LED芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

1、文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)QA-WI-064文件版次A/0文件頁(yè)次 第 6 頁(yè) 共 6 頁(yè)修訂記錄日期版次修訂條款修訂內(nèi)容簡(jiǎn)述修訂人備注編制/日期：審核/日期：批準(zhǔn)/日期：會(huì)簽總經(jīng)辦財(cái)務(wù)中心營(yíng)銷中心市場(chǎng)部研發(fā)資材中心采購(gòu)倉(cāng)庫(kù)體系課項(xiàng)目辦人力資源行政事業(yè)部品保工程設(shè)備處OJT運(yùn)營(yíng)中心照明（SMD）燈絲插件COB工程設(shè)備IE本資料為源磊科技有限公司之所有財(cái)產(chǎn)，未經(jīng)書(shū)面許可不準(zhǔn)透露或使用本資料，亦不準(zhǔn)復(fù)印、復(fù)制或轉(zhuǎn)變成其它形式使用。1. 目的 規(guī)范公司內(nèi)LED正裝芯片檢驗(yàn)判定標(biāo)準(zhǔn)。避免不合格原材料流入產(chǎn)線，提高生產(chǎn)良率。2. 范圍 適用于公司LED正裝芯片類產(chǎn)品3. 定義CR：功能不正常嚴(yán)

2、重影響信賴性或嚴(yán)重影響成品規(guī)格或嚴(yán)重影響客戶作業(yè)等。MA：成品質(zhì)量有明顯性或潛在性的影響而不能正常使用。 MI：使用上有一定的影響，但不是功能上的影響。4. 權(quán)責(zé) 品保部：品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的建立、修改、執(zhí)行及相關(guān)品質(zhì)記錄。5.內(nèi)容5.1抽樣依據(jù)：依照MIL-STD-105E并結(jié)合實(shí)際情況。5.2必須是合格供應(yīng)商，承認(rèn)書(shū)和環(huán)保資料齊全，才可進(jìn)行下一步，否則拒絕檢驗(yàn)。5.3檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷資料檢查1.型號(hào)、數(shù)量、參數(shù)與送貨單據(jù)一致無(wú)全檢 目視 送貨單CR包裝標(biāo)識(shí)1. 包裝完好，紙盒整齊、芯片靜電袋、藍(lán)膜完好無(wú)破損，無(wú)受潮現(xiàn)象2.可使用期限必須在保質(zhì)期

3、內(nèi)一半及以上無(wú)包裝全檢，藍(lán)膜抽10張檢查目視CR外觀檢測(cè)電極變色芯片正負(fù)極氧化變色允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA電極色差同一片中不同芯片間和一顆芯片正負(fù)電極間顏色差異大允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA探針痕跡電極上探針痕跡不得超過(guò)電極面積的1/3，不可露底材，不可偏移超過(guò)電極范圍 10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷外觀檢測(cè)切割不良芯片破損、增生、形狀大小不規(guī)則、裂紋，允收標(biāo)準(zhǔn)：芯片破損（增生）面積1/5芯片面積,裂紋不可有。10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA電極刮花芯片表面的電極區(qū)域有刮傷的痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)

4、：芯片任一電極刮傷面積該電極面積的1/5非電極區(qū)：非電極區(qū)刮傷面積該芯片面積的1/4且不可損傷到PN結(jié)。10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA芯片表面臟污芯片表面有污染痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)：污染面積該電極面積的1/5非電極區(qū)：污染面積該芯片面積的1/410張藍(lán)膜/批顯微鏡*20MA掉電極1.電極脫落，有缺口允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有2. 金手指脫落允收標(biāo)準(zhǔn)：距離電極1/2以內(nèi)脫落不可接受10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20CR排列方向錯(cuò)誤芯片中有一排（列）或幾排（列）與其他多數(shù)材料排列方向相反，排列不整齊10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20CR檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷外觀檢測(cè)表面多金芯片表面任

5、何地方有多出的殘金允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*20CR外表漏洞芯片任何部位有漏洞、燒黑或其他疑似擊穿現(xiàn)象允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10張藍(lán)膜/批顯微鏡*45CR尺寸檢測(cè)芯片尺寸每批抽10PCS檢驗(yàn)芯片的長(zhǎng)、寬，及電極正負(fù)極尺寸是否在規(guī)格范圍內(nèi)無(wú)10PCS二次元CR性能檢測(cè)DVF校正過(guò)的廠商芯片每批抽0.5K測(cè)試DVF，VFM11和VFM12設(shè)置1uA，DVF1設(shè)置為規(guī)格電流，時(shí)間設(shè)置為5ms，未校正的廠商芯片暫無(wú)法測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn)：-0.1V<DVF<0.1V無(wú)0.5K裸晶測(cè)試儀CR閘流體校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽0.5K測(cè)試VFD2，未校正的廠商芯片暫無(wú)法測(cè)試允收標(biāo)準(zhǔn)：電流5mA時(shí)

6、3V檔芯片VFD2<0.05V9V檔芯片VFD2<0.1V18V檔芯片VFD2<0.15V無(wú)0.5K裸晶測(cè)試儀CR正向電壓校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽0.5K測(cè)試；未校正的廠商芯片每批進(jìn)料抽10PCS測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽電壓±0.1V，且平均值在標(biāo)簽范圍內(nèi)；無(wú)0.5K/10PCS裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)CR檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說(shuō)明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、工具缺陷反向電流校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽0.5K測(cè)試；未校正的廠商芯片每批進(jìn)料抽10PCS測(cè)試，測(cè)試條件和判定按規(guī)格書(shū)標(biāo)準(zhǔn)。無(wú)0.5K/10PCS裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)CR波長(zhǎng)校正過(guò)的廠商芯片每批進(jìn)料抽0

7、.5K測(cè)試；未校正的廠商芯片每批進(jìn)料抽10PCS測(cè)試。允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽波長(zhǎng)±1nm，且平均值在標(biāo)簽范圍內(nèi)無(wú)0.5K/10PCS裸晶測(cè)試儀/積分球/IS機(jī)CR亮度檢測(cè)正裝雙電極芯片每批進(jìn)料抽0.5K測(cè)試PO值（mw），其它類型的芯片暫無(wú)法測(cè)試允收標(biāo)準(zhǔn)：實(shí)測(cè)平均值在標(biāo)簽范圍內(nèi)，最小值不低于芯片標(biāo)簽下限的5%，且低于標(biāo)簽下限的數(shù)量占測(cè)試數(shù)量比例不得超過(guò)10%，不管控上限。無(wú)0.5K裸晶測(cè)試儀MA靜電檢測(cè)每批進(jìn)料抽10PCS用反向2000V擊打，然后測(cè)試IR允收標(biāo)準(zhǔn)：按承認(rèn)書(shū)標(biāo)準(zhǔn)判定IR2，通過(guò)率不低于80%無(wú)10PCS靜電測(cè)試儀裸晶測(cè)試儀/啟動(dòng)電壓靜電檢測(cè)后的芯片用小電流再測(cè)試啟動(dòng)電壓；其中3V檔、6V檔和9V檔芯片用1uA測(cè)試VF5，18V檔和24V檔芯片用10uA測(cè)試VF4允收標(biāo)準(zhǔn)：3V檔芯片：VF5：2-2.8V6V檔芯片：VF5：4-5.5V9V檔芯片：VF5：6-8V18V檔芯片：VF4：12-16V24V檔芯片：VF4：16-21V無(wú)10PCS裸晶