微電子習(xí)題答案(第2單元)

1、第二單元習(xí)題解答1. SiO2膜網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么？氧和雜質(zhì)在 SiO2網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的作用和用途是什么？對(duì)SiO2膜性能有哪些影響？二氧化硅的基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-O 四面體網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)，四面體中心為硅原子，四個(gè)頂角 上為氧原子。對(duì) SiO2 網(wǎng)絡(luò)在結(jié)構(gòu)上具備“長(zhǎng)程無(wú)序、短程有序”的一類固態(tài)無(wú)定形體或玻 璃體。半導(dǎo)體工藝中形成和利用的都是這種無(wú)定形的玻璃態(tài)SiO2。氧在 SiO2 網(wǎng)絡(luò)中起橋聯(lián)氧原子或非橋聯(lián)氧原子作用，橋聯(lián)氧原子的數(shù)目越多，網(wǎng)絡(luò)結(jié) 合越緊密，反之則越疏松。在連接兩個(gè) Si-O 四面體之間的氧原子摻入SiO2中的雜質(zhì)，按它們?cè)?SiO2網(wǎng)絡(luò)中所處的位置來(lái)說(shuō)，基本上可以有兩類：替代 （

2、位）式雜質(zhì)或間隙式雜質(zhì)。取代 Si-O 四面體中 Si 原子位置的雜質(zhì)為替代（位）式雜質(zhì)。 這類雜質(zhì)主要是川A, V A元素，如B、P等，這類雜質(zhì)的特點(diǎn)是離子半徑與 Si原子的半徑 相接近或更小，在網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中能替代或占據(jù) Si 原子位置，亦稱為網(wǎng)絡(luò)形成雜質(zhì)。由于它們的價(jià)電子數(shù)往往和硅不同， 所以當(dāng)其取代硅原子位置后， 會(huì)使網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性 質(zhì)發(fā)生變化。如雜質(zhì)磷進(jìn)入二氧化硅構(gòu)成的薄膜稱為磷硅玻璃，記為PSG;雜質(zhì)硼進(jìn)入二氧化硅構(gòu)成的薄膜稱為硼硅玻璃，記為BSG。當(dāng)它們替代硅原子的位置后，其配位數(shù)將發(fā)生改變。具有較大離子半徑的雜質(zhì)進(jìn)入 SiO2網(wǎng)絡(luò)只能占據(jù)網(wǎng)絡(luò)中間隙孔（洞）位置，成為網(wǎng)絡(luò) 變形（改變

3、）雜質(zhì)，如 Na、 K、 Ca、 Ba、 Pb 等堿金屬、堿土金屬原子多是這類雜質(zhì)。當(dāng)網(wǎng) 絡(luò)改變雜質(zhì)的氧化物進(jìn)入 SiO2后，將被電離并把氧離子交給網(wǎng)絡(luò)，使網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生更多的非橋 聯(lián)氧離子來(lái)代替原來(lái)的橋聯(lián)氧離子， 引起非橋聯(lián)氧離子濃度增大而形成更多的孔洞， 降低網(wǎng) 絡(luò)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，降低熔點(diǎn)，以及引起其它性能變化。2. 在SiO2系統(tǒng)中存在哪幾種電荷？他們對(duì)器件性能有些什么影響？工藝上如何降低他們的密度？在二氧化硅層中存在著與制備工藝有關(guān)的正電荷。在 SiO2內(nèi)和SiO2-Si界面上有四種類 型的電荷：可動(dòng)離子電荷： Qm；氧化層固定電荷：Qf ；界面陷阱電荷：Qit ；氧化層陷阱電 荷：Qot。這些正

4、電荷將引起硅/二氧化硅界面p-硅的反型層，以及 MOS器件閾值電壓不穩(wěn) 定等現(xiàn)象，應(yīng)盡量避免。（1）可動(dòng)離子電荷（Mobile ionic charge） Qm主要是Na+、K+、H+等荷正電的堿金屬 離子，這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡(luò)修正雜質(zhì)， 為快擴(kuò)散雜質(zhì)， 電荷密度在 10101012/cm2。 其中主要是Na+，因?yàn)樵谌梭w與環(huán)境中大量存在 Na+，熱氧化時(shí)容易發(fā)生 Na+沾污。Na+M子沾污往往是在 SiO2層中造成正電荷的一個(gè)主要來(lái)源。 這種正電荷將影響到 SiO2 層下的硅的表面勢(shì)，從而， SiO2層中Na+的運(yùn)動(dòng)及其數(shù)量的變化都將影響到器件的性能。進(jìn) 入氧化層中的Na+數(shù)量依賴于

5、氧化過(guò)程中的清潔度。現(xiàn)在工藝水平已經(jīng)能較好地控制Na+的沾污，保障 MOS 晶體管閾值電壓 VT 的穩(wěn)定。存在于SiO2中的Na +，即使在低于200C的溫度下在氧化層中也具有很高的擴(kuò)散系數(shù)。同時(shí)由于Na以離子的形態(tài)存在， 其遷移(transport)能力因氧化層中存在電場(chǎng)而顯著提高。為了降低Na+的沾污，可以在工藝過(guò)程中采取一些預(yù)防措施，包括：使用含氯的氧化工藝；用氯周期性地清洗管道、爐管和相關(guān)的容器；使用超純凈的化學(xué)物質(zhì)；保證氣體在傳輸過(guò)程的清潔。另外保證柵材料(通常是多晶硅)不受沾污也是很重要的。使用PSG和BPSG玻璃鈍化可動(dòng)離子，可以降低可動(dòng)離子的影響。因?yàn)檫@些玻璃體能捕獲可動(dòng)離子。

6、用等離子淀積氮化硅來(lái)封閉已經(jīng)完成的芯片，氮化硅起阻擋層的作用，可以防止Na+、水汽等有害物的滲透。(2) 固定離子電荷(Fixed Oxide Charge)Qf,通常是帶正電，但是在某些情況下也可能帶負(fù)電，它的極性不隨表面勢(shì)和時(shí)間的變化而變化，所以叫它固定電荷。 這種電荷是指位于距離Si-SiO2界面3nm的氧化層范圍內(nèi)的正電荷，又稱界面電荷，是由氧化層中的缺陷引 起的，電荷密度在IO101O12/cm-2。然而在超薄氧化層(v 3.0nm)中，電荷離界面更近，或者是分布于整個(gè)氧化層之中。固定離子電荷的來(lái)源普遍認(rèn)為是氧化層中過(guò)剩的硅離子，或者說(shuō)是氧化層中的氧空位。由于氧離子帶負(fù)電，氧空位具有

7、正電中心的作用，所以氧化層中的固定電荷帶正電。固定氧化層電荷的能級(jí)在硅的禁帶以外，但在SiO2禁帶中。硅襯底晶向、氧化條件和退火溫度的適當(dāng)選擇，可以使固定正電荷控制在較低的密度。同時(shí)降低氧化時(shí)氧的分壓，也可減小過(guò)剩Si+的數(shù)量，有助于減小固定正電荷密度。另外，含氯氧化工藝也能降低固定正電荷的密度。(3) 界面陷阱電荷(Interface trapped charge ) Qit,位于SiOz/Si界面上，電荷密度在1010/cm-2左右，是由能量處于硅禁帶中、可以與價(jià)帶或?qū)Х奖憬粨Q電荷的那些陷阱能級(jí)或電荷狀態(tài)引起的。那些陷阱能級(jí)可以是施主或受主，也可以是少數(shù)載流子的產(chǎn)生和復(fù)合中心，包括起源于

8、Si-SiO2界面結(jié)構(gòu)缺陷(如硅表面的懸掛鍵)、氧化感生缺陷以及金屬雜質(zhì)和輻射 等因素引起的其它缺陷。通?？赏ㄟ^(guò)氧化后在低溫、惰性氣體中退火來(lái)降低Qit的濃度。在(100)的硅上進(jìn)行干氧氧化后，Dit的值大約是10111012/cm2eV，而且會(huì)隨著氧化溫度的升高而減少。(4) 氧化層陷阱電荷 (Oxide trapped charge ) Qot,它位于SiO2中和Si/SiO2界面附近， 這種陷阱俘獲電子或空穴后分別荷負(fù)電或正電，電荷密度在1091013/cm2左右。這是由氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或不飽和鍵捕捉到加工過(guò)程中產(chǎn)生的電子或空穴所引起的。在氧化層中有些缺陷能產(chǎn)生陷阱，如懸掛鍵、界面陷阱變形

9、的Si-Si、Si-O鍵。氧化層陷阱電荷的產(chǎn)生方式主要有電離輻射和熱電子注入。減少電離輻射陷阱電荷的主要工藝方法有：選擇適當(dāng)?shù)难趸に嚄l件以改善SiO2結(jié)構(gòu)，使Si-O-Si鍵不易被打破。一般稱之為抗輻照氧化最佳工藝條件，常用1000 C干氧氧化。在惰性氣體中進(jìn)行低溫退火(150400 C )可以減少電離輻射陷阱。3. 欲對(duì)擴(kuò)散的雜質(zhì)起有效的屏蔽作用，對(duì) SiO2膜有何要求？工藝上如何控制氧化膜生長(zhǎng)質(zhì)量?硅襯底上的SiO2若要能夠當(dāng)作掩膜來(lái)實(shí)現(xiàn)定域擴(kuò)散的話，就應(yīng)該要求雜質(zhì)在SiO2層中的擴(kuò)散深度 為小于SiO2本身的厚度XSiQ，即有Xj ： XSiQ實(shí)際上只有對(duì)那些DSiO2 v DSi,-

10、DSL1的雜質(zhì)，用DSiC2SiO2膜掩蔽才有實(shí)用價(jià)值。SiO2掩膜最小厚度確定硅襯底上的SiO2要能夠當(dāng)作掩膜來(lái)實(shí)現(xiàn)定域擴(kuò)散的話，只要xSiC2能滿足條件：預(yù)生長(zhǎng)的SiO2膜具有一定的厚度，同時(shí)雜質(zhì)在襯底硅中的擴(kuò)散系數(shù)DSi要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其在SiO2中的擴(kuò)散系數(shù)Dsq (即Ds ? Dsq)，而且SiO2表面雜質(zhì)濃度(Cs) 與SiO2-Si界面雜質(zhì)濃度(C )之比達(dá)到一定數(shù)值，可保證SiO2膜能起到有效的掩蔽作用。若取 幺=103，則所需氧化層的最小厚度為4. 由熱氧化機(jī)理解釋干、濕氧速率相差很大這一現(xiàn)象由二氧化硅基本結(jié)構(gòu)單元可知，位于四面體中心的Si原子與四個(gè)頂角上的氧原子以共價(jià)鍵方式結(jié)合在

11、一起，Si原子運(yùn)動(dòng)要打斷四個(gè) Si-O鍵，而橋聯(lián)O原子的運(yùn)動(dòng)只需打斷二個(gè) Si-O鍵，非橋聯(lián)氧原子只需打斷一個(gè)Si-O鍵。因此，在 SiO2網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中，O原子比Si原子更容易運(yùn)動(dòng)。氧原子離開其四面體位置運(yùn)動(dòng)后，生成氧空位。在熱氧化過(guò)程中，氧離子或水分子能夠在已生長(zhǎng)的SiO2中擴(kuò)散進(jìn)入SiO2/Si界面，與Si原子反應(yīng)生成新的 SiO2網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，使SiO2膜不斷增厚。與此相反，硅體內(nèi)的Si原子則不容易掙脫 Si共價(jià)鍵的束縛，也不容易在已生長(zhǎng)的 SiO2網(wǎng)絡(luò)中移動(dòng)。所以，在熱氧化的過(guò)程中，氧化反應(yīng)將在SiO2-Si界面處進(jìn)行，而不發(fā)生在 SiO2層的外表層，這一特性決定了熱氧化的機(jī)理。為了解釋線性

12、速率常數(shù)與硅表面晶向的關(guān)系，有人提出了一個(gè)模型。根據(jù)這個(gè)模型，在 二氧化硅中的水分子和Si-SiO2界面的Si-Si鍵之間能直接發(fā)生反應(yīng)。 在這個(gè)界面上的所有的硅原子，一部分和上面的氧原子橋聯(lián)，一部分和下面的Si原子橋聯(lián)，這樣氧化速率與晶向的關(guān)系就變成了氧化速率與氧化激活能和反應(yīng)格點(diǎn)的濃度的關(guān)系了。在SiO2-Si界面上，任何一個(gè)時(shí)刻并不是處于不同位置的所有硅原子對(duì)氧化反應(yīng)來(lái)說(shuō)都是等效的，也就是說(shuō)不是所有硅原子與水分子都能發(fā)生反應(yīng)生成Si。?。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在干氧氧化的氣氛中，只要存在極小量的水汽，就會(huì)對(duì)氧化速率產(chǎn)生重要影 響。對(duì)于硅的(100)晶面，在800 C的溫度下進(jìn)行干氧氧化時(shí)，當(dāng)氧化劑氣

13、氛中的水汽含量小于1ppm時(shí)，氧化700分鐘，氧化層厚度為 300?;在同樣條件下，水汽含量為25ppm時(shí)，氧化層厚度為370 ?。在上述實(shí)驗(yàn)中，為了準(zhǔn)確控制水汽含量，氧氣源是液態(tài)的；為了防止 高溫下水汽通過(guò)石英管壁進(jìn)入氧化爐內(nèi)，氧化石英管是雙層的， 并在兩層中間通有高純氮或氬，這樣可以把通過(guò)外層石英管進(jìn)入到夾層中的水汽及時(shí)排除。5. 薄層氧化過(guò)程需注意哪些要求？現(xiàn)采用的工藝有哪些?在ULSI中，MOS薄柵氧化層(冷© : 100A )制備應(yīng)滿足以下關(guān)鍵條件：(1) 低缺陷密度-以降低在低電場(chǎng)下的突然性失效次數(shù)；(2) 好的抗雜質(zhì)擴(kuò)散的勢(shì)壘持性-對(duì)p+多晶硅柵的p-MOSFET特別重

14、要；(3) 具有低的界面態(tài)密度和固定電荷的高質(zhì)量的Si-SiO2界面-低的界面態(tài)密度可保 證MOSFET有理想的開關(guān)特性；(4) 在熱載流子應(yīng)力和輻射條件下的穩(wěn)定性-當(dāng)MOSFET按比例減小時(shí)，溝道橫向的高電場(chǎng)會(huì)使溝道載流子獲得高能量，并產(chǎn)生熱載流子效應(yīng)，例如氧化層電荷陷阱和界面態(tài)。在熱載流子應(yīng)力和輻射條件(如反應(yīng)離子刻蝕和X射線光刻工藝)下生產(chǎn)最小損傷的柵介質(zhì)層；（5）工藝過(guò)程中具有較低的熱開銷（ Thermal budget）,以減少熱擴(kuò)散過(guò)程中的雜質(zhì)再 分布?，F(xiàn)采用的工藝分為四大類主流方法：（1）各種預(yù)氧化清潔工藝；（2）各種氧化工藝；（3）化學(xué)改善柵氧化層工藝；（4）沉積氧化層或疊層氧

15、化硅作為柵介質(zhì)。6. 摻氯氧化為何對(duì)提高氧化層質(zhì)量有作用？HCI的氧化過(guò)程，實(shí)質(zhì)上就是在熱生長(zhǎng)SiO2膜的同時(shí)，在SiO2中摻入一定數(shù)量的氯離子的過(guò)程。所摻入的氯離子主要分布在Si- SiO2界面附近100?左右處。氯在氧化膜中的行為是比較復(fù)雜的，從實(shí)驗(yàn)觀察分析認(rèn)為有以下幾種情況：（1）氯是負(fù)離子，在氧化膜中集中必然造成負(fù)電荷中心， 它與正電荷的離子起中和作用；（2）它能在氧化膜中形成某些陷阱態(tài) 來(lái)俘獲可動(dòng)離子；（3）堿金屬離子和重金屬離子能與氯形成蒸氣壓高的氯化物而被除去；（4）在氧化膜中填補(bǔ)氧空位，與硅形成Si-Cl鍵或Si-O-Cl復(fù)合體，因此降低了固定正電荷密度和界面態(tài)密度（可使固定正

16、電荷密度降低約一個(gè)數(shù)量級(jí)）。摻氯氧化同時(shí)減少固定電荷等氧化 膜缺陷，提高氧化膜平均擊穿電壓，增加氧化速率，提高硅中少數(shù)載流子壽命等。7. 熱氧化法生長(zhǎng)1000?厚的氧化層，工藝條件：1000C，干氧氧化，無(wú)初始氧化層，試問(wèn)氧化工藝需多長(zhǎng)時(shí)間？解：氧化層生長(zhǎng)厚度與生長(zhǎng)時(shí)間之間的關(guān)系式為XSiQAxSiQ 二 B（t ）已知 £ =0，1000c，干氧氧化查表 4-2，可知 A = 0.16m， 1.95 10in，xsq =0.1m所以t 135.9min8. 硅器件為避免芯片沾污，可否最后熱氧化一層SiO2作為保護(hù)膜？為什么?不可以。Si的熱氧化是高溫工藝，硅器件芯片完成后再進(jìn)行高溫

17、工藝會(huì)因金屬電極的氧化、雜質(zhì)再分布等原因損害器件性能、甚至使其徹底實(shí)效。另外，熱氧化需要消耗襯底硅，器件表面無(wú)硅位置生長(zhǎng)不出氧化層。9. 求下列條件下固溶度與擴(kuò)散系數(shù)： B在1050CP在950C解：固溶度可查圖1-15得B在1050 c近似為5 1020atoms/cm3 P 在 950c近似為 8 1020atoms/cm3玻爾茲曼常數(shù)k =1.3806 10 力J/k = 8.617 10“eV/k由公式Dfexp養(yǎng)，查表5-1知道B和P在這兩個(gè)溫度下D。曲-1，巳=3. 6V弋入公式即得得B在1050 CD - Doexp _Ea -9.85 10J4cm2/s_ TP在950 ED

18、二 D°exp 主 =6.62 10,5cm2/s 丘T10. 在Si襯底上975r, 30min預(yù)淀積磷，當(dāng)襯底為 0.3 cm的p-Si , 975E 時(shí)：求結(jié)深和雜質(zhì)總量；若繼續(xù)進(jìn)行再分布，1100E, 50min,求這時(shí)的 結(jié)深和表面雜質(zhì)濃度。解：由圖 1-13 得 CB =5 1015atoms/cm3；由圖 1-15 得：Cs = 1021atoms/cm3由 D 二D°exp 玉 =1.47 15cm2/sM預(yù)淀積工藝主要以恒定表面源擴(kuò)散為主，所以雜質(zhì)總量Q(t) =1.13Cs Dt-1.84 1015預(yù)淀積為余誤差分布，CsC =2 105 ;由圖3.7得

19、：A 6.2 ;xADt =6.2 1.47 105 30 60 0.1m再分布過(guò)程符合限定表面源擴(kuò)散規(guī)律，所以表面雜質(zhì)濃度Q1.84X015192Cs t = C(0,t)8.57 10 atoms/cm"Dt 、二 4.89 104 50 60旳=6.0.4.89j0,45060=7.26 10cm = 0.726m11. 什么是溝道效應(yīng)？如何才能避免?對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入時(shí)， 當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無(wú)規(guī)則的，而是將沿溝道運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞，因此來(lái)自靶原子的阻止作用要小得多，而且溝道中的電子密度很低，受到的電子阻止也很小，這些離子的

20、能量損失率就很低。在其他條件相同的情況下，很難控制注入離子的濃度分布，注入深度大于在無(wú)定形靶中的深度并使注入離子的分布產(chǎn)生一個(gè)很長(zhǎng)的拖尾，注入縱向分布峰值與高斯分布不 同，這種現(xiàn)象稱為離子注入的溝道效應(yīng)(Cha nneling effect )。減少溝道效應(yīng)的措施：(1)對(duì)大的離子，沿溝道軸向(110)偏離7- 10° (2)用Si, Ge, F, Ar等離子注入使表面預(yù)非晶化， 形成非晶層(Pre-amorphization); (3)增加注入劑量(晶 格損失增加，非晶層形成，溝道離子減少)；(4)表面用Si。?層掩膜。12. 硼注入，峰值濃度(Rp在0.1卩m處，注入能量是多少？

21、解：由表6-19，峰值濃度在 0.1卩m處注入能量是 30keV13. 在1000C工作的擴(kuò)散爐，溫度偏差在土1C,擴(kuò)散深度相應(yīng)的偏差是多少？假定是高斯擴(kuò)散。解：擴(kuò)散溫度導(dǎo)致的擴(kuò)散深度偏差產(chǎn)生主要來(lái)源于擴(kuò)散系數(shù)差-E 1由公式 D二Do exp 詩(shī)，以P擴(kuò)為例D(1001D(1000)=exp EaEa97.46%D(1000) |l 12741273D(99%(1OOO)=exp127磊=10304%8#1對(duì)n區(qū)進(jìn)行p擴(kuò)散，使Cs NOOCCb，證明：假定是恒定源擴(kuò)散，結(jié)深與(Dt)2 成正比，請(qǐng)確定比例因子。#證：恒定源擴(kuò)散時(shí)硅一直處于雜質(zhì)氛圍中, 因此，認(rèn)為硅片表面達(dá)到了該擴(kuò)散溫度的固溶

22、度#Cs，根據(jù)這種擴(kuò)散的特點(diǎn)，解一維擴(kuò)散方程式9(x,t) = D 乎C(x,t)，：:t：x2#其初始條件和邊界條件為初始條件 C(x,0) =0,t=0邊界條件C(O,t) Cs,x = 0C(?t) =0按上述初始條件和邊界條件，可解得硅中雜質(zhì)分布的表達(dá)式x2 2頃xC(x,t)二Cs(1-) . exp(- 2)d Cserfc(-)兀。2/Dt兩種雜質(zhì)濃度相等處形成pn結(jié)。其結(jié)的位置由 C x,ti； = CBXj =2erfcCB DiCsA = 2屛詈=2109.214. 什么是硼的逆退火特性?對(duì)于兩種較高劑量(Ns =2.5 1014/cm2和Ns =2 1015/cm2)注入

23、情況，從退火特性與溫度變化關(guān)系可分為三個(gè)溫度區(qū)：I區(qū)(500 C以下)'區(qū)(500600 C)、川區(qū)(600 C以上)。其中I、川區(qū)均表現(xiàn)為電激活比例隨著退火溫度升高而增加；n區(qū)則表現(xiàn)出反常退火特性，出現(xiàn)逆退火現(xiàn)象 -隨著溫度升高電激活比例反而下降。當(dāng)退火溫度在500 600 C的范圍內(nèi)，點(diǎn)缺陷通過(guò)重新組合或結(jié)團(tuán)，例如凝聚為位錯(cuò)環(huán)一類較大尺寸的缺陷團(tuán)(二次缺陷)，降低其能量。因?yàn)榕鹪臃浅Ｐ〔⒑腿毕輬F(tuán)有很強(qiáng)的作用，很容易遷移或被結(jié)合到缺 陷團(tuán)中，處于非激活位置，因而出現(xiàn)隨溫度的升高而替位硼的濃度下降的現(xiàn)象，也就是自由載流子濃度隨溫度上升而下降的現(xiàn)象。在600 C附近替位硼濃度降到一個(gè)最

24、低值。與500 C情況相比，在區(qū)域n 600C它的最后狀態(tài)是少量替代位B和大量沒(méi)有規(guī)定晶格位置的非替代位硼原子。因此硼可能淀積在位錯(cuò)處或靠近位錯(cuò)處。15. 什么是溝道效應(yīng)？如何才能避免？對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無(wú)規(guī)則的，而是將沿溝道運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞，因此來(lái)自靶原子的阻止作用要小得多，而且溝道中的電子密度很低，受到的電子阻止也很小，這些離子的能量損失率就很低。在其他條件相同的情況下，很難控制注入離子的濃度分布，注入深度大于在無(wú)定形靶中的深度并使注入離子的分布產(chǎn)生一個(gè)很長(zhǎng)的拖尾，注入縱向分布峰值與高斯分布不 同，這種現(xiàn)象稱為離子注入的溝道效應(yīng)(Cha nneling effect )。減少溝道效應(yīng)的措施：(1)對(duì)大的離子，沿溝道軸向(110)偏離