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文檔簡介
1、電容電感的選擇及EMI中的應用(轉載于internet)電容諧振頻率電容值 DIP (MHz) STM (MHz)1.0F 2.5 50.1F
2、60; 8 160.01F 25 501
3、000pF 80 160100 pF 250
4、0; 50010 pF 800 1.6(GHz)一 NPO電容器 NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。 NPO電容器是電容量和介質損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55到+125時容量變化為0±30ppm/,電容量隨頻率的變化
5、小于±0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。 封 裝 DC=50V DC=100V 0805 0.5-1000pF 0.5-820pF 1206 0.5-1200pF 0.5-1800pF 1210 560-5600pF 560-2700pF 2225 1000pF-0.033F 1000pF-0.018F
6、 NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。 二 X7R電容器 X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55到+125時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%C,表現(xiàn)為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。 封 裝 DC=50V DC=100V 0805 330pF-0.0
7、56F 330pF-0.012F 1206 1000pF-0.15F 1000pF-0.047F 1210 1000pF-0.22F 1000pF-0.1F 2225 0.01F-1F 0.01F-0.56F 三 Z5U電容器 Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使
8、其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。 封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01F-0.12F 0.01F-0.1F 1206 0.01F-0.33F 0.01F-0.27F 1210 0.01F-0.68F 0.01F-0.47F 2225 0.01F-1F 0.01F-1F Z5U電容器的其他技術指標如下: 工作溫度范圍 +10 - +85 溫度特性 +22% - -56% 介質損耗 最大 4% 四 Y5V電容器 Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30到85范圍內其容量變化可達+22%到-82%。 Y5V的高介電常數(shù)
9、允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7F電容器。 Y5V電容器的取值范圍如下表所示 封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01F-0.39F 0.01F-0.1F 1206 0.01F-1F 0.01F-0.33F 1210 0.1F-1.5F 0.01F-0.47F 2225 0.68F-2.2F 0.68F-1.5F Y5V電容器的其他技術指標如下: 工作溫度范圍 -30 - +85 溫度特性 +22% - -82% 介質損耗 最大 5%電容電感的選擇及EMI中的應用(轉載于internet)電容后面加一個電阻主要有三個作用,一是降低頻率響應,12piRC,由于C的值越大,體積
10、越大,所以為了節(jié)省體積,用C值小的電容,通過增加一個R,可以降低截止頻率的值,切斷高頻的NOISE,二是ESD作用,三是抑制串擾噪聲,加一個電阻減少了電流,減小了相互之間的串擾 電阻并在電源濾波電容上是為了泄放,目的是保持電壓的相對平穩(wěn),防止電路產生負阻振蕩。電阻并在有槽路的電容上是起阻尼作用,降低Q值展寬頻帶。電阻并在四端網(wǎng)絡的電容上是為了改變時間常數(shù)首先設電容器極板在t時刻的電荷量為q,極板間的電壓為u.,根據(jù)回路電壓方程可得: U-u=IR(I表示電流),又因為u=q/C,I=dq/dt(這兒的d表示微分哦),代入后得到 U-q/C=R*dq/dt,也就是Rdq/(U-q/C)=dt,然
11、后兩邊求不定積分,并利用初始條件:t=0,q=0就得到q=CU【1-e -t/(RC)】這就是電容器極板上的電荷隨時間t的變化關系函數(shù)。順便指出,電工學上常把RC稱為時間常數(shù)。相應地,利用u=q/C,立即得到極板電壓隨時間變化的函數(shù),u=U【1-e -t/(RC)】。從得到的公式看,只有當時間t趨向無窮大時,極板上的電荷和電壓才達到穩(wěn)定,充電才算結束。但在實際問題中,由于1-e -t/(RC)很快趨向1,故經過很短的一段時間后,電容器極板間電荷和電壓的變化已經微乎其微,即使我們用靈敏度很高的電學儀器也察覺不出來q和u在微小地變化,所以這時可以認為已達到平衡,充電結束。舉個實際例子吧,假定U=1
12、0伏,C=1皮法,R=100歐,利用我們推導的公式可以算出,經過t=4.6*10(-10)秒后,極板電壓已經達到了9.9伏。真可謂是風馳電掣的一剎那,當電壓太高,會擊穿電容,從而壞掉。額定電壓一般為安全電壓,和中間介質,電極好壞都有關系云母電容:用金屬箔或者在云母片上噴涂銀層做電極板,極板和云母一層一層疊合后,再壓鑄在膠木粉或封固在環(huán)氧樹脂中制成。它的特點是介質損耗小,絕緣電阻大、溫度系數(shù)小,適宜用于高頻電路。 陶瓷電容:用陶瓷做介質,在陶瓷基體兩面噴涂銀層,然后燒成銀質薄膜做極板制成。它的特點是體積小,耐熱性好、損耗小、絕緣電阻高,但容量小,適宜用于高頻電路。鐵電陶瓷電容容量較大,但是損耗和
13、溫度系數(shù)較大,適宜用于低頻電路。 薄膜電容:結構和紙介電容相同,介質是滌綸或者聚苯乙烯。滌綸薄膜電容,介電常數(shù)較高,體積小,容量大,穩(wěn)定性較好,適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容,介質損耗小,絕緣電阻高,但是溫度系數(shù)大,可用于高頻電路。 金屬化紙介電容結構和紙介電容基本相同。它是在電容器紙上覆上一層金屬膜來代替金屬箔,體積小,容量較大,一般用在低頻電路中。 油浸紙介電容:它是把紙介電容浸在經過特別處理的油里,能增強它的耐壓。它的特點是電容量大、耐壓高,但是體積較大。 鋁電解電容:它是由鋁圓筒做負極,里面裝有液體電解質,插入一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需要經過直流電壓處理,使正極片上形成一層氧化膜
14、做介質。它的特點是容量大,但是漏電大,穩(wěn)定性差,有正負極性,適宜用于電源濾波或者低頻電路中。使用的時候,正負極不要接反。 鉭、鈮電解電容:它用金屬鉭或者鈮做正極,用稀硫酸等配液做負極,用鉭或鈮表面生成的氧化膜做介質制成。它的特點是體積小、容量大、性能穩(wěn)定、壽命長、絕緣電阻大、溫度特性好。用在要求較高的設備中。 半可變電容:也叫做微調電容。它是由兩片或者兩組小型金屬彈片,中間夾著介質制成。調節(jié)的時候改變兩片之間的距離或者面積。它的介質有空氣、陶瓷、云母、薄膜等。 可變電容:它由一組定片和一組動片組成,它的容量隨著動片的轉動可以連續(xù)改變。把兩組可變電容裝在一起同軸轉動,叫做雙連??勺冸娙莸慕橘|有空
15、氣和聚苯乙烯兩種。空氣介質可變電容體積大,損耗小,多用在電子管收音機中。聚苯乙烯介質可變電容做成密封式的,體積小,多用在晶體管收音機中。 NPO(COG):電氣性能最穩(wěn)定,基本上不隨溫度、電壓與時間的改變面改變,適用于對穩(wěn)定性要 求高的高頻電路;X7R(2X1):電氣性能較穩(wěn)定,在溫度、電壓與時間改變時性能的變化并不顯著,適用于隔直、偶合、旁路與對容量穩(wěn)定性要求不太高的鑒頻電路,由于X7R是一種強電介質,因面能造出容量比NPO介質更大的電容器;Y5V(2F4)(Z5U):具有較低高的介電常數(shù),常用于生產比容較大的、標稱容量較高的大容量電容器產品,但其容量穩(wěn)定性較X7R差,容量、損耗對溫度,電壓
16、等測試條件較敏感。1.6mm(你使用的電容的引線有這么短嗎?)。表1 電容值自諧振頻率(MHz)電容值自諧振頻率(MHz)1m F1.7820 pF38.50.1m F4680 pF42.50.01m F12.6560 pF453300pF19.3470 pF491800 pF25.5390 pF541100pF33330 pF60盡管從濾除高頻噪聲的角度看,電容的諧振是不希望的,但是電容的諧振并不是總是有害的。當要濾除的噪聲頻率確定時,可以通過調整電容的容量,使諧振點剛好落在騷擾頻率上。2.溫度的影響由于電容器中的介質參數(shù)受到溫度變化的影響,因此電容器的電容值也隨著溫度變化。不同的介質隨著溫
17、度變化的規(guī)律不同,有些電容器的容量當溫度升高時會減小70%以上,常用的濾波電容為瓷介質電容,瓷介質電容器有超穩(wěn)定型:COG或NPO,穩(wěn)定型:X7R,和通用型:Y5V或Z5U三種。不同介質的電容器的溫度特性如圖2所示。圖 3 不同介質電容器的溫度特性從圖中可以看到,COG電容器的容量幾乎隨溫度沒有變化,X7R電容器的容量在額定工作溫度范圍變化12%以下,Y5V電容器的容量在額定工作溫度范圍內變化70%以上。這些特性是必須注意的,否則會出現(xiàn)濾波器在高溫或低溫時性能變化而導致設備產生電磁兼容問題。COG介質雖然穩(wěn)定,但介質常數(shù)較低,一般在10100,因此當體積較小時,容量較小。X7R的介質常數(shù)高得多
18、,為2000 4000,因此較小的體積能產生較大的電容,Y5V的介質常數(shù)最高,為5000 25000。許多人在選用電容器時,片面追求電容器的體積小,這種電容器的介質雖然具有較高的介質常數(shù),但溫度穩(wěn)定性很差,這會導致設備的溫度特性變差。這在選用電容器時要特別注意,尤其是在軍用設備中。3.電壓的影響電容器的電容量不僅隨著溫度變化,還會隨著工作電壓變化,這一點在實際工程必須注意。不同介質材料的電容器的電壓特性如圖3所示。從圖中可以看出, X7R電容器在額定電壓狀態(tài)下,其容量降為原始值的70%,而Y5V電容器的容量降為原始值的30%!了解了這個特性,在選用電容時要在電壓或電容量上留出余量,否則在額定工
19、作電壓狀態(tài)下,濾波器會達不到預期的效果。圖4 電容器的電壓特性綜合考慮溫度和電壓的影響時,電容的變化如圖4所示。圖5電容器的溫度/電壓特性5.穿心電容的使用在實際工程中,要濾除的電磁噪聲頻率往往高達數(shù)百MHz,甚至超過1GHz。對這樣高頻的電磁噪聲必須使用穿心電容才能有效地濾除。普通電容之所以不能有效地濾除高頻噪聲,是因為兩個原因,一個原因是電容引線電感造成電容諧振,對高頻信號呈現(xiàn)較大的阻抗,削弱了對高頻信號的旁路作用;另一個原因是導線之間的寄生電容使高頻信號發(fā)生耦合,降低了濾波效果,如圖5所示。圖6 普通電容在高頻濾波中的問題穿心電容之所以能有效地濾除高頻噪聲,是因為穿心電容不僅沒有引線電感
20、造成電容諧振頻率過低的問題,而且穿心電容可以直接安裝在金屬面板上,利用金屬面板起到高頻隔離的作用。但是在使用穿心電容時,要注意的問題是安裝問題。穿心電容最大的弱點是怕高溫和溫度沖擊,這在將穿心電容往金屬面板上焊接時造成很大困難。許多電容在焊接過程中發(fā)生損壞。特別是當需要將大量的穿心電容安裝在面板上時,只要有一個損壞,就很難修復,因為在將損壞的電容拆下時,會造成鄰近其它電容的損壞。隨著電子設備復雜程度的提高,設備內部強弱電混合安裝、數(shù)字邏輯電路混合安裝的情況越來越多,電路模塊之間的相互騷擾成為嚴重的問題。解決這種電路模塊相互騷擾的方法之一是用金屬隔離艙將不同性質的電路隔離開。但是所有穿過隔離艙的
21、導線要通過穿心電容,否則會造成隔離失效。當不同電路模塊之間有大量的聯(lián)線時,在隔離艙上安裝大量的穿心電容是十分困難的事情。為了解決這個問題,國外許多廠商開發(fā)了“濾波陣列板”,這是用特殊工藝事先將穿心電容焊接在一塊金屬板構成的器件,使用濾波陣列板能夠輕而易舉地解決大量導線穿過金屬面板的問題。但是這種濾波陣列板的價格往往較高,每針的價格約30元。 1999年,北京天亦通公司開發(fā)成功了TLZ 1系列濾波陣列板(專利申請中)。這種濾波陣列板的濾波性能接近國外產品,但價格僅為國外產品的 1/10以下。TLZ 1系列濾波陣列板的密度是標準2.54mm,可以直接與扁平電纜插座配合,便于安裝,可廣泛用于電子設備
22、的濾波隔離(圖6)。圖7 濾波陣列板用于電路隔離% 電感 %在電子設備的PCB板電路中會大量使用感性元件和EMI濾波器元件。這些元件包括片式電感和片式磁珠,以下就這兩種器件的特點進行描述并分析他們的普通應用場合以及特殊應用場合。 表面貼裝元件的好處在于小的封裝尺寸和能夠滿足實際空間的要求。除了阻抗值,載流能力以及其他類似物理特性不同外,通孔接插件和表面貼裝器件的其他性能特點基本相同。 片式電感在需要使用片式電感的場合,要求電感實現(xiàn)以下兩個基本功能:電路諧振和扼流電抗。諧振電路包括諧振發(fā)生電路,振蕩電路,時鐘電路,脈沖電路,波形發(fā)生電路等等。諧振電路還包括高Q帶通濾波器電路。 要使電路產生諧振,
23、必須有電容和電感同時存在于電路中。在電感的兩端存在寄生電容,這是由于器件兩個電極之間的鐵氧體本體相當于電容介質而產生的。在諧振電路中,電感必須具有高Q,窄的電感偏差,穩(wěn)定的溫度系數(shù),才能達到諧振電路窄帶,低的頻率溫度漂移的要求。 高Q電路具有尖銳的諧振峰值。窄的電感偏置保證諧振頻率偏差盡量小。穩(wěn)定的溫度系數(shù)保證諧振頻率具有穩(wěn)定的溫度變化特性。 標準的徑向引出電感和軸向引出電感以及片式電感的差異僅僅在于封裝不一樣。電感結構包括介質材料(通常為氧化鋁陶瓷材料)上繞制線圈,或者空心線圈以及鐵磁性材料上繞制線圈。 在功率應用場合,作為扼流圈使用時,電感的主要參數(shù)是直流電阻(DCR),額定電流,和低Q值
24、。當作為濾波器使用時,希望寬帶寬特性,因此,并不需要電感的高Q特性。低的DCR可以保證最小的電壓降,DCR定義為元件在沒有交流信號下的直流電阻。 片式磁珠 片式磁珠的功能主要是消除存在于傳輸線結構(PCB電路)中的RF噪聲,RF能量是疊加在直流傳輸電平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信號, 而射頻RF能量卻是無用的電磁干擾沿著線路傳輸和輻射(EMI)。要消除這些不需要的信號能量,使用片式磁珠扮演高頻電阻的角色(衰減器),該器件允許直流信號通過,而濾除交流信號。通常高頻信號為30MHz以上,然而,低頻信號也會受到片式磁珠的影響。片式磁珠由軟磁鐵氧體材料組成,構成高體積電阻率的獨石結構。渦
25、流損耗同鐵氧體材料的電阻率成反比。渦流損耗隨信號頻率的平方成正比。 使用片式磁珠的好處: 小型化和輕量化 在射頻噪聲頻率范圍內具有高阻抗,消除傳輸線中的電磁干擾。 閉合磁路結構,更好地消除信號的串繞。 極好的磁屏蔽結構。 降低直流電阻,以免對有用信號產生過大的衰減。 顯著的高頻特性和阻抗特性(更好的消除RF能量)。 在高頻放大電路中消除寄生振蕩。 有效的工作在幾個MHz 到幾百MHz的頻率范圍內。要正確的選擇磁珠,必須注意以下幾點: 1、不需要的信號的頻率范圍為多少;2、噪聲源是誰;3、需要多大的噪聲衰減;4、環(huán)境條件是什么(溫度,直流電壓,結構強度);5、電路和負載阻抗是多少;6、是否有空間
26、在PCB板上放置磁珠;前三條通過觀察廠家提供的阻抗頻率曲線就可以判斷。在阻抗曲線中三條曲線都非常重要,即電阻,感抗和總阻抗??傋杩雇ㄟ^ZR22fL()2+:=fL來描述。典型的阻抗曲線如下圖所示:通過這一曲線,選擇在希望衰減噪聲的頻率范圍內具有最大阻抗而在低頻和直流下信號衰減盡量小的磁珠型號。 片式磁珠在過大的直流電壓下,阻抗特性會受到影響,另外,如果工作溫升過高,或者外部磁場過大,磁珠的阻抗都會受到不利的影響。 使用片式磁珠和片式電感的原因: 是使用片式磁珠還是片式電感主要還在于應用。在諧振電路中需要使用片式電感。而需要消除不需要的EMI噪聲時,使用片式磁珠是最佳的選擇。 片式磁珠和片式電感
27、的應用場合: 片式電感: 射頻(RF)和無線通訊,信息技術設備,雷達檢波器,汽車電子,蜂窩電話,尋呼機,音頻設備,PDAs(個人數(shù)字助理),無線遙控系統(tǒng)以及低壓供電模塊等。片式磁珠: 時鐘發(fā)生電路,模擬電路和數(shù)字電路之間的濾波,I/O輸入/輸出內部連接器(比如串口,并口,鍵盤,鼠標,長途電信,本地局域網(wǎng)),射頻(RF)電路和易受干擾的邏輯設備之間,供電電路中濾除高頻傳導干擾,計算機,打印機,錄像機(VCRS),電視系統(tǒng)和手提電話中的EMI噪聲抑止。鐵氧體在抑制電磁干擾中的應用用鐵氧體磁性材料抑制電磁干擾()是經濟簡便而有效的方法,已廣泛應用于計算機等各種軍用或民用電子設備。那么什么是鐵氧體呢?
28、如何選擇,怎樣使用鐵氧體元件呢?這篇文章將對這些問題作一簡要介紹。一、什么是鐵氧體抑制元件鐵氧體是一種立方晶格結構的亞鐵磁性材料,它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似。但顏色為黑灰色,故又稱黑磁或磁性瓷。鐵氧體的分子結構為·e23,其中為金屬氧化物,通常是n或 Zn。衡量鐵氧體磁性材料磁性能的參數(shù)有磁導率,飽和磁通密度s,剩磁r和矯頑力c等。對于抑制用鐵氧體材料,磁導率和飽和磁通密度s是最重要的磁性參數(shù)。磁導率定義為磁通密度隨磁場強度的變化率。 對于一種磁性材料來說,磁導率不是一個常數(shù),它與磁場的大小、頻率的高低有關。當鐵氧體受到一個外磁場作用時,例如當電流流經繞在鐵氧體磁環(huán)上的
29、線圈時,鐵氧體磁環(huán)被磁化。隨著磁場的增加,磁通密度增加。當磁場場加到一定值時,值趨于平穩(wěn)。這時稱作飽和。對于軟磁材料,飽和磁場只有十分之幾到幾個奧斯特。隨著飽和的接近,鐵氧體的磁導率迅速下降并接近于空氣的導磁率(相對磁導率為)如圖所示。 圖1 鐵氧體的B-H曲線 鐵氧體的磁導率可以表示為復數(shù)。實數(shù)部分'代表無功磁導率,它構成磁性材料的電感。虛數(shù)部分"代表損耗,如圖所示。 'j" 圖2 鐵氧體的復數(shù)磁導率 磁導率與頻率的關系如圖所示。在一定的頻率范圍內'值(在某一磁場下的磁導率)保持不變,然后隨頻率的升高磁導率'有一最大值。頻率
30、再增加時, '迅速下降。代表材料損耗的虛數(shù)磁導率"在低頻時數(shù)值較小,隨著頻率增加,材料的損耗增加,"增加。如圖所示,圖中tan="/' 圖3 鐵氧體磁導率與頻率的關系 圖4 鐵氧體抑制元件的等效電路(a)和阻抗矢量圖(b) 二、鐵氧體抑制元件的阻抗和插入損耗當鐵氧體元件用在交流電路時,鐵氧體元件是一個有損耗的電感器,它的等效電路可視為由電感和損耗電阻組成的串聯(lián)電路,如圖所示。 鐵氧體元件的等效阻抗是頻率的函數(shù)Z(f)=R(f)+jL(f)=K"(f)+jK'(f) 式中:是一個常數(shù),與磁芯尺寸和匝數(shù)
31、有關,為角頻率。損耗電阻和感抗j都是頻率的函數(shù),圖是材料磁珠的阻抗、感抗和電阻與頻率的關系。在低頻端(<)阻抗小于,隨著頻率的增加,由于電阻分量增加,使阻抗增加,電阻逐漸成為主要部分。在頻率超過時,磁珠的阻抗將大于。這樣就構成一個低通濾波器,使高頻噪音信號有大的衰減,而對低頻有用信號的阻抗可以忽略,不影響電路的正常工作。這種濾波器優(yōu)于普通純電抗濾波器。后者會產生諧振,造成新的干擾,而鐵氧體磁珠則沒有這種現(xiàn)象。 圖5 鐵氧體的阻抗與頻率的關系 鐵氧體抑制元件應用時的等效電路如圖所示。圖中為抑制元件的阻抗,s和分別為源阻抗和負載阻抗,為鐵氧體抑制元件的阻抗。通常用插入損耗表示抑制元件
32、對信號的衰減能力。器件的插入損耗越大,表示器件對噪音抑制能力越強。 圖6 鐵氧體抑制元件應用電路 插入損耗的定義為 式中:、分別為抑制元件接入前,負載上的功率和電壓。、分別為抑制元件接入后,負載上的功率和電壓。插入損耗和抑制元件的阻抗有如下關系: 由上式可見,在源阻抗和負載阻抗一定時抑制元件的阻抗越大,抑制效果越好。由于抑制元件的阻抗是頻率的函數(shù),所以插入損耗也是頻率的函數(shù)。抑制元件的阻抗包括感抗和電阻部分,兩部分對插入損耗都有貢獻。在低頻時,鐵氧體的"的值較小,損耗電阻較小,主要是感抗起作用。在高頻端,鐵氧體的'值開始下降,而"值增大,所以損耗起主
33、要作用。低頻時,信號被反射而受到抑制,在高頻端,信號被吸收并轉換成熱能。三、鐵氧體抑制元件的應用鐵氧體抑制元件廣泛應用于,電源線和數(shù)據(jù)線上。、鐵氧體抑制元件在上的應用設計的首要方法是抑源法,即在上的源將抑制掉。這個設計思想是將噪音限制在小的區(qū)域,避免高頻噪音耦合到其他電路,而這些電路通過連線可能產生更強的輻射。上的源來自周期開關的數(shù)字電路。其高頻電流在電源線和地之間產生一個共模電壓降,造成共模干擾。電源線或信號線會將開關的高頻噪聲傳導或輻射出去。在電源線和地之間加一個去耦電容,使高頻噪音短路,但是去耦電容常常會引起高頻諧振,造成新的干擾。在電路板的電源進口加上鐵氧抑制磁珠會有效的將高頻噪音衰減掉。、鐵氧體抑制元件在電源線上的應用電源線會把外界電網(wǎng)的干擾、開關電源的噪音傳到主機。在電源的出口和電源線的入口設置鐵氧體抑制元件,既可抑制電源與之間的高頻干擾的傳輸,也可抑之間高頻噪音的相互干擾。值得注意的是,在電源線上應用鐵氧體元件時有偏流存在。
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