雙向可控硅的原理-二三極管原理_第1頁
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文檔簡介

1、   盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝,有的還帶散熱板,外形如圖l所示。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A600V)、 BCM3AM(3A600V)、2N6075(4A600V),MAC218-10(8A800V)等。大功率雙向可控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅的主要參數(shù)見附表。       雙向可控硅的結(jié)構(gòu)與符號見圖2。它屬于NPNPN五層器件,三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以

2、外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對于T1,的電壓均為正時,T2是陽極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2 極相對于T1的電壓均為負(fù)時,T1變成陽極,T2為陰極。雙向可控硅的伏安特性見圖3,由于正、反向特性曲線具有對稱性,所以它可在任何一個方向?qū)?。檢測方法下面介紹利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法,同時還檢查觸發(fā)能力。1.判定T2極由圖2可見,G極與T1極靠近,距T2極較遠(yuǎn)。因此,GT1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測任意兩腳之間的電阻時,只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻,正、反向電阻僅幾十歐,而T2-G、T2-T1之間的正、反

3、向電阻均為無窮大。這表明,如果測出某腳和其他兩腳都不通,就肯定是T2極。,另外,采用TO220封裝的雙向可控硅,T2極通常與小散熱板連通,據(jù)此亦可確定T2極。 2區(qū)分G極和T1極(1)找出T2極之后,首先假定剩下兩腳中某一腳為Tl極,另一腳為G極。(2)把黑表筆接T1極,紅表筆接T2極,電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路,給G極加上負(fù)觸發(fā)信號,電阻值應(yīng)為十歐左右(參見圖4 (a),證明管子已經(jīng)導(dǎo)通,導(dǎo)通方向為T1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2),若電阻值保持不變,證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)(見圖 4(b)。  (3)把紅表筆接T1極,黑表筆接T2極

4、,然后使T2與G短路,給G極加上正觸發(fā)信號,電阻值仍為十歐左右,與G極脫開后若阻值不變,則說明管子經(jīng)觸發(fā)后,在T2一T1方向上也能維持導(dǎo)通狀態(tài),因此具有雙向觸發(fā)性質(zhì)。由此證明上述假定正確。否則是假定與實(shí)際不符,需再作出假定,重復(fù)以上測量。顯見,在識別G、T1,的過程中,也就檢查了雙向可控硅的觸發(fā)能力。如果按哪種假定去測量,都不能使雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通,證明管于巳損壞。對于lA的管子,亦可用RXl0檔檢測,對于3A及3A以上的管子,應(yīng)選RXl檔,否則難以維持導(dǎo)通狀態(tài)。典型應(yīng)用        雙向可控硅可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電

5、器等領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能,它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向可控硅構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻,JAG為干式舌簧管。平時JAG斷開,雙向可控硅TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時JAG吸合,使雙向可控硅導(dǎo)通,將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小,時間僅幾微秒,所以開關(guān)的壽命很長.        圖6是過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器(AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙

6、向可控硅)、保護(hù)電路 (RC吸收網(wǎng)絡(luò))。當(dāng)加上輸入信號VI(一般為高電平)、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時,雙向可控硅被觸發(fā),將負(fù)載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng),吸合、釋放時間短、壽命長,能與TTLCMOS電路兼容,可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。雙向可控硅的原理TRIAC的特性      什么是雙向可控硅:IAC(TRI-ELECTRODE AC SWITCH)為三極交流開關(guān),亦稱為雙向晶閘管或雙向可控硅。 TRIAC為三端元件,其三端分別為T1 (第二端子或第二陽極),T 2(第一端子或第一陽極)和G(控制極)亦為一閘極控

7、制開關(guān),與SCR最大的不同點(diǎn)在于TRIAC無論于正向或反向電壓時皆可導(dǎo)通,其符號構(gòu)造及外型,如圖1所示。因為它是雙向元件,所以不管T1 ,T2的電壓極性如何,若閘極有信號加入時,則T1 ,T2間呈導(dǎo)通狀態(tài);反之,加閘極觸發(fā)信號,則T1 ,T2間有極高的阻抗。 ab126計算公式大全                           &#

8、160;(a)符號                                (b)構(gòu)造                 &#

9、160;         圖1 TRIAC  二.TRIAC的觸發(fā)特性:  838電子    由于TRIAC為控制極控制的雙向可控硅,控制極電壓VG極性與陽極間之電壓VT1T2四種組合分別如下: (1). VT1T2為正, VG為正。 (2). VT1T2為正, VG為負(fù)。 (3). VT1T2為負(fù), VG為正。 (4). VT1T2為負(fù), VG為負(fù)。 一般最好使用在對稱情況下(1與4或2與3),以使正負(fù)半周能得到對稱的結(jié)果,最方便的控制方法則為1與4之控

10、制狀態(tài),因為控制極信號與VT1T2同極性。      圖2 TRIAC之V-I特性曲線 如圖2所示為TRIAC之V-I特性曲線,將此圖與SCR之VI特性曲線比較,可看出TRIAC的特性曲線與SCR類似,只是TRIAC正負(fù)電壓均能導(dǎo)通,所以第三象限之曲線與第一象限之曲線類似,故TRIAC可視為兩個SCR反相并聯(lián)TRIAC之T1-T2的崩潰電壓亦不同,亦可看出正負(fù)半周的電壓皆可以使TRIAC導(dǎo)通,一般使TRIAC截止的方法與SCR相同,即設(shè)法降低兩陽極間之電流到保持電流以下TRIAC即截止。 三.TRIAC之觸發(fā):    

11、60; TRIAC的相位控制與SCR很類似,可用直流信號,交流相位信號與脈波信號來觸發(fā),所不同者是V T1-T2負(fù)電壓時,仍可觸發(fā)TRIAC。 四. TRIAC的相位控制:      TRIAC的相位控制與SCR很類似,但因TRIAC能雙向?qū)ㄖ剩谡?fù)半周均能觸發(fā)、可作為全波功率控制之用,因此TRIAC除具有SCR的優(yōu)點(diǎn),更方便于交流功率控制,圖3(a)為TRIAC相位控制電路,只適當(dāng)?shù)恼{(diào)整RC時間常數(shù)即可改變它的激發(fā)角,圖3(b),(c)分別是激發(fā)角為30度時的VT1-T2及負(fù)載的電壓波形,一般TRIAC所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比SCR小,大體上而言約在6

12、00V,40A以下。                     (A) (B)AC兩端電壓波形             (C)兩端電壓波形 五 .觸發(fā)裝置:      TRIAC之觸發(fā)電路與SCR類似,可以用RC

13、電路配合UJT、PUT、DIAC等元件組成的觸發(fā)電路來觸發(fā),這些元件的觸發(fā)延遲角。都可由改變電路所使用的電阻值來調(diào)整,其變化范圍在0°180°之間,正負(fù)半周均能導(dǎo)通,而在工業(yè)電力控制上,常以電壓回授來調(diào)整觸發(fā)延遲角,用以代表負(fù)載實(shí)際情況的電壓回授,啟動系統(tǒng)做良好的閉回路控制。這種由回授來控制觸發(fā)延遲角,常由UJT或TCA785來完成。 實(shí)驗:應(yīng)用電路說明     如圖所示,利用TCA785所組成之TRIAC相位控制電路,其動作原理與SCR之TCA785相位控制電路相似,由于TRIAC在電源正負(fù)半周均能導(dǎo)通,所以第14腳(控制

14、正半周之激發(fā)角)與第15腳(控制負(fù)半周之激發(fā)角),均必須使用。由VR1之改變以改變第11腳之控制電壓值,則可調(diào)整激發(fā)角以控制燈泡之亮度。                       利用TCA785做TRIAC之相位控制            

15、60;                        可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示圖1 可控硅等效圖解圖當(dāng)陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流i

16、b2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=1ib1=12ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔茫砸坏┛煽毓鑼?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見

17、表1表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流 兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極電流小于維持電流任一條件即可 2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性見圖2圖2 可控硅基本伏安特性 (1)反向特性當(dāng)控制極開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,接差J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性O(shè)R段所示,

18、彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時,可控硅會發(fā)生永久性反向擊穿。圖3 陽極加反向電壓(2)正向特性當(dāng)控制極開路,陽極上加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,圖3的特性發(fā)生了彎曲,如特性O(shè)A段所示,彎曲處的是UBO叫:正向轉(zhuǎn)折電壓 圖4 陽極加正向電壓由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子時入N1區(qū),空穴時入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合,同樣,進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)

19、的電子復(fù)合,雪崩擊穿,進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉,這樣,在N1區(qū)就有電子積累,在P2區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使P2區(qū)的電位升高,N1區(qū)的電位下降,J2結(jié)變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性,見圖3的虛線AB段。這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏,可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)-通態(tài),此時,它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,見圖2中的BC段3、觸發(fā)導(dǎo)通在控制極G上加入正向電壓時(見圖5)因J3正偏,P2區(qū)的空穴時入N2區(qū),N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū),形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄒ妶D2)的基礎(chǔ)上,加上IGT的作用,使可控硅提前導(dǎo)通,導(dǎo)致圖3的

20、伏安特性O(shè)A段左移,IGT越大,特性左移越快。圖5 陽極和控制極均加正向電壓                      光電耦合器件簡介 光電偶合器件(簡稱光耦)是把發(fā)光器件(如發(fā)光二極體)和光敏器件(如光敏三極管)組裝在一起,通過光線實(shí)現(xiàn)耦合構(gòu)成電光和光電的轉(zhuǎn)換器件。光電耦合器分為很多種類,圖1所示為常用的三極管型光電耦合器原理圖。838電子 當(dāng)電信號送入光電耦合器的輸入端時,發(fā)光二極

21、體通過電流而發(fā)光,光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流,CE導(dǎo)通;當(dāng)輸入端無信號,發(fā)光二極體不亮,光敏三極管截止,CE不通。對于數(shù)位量,當(dāng)輸入為低電平“0”時,光敏三極管截止,輸出為高電平“1”;當(dāng)輸入為高電平“1”時,光敏三極管飽和導(dǎo)通,輸出為低電平“ 0”。若基極有引出線則可滿足溫度補(bǔ)償、檢測調(diào)制要求。這種光耦合器性能較好,價格便宜,因而應(yīng)用廣泛。ab126計算公式大全                    &#

22、160;        圖一 最常用的光電耦合器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 三極管接收型  4腳封裝                            圖二 光電耦合器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 三極管接收型  6腳封裝   

23、0;        圖三 光電耦合器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 雙發(fā)光二極管輸入 三極管接收型 4腳封裝                                    

24、;                                         圖四 光電耦合器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 可控硅接收型  6腳封裝圖五 光電耦合器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 雙二極管接收型  6腳封裝光電耦

25、合器之所以在傳輸信號的同時能有效地抑制尖脈沖和各種雜訊干擾,使通道上的信號雜訊比大為提高,主要有以下幾方面的原因: (1)光電耦合器的輸入阻抗很小,只有幾百歐姆,而干擾源的阻抗較大,通常為105106。據(jù)分壓原理可知,即使干擾電壓的幅度較大,但饋送到光電耦合器輸入端的雜訊電壓會很小,只能形成很微弱的電流,由于沒有足夠的能量而不能使二極體發(fā)光,從而被抑制掉了。 (2)光電耦合器的輸入回路與輸出回路之間沒有電氣聯(lián)系,也沒有共地;之間的分布電容極小,而絕緣電阻又很大,因此回路一邊的各種干擾雜訊都很難通過光電耦合器饋送到另一邊去,避免了共阻抗耦合的干擾信號的產(chǎn)生。 (3)光電耦合器可起到很好的安全保障

26、作用,即使當(dāng)外部設(shè)備出現(xiàn)故障,甚至輸入信號線短接時,也不會損壞儀表。因為光耦合器件的輸入回路和輸出回路之間可以承受幾千伏的高壓。 (4)光電耦合器的回應(yīng)速度極快,其回應(yīng)延遲時間只有10s左右,適于對回應(yīng)速度要求很高的場合。 光電隔離技術(shù)的應(yīng)用 微機(jī)介面電路中的光電隔離 微機(jī)有多個輸入埠,接收來自遠(yuǎn)處現(xiàn)場設(shè)備傳來的狀態(tài)信號,微機(jī)對這些信號處理后,輸出各種控制信號去執(zhí)行相應(yīng)的操作。在現(xiàn)場環(huán)境較惡劣時,會存在較大的雜訊干擾,若這些干擾隨輸入信號一起進(jìn)入微機(jī)系統(tǒng),會使控制準(zhǔn)確性降低,產(chǎn)生誤動作。因而,可在微機(jī)的輸入和輸出端,用光耦作介面,對信號及雜訊進(jìn)行隔離。典型的光電耦合電路如圖6所示。該電路主要應(yīng)

27、用在“AD轉(zhuǎn)換器”的數(shù)位信號輸出,及由CPU發(fā)出的對前向通道的控制信號與類比電路的介面處,從而實(shí)現(xiàn)在不同系統(tǒng)間信號通路相聯(lián)的同時,在電氣通路上相互隔離,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)將類比電路和數(shù)位電路相互隔離,起到抑制交叉串?dāng)_的作用。 圖六 光電耦合器接線原理  對于線性類比電路通道,要求光電耦合器必須具有能夠進(jìn)行線性變換和傳輸?shù)奶匦?,或選擇對管,采用互補(bǔ)電路以提高線性度,或用VF變換后再用數(shù)位光耦進(jìn)行隔離。 功率驅(qū)動電路中的光電隔離 在微機(jī)控制系統(tǒng)中,大量應(yīng)用的是開關(guān)量的控制,這些開關(guān)量一般經(jīng)過微機(jī)的IO輸出,而IO的驅(qū)動能力有限,一般不足以驅(qū)動一些點(diǎn)磁執(zhí)行器件,需加接驅(qū)動介面電路,為避免微機(jī)

28、受到干擾,須采取隔離措施。如可控硅所在的主電路一般是交流強(qiáng)電回路,電壓較高,電流較大,不易與微機(jī)直接相連,可應(yīng)用光耦合器將微機(jī)控制信號與可控硅觸發(fā)電路進(jìn)行隔離。電路實(shí)例如圖7所示。                       圖七 雙向可控硅(晶閘管)  在馬達(dá)控制電路中,也可采用光耦來把控制電路和馬達(dá)高壓電路隔離開。馬達(dá)靠MOSFET或IGBT功率管提供驅(qū)動電流,功

29、率管的開關(guān)控制信號和大功率管之間需隔離放大級。在光耦隔離級放大器級大功率管的連接形式中,要求光耦具有高輸出電壓、高速和高共模抑制。 遠(yuǎn)距離的隔離傳送 在電腦應(yīng)用系統(tǒng)中,由于測控系統(tǒng)與被測和被控設(shè)備之間不可避免地要進(jìn)行長線傳輸,信號在傳輸過程中很易受到干擾,導(dǎo)致傳輸信號發(fā)生畸變或失真;另外,在通過較長電纜連接的相距較遠(yuǎn)的設(shè)備之間,常因設(shè)備間的地線電位差,導(dǎo)致地環(huán)路電流,對電路形成差模干擾電壓。為確保長線傳輸?shù)目煽啃?,可采用光電耦合隔離措施,將2個電路的電氣連接隔開,切斷可能形成的環(huán)路,使他們相互獨(dú)立,提高電路系統(tǒng)的抗干擾性能。若傳輸線較長,現(xiàn)場干擾嚴(yán)重,可通過兩級光電耦合器將長線完全“浮置”起來

30、,如圖8所示。                   圖八 傳輸長線的光耦浮置處理長線的“浮置”去掉了長線兩端間的公共地線,不但有效消除了各電路的電流經(jīng)公共地線時所產(chǎn)生雜訊電壓形成相互竄擾,而且也有效地解決了長線驅(qū)動和阻抗匹配問題;同時,受控設(shè)備短路時,還能保護(hù)系統(tǒng)不受損害。 過零檢測電路中的光電隔離 零交叉,即過零檢測,指交流電壓過零點(diǎn)被自動檢測進(jìn)而產(chǎn)生驅(qū)動信號,使電子開關(guān)在此時刻開始開通?,F(xiàn)代的零交叉技術(shù)已與光電耦合技術(shù)相結(jié)

31、合。圖9為一種單片機(jī)數(shù)控交流調(diào)壓器中可使用的過零檢測電路。                     圖九 過零檢測220V交流電壓經(jīng)電阻R1限流后直接加到2個反向并聯(lián)的光電耦合器GD1,GD2的輸入端。在交流電源的正負(fù)半周,GD1和GD2分別導(dǎo)通,U0輸出低電平,在交流電源正弦波過零的瞬間,GD1和GD2均不導(dǎo)通,U0輸出高電平。該脈沖信號經(jīng)反閘整形后作為單片機(jī)的中斷請求信號和可控矽的過零同步信號。 注意事

32、項 (1)在光電耦合器的輸入部分和輸出部分必須分別采用獨(dú)立的電源,若兩端共用一個電源,則光電耦合器的隔離作用將失去意義。 (2)當(dāng)用光電耦合器來隔離輸入輸出通道時,必須對所有的信號(包括數(shù)位量信號、控制量信號、狀態(tài)信號)全部隔離,使得被隔離的兩邊沒有任何電氣上的聯(lián)系,否則這種隔離是沒有意義的。三極管開關(guān)電路三極管開關(guān)電路工作原理分析              圖1   NPN 三極管共射極電路   

33、0;  圖2  共射極電路輸出特性曲838電子 圖一所示是NPN三極管的 共射極電路,圖二所示是它的特性曲線圖,圖中它有3 種工作區(qū)域:截止區(qū)(Cutoff Region)、線性區(qū) (Active Region) 、飽和區(qū)(Saturation Region)。三極管是以B 極電流IB 作為輸入,操控整個三極管的工作狀態(tài)。若三極管是在截止區(qū),IB 趨近于0 (VBE 亦趨近于0),C 極與E 極間約呈斷路狀態(tài),IC = 0,VCE = VCC。若三極管是在線性區(qū),B-E 接面為順向偏壓,B-C 接面為逆向偏壓,IB 的值適中 (VBE = 0.7 V),

34、  I C =h F E I B   呈比例放大,Vce  = Vcc -Rc I c = V cc - Rc  hFE IB可被 IB 操控。若三極管在飽和區(qū),IB 很大,VBE = 0.8 V,VCE = 0.2 V,VBC = 0.6 V,B-C 與B-E 兩接面均為正向偏壓,C-E間等同于一個帶有0.2 V 電位落差的通路,可得I c=( Vcc - 0.2 )/ Rc  ,Ic 與 IB 無關(guān)了,因此時的IB大過線性放大區(qū)的IB 值,   Ic<hFE  IB 

35、; 是必然的。三極管在截止態(tài)時 C-E 間如同斷路,在飽和態(tài)時C-E 間如同通路 (帶有0.2 V 電位降),因此可以作為開關(guān)??刂拼碎_關(guān)的是 IB,也可以用 VBB 作為控制的輸入訊號。圖三、四分別顯示三極管開關(guān)的通路、斷路狀態(tài),及其對應(yīng)的等效電路。ab126計算公式大全                    圖3、截止態(tài)如同斷路線圖       

36、;                                 圖4、飽和態(tài)如同通路實(shí)驗:三極管的開關(guān)作用簡單三極管開關(guān):電路如圖5,電阻RC是LED限流用電阻,以防止電壓過高燒壞LED(發(fā)光二極管),將輸入信號 VIN 從0 調(diào)到最大 (等分為約20 個間隔),觀

37、察并記錄對的 VOUT 以及LED 的亮度。當(dāng)三極管開關(guān)為斷路時,VOUT =VCC =12 V,LED 不亮。當(dāng)三極管開關(guān)通路時,VOUT  = 0.2V ,LED 會亮。改良三極管開關(guān):因為三極管由截止區(qū)過度到飽和區(qū)需經(jīng)過線性區(qū),開關(guān)的效果不會有明確的界線。為使三極管開關(guān)的效果明確,可串接兩三極管,電路如圖六。同樣將輸入信號 VIN 從0 調(diào)到最大 (等分為約20 個間隔),觀察并記錄對應(yīng)的VOUT 以及LED 的亮度。新藝圖庫          圖5、簡單開關(guān)三極管電路圖    

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