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文檔簡介
1、DCDC TopologiesNon-Sync BUCKSync BUCKNon-Sync BOOSTSync BOOSTMOS管內(nèi)有體二極管管內(nèi)有體二極管BackgroundConnecting the power supply reversely will damage ICs. So some customer want to use reverse protection circuit especially for battery powered system 注意帶電池系統(tǒng)注意帶電池系統(tǒng)MPS Sync BUCKMPS Non-Sync and Sync BOOSTEMC Desig
2、n/Schematic首先是Layout然后再考慮增加器件Background-EMI ImprovementR5 is always used to adjust the switching speed of Highside FET, so that the SW spike can be reducedBut.Impact of BST Resistor ChangeBST Resistance=100OhmBST Resistance=1kOhmPay Attention to the BST Resistance!We suggest BST R50Ohm normally30M-1
3、G/Horizontal Direction1 PKMAXH30 MHz1 GHz2 AVMAXHRBW 120 kHzMT 100 msPREAMPONAtt 0 dB AUTOPRN100 MHz1 GHz051015202530354045505560EN25-PKComment B: Manuf:MPS M/N:MP4462 Memo:FULL LOAD Power:DC 12V HorizontalDate: 5.AUG.2009 10:56:1030M-1G /Vertical Direction1 P KM A X H3 0 M H z1 G H z2 A VM A X HR B
4、 W 1 2 0 k H zM T 2 0 m sP R E A M PO NA t t 0 d B A U T OP R N1 0 0 M H z1 G H z051 01 52 02 53 03 54 04 55 05 56 0E N 2 5 - P KC o m m e n t B : M a n u f : M P S M / N : M P 4 4 6 2 M e m o : F U L L L O A D P o w e r : D C 1 2 V V e r t i c a lD a t e : 5 . A U G . 2 0 0 9 1 0 : 5 8 : 5 3EMC Des
5、ign30M-1G/Horizontal Direction3 0 M H z1 G H zdBV/mdBV/m1 PKMAXH2 AVMAXHTDFR B W 1 2 0 k H zM T 1 sP R E AM PO NA t t 1 0 d B A U T OPRN1 0 0 M H z1 G Hz010203040506070801M a rk e r 1 T 1 4 0 . 8 6 d B V /m 8 8 2 . 0 0 0 0 0 0 0 0 0 M HzE N 2 5 - P KC o m m e n t B : M / N : M P 4 4 6 2 E V - 1 M e m o :F u l l L o a d P o w e r : 1 2 V HD a t e : 2 0 . A U G . 2 0 0 9 1 4 : 1 9 : 5 230M-1G /Vertical Direction1 PKMAXH2 AVMAXHTDFdBV/mdBV/m30 MH z1 GH zMT 1 0 m sRBW 1 20 kH zPREAM PO NAtt 10 dB AU TOPRN1 00 MHz1 G Hz01020304050607080E N25 -PKCo mm en
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