CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計(jì)--精選文檔

1、1 緒論1.1 發(fā)展歷史1.2 現(xiàn)代通信系統(tǒng)概述1.2.1 通信系統(tǒng)的組成圖1-1 通信系統(tǒng)的功能方框圖1.2.2 數(shù)字通信系統(tǒng)圖1-2 數(shù)字通信系統(tǒng)的組成1.2.3 通信信道及其特性1.2.4 通信信道的數(shù)學(xué)模型圖1-3 加性噪聲信道圖1-4 帶加性噪聲的線性濾波信道圖1-5 帶加性噪聲的線性時(shí)變?yōu)V波器1.3 射頻電路在系統(tǒng)中的作用與地位圖1-6 射頻通信系統(tǒng)示意圖圖1-7 射頻前端方框圖1.4 射頻電路與微波電路和低頻電路的關(guān)系1.4.1 頻段劃分1.4.2 電路的寄生效應(yīng)1.4.3 電路的設(shè)計(jì)考慮1.5 應(yīng)用1.5.1 無(wú)線局域網(wǎng)圖1-8 Prism Duette雙頻帶收發(fā)機(jī)芯片組的總體

2、結(jié)構(gòu)圖141.5.2 GSM1.5.3 WCDMA1.6 總結(jié)參考文獻(xiàn)2 線性射頻電路的基本特性和分析方法2.1 傳輸線圖2-1 射頻電路中常用的均勻傳輸線2.1.1 傳輸線波動(dòng)方程圖2-2 一小段傳輸線的等效電路 2.1.2 終端接負(fù)載的無(wú)損傳輸線圖2-3 以負(fù)載處為原點(diǎn)的坐標(biāo)體系 2.1.3 終端接特定負(fù)載的無(wú)損傳輸線的工作狀態(tài) 圖2-4 短路傳輸線上電壓、電流和輸入阻抗的分布圖圖2-5 開(kāi)路傳輸線上電壓、電流和輸入阻抗的分布圖2.1.4 阻抗的周期性和倒置性2.1.5 微帶線設(shè)計(jì)圖2-6 微帶線的幾何結(jié)構(gòu) 圖2-7 微帶線的特性阻抗圖2-8 微帶線的有效介電常數(shù) 2.2 Smith圓圖2

3、.2.1 阻抗圓圖 圖2-9 阻抗圓圖上的歸一化阻抗2.2.2 Smith圓圖上的反射系數(shù)和駐波系數(shù)圖2-10 阻抗圓圖2.2.3 導(dǎo)納圓圖圖2-11 導(dǎo)納圓圖上的歸一化導(dǎo)納2.2.4 Smith圓圖應(yīng)用舉例圖2-12 例2.2的電路圖 圖2-13 利用Smith圓圖求解例2.22.3 雙端口網(wǎng)絡(luò)2.3.1 網(wǎng)絡(luò)參量圖2-14 雙端口網(wǎng)絡(luò)的電壓和電流方向 圖2-15 雙端口網(wǎng)絡(luò)的入射波和反射波圖2-16 S參數(shù)的測(cè)量2.3.2 網(wǎng)絡(luò)的互聯(lián)圖2-17 雙端口網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)圖2-18 雙端口網(wǎng)絡(luò)的并聯(lián)圖2-19 雙端口網(wǎng)絡(luò)的串并聯(lián)圖2-20 雙端口網(wǎng)絡(luò)的并串聯(lián)圖2-21 雙端口網(wǎng)絡(luò)的級(jí)聯(lián)2.3.3 信

4、號(hào)流圖分析法圖2-22 信號(hào)流圖分析法的簡(jiǎn)化規(guī)則圖2-23 含電源和負(fù)載的雙端口網(wǎng)絡(luò)圖2-24 用信號(hào)流圖分析法分析雙端口網(wǎng)絡(luò)的簡(jiǎn)化過(guò)程2.4 射頻電路中的無(wú)源分立集總參數(shù)元件圖2-25 鋁金屬線歸一化電流密度的橫截面分布示意圖圖2-26 鋁金屬線橫截面上的歸一化電流密度分布隨頻率的變化(a=1mm)圖2-27 金屬銅和鋁的趨膚深度隨工作頻率的變化圖2-28 薄膜片上電阻圖2-29 炭質(zhì)電阻圖2-30 高頻電阻模型圖2-31 炭質(zhì)電阻的阻抗與頻率的關(guān)系圖2-32 表面貼封電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖2-33 高頻電容模型圖2-34 實(shí)際電容的阻抗與頻率的關(guān)系圖2-35 高頻電感圖2-36 高頻電感模型圖2

5、-37 實(shí)際電感的阻抗與頻率的關(guān)系2.5 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題圖2-38 習(xí)題4圖圖2-39 習(xí)題7圖圖2-40 習(xí)題8圖3 無(wú)源RLC網(wǎng)絡(luò)和阻抗匹配3.1 無(wú)源RLC網(wǎng)絡(luò)3.1.1 串聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)圖3-1 串聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)圖3-2 串聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性圖3-3 串聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)中電感儲(chǔ)存的磁能、電容儲(chǔ)存的電能以及回路儲(chǔ)存的總能量隨時(shí)間的變化情況圖3-4 品質(zhì)因子Q取不同值時(shí)回路阻抗的幅頻特性和相頻特性3.1.2 并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)圖3-5 并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)圖3-6 并聯(lián)RLC網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性圖3-7 品質(zhì)因子QP取不同值時(shí)并聯(lián)諧振回路阻抗的幅頻特性和相頻特性3.2 串并聯(lián)阻抗等效互換圖3-8 串并聯(lián)RL

6、C網(wǎng)絡(luò)圖3-9 電阻R和電抗X的串聯(lián)形式和并聯(lián)形式3.3 回路抽頭時(shí)的阻抗變換圖3-10 電感抽頭和電容抽頭的RLC諧振回路3.4 阻抗匹配圖3-11 借以說(shuō)明阻抗匹配概念的簡(jiǎn)單電路圖3.4.1 L匹配圖3-12 L匹配的電路結(jié)構(gòu)圖3-13 并/串聯(lián)電感和電容的阻抗變化軌跡圖3-14 利用Smith圓圖來(lái)求解L匹配問(wèn)題圖3-15 L匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-16 Smith圓圖上的恒Qn圓3.4.2 T匹配和Pi匹配圖3-17 T匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-18 利用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)T匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-19 Pi匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-20 利用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)Pi匹配網(wǎng)絡(luò)3.4.3 微帶線匹配圖3-21 微帶線匹配網(wǎng)絡(luò)圖3

7、-22 利用Smith圓圖來(lái)設(shè)計(jì)微帶線匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-23 歸一化阻抗zin=rin+jxin與電容所在位置之間的關(guān)系圖3-24 更復(fù)雜的微帶線匹配網(wǎng)絡(luò)圖3-25 全部由微帶線組成的匹配網(wǎng)絡(luò)3.5 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題圖3-26 習(xí)題3圖4 射頻集成電路中的基本問(wèn)題4.1 射頻電路的性能度量4.1.1 功率增益和電壓增益4.1.2 靈敏度和噪聲系數(shù)圖4-1 電阻的噪聲模型4.1.3 線性度和動(dòng)態(tài)范圍圖4-2 非線性4.1.4 系統(tǒng)設(shè)計(jì)4.2 射頻電路仿真算法及商用仿真軟件介紹4.2.1 SPICE模擬器應(yīng)用于射頻領(lǐng)域所遇到的限制4.2.2 射頻電路仿真算法4.2.3 射頻電路仿真工具4.3 CMOS

8、射頻集成電路實(shí)現(xiàn)的難點(diǎn)4.4 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題5 集成無(wú)源元件5.1 電阻圖5-1 有拐角的電阻5.2 電容圖5-2 MOS電容的理想C-V曲線圖5-3 MIM電容的結(jié)構(gòu)圖5-4 三種互連線結(jié)構(gòu)圖5-5 “夾心”金屬電容5.3 電感圖5-6 射頻集成電路中電感的典型應(yīng)用5.3.1 片上平面螺旋型電感圖5-7 片上平面螺旋型電感的結(jié)構(gòu)圖5-8 接地隔離層圖5-9 片上平面螺旋型電感模型圖5-10 焊盤(pán)的校準(zhǔn)結(jié)構(gòu)圖5-11 襯底摻雜程度對(duì)片上電感的影響圖5-12 不同金屬層對(duì)片上電感的影響圖5-13 金屬層串并聯(lián)對(duì)片上電感的影響圖5-14 接地隔離層對(duì)片上電感的影響圖5-15 幾何尺寸對(duì)片上電感的

9、影響圖5-16 對(duì)稱片上電感可以減少芯片面積5.3.2 鍵合線電感圖5-17 引起鍵合線電感量變化的因素圖5-18 鍵合線電感模型5.3.3 變壓器圖5-19 各種結(jié)構(gòu)的片上變壓器圖5-20 變壓器的電路圖符號(hào)圖5-21 變壓器等效電路模型5.4 容抗管5.4.1 反向二極管圖5-22 反向二極管型容抗管圖5-23 容抗管的小信號(hào)等效電路圖5-24 容抗管的不同版圖結(jié)構(gòu)5.4.2 MOS晶體管5.4.3 MOS容抗管圖5-25 MOS型容抗管圖5-26 MOS容抗管的調(diào)諧特性5.4.4 差分對(duì)稱型容抗管圖5-27 對(duì)稱型容抗管圖5-28 采用多指結(jié)構(gòu)和采用共心結(jié)構(gòu)的單端二極管型容抗管與對(duì)稱二極

10、管型容抗管的單位面積電容量、品質(zhì)因子隨控制電壓的變化圖5-29 各種差分容抗管的結(jié)構(gòu)5.5 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題6 射頻MOS及BJT器件模型6.1 簡(jiǎn)介6.2 MOS器件模型6.2.1 直流模型圖6-1 nMOSFET中溝道電子速度與橫向電場(chǎng)的關(guān)系。有關(guān)參數(shù)為0=500cm2/V-s,vsat=107cm/s,Esat=2×104V/cm6.2.2 閾值電壓的測(cè)量6.2.3 MOS電容模型圖6-2 MOSFET電容6.2.4 高頻品質(zhì)因子圖6-3 用于求MOS最大功率增益截止頻率的等效電路圖6-4 nMOS截止頻率與標(biāo)稱柵長(zhǎng)的關(guān)系6.2.5 非準(zhǔn)靜態(tài)（NQS）現(xiàn)象及模型圖6-5 最簡(jiǎn)單

11、的處于飽和區(qū)的MOS交流小信號(hào)電路，交流輸出電阻被忽略圖6-6 MOS溝道形成之后，源漏間與柵電極之間的分布RC網(wǎng)絡(luò)圖6-7 MOS器件表示成沿溝道方向的若干個(gè)子器件串聯(lián)而成圖6-8 MOS器件表示成沿溝道方向的二個(gè)子MOS器件串聯(lián)而成圖6-9 MOS器件的非準(zhǔn)靜態(tài)（NQS）模型等效電路圖6-10 MOS器件的交流小信號(hào)分析：非準(zhǔn)靜態(tài)（NQS）模型等效電路與串聯(lián)子器件的比較6.2.6 MOS非本征模型圖6-11 柵電極分布電阻、電容網(wǎng)絡(luò)模型圖6-12 襯底分布電阻網(wǎng)絡(luò)模型6.2.7 MOS高階效應(yīng)及其BSIM模型圖6-13 VGS<0,VDS>0時(shí)的漏極電流與襯底電流。由它們的大小

12、大致相等，可以推測(cè)在漏極與襯底接觸之間有一漏電流存在（GIDL）6.2.8 MOS噪聲模型圖6-14 熱噪聲定義及測(cè)量電路圖6-15 MOSFET噪聲等效電路。注意，ing依賴于gg，而gg有頻率依賴關(guān)系圖6-16 MOSFET噪聲等效電路。注意，此圖中受控電流源的vgs是指g和s兩端之間的壓降，非是Cgs上的壓降6.3 雙極型（BJT）器件電路模型6.3.1 Ebers-Moll模型圖6-17 基本的Ebers-Moll模型等效電路（假設(shè)為npn晶體管）6.3.2 時(shí)域大信號(hào)模型圖6-18 雙極型晶體管包括電荷存儲(chǔ)元件的瞬態(tài)大信號(hào)模型。iB,iC的表達(dá)式分別見(jiàn)式6-115和式6-116圖6-

13、19 共基Ebers-Moll模型到共發(fā)模型（正向偏置）的演變。步驟(b)(c)的過(guò)渡需要一點(diǎn)想象力6.3.3 交流小信號(hào)模型圖6-20 雙極型晶體管交流小信號(hào)模型6.3.4 雙極型晶體管的高頻特性圖6-21 典型的集成電路npn晶體管的fT-IC曲線(引自11中第一章)6.3.5 BJT噪聲模型圖6-22 雙極型晶體管噪聲等效電路6.4 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題7 無(wú)線收發(fā)機(jī)射頻前端的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-1 一個(gè)典型的無(wú)線通信系統(tǒng)7.1 接收機(jī)射頻前端的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-2 無(wú)線接收機(jī)系統(tǒng)的基本組成部分7.1.1 超外差式接收機(jī)圖7-3 超外差式接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-4 超外差式接收機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-5

14、 中頻頻率選擇對(duì)超外差式接收機(jī)性能的影響圖7-6 Hartley和Weaver鏡像抑制接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-7 具有正交輸出的超外差式接收機(jī)圖7-8 具有正交輸出的Weaver鏡像抑制接收機(jī)7.1.2 零中頻接收機(jī)圖7-9 僅與一個(gè)正弦本地振蕩信號(hào)進(jìn)行混頻的零中頻接收機(jī)頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-10 零中頻接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-11 與正交本地振蕩信號(hào)進(jìn)行混頻的零中頻接收機(jī)頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-12 信號(hào)泄漏造成直流失調(diào)圖7-13 利用數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)消除零中頻接收機(jī)中的直流失調(diào)7.1.3 低中頻接收機(jī)圖7-14 低中頻接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-15 低中頻接收機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-16 幅度和相位不匹

15、配對(duì)低中頻接收機(jī)的影響圖7-17 引入額外的鏡像信號(hào)抑制模塊的低中頻接收機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-18 利用射頻帶通濾波器來(lái)抑制鏡像信號(hào)的低中頻接收機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-19 利用無(wú)源多相濾波器來(lái)抑制鏡像信號(hào)的低中頻接收機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖圖7-20 低中頻接收機(jī)的中頻處理模塊7.1.4 其他結(jié)構(gòu)的接收機(jī)圖7-21 超再生式接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-22 超再生式接收機(jī)中的振蕩器結(jié)構(gòu)圖7-23 超再生式接收機(jī)鏈路各節(jié)點(diǎn)信號(hào)的時(shí)序圖圖7-24 寬帶中頻接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-25 亞采樣接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-26 超寬帶接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)7.2 發(fā)射機(jī)射頻前端的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-27 無(wú)線發(fā)射機(jī)系統(tǒng)的基本組成部分7.

16、2.1 超外差式發(fā)射機(jī)圖7-28 超外差式發(fā)射機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-29 超外差式發(fā)射機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖7.2.2 直接上變頻發(fā)射機(jī)圖7-30 直接上變頻發(fā)射機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-31 直接上變頻發(fā)射機(jī)的頻域轉(zhuǎn)換示意圖7.2.3 其他結(jié)構(gòu)的發(fā)射機(jī)圖7-32 中頻上變頻發(fā)射機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖7-33 正交中頻上變頻發(fā)射機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)7.3 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題8 低噪聲放大器8.1 兩端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲分析圖8-1 有噪兩端口網(wǎng)絡(luò)和它的等效表示形式圖8-2 兩端口網(wǎng)絡(luò)的通用噪聲模型8.2 MOS晶體管兩端口網(wǎng)絡(luò)噪聲參數(shù)的理論分析圖8-3 包含有柵阻抗噪聲和襯底阻抗噪聲的晶體管噪聲模型圖8-4 NMOS晶體管的兩端口網(wǎng)

17、絡(luò)噪聲參數(shù)的測(cè)量結(jié)果和模擬結(jié)果的比較8.3 集成CMOS低噪聲放大器的電路結(jié)構(gòu)圖8-5 終端所接負(fù)載對(duì)射頻濾波器的影響8.3.1 輸入端并聯(lián)電阻的共源放大器圖8-6 輸入端并聯(lián)電阻的共源放大器8.3.2 共柵放大器結(jié)構(gòu)圖8-7 共柵放大器結(jié)構(gòu)圖8-8 共柵放大器做低噪聲放大器應(yīng)用的實(shí)例8.3.3 并聯(lián)-串聯(lián)反饋放大器結(jié)構(gòu)圖8-9 并聯(lián)-串聯(lián)反饋放大器結(jié)構(gòu)圖8-10 并聯(lián)-串聯(lián)反饋放大器的低頻小信號(hào)等效電路8.4 源簡(jiǎn)并電感型共源放大器圖8-11 源簡(jiǎn)并電感型共源放大器8.4.1 晶體管的簡(jiǎn)單I-V分析方程8.4.2 阻抗匹配圖8-12 源簡(jiǎn)并電感型共源放大器的小信號(hào)等效電路8.4.3 有效跨導(dǎo)

18、圖8-13 輸入反射系數(shù)對(duì)PCC的影響8.4.4 噪聲因子 8.4.5 噪聲優(yōu)化 圖8-14 滿足噪聲系數(shù)要求時(shí)IDS和VGS-VT的設(shè)計(jì)曲線8.4.6 三階交調(diào)點(diǎn)分析圖8-15 共源放大器的電路圖 圖8-16 和VGS-VT對(duì)IP2和IP3的影響圖8-17 M和VGS-VT對(duì)IP2和IP3的影響 圖8-18 低噪聲放大器的小信號(hào)等效電路 圖8-19 IDS和VGS-VT對(duì)低噪聲放大器三階交調(diào)點(diǎn)的影響8.5 CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)策略8.5.1 低噪聲放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖8-20 源簡(jiǎn)并電感型Cascode共源放大器8.5.2 增益 8.5.3 噪聲系數(shù) 8.5.4 輸入節(jié)點(diǎn)寄生電容對(duì)放大器

19、性能的影響 圖8-21 考慮輸入節(jié)點(diǎn)寄生電容的低噪聲放大器電路圖 圖8-22 輸入節(jié)點(diǎn)寄生電容對(duì)低噪聲放大器RS,max的影響8.5.5 Cgd和M對(duì)放大器性能的影響圖8-23 Cgd對(duì)放大器小信號(hào)等效模型的影響 8.5.6 LNA設(shè)計(jì)方程 8.5.7 Cascode器件的設(shè)計(jì) 圖8-24 Cascode晶體管的寄生邊緣效應(yīng)8.5.8 等高線設(shè)計(jì)方法圖8-25 RS,max及有效源阻抗與IDS和VGS-VT的變化曲線圖8-26 放大器的噪聲系數(shù)和輸入三階交調(diào)點(diǎn)與IDS和VGS-VT的變化曲線圖8-27 滿足PVC要求時(shí)負(fù)載阻抗RL以及放大器的品質(zhì)因子與IDS和VGS-VT的變化曲線圖8-28

20、達(dá)到輸入匹配條件時(shí)Lg、Ls與IDS和VGS-VT的變化曲線圖8-29 在IDS和VGS-VT平面上設(shè)計(jì)目標(biāo)和限制條件所允許的設(shè)計(jì)空間8.5.9 不完全阻抗匹配對(duì)低噪聲放大器性能的影響 8.5.10 其他設(shè)計(jì)考慮圖8-30 差分放大器電路結(jié)構(gòu)圖8-31 兩種不同的版圖方案圖8-32 低噪聲放大器的偏置電路8.6 寬帶低噪聲放大器圖8-33 利用帶通濾波器技術(shù)的寬帶低噪聲放大器 圖8-34 利用并聯(lián)反饋技術(shù)的寬帶低噪聲放大器8.7 微波晶體管放大器設(shè)計(jì)方法圖8-35 微波晶體管放大器的電路結(jié)構(gòu)圖8-36 簡(jiǎn)化后的微波晶體管放大器的電路圖8.7.1 功率增益關(guān)系圖8-37 微波晶體管放大器的信號(hào)流

21、圖 8.7.2 恒增益圓 圖8-38 Smith圓圖上的恒增益圓 圖8-39 Smith圓圖上的恒增益圓 8.7.3 恒噪聲系數(shù)圓 圖8-40 Smith圓圖上的恒噪聲系數(shù)圓8.7.4 恒駐波系數(shù)圓圖8-41 輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)在微波晶體管放大器中的作用 8.7.5 穩(wěn)定性圓 圖8-42 輸出穩(wěn)定性圓圖8-43 輸入穩(wěn)定性圓圖8-44 輸出無(wú)條件穩(wěn)定圖8-45 輸入無(wú)條件穩(wěn)定8.8 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題圖8-46 習(xí)題11圖圖8-47 習(xí)題12圖9 混頻器9.1 混頻器的基本工作原理圖9-1 由單個(gè)MOS晶體管構(gòu)成的混頻器 圖9-2 由單個(gè)MOS晶體管構(gòu)成的高隔離度混頻器圖9-3

22、雙柵晶體管混頻器9.2 描述混頻器性能的參數(shù)9.2.1 噪聲因子(噪聲系數(shù))圖9-4 混頻過(guò)程中的噪聲轉(zhuǎn)換9.2.2 轉(zhuǎn)換增益9.2.3 線性度：1dB壓縮點(diǎn)和三階交調(diào)點(diǎn)圖9-5 混頻器的1dB壓縮點(diǎn)圖9-6 混頻器的三階交調(diào)點(diǎn)9.2.4 端口隔離度9.2.5 其他性能參數(shù)9.3 電流換向有源混頻器9.3.1 電路結(jié)構(gòu)圖9-7 有源混頻器的電路結(jié)構(gòu) 圖9-8 雙平衡混頻器的輸出頻譜成分 圖9-9 單平衡混頻器的輸出頻譜成分9.3.2 轉(zhuǎn)換增益 圖9-10 p0(t)和p1(t)的波形 圖9-11 開(kāi)關(guān)對(duì)的轉(zhuǎn)換增益c隨歸一化偏置電流JB和歸一化本振信號(hào)幅度UO=VO的變化曲線9.3.3 噪聲因子

23、(噪聲系數(shù)) 圖9-12 混頻過(guò)程中白噪聲的頻域搬移過(guò)程圖9-13 隨歸一化偏置電流JB和歸一化本振信號(hào)幅度UO=VO的變化曲線 圖9-14 G(t)和Son12(f,t)的時(shí)域波形圖9-15 隨歸一化電流JB和歸一化 圖9-16 G2與歸一化偏置電流JB及歸一化本振信號(hào)幅度UO的關(guān)系曲線 圖9-17 考慮開(kāi)關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)寄生電容的單平衡混頻器電路圖圖9-18 開(kāi)關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)電壓VS和寄生電容充放電電流iCP和輸出電流iO的波形圖9-19 本振信號(hào)為正弦型信號(hào)時(shí)開(kāi)關(guān)對(duì)的輸入端電壓為整流波形和噪聲電壓的疊加圖9-20 開(kāi)關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)的電壓波形圖9-21 通過(guò)減小流過(guò)開(kāi)關(guān)對(duì)的電流來(lái)減小混頻器的噪聲系

24、數(shù)9.3.4 線性度9.3.5 提高線性度的技術(shù)圖9-22 采用源簡(jiǎn)并技術(shù)提高混頻器的線性度圖9-23 AB類工作的驅(qū)動(dòng)級(jí)的輸出電流波形圖9-24 采用分段線性近似技術(shù)的驅(qū)動(dòng)級(jí)電路圖圖9-25 采用分段線性近似的驅(qū)動(dòng)級(jí)跨導(dǎo)圖9-26 開(kāi)關(guān)對(duì)共源節(jié)點(diǎn)加入諧振電路來(lái)消除寄生電容的影響圖9-27 三階交調(diào)積消除技術(shù)9.3.6 輸出負(fù)載圖9-28 采用三種不同輸出負(fù)載的混頻器圖9-29 具有濾波功能的電阻負(fù)載型混頻器圖9-30 晶體管作負(fù)載時(shí)混頻器的輸出共?？刂齐娐?.3.7 射頻輸入端接口電路圖9-31 采用電感源簡(jiǎn)并技術(shù)的混頻器驅(qū)動(dòng)級(jí)圖9-32 采用共柵結(jié)構(gòu)的混頻器驅(qū)動(dòng)級(jí)圖9-33 單端輸入的雙平

25、衡混頻器9.3.8 本振輸入端接口電路圖9-34 本振緩沖器9.3.9 設(shè)計(jì)考慮9.3.10 應(yīng)用于零中頻接收機(jī)的混頻器設(shè)計(jì)圖9-35 噪聲消除技術(shù)圖9-36 改善二階線性度性能的混頻器9.4 其他類型的混頻器9.4.1 電位混頻器圖9-37 電位混頻器 9.4.2 無(wú)源混頻器圖9-38 無(wú)源混頻器9.4.3 亞采樣混頻器圖9-39 亞采樣混頻過(guò)程圖9-40 亞采樣混頻器圖9-41 亞采樣混頻器的噪聲轉(zhuǎn)移過(guò)程9.5 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題10 射頻功率放大器10.1 晶體管非線性模型圖10-1 晶體管的非線性模型10.2 功率匹配與負(fù)載線匹配圖10-2 功率匹配和負(fù)載線匹配圖10-3 采用功率匹配和

26、負(fù)載線匹配時(shí)A類放大器的輸入-輸出功率傳輸特性10.3 性能參數(shù)10.3.1 輸出功率10.3.2 效率10.3.3 功率利用因子10.3.4 功率增益10.3.5 線性度圖10-4 IS-95 CDMA通信系統(tǒng)的ACPR描述圖10-5 幾種無(wú)線通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的頻譜掩模板圖10-6 錯(cuò)誤向量定義圖10-7 利用星圖來(lái)測(cè)量EVM10.4 負(fù)載線理論和Loadpull技術(shù)圖10-8 理想晶體管模型圖10-9 晶體管工作于A類模式時(shí)的偏置點(diǎn)圖10-10 A類功率放大器的電路圖及電流、電壓波形圖10-11 A類功率放大器的電流、電壓波形與電阻負(fù)載阻抗值的關(guān)系圖10-12 串聯(lián)電抗元件可提高晶體管漏端的電

27、壓幅度（輸出功率保持不變）圖10-13 并聯(lián)電納元件可提高流過(guò)晶體管的電流幅度（輸出功率保持不變）圖10-14 Smith圓圖上的Loadpull曲線10.5 傳統(tǒng)功率放大器10.5.1 波形分析圖10-15 傳統(tǒng)功率放大器的驅(qū)動(dòng)電壓波形和輸出電流波形 圖10-16 輸出電流中直流成分以及1階到5階諧波成分幅度隨導(dǎo)通角的變化曲線10.5.2 輸出終端圖10-17 傳統(tǒng)功率放大器的電路圖圖10-18 傳統(tǒng)功率放大器的各種波形 圖10-19 傳統(tǒng)功率放大器的輸出功率和效率隨導(dǎo)通角的變化曲線10.5.3 Knee電壓的影響圖10-20 晶體管的典型I-V曲線圖10-21 Knee電壓使得功率放大器輸

28、出電流波形中出現(xiàn)雙峰圖10-22 輸出電壓幅度減小可降低Knee電壓的影響10.5.4 功率傳輸關(guān)系和線性度圖10-23 A類放大器的功率傳輸關(guān)系圖10-24 AB類放大器的功率傳輸關(guān)系圖10-25 B類放大器的功率傳輸關(guān)系圖10-26 C類放大器的功率傳輸關(guān)系圖10-27 傳統(tǒng)功率放大器的功率傳輸關(guān)系圖10-28 采用強(qiáng)弱非線性模型后傳統(tǒng)功率放大器的功率傳輸關(guān)系10.5.5 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度圖10-29 兩級(jí)功率放大器的效率與輸出級(jí)功率增益之間的關(guān)系曲線10.5.6 匹配網(wǎng)絡(luò)和諧波短路終端的設(shè)計(jì)圖10-30 匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖10-31 寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)圖10-32 四分之一波長(zhǎng)短路傳輸線作諧波短路終端10

29、.5.7 推挽B類功率放大器圖10-33 推挽B類功率放大器10.5.8 傳統(tǒng)功率放大器的設(shè)計(jì)過(guò)程10.6 開(kāi)關(guān)模式功率放大器10.6.1 D類功率放大器圖10-34 D類功率放大器的電路圖圖10-35 D類功率放大器的波形圖10.6.2 E類功率放大器圖10-36 E類功率放大器的電路圖圖10-37 E類功率放大器的各種電流波形圖圖10-38 E類功率放大器開(kāi)關(guān)上的電壓波形圖10-39 采用不同設(shè)計(jì)方程完成的E類放大器的輸出功率和效率比較圖10-40 開(kāi)關(guān)不完全截止時(shí)，電流和電壓波形存在重疊區(qū)10.6.3 F類功率放大器圖10-41 F類功率放大器的電路圖圖10-42 F類功率放大器的波形圖

30、圖10-43 F-1類功率放大器的電路、波形圖圖10-44 采用集中式元件實(shí)現(xiàn)的F類功率放大器的電路圖圖10-45 基頻和三階諧波成分的合成電壓波形圖10-46 采用集中式元件實(shí)現(xiàn)的F類功率放大器的波形圖10.7 不同類型功率放大器性能比較10.8 采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)集成功率放大器面對(duì)的挑戰(zhàn)10.8.1 耐壓能力10.8.2 MOS晶體管跨導(dǎo)10.8.3 襯底問(wèn)題10.8.4 Knee電壓圖10-47 負(fù)載線匹配法圖10-48 功率晶體管和深亞微米晶體管的I-V曲線10.9 CMOS功率放大器電路設(shè)計(jì)技術(shù)10.9.1 差分結(jié)構(gòu)圖10-49 差分放大器的電路圖和單端輸出、差分輸出電壓波形圖10

31、-50 共源端直接接地的差分放大器圖10-51 Downbond封裝技術(shù)10.9.2 Cascode技術(shù)圖10-52 Cascode差分電路圖10-53 Cascode結(jié)構(gòu)和共源結(jié)構(gòu)的I-V曲線比較10.9.3 有效利用鍵合線電感圖10-54 功率放大器的輸出網(wǎng)絡(luò)10.9.4 輸出級(jí)的輸入調(diào)諧圖10-55 驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)之間的接口電路圖10-56 修改后的接口電路10.9.5 Cascode電感圖10-57 差分結(jié)構(gòu)中的Cascode電感10.9.6 深亞微米工藝下的負(fù)載阻抗優(yōu)化圖10-58 深亞微米工藝下優(yōu)化負(fù)載阻抗值的流程圖10.9.7 功率合成圖10-59 Wilkinson功率合成技術(shù)

32、圖10-60 分布式有源變壓器技術(shù)的電路圖圖10-61 分布式有源變壓器技術(shù)的實(shí)現(xiàn)版圖（簡(jiǎn)化）10.9.8 穩(wěn)定性問(wèn)題10.10 線性化技術(shù)10.10.1 功率放大器非線性的影響圖10-62 非線性功率放大器的輸出包含各階交調(diào)積和諧波成分圖10-63 功率放大器的非線性引起頻譜增生圖10-64 非線性功率放大器的AM-AM效應(yīng)和AM-PM效應(yīng)圖10-65 功率放大器的非線性引起星圖變形10.10.2 調(diào)制方式圖10-66 恒包絡(luò)調(diào)制信號(hào)圖10-67 非恒包絡(luò)調(diào)制信號(hào)圖10-68 QPSK調(diào)制系統(tǒng)的星圖圖10-69 OQPSK調(diào)制系統(tǒng)的星圖圖10-70 GMSK調(diào)制系統(tǒng)的星圖圖10-71 /4D

33、QPSK調(diào)制系統(tǒng)的星圖圖10-72 載波系統(tǒng)的信號(hào)峰值-平均能量比隨載波數(shù)N的變化曲線10.10.3 線性化技術(shù)和提高效率的技術(shù)圖10-73 功率回退技術(shù)圖10-74 漏端調(diào)制技術(shù)（Heising調(diào)制器）圖10-75 改進(jìn)的漏端調(diào)制技術(shù)圖10-76 包絡(luò)反饋技術(shù)圖10-77 前饋技術(shù)圖10-78 預(yù)失真技術(shù)圖10-79 包絡(luò)恢復(fù)和消除技術(shù)圖10-80 LINC技術(shù)圖10-81 極坐標(biāo)反饋技術(shù)圖10-82 笛卡兒坐標(biāo)反饋技術(shù)圖10-83 偏置自適應(yīng)技術(shù)圖10-84 Doherty技術(shù)圖10-85 Doherty放大器的功率傳輸特性10.11 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題11 射頻振蕩器11.1 振蕩條件圖1

34、1-1 振蕩器的反饋模型圖11-2 穩(wěn)定振蕩器的閉環(huán)傳輸函數(shù)與振蕩幅度之間的關(guān)系曲線圖11-3 硬自激的振蕩特性圖11-4 振蕩器的自動(dòng)幅度控制圖11-5 并聯(lián)諧振回路的相頻特性11.2 描述函數(shù)圖11-6 大信號(hào)跨導(dǎo)器圖11-7 入信號(hào)幅度很高時(shí)晶體管柵極、源極的電壓波形和流過(guò)晶體管的電流波形圖11-8 大信號(hào)跨導(dǎo)與小信號(hào)跨導(dǎo)比值與信號(hào)幅度之間的關(guān)系曲線11.3 反饋型LC振蕩器圖11-9 LC振蕩器的振蕩原理圖11-10 反饋型LC振蕩器的三種典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖11-11 Colpitts振蕩器的完整電路圖圖11-12 Colpitts振蕩器的大信號(hào)等效電路(Iin為輸入激勵(lì)源)11.4 負(fù)阻

35、LC振蕩器11.4.1 負(fù)阻的概念圖11-13 正、負(fù)電阻的概念11.4.2 負(fù)阻振蕩原理圖11-14 負(fù)阻振蕩電路圖11-15 2>20時(shí)的電流變化曲線圖11-16 2=20時(shí)的電流變化曲線圖11-17 2<20時(shí)的電流變化曲線圖11-18 負(fù)阻振蕩器原理電路11.4.3 負(fù)阻振蕩器電路圖11-19 單端負(fù)阻電路圖11-20 單端負(fù)阻LC振蕩器圖11-21 差分負(fù)阻電路圖11-22 差分負(fù)阻LC振蕩器圖11-23 負(fù)阻振蕩器的正反饋分析圖11-24 LC諧振回路的幅頻響應(yīng)曲線和相頻響應(yīng)曲線11.4.4 頻率調(diào)諧圖11-25 電壓控制振蕩器的概念圖11-26 VCO頻率調(diào)諧的線性度

36、圖11-27 反向pn結(jié)作調(diào)諧元件的LC電壓控制振蕩器圖11-28 MOS容抗管作調(diào)諧元件的LC電壓控制振蕩器圖11-29 數(shù)字調(diào)諧技術(shù)圖11-30 數(shù)字調(diào)諧技術(shù)可能存在盲區(qū)11.4.5 設(shè)計(jì)過(guò)程11.5 環(huán)型振蕩器圖11-31 環(huán)型振蕩器11.5.1 振蕩條件圖11-32 共源放大器構(gòu)成的單極點(diǎn)反饋系統(tǒng)圖11-33 兩極點(diǎn)反饋系統(tǒng)圖11-34 增加了一個(gè)理想反相器的兩極點(diǎn)反饋系統(tǒng)圖11-35 三級(jí)環(huán)型振蕩器： 三極點(diǎn)反饋系統(tǒng)圖11-36 三極點(diǎn)反饋系統(tǒng)閉環(huán)傳輸函數(shù)的波特圖圖11-37 三級(jí)環(huán)型振蕩器各節(jié)點(diǎn)的電壓波形圖11-38 三級(jí)環(huán)型振蕩器起振時(shí)各節(jié)點(diǎn)的電壓波形圖11-39 三級(jí)環(huán)型振蕩器

37、的大信號(hào)穩(wěn)定振蕩波形11.5.2 延遲單元電路圖11-40 單端延遲單元電路圖11-41 電阻作負(fù)載的差分延遲單元電路及各點(diǎn)電壓波形圖11-42 交互式耦合差分延遲單元電路11.5.3 頻率調(diào)諧圖11-43 改變充放電電流來(lái)調(diào)節(jié)延遲單元的延遲時(shí)間圖11-44 恒電流源環(huán)型振蕩器圖11-45 V-I變換電路圖11-46 改變負(fù)載電阻值來(lái)調(diào)節(jié)延遲單元的延遲時(shí)間圖11-47 復(fù)制偏置技術(shù)圖11-48 采用正反饋技術(shù)來(lái)調(diào)節(jié)延遲單元的延遲時(shí)間圖11-49 具有常數(shù)振蕩幅度的正反饋技術(shù)圖11-50 采用電流折疊的正反饋技術(shù)圖11-51 采用差值技術(shù)來(lái)調(diào)節(jié)延遲單元的延遲時(shí)間圖11-52 采用差值技術(shù)的單端延

38、遲單元電路圖11-53 采用差值技術(shù)的差分延遲單元電路圖11-54 采用差值技術(shù)的恒振蕩幅度差分延遲單元電路圖11-55 組合頻率調(diào)諧技術(shù)圖11-56 寬調(diào)諧范圍的差分延遲單元電路11.6 壓控振蕩器的相位域模型11.7 相位噪聲和抖動(dòng)11.7.1 相位噪聲圖11-57 理想正弦型信號(hào)的頻譜圖11-58 非理想正弦型信號(hào)的頻譜圖11-59 相位擾動(dòng)轉(zhuǎn)化為輸出頻譜圖11-60 相位噪聲對(duì)通信系統(tǒng)質(zhì)量的影響圖11-61 相位噪聲造成發(fā)射機(jī)頻譜擴(kuò)散11.7.2 時(shí)鐘抖動(dòng)圖11-62 理想時(shí)鐘信號(hào)和非理想時(shí)鐘信號(hào)11.7.3 相位噪聲和時(shí)鐘抖動(dòng)的關(guān)系11.7.4 相位噪聲分析模型圖11-63 理想負(fù)阻

39、振蕩器圖11-64 實(shí)際測(cè)量得到的相位噪聲曲線圖11-65 相位和幅度脈沖響應(yīng)模型圖11-66 不同時(shí)刻注入電流脈沖對(duì)振蕩波形的影響圖11-67 LC振蕩器和環(huán)型振蕩器的ISF圖11-68 噪聲對(duì)輸出電壓頻譜的影響可以看作兩個(gè)系統(tǒng)的級(jí)聯(lián)圖11-69 電路噪聲轉(zhuǎn)換為相位噪聲的過(guò)程圖11-70 白色周期性穩(wěn)態(tài)噪聲源可以分解為一個(gè)白色穩(wěn)態(tài)噪聲源和周期性函數(shù)的乘積圖11-71 Colpitts振蕩器中周期性穩(wěn)態(tài)噪聲的影響圖11-72 環(huán)型振蕩器中周期性穩(wěn)態(tài)噪聲的影響11.8 相位噪聲性能分析11.8.1 環(huán)型振蕩器圖11-73 環(huán)型振蕩器的近似ISF圖11-74 通過(guò)在延遲單元中引入鎖存器來(lái)提高狀態(tài)轉(zhuǎn)

40、換速率圖11-75 五級(jí)環(huán)型振蕩器（在每一級(jí)的輸入都注入一個(gè)相同大小的噪聲電流源）圖11-76 每一個(gè)噪聲源貢獻(xiàn)的相位子表示11.8.2 LC差分負(fù)阻振蕩器圖11-77 尾部偏置電流型LC振蕩器的電路圖圖11-78 電流偏置型負(fù)阻振蕩器的差分振蕩幅度與偏置電流之間的關(guān)系圖11-79 偏置電流源在負(fù)阻LC振蕩器中的作用圖11-80 其他參數(shù)不變時(shí)，振蕩器相位噪聲與偏置電流之間的關(guān)系圖11-81 互補(bǔ)差分LC振蕩器的電路圖圖11-82 對(duì)電流源阻抗的要求圖11-83 噪聲濾波器技術(shù)圖11-84 采用噪聲濾波技術(shù)的頂部偏置負(fù)阻振蕩器圖11-85 采用噪聲濾波技術(shù)的電壓偏置型負(fù)阻振蕩器11.9 頻率牽

41、引效應(yīng)圖11-86 振蕩器的頻率牽引效應(yīng)11.10 正交信號(hào)的產(chǎn)生11.10.1 RC-CR網(wǎng)絡(luò)圖11-87 RC-CR網(wǎng)絡(luò)11.10.2 頻率除法器圖11-88 主從觸發(fā)器作為正交信號(hào)產(chǎn)生器圖11-89 觸發(fā)器作為正交信號(hào)產(chǎn)生器11.10.3 正交LC振蕩器圖11-90 注入信號(hào)到振蕩器中及其小信號(hào)模型圖11-91 耦合LC振蕩器的原理圖和晶體管級(jí)電路圖圖11-92 耦合LC振蕩器的小信號(hào)等效電路圖圖11-93 同相耦合和反相耦合的LC振蕩器圖11-94 反相耦合LC振蕩器的相位子表示圖11-95 多振蕩器反相耦合可以提供多相振蕩信號(hào)11.10.4 無(wú)源多相網(wǎng)絡(luò)圖11-96 具有正極性序列和

42、負(fù)極性序列的四相信號(hào)的相位子分布圖11-97 N相網(wǎng)絡(luò)中其中一相的電路結(jié)構(gòu)圖11-98 單級(jí)和多級(jí)四相網(wǎng)絡(luò)圖11-99 四相網(wǎng)絡(luò)作為正交信號(hào)產(chǎn)生器圖11-100 應(yīng)用于900MHz接收機(jī)中的不同級(jí)數(shù)多相網(wǎng)絡(luò)的增益匹配誤差隨頻率的變化曲線圖11-101 無(wú)源多相網(wǎng)絡(luò)作復(fù)濾波器實(shí)現(xiàn)鏡像抑制功能圖11-102 復(fù)濾波器的信號(hào)流圖表示圖11-103 應(yīng)用于900MHz接收機(jī)中的不同級(jí)數(shù)多相網(wǎng)絡(luò)復(fù)數(shù)濾波器的頻率響應(yīng)曲線圖11-104 無(wú)源多相網(wǎng)絡(luò)傳輸特性在最壞情況下的元件取值11.11 總結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題圖11-105 習(xí)題1圖圖11-106 習(xí)題3圖圖11-107 習(xí)題8圖12 頻率合成器12.1 頻率

43、合成器的基本概念12.1.1 頻率范圍圖12-1 IEEE 802.11a無(wú)線局域網(wǎng)的頻帶12.1.2 頻率精度12.1.3 頻率切換時(shí)間12.1.4 頻率穩(wěn)定度與準(zhǔn)確度12.1.5 頻譜純度圖12-2 頻率合成器的瞬時(shí)相位擾動(dòng)轉(zhuǎn)化為相位噪聲圖12-3 頻率合成器和振蕩器的相位噪聲曲線比較圖12-4 頻率合成器輸出頻譜上的雜散12.2 直接數(shù)字頻率合成器12.2.1 頻率合成原理圖12-5 直接數(shù)字頻率合成器的原理性框圖圖12-6 直接數(shù)字頻率合成器中低通濾波器的傳輸函數(shù)圖12-7 直接數(shù)字頻率合成器各模塊輸出的波形圖12.2.2 雜散分析圖12-8 直接數(shù)字頻率合成器中的噪聲源12.2.3

44、壓縮ROM存儲(chǔ)量的技術(shù)圖12-9 利用正弦型函數(shù)的對(duì)稱性來(lái)減小ROM查找表的存儲(chǔ)量圖12-10 正弦型函數(shù)幅度與相位差算法圖12-11 Sunderland結(jié)構(gòu)圖12-12 Taylor序列近似圖12-13 利用正弦波數(shù)模變換器來(lái)代替ROM查找表的直接數(shù)字頻率合成器12.2.4 實(shí)現(xiàn)調(diào)制功能和波形發(fā)生器圖12-14 利用直接數(shù)字頻率合成技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)各種調(diào)制方式12.2.5 優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)圖12-15 直接數(shù)字頻率合成技術(shù)和鎖相環(huán)技術(shù)結(jié)合組成雙環(huán)結(jié)構(gòu)12.3 鎖相環(huán)路的基本原理與性能分析12.3.1 基本工作原理圖12-16 鎖相環(huán)的基本方框圖及振蕩器和鑒相器的傳輸特性圖12-17 鎖相環(huán)對(duì)頻率發(fā)生階

45、躍變化的響應(yīng)曲線12.3.2 鎖相環(huán)中的基本模塊圖12-18 乘法器型鑒相器的平均輸出與相位誤差的關(guān)系曲線圖12-19 兩輸入信號(hào)之間的相位差不同時(shí)異或門(mén)型鑒相器的信號(hào)波形圖12-20 異或門(mén)型鑒相器平均輸出ud(t)與相位誤差e之間的關(guān)系曲線圖12-21 JK觸發(fā)器型鑒相器圖12-22 兩輸入信號(hào)之間的相位差不同時(shí)JK觸發(fā)器型鑒相器的信號(hào)波形圖12-23 JK觸發(fā)器型鑒相器平均輸出ud(t)與相位誤差e之間的關(guān)系曲線圖12-24 鑒頻鑒相器圖12-25 鑒頻鑒相器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖圖12-26 兩輸入信號(hào)之間的相位差不同時(shí)PFD的信號(hào)波形圖12-27 鑒頻鑒相器平均輸出ud(t)與相位誤差e之間的關(guān)系曲線圖12-28 ud(t)的占空比與兩輸入信號(hào)的頻率比1/2之間的關(guān)系曲線圖12-29 一階和二階無(wú)源超前滯后網(wǎng)絡(luò)的電路圖圖12-30 一階和二階無(wú)源超前滯后網(wǎng)絡(luò)的幅頻響應(yīng)曲線圖12-31 一階和二階有源超前滯后網(wǎng)絡(luò)的電路圖圖12-32 一階和二階有源超前滯后網(wǎng)絡(luò)的幅頻響應(yīng)曲線圖12-