進(jìn)就業(yè)，擴(kuò)大出口。其次，多晶硅提純技術(shù)的完善能夠優(yōu)化我國(guó)當(dāng)前的能源結(jié)構(gòu)，促進(jìn)我國(guó)經(jīng)濟(jì)的 持續(xù)平穩(wěn)增長(zhǎng)。新能源產(chǎn)業(yè)在“十一五”期間將得到長(zhǎng)足的發(fā)展。中共中央在十 一五規(guī)劃建議中明確提出： “加快發(fā)展風(fēng)能、太陽(yáng)能、生物質(zhì)能等可再生能源。 ” 而正式實(shí)施的可再生能源法 ，更是鼓勵(lì)外資和民間資本進(jìn)入新能源和可再生能 源產(chǎn)業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)發(fā)展。新能源在我國(guó)已經(jīng)起步， 發(fā)展前景十分看好。可以 預(yù)期太陽(yáng)能電池未來(lái)有望進(jìn)入尋常百姓家，給千家萬(wàn)戶帶來(lái)光明。另外，與同樣是多晶硅提純的類似企業(yè)比較，國(guó)內(nèi)西門子法生

29、產(chǎn)每公斤多晶硅的能耗在250500度之間，而本項(xiàng)目每公斤的能耗只有150250度。以年產(chǎn)30噸產(chǎn)品計(jì)，本項(xiàng)目每年比傳統(tǒng)方法節(jié)電 600萬(wàn)度。三）、獲得自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況預(yù)計(jì)本項(xiàng)目完成后將新獲得專利 3 項(xiàng)，包括發(fā)明專利 2項(xiàng)，實(shí)用新型專利 1項(xiàng)五、項(xiàng)目實(shí)施方案、技術(shù)路線、組織方式與課題分解（一）、項(xiàng)目實(shí)施方案、技術(shù)路線1、成立研究開(kāi)發(fā)小組， 進(jìn)行廣泛的技術(shù)調(diào)研， 跟蹤世界先進(jìn)的技術(shù)和學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)。2、對(duì)所收集的各種技術(shù)信息進(jìn)行分析研究整理。制定設(shè)計(jì)方案及計(jì)劃。3、完成熱力學(xué)模型、設(shè)計(jì)圖紙、工藝方案并進(jìn)行設(shè)計(jì)評(píng)審。4、投入資金進(jìn)行試制設(shè)備的開(kāi)發(fā)制造。5、進(jìn)行產(chǎn)品試制，邊試制邊完善設(shè)計(jì)方案。6、樣品試制

30、成功后將經(jīng)過(guò)專業(yè)測(cè)試設(shè)備測(cè)驗(yàn)，獲得詳細(xì)的技術(shù)參數(shù)，用以改進(jìn)工藝。7、將產(chǎn)品送客戶試用， 并征求顧客意見(jiàn)。 根據(jù)用戶反饋意見(jiàn)再完善設(shè)計(jì)和工藝。8、小批量試產(chǎn)階段，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題及時(shí)解決并通報(bào)用戶。9、總結(jié)前階段工作， 著手制定生產(chǎn)工藝、 材料定額、 工時(shí)定額，細(xì)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)， 重新投入生產(chǎn)、檢測(cè)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。10、投入完善的檢測(cè)設(shè)施，確保產(chǎn)品的質(zhì)量。11、建設(shè)應(yīng)用技術(shù)和示范工程。加工必備的生產(chǎn)條件：自制和改進(jìn)的晶體爐和提純?cè)O(shè)備，冷卻塔，冷卻水循環(huán) 系統(tǒng)，提純氣體及氬氣保護(hù)氣供應(yīng)系統(tǒng)，真空設(shè)備等。自我加工必備的原材料：本項(xiàng)目需要的原料均由國(guó)內(nèi)廠家供應(yīng)，各項(xiàng)輔料及助劑由定點(diǎn)協(xié)作單位長(zhǎng)期供給，已建立了穩(wěn)

31、定的原材料配套供應(yīng)體系，均有充分保證（二）、生產(chǎn)工藝流程：太陽(yáng)能硅材料的提純和單晶生產(chǎn)工藝，直接影響到產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性和實(shí)現(xiàn)其 技術(shù)指標(biāo)的可靠性。我們依靠自主開(kāi)發(fā)技術(shù)解決小試階段的生產(chǎn)工藝問(wèn)題。1. 多晶原料的準(zhǔn)備：利用冶金級(jí)多晶硅原料或半導(dǎo)體行業(yè)中產(chǎn)生的低阻廢料或廢硅片。冶金級(jí)多晶硅原料在國(guó)內(nèi)供應(yīng)量充足而且價(jià)格十分便宜。半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生大量的廢硅料或硅片。這些廢硅料如果電阻率合適（一般在0.21 cm以上），也被通常用于太陽(yáng)能級(jí)硅材料的使用。但是目前對(duì)于低阻的廢硅料 （一般電阻率在0.2 'cm以下）沒(méi)有適當(dāng)?shù)氖褂梅椒ā１卷?xiàng)目研究成果也將用于這 些低成本的低阻廢硅料，將

32、其作為多晶原料的來(lái)源之一。2. 多晶硅的提純：將冶金級(jí)多晶硅或低阻的廢硅料與除雜劑在自制和改進(jìn)的晶 體爐和提純?cè)O(shè)備中加熱至高溫， 并控制特定的提純環(huán)境氛圍。這一過(guò)程融合了真空 提煉、氧化除雜、助劑法多相分離、蒸發(fā)及雜質(zhì)的固 / 液偏析等多個(gè)過(guò)程。3. 單晶的生長(zhǎng)：用直拉法（丘氏生長(zhǎng)法）生長(zhǎng)單晶。這一過(guò)程包括作業(yè)準(zhǔn)備、 熱態(tài)檢漏、熱場(chǎng)清理、熱場(chǎng)組裝、硅料安裝、抽空檢漏、升溫熔料、引晶、縮頸、 放肩、轉(zhuǎn)肩、徑生、收尾、停爐冷卻等多個(gè)工藝流程生產(chǎn)工藝流程如圖1所示。17本項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程圖（圖 1）（三）、組織方式與課題分解3.1課題組的結(jié)構(gòu)本項(xiàng)目由本公司內(nèi)的專家和技術(shù)人員為主要研發(fā)人員， 并與協(xié)作

33、單位產(chǎn)學(xué)研合 作開(kāi)發(fā)，由總經(jīng)理負(fù)責(zé)本項(xiàng)目的全面實(shí)施，包括項(xiàng)目的總體方案 （研究目標(biāo)、內(nèi)容 和進(jìn)度）的確定、研究人員之間的相互銜接、分工合作和交流，項(xiàng)目管理，資金調(diào)度，項(xiàng)目階段工作總結(jié)和驗(yàn)收。本項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人：總經(jīng)理本項(xiàng)目分為 4 個(gè)子項(xiàng)，每一個(gè)子項(xiàng)內(nèi)容和負(fù)責(zé)人如下：（1）多晶硅原料提純技術(shù)的理論和實(shí)驗(yàn)研究總經(jīng)理， 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人（ 2）單晶生長(zhǎng)技術(shù)的理論和實(shí)驗(yàn)研究技術(shù)骨干一（ 3）產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中的原料清洗工藝的研究技術(shù)骨干二（ 4）規(guī)?；a(chǎn)成套設(shè)備的研制和生產(chǎn)線的放大技術(shù)骨干一3.2 相關(guān)的保障措施合作單位通過(guò)協(xié)議組成課題組。課題組嚴(yán)格執(zhí)行分頭實(shí)施，集中管理，責(zé)權(quán)明 晰的原則，確保項(xiàng)目高質(zhì)量、按計(jì)

34、劃完成。由總經(jīng)理為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，負(fù)責(zé)本項(xiàng)目的全面實(shí)施，子課題負(fù)責(zé)人負(fù)責(zé)子課題的 實(shí)施，包括研究方案的細(xì)化和落實(shí)。 研究人員按時(shí)完成各自課題的研究目標(biāo)和內(nèi)容， 進(jìn)行各自階段性的總結(jié)。六、計(jì)劃進(jìn)度安排（一）、 2008 年 4 月至 2008 年 5 月項(xiàng)目的實(shí)施目標(biāo)和工作計(jì)劃（1）產(chǎn)品的設(shè)計(jì)定型：A .完成多晶硅原料提純技術(shù)的開(kāi)發(fā)；B. 完成單晶生長(zhǎng)技術(shù)的理論和實(shí)驗(yàn)研究及工藝設(shè)計(jì)；C. 產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中的原料清洗工藝的研究；（2）購(gòu)置檢測(cè)設(shè)備，采購(gòu)研發(fā)試驗(yàn)過(guò)程用的原料；進(jìn)一步完善試驗(yàn)方案（3）落實(shí)資金約人民幣 3600萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)銷售 300 萬(wàn)美元。（二）、 2008 年 6 月至 2008 年 1

35、2 月項(xiàng)目實(shí)施目標(biāo)和工作計(jì)劃A 完成技術(shù)關(guān)鍵設(shè)備的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)、 定型和規(guī)?；a(chǎn)成套設(shè)備的研制和生產(chǎn) 線的放大。B 結(jié)合前期的實(shí)驗(yàn)成果及工藝方案的設(shè)計(jì)，優(yōu)化產(chǎn)品配方和工藝參數(shù)。C 落實(shí)資金人民幣 4000萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)銷售 1000 萬(wàn)美元。（三）、 2009 年 1 月至 2009 年 8 月項(xiàng)目實(shí)施目標(biāo)和工作計(jì)劃1） 批量生產(chǎn)并進(jìn)入產(chǎn)品批量銷售階段 建設(shè)硅材料物理法提純及單晶生長(zhǎng)的應(yīng)用技術(shù)和示范工程，落實(shí)資金人民幣20000 萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)銷售 2000萬(wàn)美元。 在中試工藝基礎(chǔ)上，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，形成年生產(chǎn) 1000 噸多晶硅的生產(chǎn)能力。培育產(chǎn)品的市場(chǎng)分析、策劃、銷售梯隊(duì)，在國(guó)內(nèi)主要城市設(shè)立辦

36、事處及產(chǎn)品代 理合作伙伴，擁有順暢的銷售渠道，較強(qiáng)的銷售能力。2） 項(xiàng)目總結(jié)、驗(yàn)收階段撰寫項(xiàng)目研究報(bào)告和技術(shù)總結(jié)報(bào)告等驗(yàn)收資料。完成項(xiàng)目驗(yàn)收七、現(xiàn)有工作基礎(chǔ)和條件（一）、項(xiàng)目前期研究基礎(chǔ)項(xiàng)目技術(shù)采用冶金精練法來(lái)提純， 項(xiàng)目的前期研究已經(jīng)完成理論計(jì)算和小試 量的研究實(shí)驗(yàn)， 并且與理論計(jì)算的結(jié)果相吻合。 小試量的生產(chǎn)設(shè)備主要由兩部分組 成，每部分有它們自己的特殊功能。 第一部分主要執(zhí)行冶金硅原材料的熔煉及提純 的功能。 由于其它雜質(zhì)能夠通過(guò)定向凝固被有效地除去， 提純過(guò)程主要針對(duì)硼和磷 雜質(zhì)。該技術(shù)發(fā)現(xiàn)了幾種對(duì)去除硼和磷雜質(zhì)特別有效的除雜劑并開(kāi)發(fā)出一套相應(yīng)的 精煉提純工藝。這兩種技術(shù)的結(jié)合能夠以極

37、低的成本非常有效的降低硼和磷以及其 它金屬雜質(zhì)。該技術(shù)的前期研究已經(jīng)表明可以在 30小時(shí)之內(nèi)把50KG具有99.9% 純度的冶金硅提純?yōu)?99.9999%以上純度的太陽(yáng)能級(jí)硅，其中硼和磷的雜質(zhì)能夠分 別從15ppma和20ppma降低到v 0.5ppma和v O.lppma.。經(jīng)過(guò)上述的精煉提純工藝， 被純化的硅熔液被直接輸送到第二部分的晶體生長(zhǎng)單元凝固為太陽(yáng)能硅錠。 前期試 驗(yàn)中用物理法提純得到的6N級(jí)多晶硅已經(jīng)用于太陽(yáng)能單晶硅錠的生產(chǎn)，最終產(chǎn)品 銷售到了江西賽維LDK江陰海潤(rùn)等多家國(guó)內(nèi)著名的硅片生產(chǎn)廠商，并得到了廠商 的質(zhì)量認(rèn)可。前期研究的成功為中試實(shí)驗(yàn)提供了良好的基礎(chǔ)和寶貴的經(jīng)驗(yàn)。（二）

38、、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人和項(xiàng)目負(fù)責(zé)人基本情況項(xiàng)目負(fù)責(zé)人為本公司總經(jīng)理兼董事長(zhǎng)， 海外歸國(guó)博士， 某著名跨國(guó)公司材料學(xué) 高級(jí)科學(xué)家，已有20多年從事硅材料及晶體材料的研究、開(kāi)發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。在國(guó) 際一流學(xué)術(shù)刊物及國(guó)際會(huì)議上發(fā)表了 33篇學(xué)術(shù)論文，并持有美國(guó)及全球的 6 項(xiàng)專 利。另外公司為項(xiàng)目配備了各類專業(yè)技術(shù)人才 20人，進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)高級(jí)人才 6人， 博士 2 人，符合高效率、高收益的產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)。（三）、項(xiàng)目實(shí)施單位情況本項(xiàng)目技術(shù)由公司自主獨(dú)立研發(fā)、 自主實(shí)施。 本公司是一家專門從事單晶硅和400多晶硅生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司位于某市高新技術(shù)孵化器。由中外共同出資 萬(wàn)美元組建而成。公司定位于科技領(lǐng)先， 注重產(chǎn)

39、學(xué)研合作和營(yíng)銷。 通過(guò)借助國(guó)外（美 國(guó)）引進(jìn)的技術(shù)力量，使企業(yè)即時(shí)進(jìn)入市場(chǎng)并快速成長(zhǎng)。 目前，已擁有一支知識(shí)結(jié) 構(gòu)合理、高度專業(yè)化的技術(shù)團(tuán)隊(duì)。 同時(shí)匯聚了一批高級(jí)管理人才， 主要管理骨干均 具有多年企業(yè)市場(chǎng)操作經(jīng)驗(yàn)。公司目前所籌資金主要用于采購(gòu)提純及晶體生長(zhǎng)爐、 試驗(yàn)及測(cè)試儀器和其他相 配套的輔助設(shè)施建設(shè)。 目前公司已經(jīng)有十多臺(tái)晶體生長(zhǎng)爐投入使用， 預(yù)計(jì)將進(jìn)一步 購(gòu)置并改造 1216 臺(tái)（根據(jù)新購(gòu)爐體的容量而定）提純?cè)O(shè)備，將產(chǎn)能釋放到 100 噸每年。公司的技術(shù)骨干長(zhǎng)期從事硅材料的研究和開(kāi)發(fā)， 了解國(guó)際上先進(jìn)的硅材料技術(shù) 發(fā)展動(dòng)態(tài)，并且擁有豐富的高科技新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)和國(guó)際市場(chǎng)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。在管理基礎(chǔ)條件上， 公司已建立了部分管理制度，包括生產(chǎn)管理制度、技術(shù)管 理制度、設(shè)備管理制度、公司資源保密制度、財(cái)務(wù)管理制度、人事管理制度等，統(tǒng) 一實(shí)施規(guī)范管理。 公司的技術(shù)管理制度重在加強(qiáng)技術(shù)人員引進(jìn)、 培訓(xùn)以及建立有效 的績(jī)效核實(shí)體系，充分調(diào)動(dòng)技術(shù)人員的積極性， 從而保持公司的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。公 司資源保密制度保證公司的技術(shù)以及商務(wù)機(jī)密被控制在合理的范圍之內(nèi)， 不至于流 失。在當(dāng)前太陽(yáng)能硅材料供不應(yīng)求的情況下， 公司產(chǎn)品的市場(chǎng)化是不存在任何問(wèn)題 的，但是仍然需要建立完善的營(yíng)銷管理制度。 公司的質(zhì)量管