電磁爐工作原理及維修

1、電磁爐工作原理及維修簡介 1.1 電磁加熱原理 電磁灶是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將 50/60Hz 的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為 20-40KHz 的高頻電壓，高速變化的電流流過線圈會產(chǎn)生高速變化的磁場，當(dāng)磁場內(nèi)的磁力線通過金屬器皿 ( 導(dǎo)磁又導(dǎo)電材料 ) 底部金屬體內(nèi)產(chǎn)生無數(shù)的小渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的東西。 1.2 47 系列筒介 47 系列是由正夫人旗下中山電子技術(shù)開發(fā)制造廠設(shè)計開發(fā)的全新一代電磁爐 ,面板 有 LED 發(fā)光二極管顯示模式、 LED 數(shù)碼顯示模式、 LCD 液晶顯示模式

2、、 VFD 瑩光顯示模式、 TFT 真彩顯示模式機種。操作功能有加熱火力調(diào)節(jié)、自動恒溫設(shè)定、定時關(guān)機、預(yù)約開 / 關(guān)機、預(yù)置操作模式、自動泡茶、自動煮飯、自動煲粥、自動煲湯及煎、炸、烤、火鍋等料理功能機種。額定加熱功率有 500W3400W 的不同機種 , 功率調(diào)節(jié)范圍為額定功率的 90%, 并且在全電壓范圍內(nèi)功率自動恒定。 200240V 機種電壓使用范圍為 160260V, 100120V 機種電壓使用范圍為 90135V 。全系列機種均適用于 50 、 60Hz 的電壓頻率。使用環(huán)境溫度為 -23 45 。電控功能有鍋具超溫保護、鍋具干燒保護、鍋具傳感器開 / 短路保護、 2 小時不按鍵

3、 ( 忘鉀機 ) 保護、 IGBT 溫度限制、 IGBT 溫度過高保護、低溫環(huán)境工作模式、 IGBT 測溫傳感器開 / 短路保護、高低電壓保護、浪涌電壓保護、 VCE 抑制、 VCE 過高保護、過零檢測、小物檢測、鍋具材質(zhì)檢測。 47 系列須然機種較多 , 且功能復(fù)雜 , 但不同的機種其主控電路原理一樣 , 區(qū)別只是零件參數(shù)的差異及 CPU 程序不同而己。電路的各項測控主要由一塊 8 位 4K 內(nèi)存的單片機組成 , 外圍線路簡單且零件極少 , 并設(shè)有故障報警功能 , 故電路可靠性高 , 維修容易 , 維修時根據(jù)故障報警指示 , 對應(yīng)檢修相關(guān)單元電路 , 大部分均可輕易解決。 二、電磁爐工作原理

4、分析 2.1 特殊零件簡介 2.1.1 LM339 集成電路 LM339 內(nèi)置四個翻轉(zhuǎn)電壓為 6mV 的電壓比較器 , 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓正向時 (+ 輸入端電壓高于 - 入輸端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管截止 , 此時輸出端相當(dāng)于開路 ; 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時 (- 輸入端電壓高于 + 輸入端電壓 ), 置于 LM339 內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通 , 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低 , 此時輸出端為 0V 。 2.1.2 IGBT 絕緣雙柵極晶體管 (Iusulated Gate Bipolar Transistor)簡稱IGBT,是一種集BJT的大電

5、流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優(yōu)點于一體的高壓、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工藝制作的 IGBT, 但它們均可被看作是一個MOSFET輸入跟隨一個雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)。 IGBT有三個電極(見上圖), 分別稱為柵極G(也叫控制極或門極) 、集電極C(亦稱漏極) 及發(fā)射極E(也稱源極) 。 從IGBT的下述特點中可看出, 它克服了功率MOSFET的一個致命缺陷, 就是于高壓大電流工作時, 導(dǎo)通電阻大, 器件發(fā)熱嚴重, 輸出效率下降。 IGBT的特點: 1.電流密度大, 是MOSFET的數(shù)十倍。 2.輸入阻抗高, 柵驅(qū)動功率極小, 驅(qū)動電路簡單。 3.低導(dǎo)通電阻。在給定芯片

6、尺寸和BVceo下, 其導(dǎo)通電阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。 4.擊穿電壓高, 安全工作區(qū)大, 在瞬態(tài)功率較高時不會受損壞。 5.開關(guān)速度快, 關(guān)斷時間短,耐壓1kV1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us, 約為GTR的10%,接近于功率MOSFET, 開關(guān)頻率直達100KHz, 開關(guān)損耗僅為GTR的30%。 IGBT將場控型器件的優(yōu)點與GTR的大電流低導(dǎo)通電阻特性集于一體, 是極佳的高速高壓半導(dǎo)體功率器件。 目前 458 系列因應(yīng)不同機種采了不同規(guī)格的 IGBT, 它們的參數(shù)如下 : (1) SGW25N120- 西門子公司出品 , 耐壓 120

7、0V, 電流容量 25 時 46A,100 時 25A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時須配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 10A/1200/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SKW25N120 。 (2) SKW25N120- 西門子公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時 46A,100 時 25A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120, 代用時將原配套 SGW25N120 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (3) GT40Q321- 東芝公司出品 , 耐壓 1200

8、V, 電流容量 25 時 42A,100 時 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (4) GT40T101- 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 時 80A,100 時 40A, 內(nèi)部不帶阻尼二極管 , 所以應(yīng)用時須配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 使用 , 該 IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q3

9、21, 配套 15A/1500V 以上的快速恢復(fù)二極管 (D11) 后可代用 GT40T301 。 (5) GT40T301- 東芝公司出品 , 耐壓 1500V, 電流容量 25 時 80A,100 時 40A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120 、 GT40Q321 、 GT40T101, 代用 SGW25N120 和 GT40T101 時請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (6) GT60M303 - 東芝公司出品 , 耐壓 900V, 電流容量 25 時 120A,100 時 60A, 內(nèi)部帶阻尼二極管。

10、(7) GT40Q323- 東芝公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時 40A,100 時 20A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 (8) FGA25N120- 美國仙童公司出品 , 耐壓 1200V, 電流容量 25 時 42A,100 時 23A, 內(nèi)部帶阻尼二極管 , 該 IGBT 可代用 SGW25N120 、 SKW25N120, 代用 SGW25N120 時請將原配套該 IGBT 的 D11 快速恢復(fù)二極管拆除不裝。 2

11、.2 電路方框圖 2.3 主回路原理分析 時間 t1t2 時當(dāng)開關(guān)脈沖加至 IGBTQ1 的 G 極時 , IGBTQ1 飽和導(dǎo)通 , 電流 i1 從電源流過 L1, 由于線圈感抗不允許電流突變 . 所以在 t1t2 時間 i1 隨線性上升 , 在 t2 時脈沖結(jié)束 , IGBTQ1 截止 , 同樣由于感抗作用 ,i1 不能立即突變 0, 于是向 C3 充電 , 產(chǎn)生充電電流 i2, 在 t3 時間 ,C3 電荷充滿 , 電流變 0, 這時 L1 的磁場能量全部轉(zhuǎn)為 C3 的電場能量 , 在電容兩端出現(xiàn)左負右正 , 幅度達到峰值電壓 , 在 IGBTQ1 的 CE 極間出現(xiàn)的電壓實際為逆程脈沖

12、峰壓 + 電源電壓 , 在 t3t4 時間 ,C3 通過 L1 放電完畢 ,i3 達到最大值 , 電容兩端電壓消失 , 這時電容中的電能又全部轉(zhuǎn)化為 L1 中的磁能 , 因感抗作用 ,i3 不能立即突變 0, 于是 L1 兩端電動勢反向 , 即 L1 兩端電位左正右負 , 由于 IGBT 內(nèi)部阻尼管的存在 ,C3 不能繼續(xù)反向充電 , 而是經(jīng)過 C2 、 IGBT 阻尼管回流 , 形成電流 i4, 在 t4 時間 , 第二個脈沖開始到來 , 但這時 IGBTQ1 的 UE 為正 ,UC 為負 , 處于反偏狀態(tài) , 所以 IGBTQ1 不能導(dǎo)通 , 待 i4 減小到 0,L1 中的磁能放完 ,

13、即到 t5 時 IGBTQ1 才開始第二次導(dǎo)通 , 產(chǎn)生 i5 以后又重復(fù) i1i4 過程 , 因此在 L1 上就產(chǎn)生了和開關(guān)脈沖 f(20KHz30KHz) 相同的交流電流。 t4t5 的 i4 是 IGBT 內(nèi)部阻尼管的導(dǎo)通 電流 , 在高頻電流一個電流周期里 ,t2t3 的 i2 是線盤磁能對電容 C3 的充電電流 ,t3t4 的 i3 是逆程脈沖峰壓通過 L1 放電的電流 ,t4t5 的 i4 是 L1 兩端電動勢反向時 , 因的存在令 C3 不能繼續(xù)反向充電 , 而經(jīng)過 C2 、 IGBT 阻尼管回流所形成的阻尼電流 ,IGBTQ1 的導(dǎo)通電流實際上是 i1 。 IGBTQ1 的 V

14、CE 電壓變化 : 在靜態(tài)時 ,UC 為輸入電源經(jīng)過整流后的直流電源 ,t1t2,IGBTQ1 飽和導(dǎo)通 ,UC 接近地電位 ,t4t5, IGBT 阻尼管導(dǎo)通 ,UC 為負壓 ( 電壓為阻尼二極管的順向壓降 ),t2t4, 也就是 LC 自由振蕩的半個周期 ,UC 上出現(xiàn)峰值電壓 , 在 t3 時 UC 達到最大值。 以上分析證實兩個問題 : 一是在高頻電流的一個周期里 , 只有 i1 是電源供給 L 的能量 , 所以 i1 的大小就決定加熱功率的大小 , 同時脈沖寬度越大 ,t1t2 的時間就越長 ,i1 就越大 , 反之亦然 , 所以要調(diào)節(jié)加熱功率 , 只需要調(diào)節(jié)脈沖的寬度 ; 二是 L

15、C 自由振蕩的半周期時間是出現(xiàn)峰值電壓的時間 , 亦是 IGBTQ1 的截止時間 , 也是開關(guān)脈沖沒有到達的時間 , 這個時間關(guān)系是不能錯位的 , 如峰值脈沖還沒有消失 , 而開關(guān)脈沖己提前到來 , 就會出現(xiàn)很大的導(dǎo)通電流使 IGBTQ1 燒壞 , 因此必須使開關(guān)脈沖的前沿與峰值脈沖后沿相同步。 2.4 振蕩電路 (1) 當(dāng) PWM 點有 Vi 輸入時、 V7 OFF 時 (V7=0V), V5 等于 D6 的順向壓降 , 而當(dāng) V5<V6 之后 ,V7 由 OFF 轉(zhuǎn)態(tài)為 ON,V6 亦上升至 Vi, 而 V5 則由 R20 向 C16 充電。 (2) 當(dāng) V5>V6 時 ,V7

16、 轉(zhuǎn)態(tài)為 OFF,V6 亦降至 D6 的順向壓降 , 而 V5 則由 C16 、 D6 放電。 (3) V5 放電至小于 V6 時 , 又重復(fù) (1) 形成振蕩。 “ G 點輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小”。 2.5 IGBT 激勵電路 振蕩電路輸出幅度約 4.1V 的脈沖信號 , 此電壓不能直接控制 IGBT 的飽和導(dǎo)通及截止 , 所以必須通過激勵電路將信號放大才行 , 該電路工作過程如下 : (1) V8 OFF 時 (V8=0V),V8<V9,V10 為高 ,Q1 導(dǎo)通、 Q4 截止 ,IGBT 的 G 極為 0V,IGBT

17、 截止。 (2) V8 ON 時 (V8=4.1V),V8>V9,V10 為低 ,Q81 截止、 Q4 導(dǎo)通 ,+18V 通過 R23 、 Q4 和 Q1 的 E 極加至 IGBT 的 G 極 ,IGBT 導(dǎo)通。 2.6 PWM 脈寬調(diào)控電路 CPU 輸出 PWM 脈沖到由 R30 、 C27 、 R31 組成的積分電路 , PWM 脈沖寬度越寬 ,C28 的電壓越高 ,C29 的電壓也跟著升高 , 送到振蕩電路 (G 點 ) 的控制電壓隨著 C29 的升高而升高 , 而 G 點輸入的電壓越高 , V7 處于 ON 的時間越長 , 電磁爐的加熱功率越大 , 反之越小。 “ CPU 通過控

18、制 PWM 脈沖的寬與窄 , 控制送至振蕩電路 G 的加熱功率控制電壓，控制了 IGBT 導(dǎo)通時間的長短 , 結(jié)果控制了加熱功率的大小”。 2.7 同步電路 市電經(jīng)整流器整流、濾波后的 310V 直流電，由 R15+R14 、 R16 分壓產(chǎn)生 V3,R1+R17 、 R28 分壓產(chǎn)生 V4, 在高頻電流的一個周期里 , 在 t2t4 時間 ( 圖 1), 由于 C14 兩端電壓為上負下正 , 所以 V3<V4,V5OFF(V5=0V) 振蕩電路 V6>V5,V7 OFF(V7=0V), 振蕩沒有輸出 , 也就沒有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極 , 保證了 Q1 在 t2t4 時間

19、 不會導(dǎo)通 , 在 t4t6 時間 ,C3 電容兩端電壓消失 , V3>V4, V5 上升 , 振蕩有輸出 , 有開關(guān)脈沖加至 Q1 的 G 極。以上動作過程 , 保證了加到 Q1 G 極上的開關(guān)脈沖前沿與 Q1 上產(chǎn)生的 VCE 脈沖后沿相同步。 2.8 加熱開關(guān)控制 (1) 當(dāng)不加熱時 ,CPU 17 腳輸出低電平 ( 同時 CPU 10 腳也停止 PWM 輸出 ), D7 導(dǎo)通 , 將 LM339 9 電壓拉低 , 振蕩停止 , 使 IGBT 激勵電路停止輸出 ,IGBT 截止 , 則加熱停止。 開始加熱時 , CPU 17 腳輸出高電平 ,D7 截止 , 同時 CPU 10 腳開

20、始間隔輸出 PWM 試探信號 , 同時 CPU 通過分析電流檢測電路和 VAC 檢測電路反饋的電壓信息、 VCE 檢測電路反饋的電壓波形變化情況 , 判斷是否己放入適合的鍋具 , 如果判斷己放入適合的鍋具 ,CPU10 腳轉(zhuǎn)為輸出正常的 PWM 信號 , 電磁爐進入正常加熱狀態(tài) , 如果電流檢測電路、 VAC 及 VCE 電路反饋的信息 , 不符合條件 ,CPU 會判定為所放入的鍋具不符 (2) 或無鍋 , 則繼續(xù)輸出 PWM 試探信號 , 同時發(fā)出指示無鍋的報知信息 ( 見故障代碼表 ), 如 30 秒鐘內(nèi)仍不符合條件 , 則關(guān)機。 2.9 VAC 檢測電路 AC220V 由 D17 、 D

21、18 整流的脈動直流電壓通過 R40 限流再經(jīng)過， C33 、 R39 C32 組成的型濾波器進行濾波后的電壓，經(jīng) R38 分壓后的直流電壓，送入 CPU 6 , 根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化 ,CPU 會自動作出各種動作指令。 (1) 判別輸入的電源電壓是否在充許范圍內(nèi) , 否則停止加熱 , 并報知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (2) 配合電流檢測電路、 VCE 電路反饋的信息 , 判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié) ) 。 (3) 配合電流檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息 , 調(diào)控 PWM 的脈寬 , 令輸出功率保持穩(wěn)定。 “電源輸入

22、標準 220V ± 1V 電壓 , 不接線盤 (L1) 測試 CPU 第 6 腳電壓 , 標準為 2.65V ± 0.06V ”。 2.10 電流檢測電路 電流互感器 CT1 二次測得的 AC 電壓 , 經(jīng) D1D4 組成的橋式整流電路整流、 R12 、 R13 分壓， C11 濾波 , 所獲得的直流電壓送至 CPU 5 腳 , 該電壓越高 , 表示電源輸入的電流越大 , CPU 根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化 , 自動作出各種動作指令 : (1) 配合 VAC 檢測電路、 VCE 電路反饋的信息 , 判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié)

23、 ) 。 (2) 配合 VAC 檢測電路反饋的信息及方波電路監(jiān)測的電源頻率信息 , 調(diào)控 PWM 的脈寬 , 令輸出功率保持穩(wěn)定。 2.11 VCE 檢測電路 將 IGBT(Q1) 集電極上的脈沖電壓通過 R1+R17 、 R28 分壓 R29 限流后，送至 LM339 6 腳 , 在 6 腳上獲得其取樣電壓 , 此反影了 IGBT 的 VCE 電壓變化的信息送入 LM339, LM339 根據(jù)監(jiān)測該電壓的變化 , 自動作出電壓比較而決定是否工作。 (1) 配合 VAC 檢測電路、電流檢測電路反饋的信息 , 判別是否己放入適合的鍋具 , 作出相應(yīng)的動作指令 ( 見加熱開關(guān)控制及試探過程一節(jié) )

24、 。 (2) 根據(jù) VCE 取樣電壓值 , 自動調(diào)整 PWM 脈寬 , 抑制 VCE 脈沖幅度不高于 1050V( 此值適用于耐壓 1200V 的 IGBT, 耐壓 1500V 的 IGBT 抑制值為 1300V) 。 (3) 當(dāng)測得其它原因?qū)е?VCE 脈沖高于 1150V 時 ( 此值適用于耐壓 1200V 的 IGBT, 耐壓 1500V 的 IGBT 此值為 1400V), LM339 立即停止工作 ( 見故障代碼表 ) 。 2.12 浪涌電壓監(jiān)測電路 當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時 , 由 D17 、 D18 和整流橋 DB 內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈

25、動直流電壓，當(dāng)電源突然有浪涌電壓輸入時 , 此電壓通過 R41 、 C34 耦合 , 再經(jīng)過 R42 分壓， R44 限流 C35 濾波后的電壓，控制 Q5 的基極，基極為 高電平時 , 電壓 Q5 基極 ,Q5 飽和導(dǎo)通 ,CPU 17 的電平通過 Q5 至地 ,PWM 停止輸出，本機停止工作 ; 當(dāng) 浪涌脈沖過后 , Q5 的基極為 低電平 ,Q5 截止 , CPU 17 的電平通過 Q5 至地 , CPU 再重新發(fā)出加熱指令。 2.13 過零檢測 當(dāng)正弦波電源電壓處于上下半周時 , 由 D17 、 D18 和整流橋 DB 內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成的橋式整流電路產(chǎn)生的脈動直流電

26、壓通過 R40 限流再經(jīng)過， C33 、 R39 C32 組成的型濾波器進行濾波后的電壓，經(jīng) R38 分壓后的電壓，在 CPU 6 則形成了與電源過零點相同步的方波信號 ,CPU 通過監(jiān)測該信號的變化 , 作出相應(yīng)的動作指令。 2.14 鍋底溫度監(jiān)測電路 加熱鍋具底部的溫度透過微晶玻璃板傳至緊貼玻璃板底的負溫度系數(shù)熱敏電阻 , 該電阻阻值的變化間接反影了加熱鍋具的溫度變化 ( 溫度 / 阻值祥見熱敏電阻溫度分度表 ), 熱敏電阻與 R4 分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的變化 , 即加熱鍋具的溫度變化 , CPU 8 腳通過監(jiān)測該電壓的變化 , 作出相應(yīng)的動作指令 : (1) 定溫功能時

27、 , 控制加熱指令 , 另被加熱物體溫度恒定在指定范圍內(nèi)。 (2) 當(dāng)鍋具溫度高于 270 時 , 加熱立即停止 , 并報知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (3) 當(dāng)鍋具空燒時 , 加熱立即停止 , 并報知信息 ( 見故障代碼表 ) 。 (4) 當(dāng)熱敏電阻開路或短路時 , 發(fā)出不啟動指令 , 并報知相關(guān)的信息 ( 見故障代碼表 ) 。 2.15 IGBT 溫度監(jiān)測電路 IGBT 產(chǎn)生的溫度透過散熱片傳至緊貼其上的負溫度系數(shù)熱敏電阻 TH, 該電阻阻值的變化間接反影了 IGBT 的溫度變化 ( 溫度 / 阻值祥見熱敏電阻溫度分度表 ), 熱敏電阻與 R8 分壓點的電壓變化其實反影了熱敏電阻阻值的

28、變化 , 即 IGBT 的溫度變化 , CPU 通過監(jiān)測該電壓的變化 , 作出相應(yīng)的動作指令 : (1) IGBT 結(jié)溫高于 90 時 , 調(diào)整 PWM 的輸出 , 令 IGBT 結(jié)溫 90 。 當(dāng) IGBT 結(jié)溫由于某原因 ( 例如散熱系統(tǒng)故障 ) 而高于 95 (2) 時 , 加熱立即停止 , 并報知信息 ( 祥見故障代碼表 ) 。 (3) 當(dāng)熱敏電阻 TH 開路或短路時 , 發(fā)出不啟動指令 , 并報知相關(guān)的信息 ( 祥見故障代碼表 ) 。 (4) 關(guān)機時如 IGBT 溫度 >50 ,CPU 發(fā)出風(fēng)扇繼續(xù)運轉(zhuǎn)指令 , 直至溫度 < 50 ( 繼續(xù)運轉(zhuǎn)超過 30 秒鐘如 溫度仍

29、>50 , 風(fēng)扇停轉(zhuǎn) ; 風(fēng)扇延時運轉(zhuǎn)期間 , 按 1 次關(guān)機鍵 , 可關(guān)閉風(fēng)扇 ) 。 (5) 電磁爐剛啟動時 , 當(dāng)測得環(huán)境溫度 <0 ,CPU 調(diào)用低溫監(jiān)測模式加熱 1 分鐘 ,30 秒鐘后再轉(zhuǎn)用正常監(jiān)測模式 , 防止電路零件因低溫偏離標準值造成電路參數(shù)改變而損壞 電磁爐。 2.16 散熱系統(tǒng) 將 IGBT 及整流器 BG 緊貼于散熱片上 , 利用風(fēng)扇運轉(zhuǎn)通過電磁爐進、出風(fēng)口形成的氣流將散熱片上的熱及線盤 L1 等零件工作時產(chǎn)生的熱、加熱鍋具輻射進電磁爐內(nèi)的熱排出電磁爐外。 CPU 15 腳發(fā)出風(fēng)扇運轉(zhuǎn)指令時 , 15 腳輸出高電平 , 電壓通過 R27 送至 Q3 基極 ,

30、Q3 飽和導(dǎo)通 ,VCC 電流流過風(fēng)扇、 Q3 至地 , 風(fēng)扇運轉(zhuǎn) ; CPU 發(fā)出風(fēng)扇停轉(zhuǎn)指令時 , 15 腳輸出低電平 ,Q3 截止 , 風(fēng)扇因沒有電流流過而停轉(zhuǎn)。 2.17 主電源 AC220V 50/60Hz 電源經(jīng)保險絲 FUSE, 再通過由 RZ 、 C1 、共模線圈 L1 組成的濾波電路 ( 針對 EMC 傳導(dǎo)問題而設(shè)置 , 祥見注解 ), 再通過電流互感器至橋式整流器 BG, 產(chǎn)生的脈動直流電壓通過扼流線圈提供給主 回路使用 ;AC1 、 AC2 兩端電壓除送至輔助電源使用外 , 另外還通過印于 PCB 板上的保險線 P.F. 送至 D1 、 D2 整流得到脈動直流電壓作檢測用

31、途。 注解 : 由于中國大陸目前并未提出電磁爐須作強制性電磁兼容 (EMC) 認證 , 基于成本原因 , 內(nèi)銷產(chǎn)品大部分沒有將 CY1 、 CY2 裝上 ,L1 用跳線取代 , 但基本上不影響電磁爐使用性能。 2.18 輔助電源 AC220V 50/60Hz 電壓接入變壓器初級線圈 , 次級兩繞組分別產(chǎn)生 2.2V 、 12V 和 18V 交流電壓。 12V 交流電壓由 D19D22 組成的橋式整流電路整流、 C37 濾波 , 在 C37 上獲得的直流電壓 VCC 除供給散熱風(fēng)扇使用外 , 還經(jīng)由 V8 三端穩(wěn)壓 IC 穩(wěn)壓、 C38 濾波 , 產(chǎn)生 +5V 電壓供控制電路使用。 18V 交流

32、電壓由 D15 組成的半波動整流電路整流、 C26 濾波后 , 再通過由 Q9 、 R33 、 DW9 、 C27 、 C28 組成的串聯(lián)型穩(wěn)壓濾波電路 , 產(chǎn)生 +18V 電壓供 IC2 和 IGBT 激勵電路使用。 2.19 報警電路 電磁爐發(fā)出報知響聲時 ,CPU1 腳輸出幅度為 5V 、頻率 4KHz 的脈沖信號電壓至蜂鳴器 BZ1, 令 BZ1 發(fā)出報知響聲。3.1 故障代碼表故障代碼 聲音備注無鍋E1 每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)電壓過低E2每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)電壓過高E3每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀態(tài)干燒保護E4每隔3秒一聲短5秒后進入待機狀

33、態(tài)IGBT超溫E55秒后進入待機狀態(tài) TH1開路E6  不能開機 TH2開路E7  不能開機電流過大E0  不能開機定時結(jié)束   立即關(guān)機保溫狀態(tài)   間歇工作說明: 代碼只適用于數(shù)顯機型,聲音報知 3.2 主板檢測標準由于電磁爐工作時,主回路工作在高壓、大電流狀態(tài)中,所以對電路檢查時必須將線盤(L1)斷開不接,否則極容易在測試時因儀器接入而改變了電路參數(shù)造成機器損壞。接上線盤試機前,應(yīng)根據(jù)3.2.1<<主板檢測表>>對主板各點作測

34、試后,一切符合才進行。3.2.1主板檢測表一、待機測試(不接入線盤,接入電源后不按任何鍵)步驟測試點標準備注不合格對策1通電發(fā)出“B”一聲 按3.2.2第(1)項查2CN7>305V確認輸入電壓為220V時按3.2.2第(2)項查3+18VDC18V±2V 按3.2.2第(3)項查4+5V5V±0.1V 按3.2.2第(4)項查5Q3G極<0.5V 按3.2.2第(5)項查6DW3正端0.12V 按3.2.2第(6)項查7B點(VAC)1.96V±0.05V確認輸入電壓為220V時 按3.2.

35、2第(7)項查8V3172V±0.05V 按3.2.2第(8)項查9V4171V±0.05V并聯(lián)1只1M電阻在C34兩端,測試完后拆除。按3.2.2第(9)項查10Q5基極0.3V±0.05V按3.2.2第(10)項查二、動檢(不接入線盤,接入電源后按開機鍵)13Q1 G極間隔出現(xiàn)12.5V此為加至Q1 G極的試探信號。按3.2.2第(13)、(14)、(15)項查14CN6兩端12V±1V風(fēng)扇應(yīng)轉(zhuǎn)動按3.2.2第(15)項查15114步驟合格再接入線盤試機,電磁爐應(yīng)能正常啟動加熱按3.2.2第(17)項查 3.2.2主板測試不合格對

36、策(1)   上電不發(fā)出“B”一聲-如果按開/關(guān)鍵指示燈亮,則應(yīng)為蜂鳴器BZ不良, 如果按開/關(guān)鍵仍沒任何反應(yīng),再測CUP第12腳+5V是否正常,如不正常,按下面第(4)項方法查之,如正常,則測晶振X1頻率應(yīng)為8MHz左右(沒測試儀器可換入另一個晶振試),如頻率正常,則為U1 CPU不良。(2)   CN7電壓低于305V-如果確認輸入電源電壓高于AC220V時,CN7測得電壓偏低,應(yīng)為C2開路或容量下降,如果該點無電壓,則檢查整流橋BG1交流輸入兩端有否AC220V,如有,則檢查L2、BG1,如沒有,則檢查互感器CT1初級是否開路、電源輸入端至整流橋入

37、端連線是否有斷裂開路現(xiàn)象。(3)   +18V故障-沒有+18V時,應(yīng)先測變壓器次級是否有交流電壓輸出,如沒有,測初級有否AC220V輸入,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級有電壓輸出,再測C19有否電壓,如沒有,則檢查C19是否短路、D8是否不良、Q2和DW2這兩零件是否都擊穿, 如果C19有電壓,而Q2很熱,則為+18V負載短路,應(yīng)查C21、C23、 U2及IGBT推動電路,如果Q2不是很熱,則應(yīng)為Q2或R26開路、DW2或C20短路。+18V偏高時,應(yīng)檢查Q2、DW2。+18V偏低時,應(yīng)檢查DW2、C20、R26,另外, +18V負載過流也會令+18V偏低,但此時Q

38、2會很熱。(4)   +5V故障-沒有+5V時,應(yīng)先測變壓器次級有否電壓輸出,如沒有,測初級有否AC220V輸入,如有則為變壓器故障, 如果變壓器次級有電壓輸出,再測C31有否電壓,如沒有,則檢查C30、V1是否短路、D12D15是否不良, 如果C30有電壓,而V1很熱,則為+5V負載短路, 應(yīng)查C31及+5V負載電路。+5V偏高時,應(yīng)為V1不良。+5V偏低時,應(yīng)為V1或+5V負載過流,而負載過流V1會很熱。(5)   待機時Q3基極電壓應(yīng)小于0.3V,風(fēng)扇不轉(zhuǎn)動。若開機時高于0.7V，風(fēng)扇不轉(zhuǎn)動，則Q3或風(fēng)扇不良。(6)   DW3

39、正端電壓應(yīng)小于0.12是否正常,如不正常，則查Q1、Q4是否正常,若Q1、Q4正常，查U289腳外圍的相關(guān)元件。(7)   VAC電壓過高或過低-過高檢查R40,過低查C33、R39、C32、R38。(8)   V3電壓過高或過低-過高檢查R15、R14、, 過低查R16、C12。(9)   V4電壓過高或過低-過高檢查R1、R17, 過低查R28、C25。(10) Q5基極電壓過高或過低-過高檢查R44、, 過低查R44、C35。a)        動檢

40、時IGBT基極電壓-首先確認電路符合<<主板測試表>>中第110試步驟標準要求,如果不符則對應(yīng)上述方法檢查,如確認無誤,測DW3正端電壓如有間隔試探信號電壓,則檢查IGBT推動電路,如DW3正端電壓點沒有間隔試探信號電壓出現(xiàn),再測Q1、Q4發(fā)射極有否間隔試探信號電壓,如沒有,則檢查振蕩電路、同步電路,如果Q1、Q4射極沒有間隔試探信號電壓,再測CPU第10腳有否間隔試探信號電壓, 如沒有, 則檢查C27、C28、C29、,如果CPU第10腳沒有間隔試探信號電壓出現(xiàn),則為CPU故障。(11) 動檢時IGBT G極試探電壓過高-檢查R21、R22、C13、D6。(

41、12) 動檢時IGBTG極試探電壓過低-檢查C27、C28、C29、LM339。(13) 動檢時風(fēng)扇不轉(zhuǎn)-測CN12兩端電壓高于11V應(yīng)為風(fēng)扇不良,如CN12兩端沒有電壓,測CPU第15腳如沒有電壓則為CPU不良,如有請檢查Q3、R27。(14) 通過主板113步驟測試合格仍不啟動加熱-故障現(xiàn)象為每隔3秒發(fā)出“嘟”一聲短音(數(shù)顯型機種顯示E1),檢查互感器CT1次級是否開路、C10、C11是否漏電、D1D4有否不良,如這些零件沒問題,請再小心測試IGBT G極試探電壓是否低于1.5V。 3.3 故障案例3.3.1 故障現(xiàn)象1 : 放入鍋具電磁爐檢測不到鍋

42、具而不啟動,指示燈閃亮,每隔3秒發(fā)出“嘟”一聲短音(數(shù)顯型機種顯示E1), 連續(xù)1分鐘后轉(zhuǎn)入待機。 分 析 : 根椐報警信息,此為CPU判定為加熱鍋具過小(直經(jīng)小于10cm)或無鍋放入或鍋具材質(zhì)不符而不加熱,并作出相應(yīng)報知。根據(jù)電路原理,電磁爐啟動時, CPU先從第10腳輸出試探PWM信號電壓,該信號經(jīng)過PWM脈寬調(diào)控電路轉(zhuǎn)換為控制振蕩脈寬輸出的電壓加至G點,振蕩電路輸出的試探信號電壓再加至IGBT推動電路,通過該電路將試探信號電壓轉(zhuǎn)換為足己推動IGBT工作的試探信號電壓,另主回路產(chǎn)生試探工作電流,當(dāng)主回路有試探工作電流流過互感器CT1初級時,CT1次級隨即產(chǎn)生反影試探工作電流大小的電壓,該電

43、壓通過整流濾波后送至CPU第5腳,CPU通過監(jiān)測該電壓,再與VAC電壓、VCE電壓比較,判別是否己放入適合的鍋具。從上述過程來看,要產(chǎn)生足夠的反饋信號電壓另CPU判定己放入適合的鍋具而進入正常加熱狀態(tài),關(guān)鍵條件有三個 : 一是加入IGBT G極的試探信號必須足夠,通過測試IGBTG極的試探電壓可判斷試探信號是否足夠(正常為間隔出現(xiàn)12.5V),而影響該信號電壓的電路有PWM脈寬調(diào)控電路、振蕩電路、IGBT推動電路。二是互感器CT須流過足夠的試探工作電流,一般可通測試IGBT是否正?？珊唵闻卸ㄖ骰芈肥欠裾?在主回路正常及加至IGBT G極的試探信號正常前提下,影響流過互感器CT1試探工作電流的

44、因素有工作電壓和鍋具。三是到達CPU第5腳的電壓必須足夠,影響該電壓的因素是流過互感器CT1的試探工作電流及電流檢測電路。以下是有關(guān)這種故障的案例：(1)   測+18V電壓高于22V,按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(3)項方法檢查,結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q2擊穿。 結(jié)論 : 由于Q2擊穿,造成+18V電壓升高,另U2D正輸入端V9電壓升高,導(dǎo)至加到U2D負輸入端的試探電壓無法令I(lǐng)C2D比較器翻轉(zhuǎn),結(jié)果IGBT G極無試探信號電壓,CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。(2)   測IGBT G極沒有試探電壓,再測

45、V7點也沒有試探電壓, 再測G點試探電壓正常,證明PWM脈寬調(diào)控電路正常, 再測DW3正極電壓為0V(啟動時CPU應(yīng)為高電平),結(jié)果發(fā)現(xiàn)CPU第17腳對地短路,更換CPU后恢復(fù)正常。結(jié)論 : 由于CPU第17腳對地短路,造成加至U2C負輸入端的試探電壓通過LM339被拉低, 結(jié)果IGBTG極無試探信號電壓,CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正常加熱指令。(3)   測IGBT G極試探電壓偏低(推動電路正常時間隔輸出12.5V), 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(15)項方法檢查,結(jié)果發(fā)現(xiàn)C29漏電。結(jié)論 : 由于C29漏電,造成加至振蕩電

46、路的控制電壓偏低,結(jié)果IGBTG極上的平均電壓偏低,CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(4)   按3.2.1<<主板檢測表>>測試一切正常, 再按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(17) 項方法檢查,結(jié)果發(fā)現(xiàn)互感器CT1次級開路。結(jié)論 : 由于互感器CT1次級開路,所以沒有反饋電壓加至電流檢測電路, CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(5)   按3.2.1<<主板檢測表>>測試一切正常, 再按3.2.2<<主板測試不合格對策>

47、;>第(17) 項方法檢查,結(jié)果發(fā)現(xiàn)C11漏電。結(jié)論 : 由于C11漏電,造成加至CPU第5腳的反饋電壓不足, CPU因檢測到的反饋電壓不足而不發(fā)出正常加熱指令。(6)   按3.2.1<<主板檢測表>>測試到第8步驟時發(fā)現(xiàn)V3為0V,再按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(8)項方法檢查,結(jié)果發(fā)現(xiàn)R15開路。結(jié)論 : 由于R15開路, 另U2A比較器因輸入兩端電壓反向(V4>V3),輸出OFF,加至振蕩電路的試探電壓因U2A比較器輸出OFF而為0,振蕩電路也就沒有輸出, CPU也就檢測不到反饋電壓而不發(fā)出正常

48、加熱指令。3.3.2 故障現(xiàn)象2 : 按啟動指示燈指示正常,但不加熱。分 析 : 一般情況下,CPU檢測不到反饋信號電壓會自動發(fā)出報知信號,但當(dāng)反饋信號電壓處于足夠與不足夠之間的臨界狀態(tài)時,CPU發(fā)出的指令將會在試探正常加熱試探循環(huán)動作,產(chǎn)生啟動后指示燈指示正常, 但不加熱的故障。原因為電流反饋信號電壓不足(處于可啟動的臨界狀態(tài))。處理 方法 : 參考3.3.1 <<故障現(xiàn)象1>>第(4)、(6)案例檢查。3.3.3 故障現(xiàn)象3 : 開機電磁爐發(fā)出兩長三短的“嘟”聲(數(shù)顯型機種顯示E2),響兩次后電磁爐轉(zhuǎn)入待機。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電壓過低信息,如

49、果此時輸入電壓正常,則為VAC檢測電路故障。處理 方法 :檢查R39、R40、C32、C33。 3.3.4 故障現(xiàn)象4 : 插入電源電磁爐發(fā)出兩長四短的“嘟”聲(數(shù)顯型機種顯示E3)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電壓過高信息,如果此時輸入電壓正常,則為VAC檢測電路故障。處理 方法 :檢查R38。3.3.5 故障現(xiàn)象5 : 插入電源電磁爐連續(xù)發(fā)出響2秒停2秒的“嘟”聲,指示燈不亮。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到電源波形異常信息,故障在過零檢測電路。處理 方法 : 檢查零檢測電路R38、R39、R40、C32、C33、D16均正常,根據(jù)原理分析,提供

50、給過零檢測電路的脈動電壓是由D17、D18和整流橋BG1內(nèi)部交流兩輸入端對地的兩個二極管組成橋式整流電路產(chǎn)生,如果BG1內(nèi)部的兩個二極管其中一個順向壓降過低,將會造成電源頻率一周期內(nèi)產(chǎn)生的兩個過零電壓其中一個并未達到0V(電壓比正常稍高),CPU6腳在該過零點時間因電壓未能消失而不能停止,CPU6在此時仍為低電平,從而造成了電源每一頻率周期CPU檢測的過零信號缺少了一個?；谝陨戏治?先將R38換入2.7K電阻(目的將R38上的分壓電壓降低,以抵消比正常稍高的過零點脈動電壓),結(jié)果電磁爐恢復(fù)正常。雖然將R38換成2.7K電阻電磁爐恢復(fù)正常,但維修時不能簡單將電阻改6.8K能徹底解決問題,因為產(chǎn)

51、生本故障說明整流橋BG1特性已變,快將損壞,所己必須將R38換回6.8K電阻并更換整流橋DB。 3.3.6 故障現(xiàn)象6 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E6)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到按裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)開路信息,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷鍋溫度及熱敏電阻開、短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、鍋傳感器有否插入及開路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。 3.3.7 故障現(xiàn)象7 :

52、插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E4)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到按裝在微晶玻璃板底的鍋傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)短路信息,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷鍋溫度及熱敏電阻開/短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、鍋傳感器是否短路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。 3.3.8 故障現(xiàn)象8 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E7)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到安裝在散熱器的TH傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻)開路信息

53、,其實CPU是根椐第8腳電壓情況判斷散熱器溫度及TH開/短路的,而該點電壓是由R8、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R8是否開路、TH有否開路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。 3.3.9 故障現(xiàn)象9 : 插入電源電磁爐每隔3秒發(fā)出報警聲(數(shù)顯型機種顯示E6)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到安裝在線圈上的TH傳感器(負溫系數(shù)熱敏電阻) 短路信息,其實CPU是根椐第7腳電壓情況判斷鍋具溫度及TH開/短路的,而該點電壓是由R4、熱敏電阻分壓而成。處理 方法 : 檢查R4是否開路、T

54、H有否短路(判斷熱敏電阻的好壞在沒有專業(yè)儀器時簡單用室溫或體溫對比<<電阻值-溫度分度表>>阻值)。3.3.10 故障現(xiàn)象10 : 電磁爐工作一段時間后停止加熱, 間隔3秒發(fā)出報警聲, 響兩次轉(zhuǎn)入待機(數(shù)顯型機種顯示E5)。分 析 : 此現(xiàn)象為CPU檢測到IGBT超溫的信息,而造成IGBT超溫通常有兩種,一種是散熱系統(tǒng),主要是風(fēng)扇不轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)速低,另一種是送至IGBT G極的脈沖關(guān)斷速度慢(脈沖的下降沿時間過長),造成IGBT功耗過大而產(chǎn)生高溫。處理 方法 : 先檢查風(fēng)扇運轉(zhuǎn)是否正常,如果不正常則檢查Q3、R27、風(fēng)扇, 如果風(fēng)扇運轉(zhuǎn)正常,則檢查IGBT激勵電路,

55、主要是檢查R24阻值是否變大、Q1、Q4放大倍數(shù)是否過低、DW3漏電流是否過大。 3.3.11 故障現(xiàn)象11 : 電磁爐低電壓以最高火力檔工作時,頻繁出現(xiàn)間歇暫?，F(xiàn)象。分 析 : 在低電壓使用時,由于電流較高電壓使用時大,而且工作頻率也較低,如果供電線路容量不足,會產(chǎn)生浪涌電壓,假如輸入電源電路濾波不良,則吸收不了所產(chǎn)生的浪涌電壓,會另浪涌電壓監(jiān)測電路動作,產(chǎn)生上述故障。處理 方法 : 檢查C1容量是否不足,如果1600W以上機種C1裝的是1uF,將該電容換上3.3uF/250VAC規(guī)格的電容器。 3.3.12 故障現(xiàn)象12 : 燒保險管。分 析 : 電流容量為1

56、5A的保險管一般自然燒斷的概率極低,通常是通過了較大的電流才燒,所以發(fā)現(xiàn)燒保險管故障必須在換入新的保險管后對電源負載作檢查。通常大電流的零件損壞會另保險管作保護性溶斷，而大電流零件損壞除了零件老化原因外,大部分是因為控制電路不良所引至,特別是IGBT,所以換入新的大電流零件后除了按3.2.1<<主板檢測表>>對電路作常規(guī)檢查外,還需對其它可能損壞該零件的保護電路作徹底檢查,IGBT損壞主要有過流擊穿和過壓擊穿,而同步電路、振蕩電路、IGBT激勵電路、浪涌電壓監(jiān)測電路、VCE檢測電路、主回路不良和單片機(CPU)死機等都可能是造成燒機的原因, 以下是有關(guān)這種故障的案例：(

57、1)   換入新的保險管后首先對主回路作檢查,發(fā)現(xiàn)整流橋BG1、IGBT擊穿，更換零件后按3.2.1<<主板檢測表>>測試發(fā)現(xiàn)+18V偏低, 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(3) 項方法檢查,結(jié)果為Q4擊穿另+18V偏低, 換入新零件后再按<<主板檢測表>>測試至第9步驟時發(fā)現(xiàn)V4為0V, 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(9) 項方法檢查,結(jié)果原因為R1開路,換入新零件后測試一切正常。結(jié)論 : 由于R1開路,造成加到IGBT G極上的開關(guān)脈沖前沿與IGBT上產(chǎn)

58、生的VCE脈沖后沿相不同步而另IGBT瞬間過流而擊穿, IGBT上產(chǎn)生的高壓同時亦另Q1、Q4擊穿,由于IGBT擊穿電流大增,在保險管未溶斷前整流橋BG1也因過流而損壞。(2)   換入新的保險管后首先對主回路作檢查,發(fā)現(xiàn)整流橋BG1、IGBT擊穿，更換零件后按3.2.1<<主板檢測表>>測試發(fā)現(xiàn)+18V偏低, 按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(3) 項方法檢查,結(jié)果為Q1、Q4擊穿令+18V偏低, 換入新零件后再按<<主板檢測表>>測試至第6步驟時發(fā)現(xiàn)Q2基極電壓偏低, 按3.2.2<&

59、lt;主板測試不合格對策>>第(6) 項方法檢查,結(jié)果原因為R26阻值變大,換入新零件后測試一切正常。結(jié)論 : 由于R26阻值變大,造成加到Q2基極的VCE取樣電壓降低,發(fā)射極上的電壓也隨著降低,當(dāng)VCE升高至設(shè)計規(guī)定的抑制電壓時, CPU實際監(jiān)測到的VCE取樣電壓沒有達到起控值,CPU不作出抑制動作,結(jié)果VCE電壓繼續(xù)上升,最終出穿IGBT。IGBT上產(chǎn)生的高壓同時亦另Q1、Q4擊穿,由于IGBT擊穿電流大增,在保險管未溶斷前整流橋DB也因過流而損壞。(3)   換入新的保險管后首先對主回路作檢查,發(fā)現(xiàn)整流橋IGBT擊穿，更換零件后按3.2.1<<主板檢測表>>測試,上電時蜂鳴器沒有發(fā)出“B”一聲，按3.2.2<<主板測試不合格對策>>第(1) 項方法檢查,結(jié)果為晶振X1不良,更換后一切正常。結(jié)論 : 由于晶振X1損壞,導(dǎo)至CPU內(nèi)程序不能運轉(zhuǎn), 上電時CPU各端口的狀態(tài)是不確定的,假如CPU第10、17腳輸出為高,會另振蕩電路輸出一直流另IGBT過流而擊穿。本案例的主要原因為晶振X1不良導(dǎo)至