靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns_第1頁
靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns_第2頁
靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns_第3頁
靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns_第4頁
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文檔簡介

1、靜電放電(ESD)現(xiàn)象瞬間產(chǎn)生的上升時(shí)間低于納秒(ns)、持續(xù)時(shí)間可達(dá)數(shù)百納秒且高達(dá)數(shù)十安培的電流，會(huì)對(duì)芯片造成損傷。 最有效的方法是使用保護(hù)元件來將電流導(dǎo)離較敏感的元件。也就是在電子系統(tǒng)的連接器或端口處放置ESD保護(hù)元件，使得電流流經(jīng)保護(hù)元件，且不流經(jīng)敏感元件，以維持敏感元件的低電壓，使其免受ESD應(yīng)力影響，進(jìn)入有效控制ESD事件的發(fā)生 圖一圖二 ESD圖二展示在輸入或輸出引腳通常用二極管和電阻來保護(hù)，二極管用n+到p襯底構(gòu)成，電阻一般直接用p阱構(gòu)成。圖三 ESD常見保護(hù)原理ADS800ESD保護(hù)：對(duì)于GND管腳，一般用三極管作為二極管作用來鉗位保護(hù)。當(dāng)電壓低于-0.7V或者高于VDD+0.

2、7.時(shí)，起到保護(hù)作用。如下圖所示：圖三 GND保護(hù)圖四 輸出管腳保護(hù) 輸出管腳主要還是有MOS管構(gòu)成二極管起到保護(hù)作用。前面那部分是OE控制輸出狀態(tài)。其他ESD保護(hù)元件壓敏電阻：為雙向保護(hù)元件，在低電壓時(shí)，呈現(xiàn)出高電阻，其中的每個(gè)小型二極管兩端的電壓都相當(dāng)?shù)?，同時(shí)電流也相當(dāng)??；而在較高電壓時(shí)，其中的獨(dú)立二極管開始導(dǎo)通，同時(shí)壓敏電阻的電阻會(huì)下降。聚合物：帶導(dǎo)電粒子的聚合物，在正常電壓下，這些材料擁有相當(dāng)高的電阻，但當(dāng)發(fā)生ESD沖擊時(shí)，導(dǎo)電粒子間的小間隙會(huì)成為突波音隙陣列，從而帶來低電阻路徑瞬態(tài)電壓抑 制器(TVS)：采用標(biāo)準(zhǔn)與齊納二極管特性設(shè)計(jì)的硅芯片元件。TVS元件主要針對(duì)能夠以低動(dòng)態(tài)電阻承載大電流的要求進(jìn)行優(yōu)化 。靜電放電一般有兩種破壞：一是由高電壓引起柵級(jí)電介質(zhì)破壞；二是由熱量引起的物質(zhì)熔化（H=J*E）測試ESD魯棒性最主要的工業(yè)測試主要是HBM、MM、CDM。HBM是測試ESD最具資

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