TD網(wǎng)絡(luò)MOS提升實(shí)施方案及實(shí)施效果評估

1、TD網(wǎng)絡(luò)MOS提升方案及實(shí)施效果評估一、背景移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的通話質(zhì)量是衡量用戶感知的重要指標(biāo)，也是網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化工作的重中之重。通常用 DT路測中的平均意見分值 MOS來評估通 話質(zhì)量。MOS評價(jià)采用ITU-T P.862建議書提供的語音感受質(zhì)量評估 PESQ方法，由專門的儀器或軟件進(jìn)行測試；該方法是按照用戶聽覺 感受來評估語音質(zhì)量，得出的結(jié)果最接近人的真實(shí)感受 。矚慫潤厲釤瘞睞櫪廡賴。目前雖然TD網(wǎng)絡(luò)覆蓋日趨完善、KPI指標(biāo)穩(wěn)步提升，但是仍然 存在較多的用戶感知問題，比如死機(jī)、掉話、未接通、不可及時(shí)長較 長、單通、雜音等問題，其中單通、雜音等問題都嚴(yán)重影響語音感知。 TD網(wǎng)絡(luò)的主要語音感知問題有：聞創(chuàng)溝

2、燴鐺險(xiǎn)愛氌譴凈。1、在開啟TRFO的情況下，部分區(qū)域 MOS較差，未達(dá)到3.5；2、TD網(wǎng)絡(luò)的MOS均值在移動(dòng)環(huán)境下比在靜止環(huán)境下惡化很多；MOS均值定點(diǎn)測試DT測試3、TD網(wǎng)絡(luò)下的MOS均值比WCDMA網(wǎng)絡(luò)下的MOS均值低針對現(xiàn)網(wǎng)中MOS問題，我們進(jìn)行TD網(wǎng)絡(luò)語音質(zhì)量專項(xiàng)提升工 作。二、問題分析通過對MOS問題系統(tǒng)性的排查、分析，發(fā)現(xiàn)影響TD網(wǎng)絡(luò)MOS 的主要因素有：無線環(huán)境及切換、測試設(shè)備（MOS盒、測試終端）、 參數(shù) 。 殘騖樓諍錈瀨濟(jì)溆塹籟。1、無線環(huán)境及切換弱覆蓋及干擾，會導(dǎo)致C/I變差；切換過程中，可能會出現(xiàn)丟幀， 它們都會影響語音質(zhì)量。1）無線環(huán)境對MOS的影響弱覆蓋、信號快衰落

3、，造成C/I變差，導(dǎo)致終端解調(diào)性能較差，影響語音質(zhì)量系統(tǒng)外干擾、系統(tǒng)內(nèi)干擾（頻點(diǎn)、擾碼復(fù)用度不夠）都會影響網(wǎng)絡(luò)接收C/1,降低基站解調(diào)能力，導(dǎo)致語音幀解析出錯(cuò)，形成丟 幀，影響語音質(zhì)量 釅錒極額閉鎮(zhèn)檜豬訣錐。2)切換對MOS的影響從原信道切換到目標(biāo)信道可能存在 lub接口下行語音幀丟失,影響語音質(zhì)量 切換延時(shí)越長、次數(shù)越多，切換邏輯順序不合理，都會影響語音質(zhì)量使用相同MOS盒及測試終端，在定點(diǎn)、移動(dòng)不切換、 DT測試三種場景下進(jìn)行對比測試，定點(diǎn)測試的無線環(huán)境最穩(wěn)定，測試得到的MOS均值最好；移動(dòng)不切換場景測試得到的 MOS均值次之；而DT 場景中，無線環(huán)境變化最大，切換次數(shù)最多， MOS均值最

4、差 。 彈貿(mào)攝 爾霽斃攬磚鹵廡。2、測試設(shè)備不同的MOS盒、測試終端測試得到的 MOS值差異較大1)MOS盒差異在DT測試場景下，當(dāng)測試終端都使用 LC8142時(shí)，使用集團(tuán)三網(wǎng)對比的鼎利多路 MOS箱測試結(jié)果比使用鼎利多路 MOS盒好；謀養(yǎng)摶篋飆鐸懟類蔣薔。在DT測試場景下，當(dāng)MOS盒都使用鼎利多路MOS箱測試時(shí), 使用DX188測試終端測試結(jié)果比聯(lián)芯8142測試終端好； 廈礴懇蹣駢時(shí)盡繼價(jià)騷。3)TD測試終端與WCDMA測試終端差異理論上，WCDMA/TD都采用AMR12.2K的編碼方式，理想環(huán)境下，它們兩種制式的終端測試得到的 MOS應(yīng)當(dāng)差別不大。但是,在實(shí)驗(yàn)室測試中，在定點(diǎn)的無線環(huán)境下，

5、TD終端測試得到的 MOS均值也比 WCDMA終端要差 。 煢楨廣鰳鯡選塊網(wǎng)羈淚。側(cè)或者有線傳輸部分（NODEB處理、IUB 口處理、RNC處理、IU 口處理、CN處理）、空口傳輸部分、終端處理部分。在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，我們對TD、WCDMA的主叫UE側(cè)、主叫NODEB側(cè)、被叫NODEB 側(cè)都進(jìn)行了數(shù)據(jù)包跟蹤，發(fā)現(xiàn)在各環(huán)節(jié)數(shù)據(jù)包完全一致（沒有錯(cuò)包） 的情況下，TD終端測試得到的MOS均值仍然比WCDMA終端要差。 因此，可以確認(rèn)，TD終端的編解碼和后處理能力相對 WCDMA終端 差。鵝婭盡損鵪慘歷蘢鴛賴。3、參數(shù)影響MOS的參數(shù)主要有TrFO、外環(huán)功率控制參數(shù)、下行最小發(fā) 射功率等參數(shù)。1）TrFO

6、參數(shù)TrFO是Transcoder Free Operations縮寫，是一種帶外的協(xié)商機(jī)制，可通過MSC SERVER之間的信令進(jìn)行協(xié)商，使得網(wǎng)絡(luò)可以在呼 叫建立前就對編碼的類型和模式進(jìn)行協(xié)商，經(jīng)協(xié)商后，移動(dòng)用戶之間的呼叫可以完全不經(jīng)過編解碼器，從而提高話音質(zhì)量 。 籟叢媽羥為贍債蟶練淨(jìng)。MSC Sfiffvar-OM1SC Sarver-TTrFO原理圖長沙目前已經(jīng)全部開啟 TrFO功能，開啟TrFO后，MOS值可以 提升 0.10.2。2）外環(huán)功控參數(shù)TD系統(tǒng)屬于CDMA系統(tǒng)，存在自干擾，為了減小自干擾，提高 系統(tǒng)的容量，要求在滿足 QOS要求的前提下，盡量用更少的功率發(fā) 射，這一切就是

7、靠功率控制來完成的 。預(yù)頌圣鉉儐歲齦訝驊糴。測最接收藪據(jù)測量傳輸倍道上的BLER可以»JBLERfe定BLER井與目標(biāo)/測*接收信號SIR比較200 Hz的業(yè)務(wù)軸ELER相比饕/if FitSMtrBLER內(nèi)幵RNCNodeEJUE10- 100HzTD系統(tǒng)中的功控分為內(nèi)環(huán)功控和外環(huán)功控，其中內(nèi)環(huán)功控的作 用是讓SIR的測量值盡可能接近SIR的目標(biāo)值，其基本思想是：滲釤嗆 儼勻諤鱉調(diào)硯錦。SIR測量值SIR目標(biāo)值，要求終端降低功率；SIR測量值=SIR目標(biāo)值，要求終端提升功率；外環(huán)功控的思想就為內(nèi)環(huán)設(shè)定一個(gè)合適的SIR目標(biāo)值，從而保證業(yè)務(wù)的BLER符合預(yù)期的目標(biāo)值，其中BLER的目標(biāo)

8、值是根據(jù)業(yè)務(wù)的 QOS需求來的，對于語音業(yè)務(wù)通常設(shè)為 1%，外環(huán)的基本思想是：鐃 誅臥瀉噦圣騁貺頂廡。BLER測量值BLER目標(biāo)值，要求NODEB提高上行SIR目標(biāo) 值；BLER測量值VBLER目標(biāo)值，要求NODEB降低上行SIR目標(biāo) 值；BLER測量值二BLER目標(biāo)值，保持當(dāng)前SIR目標(biāo)值不變； 在內(nèi)環(huán)和外環(huán)的共同作用下，就能保證用戶總是用合理的功率來 發(fā)射。WCDMA內(nèi)環(huán)功率控制1500次/秒，而TD內(nèi)環(huán)功控僅200次/ 秒。在移動(dòng)速率超過 30 公里的時(shí)候，如果采用比較保守的外環(huán)功控 參數(shù)，在無線環(huán)境較差時(shí)，無法快速提升終端的發(fā)射功率，就無法對 抗信號的快速衰落，導(dǎo)致誤塊率上升， MOS

9、 值降低 。 擁締鳳襪備訊顎輪爛薔。3）下行最小發(fā)射功率下行最小發(fā)射功率表示下行專用物理信道 DPCH 的最小發(fā)射功 率，是相對于 PCCPCH 單碼道的偏移值，它的取值范圍為 -3515dBm。 現(xiàn)網(wǎng)默認(rèn)取值為-23dB，相當(dāng)于7dBm 。 贓熱俁閫歲匱閶鄴鎵騷。在無線環(huán)境較好的時(shí)候， 下行發(fā)射功率會維持在較低的水平， 而 且隨著無線質(zhì)量的上升， 下行發(fā)射功率會進(jìn)一步減小， 甚至保持在最 小發(fā)射功率；當(dāng)無線環(huán)境突然惡化時(shí)，如果下行發(fā)射功率過小， NODEB 有可能無法及時(shí)抬升下行發(fā)射功率，也就無法對抗無線信號 的快衰落，導(dǎo)致誤塊率上升， MOS 值降低 。 壇摶鄉(xiāng)囂懺蔞鍥鈴氈淚。三、解決方案

10、在影響 MOS 的因素中，無線環(huán)境問題需要通過 TD 網(wǎng)絡(luò)日常優(yōu) 化工作，減小弱覆蓋區(qū)域，理順切換關(guān)系，提高 C/I ，提升語音感知； 而測試設(shè)備存在較大不可控因素， 需要對各測試設(shè)備進(jìn)行檢查， 督促 性能較差的終端設(shè)備廠商對測試設(shè)備進(jìn)行改進(jìn) 。 蠟變黲癟報(bào)倀鉉錨鈰贅。我們重點(diǎn)針對功控參數(shù)、下行最小發(fā)射功率參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)分析， 提出 MOS 提升方案。1、 MOS 值提升方案1）外環(huán)功控參數(shù)調(diào)整方案目前外環(huán)功控參數(shù)設(shè)置較保守，我們采用“快升慢降”策略。 增大上行外環(huán)功控的SIR目標(biāo)值上調(diào)步長，終端發(fā)射功率及 時(shí)跟隨環(huán)境變化，上行 DCH信道BLER差的問題會快速得到 改善，MOS值得到改善； 買

11、鯛鴯譖曇膚遙閆擷凄。降低上行外環(huán)功控的SIR目標(biāo)值下調(diào)步長，終端發(fā)射功率每 次調(diào)整下降的幅度變小，拉長終端強(qiáng)功率發(fā)射的時(shí)間，降低 BLER惡化的概率 綾鏑鯛駕櫬鶘蹤韋轔糴。上行外環(huán)功控SIR目標(biāo)值 上調(diào)步長上行外環(huán)功控SIR目標(biāo)值 下調(diào)步長現(xiàn)網(wǎng)0.3dB0.3dB優(yōu)化后0.8dB0.1dB2）下行最小發(fā)射功率調(diào)整方案通過提升下行最小發(fā)射功率，避免在無線信號良好的地方，下行 最小發(fā)射功率過低。當(dāng)無線環(huán)境突然惡化時(shí)，能夠?qū)篃o線信號的快 衰落。驅(qū)躓髏彥浹綏譎飴憂錦。下行最小發(fā)射功率現(xiàn)網(wǎng)-23dB優(yōu)化后-18dB2、MOS提升方案測試、評估方法為了對MOS提升方案進(jìn)行客觀評估，我們對各項(xiàng)方案進(jìn)行了對

12、 比測試，包括：現(xiàn)網(wǎng)默認(rèn)參數(shù)配置下的基準(zhǔn)測試；外環(huán)功控參數(shù)優(yōu)化后的對比測試；下行最小發(fā)射功率調(diào)整后的對比測試；測試的場景包括：定點(diǎn) CQT 測試；鎖定在某一個(gè)小區(qū)進(jìn)行移動(dòng)不切換測試；DT 測試；對比的評估準(zhǔn)則包括：MOS 均值；MOS 差點(diǎn)的比例（ MOS 小于 3 定義為差點(diǎn)）；KPI 指標(biāo)；測試設(shè)備：使用一套鼎利多路 MOS 盒及兩臺 LC8142。3、 MOS 提升測試環(huán)境測試地點(diǎn)在長沙的星沙，共涉及 RNC1799下53個(gè)小區(qū)。根據(jù)無線環(huán)境，我們選擇定點(diǎn) CQT、移動(dòng)不切換、DT測試三種 場景，其中定點(diǎn) CQT 測試和移動(dòng)不切換測試在天潤玻璃 1（19211） 和山河智能二產(chǎn)業(yè)園 2（

13、19402）兩個(gè)小區(qū)進(jìn)行 。 貓蠆驢繪燈鮒誅髏貺廡。DT 測試路線如下圖所示iomH id1120.67lie甌埔IOL911GC1D3'It油器廠ZT閃3013叨軀GCiaiD4r.Bl幹:%V>KlkhElonsfej-ll?上曲釦,、址岐少區(qū)螢孑弗妙峽挪lCLD4r7flIVT-BEIODIS'SSGC1«OM,皿2山01009610096u661DD30.111I2B2O42JT104BQ.左抄艮芒需晌T,-n 0盤 4mhlOlLZjB?1003605“milunzTCTZT-B03OD19Z5G毎3M卵r帥"PjIEBZT-BSSOOI?i

14、a.i04/4a丄帕站訴丄坐3不族國國確託汩旳DOld1013010f2rW1011204710120.1102JLOD 帥"100911011271101.各桂創(chuàng)lODSQj-四、測試結(jié)果1、各場景對比測試結(jié)果對不同場景下各種方案進(jìn)行對比測試，測試結(jié)果如下: 1）定點(diǎn)場景下各方案對比測試結(jié)果定點(diǎn)場景下各方案對比測試結(jié)果表明：外環(huán)功控參數(shù)、下行最小發(fā)射功率調(diào)整后，MOS均值小幅提升，MOS大于3的比例無變化2)移動(dòng)無切換場景下各方案對比測試結(jié)果移動(dòng)無切換場景下各方案對比測試結(jié)果表明:外環(huán)功控參數(shù)、下行最小發(fā)射功率調(diào)整后，MOS均值、MOS 值大于3的比例得到提升;3)DT測試場景下各方案對比測試結(jié)果外環(huán)功控參數(shù)、下行最小發(fā)射功率調(diào)整后，MOS均值、MOS大于3的比例得到提升；2、KPI指標(biāo)變化情況我們對各種方案實(shí)施后的KPI指標(biāo)進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析，結(jié)果如下:1）語音業(yè)務(wù)掉話率下降2）語音業(yè)務(wù)接通率提升明顯3）PS域無線掉線率下降PS域無線接通率93.3