電磁場(chǎng)與電磁波試題整理

1、電磁場(chǎng)與電磁波自測(cè)試題v, gD1.介電常數(shù)為 的均勻線性介質(zhì)中，電荷的分布為(rv) ，則空間任一點(diǎn) gEv2.1. 線電流 I1與I2垂直穿過(guò)紙面，如圖所示。已知 I1 1A，試問(wèn)v? H.dl _ ；l1若? Hv .dl 0， 則I2 。2. 1； 1A 1. 鏡像法是用等效的 代替原來(lái)場(chǎng)問(wèn)題的邊界，該方法的理論依據(jù)是， 這樣的媒質(zhì)又稱為 evy H0 cos( tx) ， 則電場(chǎng)強(qiáng)度的方向?yàn)?. 鏡像電荷； 唯一性定理1. 在導(dǎo)電媒質(zhì)中， 電磁波的相速隨頻率改變的現(xiàn)象稱為2. 色散； 色散媒質(zhì)1. 已知自由空間一均勻平面波， 其磁場(chǎng)強(qiáng)度為 Hv， 能流密度的方向?yàn)?。三種，其中 狀態(tài)

2、不傳遞電1. 傳輸線的工作狀態(tài)有 、 _磁能量。2. 行波； 駐波； 混合波；駐波1. 真空中有一邊長(zhǎng)為 的正六角 形，六個(gè)頂點(diǎn)都放有 點(diǎn)電荷。則在圖示兩種情形 下，在六角形中心點(diǎn)處的場(chǎng) 強(qiáng)大小為圖 中 ；_圖 中。_2. ；1. 平行板空氣電容器中，電位(其中 a、b、c 與 d為常數(shù))， 則電場(chǎng)強(qiáng)度，_ 電荷體密度 。_2. ；11. 在靜電場(chǎng)中，位于原點(diǎn)處的電荷場(chǎng)中的電場(chǎng)強(qiáng)度 線是一族以原點(diǎn)為中心的 線 ， 等位線為一族。_2. 射 ； 同心圓1. 損耗媒質(zhì)中的平面波 , 其傳播系數(shù) 可表示為 的復(fù)數(shù)形式，其中表 示衰減的為 。_2. j ；1. 在無(wú)損耗傳輸線上， 任一點(diǎn)的輸入功率都

3、，并且等于 所得到的 功率。2. 相同； 負(fù)載1. 在靜電場(chǎng)中，線性介質(zhì)是指介質(zhì)的參數(shù)不隨 而 改變， 各向 同性的線性介質(zhì)是指介質(zhì)的特性不隨 而變化的線性介質(zhì)。2. 場(chǎng)量的量值變化；場(chǎng)的方向變化1. 對(duì)于只有 個(gè)帶電導(dǎo)體的靜電場(chǎng)系統(tǒng)， 取其中的一個(gè)導(dǎo)體為參考點(diǎn)，其靜電能量可表示成， 這里 號(hào)導(dǎo)體上的電位 是指 的_ 電荷在 號(hào)導(dǎo)體上引起的電位， 因此計(jì)算的結(jié)果表示的是靜電場(chǎng)的能 量的總和。2. 所有帶電導(dǎo)體；自有和互有1. 請(qǐng)用國(guó)際單位制填寫下列物理量的單位 磁場(chǎng)力 ，_ 磁導(dǎo)率 。_2. N； H/m1. 分離變量法在解三維偏微分方程 時(shí)， 其第一步是令，_ 代入方程后將得到 個(gè) 方_ 程

4、。2. ； , 常微分。1. 用差分法時(shí)求解以位函數(shù)為待求量的邊值問(wèn)題 , 用 階有限差分近似表示 處的 ， 設(shè)， 則正確的差分格式是 。_2. 一；1. 在電導(dǎo)率 103 s / m 、介電常數(shù)的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場(chǎng)強(qiáng)度 ， 則在 時(shí)刻， 媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度 、 位移電流密度2. 1.41 10 2A/m2；1. 終端開路的無(wú)損耗傳輸線上， 距離終端 處_ 為電流波的 波腹；距離終端處 為電流波的波節(jié)。2.1. 鏡像法的理論根據(jù)是。_ 鏡像法的基本思想是用集中 的鏡像電荷代替的 分布。2. 場(chǎng)的唯一性定理 ；未知電荷1. 請(qǐng)采用國(guó)際單位制填寫下列物理量的單位 電感 , 磁通 。_2. H；

5、Wb1. 靜態(tài)場(chǎng)中第一類邊值問(wèn)題是已知整個(gè)邊界上 ，_其數(shù)學(xué)表達(dá)式 為。_2. 位函數(shù)的值；1. 坡印廷矢量 ，它的方向表示的 傳輸方向，它的大 小 表示單位時(shí)間通過(guò)與能流方向相垂直的 電_ 磁能量。2. 電磁能量；單位面積的1. 損耗媒質(zhì)中其電場(chǎng)強(qiáng)度振幅和磁場(chǎng)強(qiáng)度振幅以 ，因子隨 增大而。2. ；減小1. 所謂均勻平面波是指等相位面為 ，且在等相位面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng) 的電磁波。2. 平面；相等1. 設(shè)媒質(zhì) 1 介電常數(shù) ）與媒質(zhì) 2 （介電常數(shù)為 ）分界面上存在自由電荷面密度 ， 試用電位函數(shù) 寫出其分界面上的邊界條件 和 。_1. 圖示填有兩層介質(zhì)的平行板電容器， 設(shè)兩極板上半部分的面積 為

6、， 下半部分的面積為 ， 板間距離為 ， 兩層介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 與 。 介質(zhì)分界面垂直于兩極板。 若忽略端部的邊緣效應(yīng)， 則此平行板電容器的電容應(yīng)為 。_2.1. 用以處理不同的物理場(chǎng)的類比法， 是指當(dāng)描述場(chǎng)的數(shù)學(xué)方式具有相似的 和 相似的， 則它們的解答在形式上必完全相似， 因而在理論計(jì)算時(shí)， 可以把某一種場(chǎng)的分析計(jì)算結(jié)果 , 推廣到另一種場(chǎng)中 去。2. 微分方程 ；邊界條件1. 電荷分布在有限區(qū)域的無(wú)界靜電場(chǎng)問(wèn)題中， 對(duì)場(chǎng)域無(wú)窮遠(yuǎn)處 的邊界條件可表示為 ，_即位函數(shù) 在無(wú)限遠(yuǎn)處的取值為 。2. 有限值 ；1. 損耗媒質(zhì)中的平面波， 其電場(chǎng)強(qiáng)度 ， 其中 稱為，_ 稱為。2. 衰減系數(shù)

7、；相位系數(shù)1. 在自由空間中， 均勻平面波等相位面的傳播速度等于， 電磁波能量傳播速度等于 。2. 光速 ；光速1. 均勻平面波的電場(chǎng)和磁場(chǎng)除了與時(shí)間有關(guān)外， 對(duì)于空間的坐標(biāo)， 僅與的 坐標(biāo)有關(guān)。 均勻平面波的等相位面和方向垂直。2. 傳播方向 ；傳播1. 在無(wú)限大真空中，一個(gè)點(diǎn)電荷所受其余多個(gè)點(diǎn)電荷對(duì)它的作用力，可根據(jù) 定 律和原理求得。2. 庫(kù)侖；疊加1. 真空中一半徑為 a 的圓球形空間內(nèi)，分布有體密度為 的均勻電荷，則圓球內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E1 evr （r a） ；圓球外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 E2 evr （r a） 。222. r/3 0； a2/3 0r2；1. 鏡像法的關(guān)鍵是要確定

8、鏡像電荷的個(gè)數(shù)、 和 。_2. 位置；大小1. 一均勻平面波由空氣垂直入射到良導(dǎo)體表面，則其場(chǎng)量衰減為表面值的 1/ e時(shí)的傳播距離稱為該導(dǎo)體的 , 其值等于 ，（ 設(shè)傳播系數(shù) j ） 。2. 透入深度 （ 趨膚深度 ）；1/1. 電磁波發(fā)生全反射的條件是，波從 ，_且入射角應(yīng)不小于。2. 光密媒質(zhì)進(jìn)入光疏媒質(zhì)； 臨界角1. 若媒質(zhì) 1 為完純介質(zhì)，媒質(zhì) 2 為理想導(dǎo)體。一平面波由媒質(zhì) 1 入射至媒質(zhì) 2，在分界面上，電場(chǎng)強(qiáng)度的反射波 分量和入射波分量的量值 ；相位，（ 填相等或相反 ） 。2. 相等；相反1. 設(shè)空氣中傳播的均勻平面波，其磁場(chǎng)為 ，則該平面波的傳播方向?yàn)?，_ 該波的頻率為。

9、_v62. ey ； 5 106Hz1. 已知銅的電導(dǎo)率 ，相對(duì)磁導(dǎo)率 ，相對(duì)介質(zhì)電常數(shù) ，對(duì)于頻率為 的電磁波在銅中的透入深度為 ，若頻率提高，則透入深度將變。2. 66 m ；小1. 一右旋圓極化波，電場(chǎng)振幅為 ，角頻率為 ，相位系數(shù)為 ，沿 傳播，則其電場(chǎng)強(qiáng)度 的瞬時(shí)表示為，_磁_(tái) 場(chǎng)強(qiáng)度 的瞬時(shí)表示為 。_2. E E0 cos( t z)evx E0 sin( tz)evy ； HvEZ0 cos( tz)evy EZ0 sin( t1. 設(shè)一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場(chǎng)強(qiáng)度為 ，則該平面波的磁場(chǎng)強(qiáng)度 ；_波長(zhǎng)為 。v 1 82. exE0 cos(6 10 2 z) ； 1m

10、1201. 在電導(dǎo)率 、介電常數(shù) 的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場(chǎng)強(qiáng)度 ，則在時(shí)刻，媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度 、 位移電流密度 2. 1.414 10 2A/m2；2.36 10 7A/m21. 在分別位于 和 處的兩塊無(wú)限大的理想導(dǎo)體平板之間的空氣中，時(shí)變電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度則兩導(dǎo)體表面上的電流密度分別為 和。_。_2. ez cos( t z)； ez cos( t z)1. 麥克斯韋方程組中的 和 表明不僅 要產(chǎn)生電場(chǎng)，而且隨時(shí)間變化的也要產(chǎn)生電場(chǎng)。2. 電荷；磁場(chǎng)1. 時(shí)變電磁場(chǎng)中，根據(jù)方程，_ 可定義矢量位 使 ，再根據(jù)方程，_可定義標(biāo)量位 ，使vv vB2.gB 0 ； EBt1.無(wú)源真空中，時(shí)變電

11、磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度 滿足的波動(dòng)方程為；_ 正弦電磁場(chǎng) （ 角頻率為） 的磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 （ 即相量 ）滿足的亥姆霍茲方程為2.2Hv2Hv2 v 2 v0 0 tH2 0 ； 2H 2 0 0H 01. 在介電常數(shù)為 ，磁導(dǎo)率為 、電導(dǎo)率為零的無(wú)損耗均勻媒質(zhì)中，已知位移電流密度復(fù)矢量 （ 即相 量），那么媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 （ 即相量） ；磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 （ 即相量） 。2 e j zA/m j02 j z2. exe j zV /m ； eyj1. 在 電 導(dǎo) 率 和 介 電 常 數(shù) 的 均 勻 媒 質(zhì) 中 ， 已 知 電 磁 場(chǎng) 的 電 場(chǎng) 強(qiáng) 度，則當(dāng)頻率 且 時(shí)間 ，_ 媒質(zhì)中位移電流密

12、度的大小與傳導(dǎo)電流密度的大小相等。 （ 注:）2. 7.2 1010 Hz ； 10 （n 1）,n 0,1,272 81. 半徑為 的圓形線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度 的磁場(chǎng)中，且 與線圈平面垂直，則線圈上的感應(yīng)電 動(dòng)勢(shì) ，_感應(yīng)電場(chǎng)的方向?yàn)?。_2v2. 2 （3t 1）a2； e1. 真空中，正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度 和磁場(chǎng)強(qiáng)度 分別為那么，坡印廷矢量 。_.平均坡印廷矢量 。_.2. evz 1 0 E02 sin( z)sin(2 t) ； 0 401. 兩個(gè)載流線圈的自感分別為 和 ，互感為 ，分別通有電流 和 ，則該系統(tǒng)的自有能 為 ，互有能為 。2. 1 L1I12 1 L2I22； MI1

13、I22 1 1 2 2 21. 在 恒 定 磁 場(chǎng) 中 ， 若 令 磁 矢 位 的 散 度 等 于 零 ， 則 可 以 得 到 所 滿 足 的 微 分 方 程 。但 若 的散 度 不為 零， 還能 得到 同樣 的微 分方 程 嗎？2 vv2. 2AJ ； 不能1. 在平行平面場(chǎng)中， 線與等 線相互 ( 填寫垂直、重合或有一定的夾角)1.恒定磁場(chǎng)中不同媒質(zhì)分界面處滿足的邊界條件是, 或 ,。v v v v v v v2. H1t H 2tJs； B1n B2n0 ；n (H1H 2) Js；ng(B1B2)0；7、 試題關(guān)鍵字鏡像法1. 圖示點(diǎn)電荷 Q 與無(wú)限大接地導(dǎo)體平板的靜電場(chǎng)問(wèn)題中，為了應(yīng)

14、用鏡像法求解區(qū)域A 中的電場(chǎng)，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時(shí)，是根據(jù)邊界條件(用電位表示) 和。2.1. 鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的大小、 和 。2. 位置； 個(gè)數(shù)1. 根據(jù)場(chǎng)的唯一性定理在靜態(tài)場(chǎng)的邊值問(wèn)題中，只要滿足給定的_ 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的 解是2. 邊界；唯一的1. 以位函數(shù) 為待求量的邊值問(wèn)題中，設(shè) 為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函數(shù)，則所謂第一類邊值問(wèn)題是指給定。2. f (s)；1. 分離變量法用于求解拉普拉斯方程時(shí)，具體步驟是 1、先假定待求的 _ 由 _ 的乘積所 組成。2、把假定的函數(shù)代入，使原來(lái)的 _ 方程轉(zhuǎn)換為兩個(gè)或三個(gè)常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件

15、決定其中待定常數(shù)和函數(shù)后，最終即可解得待求的 位函數(shù)。2. 位函數(shù)；兩個(gè)或三個(gè)各自僅含有一個(gè)坐標(biāo)變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態(tài)場(chǎng)中第一類邊值問(wèn)題是已知整個(gè)邊界上_ ，其數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。2. 位函數(shù)的值； s f （s）1. 以位函數(shù) 為待求量的邊值問(wèn)題中，設(shè)為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函數(shù)，則所謂第二類邊值問(wèn)題是指給定式。2. f （s） n1. 鏡像法的理論根據(jù)是 _ 。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替 _ 的分布。 2. 場(chǎng)的唯一性定理；求知電荷1. 電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的積分形式是 ，_它說(shuō)明恒定電流場(chǎng)的傳導(dǎo)電流是 。2. 蜒Ev dlv 0, Jv dSv 0 ；連續(xù)的1. 電通密

16、度（電位移）矢量的定義式為 ；若在各向同性的線性 電介質(zhì) 中，則電通密度 與電場(chǎng)強(qiáng)度 的關(guān)系又可表示為 。v v v2. 0E P ； E1. 介電常數(shù)的電導(dǎo)率分別為 及 的兩種導(dǎo)電媒質(zhì)的交界面，如已知媒質(zhì) 2 中電流密度的法向分量，則分界面上的電荷面密度 ，要電荷面密度為零，必須滿足 條件。2.J2n 1 21212121. 寫出下列兩種情況下，介電常數(shù)為 的均勻無(wú)界媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度的量值隨距離的變化規(guī)律（1）帶電金屬球（帶 電荷量為 Q）；（2）無(wú)限長(zhǎng)線電荷（電荷線密度為 ） 。22. Q /4 0r 2； /2 r1. 真空中一半徑為 a 的球殼，均勻分布電荷 Q，殼內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 ；

17、殼外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 。22. 0； Q/4 0r 21. 電偶極子是指_，寫出表征其特征的物理量電偶極矩的數(shù)學(xué)表達(dá)式 。_vv2. 兩個(gè)相距一定距離的等量異號(hào)的電荷； pv ql1. 矢量場(chǎng)中Ar 圍繞某一點(diǎn) P作一閉合曲面S，則矢量A穿過(guò)閉合曲面 S的通量為； 若 0，則流出 S面的通量流入的通量， 即通量由 S面內(nèi)向外，說(shuō)明 S 面內(nèi)有 。2.Ar dsr ；大于； 擴(kuò)散；正源s1. 矢量場(chǎng)的散度在直角坐標(biāo)下的表示形式為 ，它的結(jié)果為一 場(chǎng)。2.ArAx Ay Az ； 標(biāo)量xyz1. 散度定理的表達(dá)式為 ；斯托克斯定理的表達(dá)式為 。rr r r r2. AdrsA dv；? A dl(

18、 A) drss v s1. 標(biāo)量場(chǎng)的梯度是一 場(chǎng)，表示某一點(diǎn)處標(biāo)量場(chǎng)的 。2. 矢量； 變化率1. 研究一個(gè)矢量場(chǎng)，必須研究它的 和 ，才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)，這即是2. 散度；旋度； 亥姆霍茲定理1. 標(biāo)量場(chǎng)的梯度的方向?yàn)?；數(shù)值為 。2. 指向標(biāo)量增加率最大的方向或是等值面的法線方向；該方向上標(biāo)量的增加率1. 圖示填有兩層介質(zhì)的平行板電容器，設(shè)兩極板上半部分的面積 為 ， 下半部分的面積為 ， 板間距離為 ，兩層介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 與 。 介質(zhì)分界面垂直于兩極板。若忽略端部的邊緣效應(yīng)，則此平行板電容器的電容 應(yīng)為。_2.1. 用以處理不同的物理場(chǎng)的類比法，是指當(dāng)描述場(chǎng)的數(shù)學(xué)方式具有相似

19、的和 相似的，_ 則它們的解答在形式上必完全相似，因而在理論計(jì)算時(shí)， 可以把某一種場(chǎng)的分析計(jì)算結(jié)果 , 推廣到另一種場(chǎng)中去。2. 微分方程 ；邊界條件1. 電荷分布在有限區(qū)域的無(wú)界靜電場(chǎng)問(wèn)題中，對(duì)場(chǎng)域無(wú)窮遠(yuǎn)處 的邊界條件可表示為，_即_ 位函數(shù) 在無(wú)限遠(yuǎn)處的取值為。2. 有限值 ；1. 損耗媒質(zhì)中的平面波，其電場(chǎng)強(qiáng)度 ， 其中 稱為，_ 稱為。_2. 衰減系數(shù) ；相位系數(shù)1. 在自由空間中， 均勻平面波等相位面的傳播速度等于， 電磁波能量傳播速度等于。2. 光速 ；光速1. 均勻平面波的電場(chǎng)和磁場(chǎng)除了與時(shí)間有關(guān)外，對(duì)于空間的坐標(biāo)， 僅與的 坐標(biāo)有關(guān)。 均勻平面波的等相位面和方向垂直。2. 傳播

20、方向 ；傳播1. 在無(wú)限大真空中，一個(gè)點(diǎn)電荷所受其余多個(gè)點(diǎn)電荷對(duì)它的作用力，可根據(jù)定 律和原 理求得。2. 庫(kù)侖；疊加1. 真空中一半徑為 a 的圓球形空間內(nèi)，分布有體密度為 的均勻電荷，則圓球內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng) 度 E1 evr (r a) ；圓球外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E2 evr ( r a)。2. r /3 0； a2 /3 0r2；1. 鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的個(gè)數(shù)、和 。_2. 位置；大小1. 一均勻平面波由空氣垂直入射到良導(dǎo)體表面，則其場(chǎng)量衰減為表面值的1/ e時(shí)的傳播距離稱為 該導(dǎo)體的,其 值等于，( 設(shè)傳播系數(shù)j ) 。102. 透入深度 （ 趨膚深度 ）；1/1. 在傳播方向

21、上有磁場(chǎng)分量，但沒有電場(chǎng)分量，這種模式的電磁波稱為波。波 ，簡(jiǎn)稱為2. 橫電 ；TE1. 求解矩形波導(dǎo)中電磁波的各分量，是以體表面上所 滿足的邊界條件為理論依據(jù)的2. 麥克斯韋（或波動(dòng)、亥姆霍茲）；電場(chǎng)或磁場(chǎng)方_程_和波導(dǎo)壁理想導(dǎo)1. 波導(dǎo)中，TM 波的波阻抗2. ； jjTE 波的波阻抗 。1. 矩形波導(dǎo)中， 波的 分量應(yīng)滿足的邊界條件為在 和 處_; 在2.和 處 。_HZ0；HZy y 0 ybx x 0 xa1. 矩形波導(dǎo)可以工作在多模狀態(tài)，也可以工作在單模狀態(tài)，而單模的傳輸模式通常是模，這時(shí)要求波導(dǎo)尺寸a、b 滿足關(guān)系。_2. TE10 ；a2a,b1. 矩形波導(dǎo)的尺寸為 ，填充空氣

22、，工作模式為 模，設(shè)頻率為 ，此時(shí)的波阻抗 的定義為2. 橫向電場(chǎng)與橫向磁場(chǎng)之比ExHyZTE10120111. 在矩形波導(dǎo)中，若 ，則波導(dǎo)中的主模是； 若，則波導(dǎo)中的主模是。2. TE10 和TE01 ；TE101. 電磁波發(fā)生全反射的條件是，波從，_且入射角應(yīng)不小于。_2. 光密媒質(zhì)進(jìn)入光疏媒質(zhì)； 臨界角1. 若媒質(zhì)1為完純介質(zhì)，媒質(zhì)2 為理想導(dǎo)體。一平面波由媒質(zhì)1入射至媒質(zhì)2，在分界面上，電場(chǎng)強(qiáng)度的反射波分量和入射波分量的量值；相位，（ 填相等或相反）。2. 相等；相反1. 已知兩種介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 、 ，磁導(dǎo)率為 ，當(dāng)電磁波垂直入射至該兩介質(zhì)分界面時(shí)，反射系數(shù) ，_透射系數(shù) 。_2

23、.2 1 21. 設(shè)空氣中傳播的均勻平面波，其磁場(chǎng)為 ，則該平面波的傳播方向?yàn)?，_該波的頻率為。_v62. ey； 5 106 Hz1. 已知銅的電導(dǎo)率 ，相對(duì)磁導(dǎo)率 ，相對(duì)介質(zhì)電常數(shù) ，對(duì)于頻率為的電磁波在銅中的透入深度為，_ 若頻率提高，則透入深度將變。2. 66 m ；小1. 一右旋圓極化波，電場(chǎng)振幅為 ，角頻率為 ，相位系數(shù)為 ，沿 傳播，則其電場(chǎng)強(qiáng)度 的 瞬 時(shí) 表示 為，_磁 場(chǎng) 強(qiáng) 度 的 瞬 時(shí) 表 示 為2. E E0 cos( tz)evx E0 sin( tE0Zcos( tEZ0 sin( t121. 設(shè)一空氣中傳播的均勻平面波，已知其電場(chǎng)強(qiáng)度為 ，則該平面波 的磁場(chǎng)強(qiáng)

24、度 ；_波_長(zhǎng)為。v 1 8 2. exE0 cos(6 108 2 z) ；1m1201. 在電導(dǎo)率 、介電常數(shù) 的導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場(chǎng)強(qiáng)度，則在 時(shí)刻，媒質(zhì)中的傳導(dǎo)電流密度、 位移電流密度 2 2 7 2 2. 1.414 10 2 A / m2 ；2.36 10 7A/m21. 在分別位于 和 處的兩塊無(wú)限大的理想導(dǎo)體平板之間的空氣中，時(shí)變電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度 則兩導(dǎo)體表面上的電流密度分別為和_ 。_2. ez cos( t z)； ez cos( t z)1. 麥克斯韋方程組中的 和 表明不僅要產(chǎn)生電場(chǎng)，而且隨時(shí)間變化的也要產(chǎn)生電場(chǎng)。2. 電荷；磁場(chǎng)1. 時(shí)變電磁場(chǎng)中，根據(jù)方程 ，_可定義

25、矢量位 使 ，再根據(jù)方程_，_可定義標(biāo)量位 ，使vv2. gB 0 ； E131. 無(wú)源真空中，時(shí)變電磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度 滿足的波動(dòng)方程為；_正弦電磁場(chǎng) （ 角頻率為 ） 的磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 （ 即相量）滿足的亥姆霍茲方程為v2Hv2v2vH0 0 20；2H0 0H2.20導(dǎo)體桿上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) ，_ 方向由1. 如圖所示，導(dǎo)體桿 在磁感應(yīng)強(qiáng)度 的均勻磁場(chǎng)中，以 速度 向右平移。設(shè) 時(shí)導(dǎo)體桿 與 重合，則在 t / 時(shí)刻，2. B0vL ； a b1. 在介電常數(shù)為 ，磁導(dǎo)率為 、電導(dǎo)率為零的無(wú)損耗均勻媒質(zhì)中，已知位移電流密度復(fù)矢量 （ 即 相量），那么媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量（ 即相量） ；_磁場(chǎng)強(qiáng)度

26、復(fù)矢量（ 即相量） 。_2. ex 2 e j zV /m ； jey 2 e j zA/ m j01. 在電導(dǎo)率 和介電常數(shù) 的均勻媒質(zhì)中，已知電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度，則當(dāng)頻率 且 時(shí)間 ，_媒質(zhì)中位移電流密度的大小與傳導(dǎo)電流密度的大小相等。（ 注:）102. 7.2 1010 Hz ；17029 (n 81),n72 80,1,21. 半徑為 的圓形線圈放在磁感應(yīng)強(qiáng)度 的磁場(chǎng)中，且 與線圈平面垂直，則線圈上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) ，_感應(yīng)電場(chǎng)的方向?yàn)?42. 2 (3t 1)a2 ； ev1. 真空中，正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度 和磁場(chǎng)強(qiáng)度 分別為那么，坡印廷矢量 。_平均坡印廷矢量 。_.2. evz 1 0

27、 E02 sin（ z）sin（2 t）； 01. 長(zhǎng)直導(dǎo)線通有電流 ，其周圍的等 （ 磁位） 線的是一系列 , 在處放上一塊薄 （ 厚度 0） 的鐵板（ 板與導(dǎo)線不連） 對(duì)原磁場(chǎng)沒有影響。2. 以電流軸線為中心的射線 ；等磁位面1. 試用法拉弟觀點(diǎn)分析以下受力情況長(zhǎng)直螺線管空腔軸線處放一圓形載流小線圈，線圈平面與螺線管軸線垂直。當(dāng)小線圈放在位置（1 ，2） 時(shí)受到的軸向力最大，方向2. 21. 兩個(gè)載流線圈的自感分別為 和 ，互感為，分別通有電流 和 ，則該系統(tǒng)的自有能為 ，互有能2. 12 L1I12 21 L2 I22 ；22MI 1I21. 在均勻磁場(chǎng) 中有一鐵柱，柱中有一氣隙，對(duì)于圖

28、 , 氣隙與 平行則 _ ；15 。對(duì)于圖b ,小于或等于）氣隙與 垂直，則 ； _ 以上空格內(nèi)填上大于或2. 大于；等于； 等于；小于1. 在恒定磁場(chǎng)中，若令磁矢位 的散度等于零，則可以得到 所滿足的微分方 程。但若的散度不為零，還能得到同樣的微分方程嗎？。2 vv2. 2AJ ； 不能1. 在平行平面場(chǎng)中， 線與等 線相互 （ 填寫垂直、重合或有一定的夾角）2. 垂直1. 導(dǎo)磁媒質(zhì)被磁化，除等效為磁化電流對(duì)外的效應(yīng)外，也可等效為磁荷對(duì)外的效應(yīng)。當(dāng)已知磁介 質(zhì)內(nèi)的磁化強(qiáng)度 后，其束縛磁荷體密度為 ; 束縛磁荷面密度為 。2. m gM ； m M gnv1. 下圖中圖 的互感最大。2. b

29、1. 恒 定 磁 場(chǎng) 中 不 同 媒 質(zhì) 分 界 面 處 ， 與 滿 足 的 邊 界 條 件 是 , 或 , 。2.H1tH2tJs；B1nB2n0 ；nv(Hv1Hv2)Jvs ； nvg( Bv1Bv2)0；167、 試題關(guān)鍵字鏡像法1. 圖示點(diǎn)電荷 Q 與無(wú)限大接地導(dǎo)體平板的靜電場(chǎng)問(wèn)題中，為了應(yīng)用鏡像 法求解區(qū)域 A 中的電場(chǎng)，基于唯一性定理，在確定鏡像法求解時(shí)，是根據(jù) 邊界條件(用電位表示) 和 。2.1. 鏡像法的關(guān)鍵是要確定鏡像電荷的大小、 和 。2. 位置； 個(gè)數(shù)1. 根據(jù)場(chǎng)的唯一性定理在靜態(tài)場(chǎng)的邊值問(wèn)題中，只要滿足給定的_ 條件，則泊松方程或拉普拉斯方程的解是 。2. 邊界；唯

30、一的1. 以位函數(shù) 為待求量的邊值問(wèn)題中，設(shè) 為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函數(shù)，則所謂第一類邊值問(wèn)題是 指給定 。2. f (s) ；1. 分離變量法用于求解拉普拉斯方程時(shí)，具體步驟是 1、先假定待求的 _ 由 _ 的乘積所組成。2、把假定的函數(shù)代入，使原來(lái)的 _ 方程轉(zhuǎn)換為兩個(gè)或三個(gè)常微分方程。解這些方程，并利用給定的邊界條件決定其中待定常數(shù)和函數(shù)后，最終 即可解得待求的位函數(shù)。2. 位函數(shù)；兩個(gè)或三個(gè)各自僅含有一個(gè)坐標(biāo)變量的；拉氏方程；偏微分；1. 靜態(tài)場(chǎng)中第一類邊值問(wèn)題是已知整個(gè)邊界上 _ ，其數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。2. 位函數(shù)的值； s f (s)1. 以位函數(shù) 為待求量的邊值問(wèn)題中，設(shè) 為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函

31、數(shù)，則所謂第二類邊值問(wèn)題是 指給定式 。2. f (s) n1. 鏡像法的理論根據(jù)是 的分布。鏡像法的基本思想是用集中的鏡像電荷代替172. 場(chǎng)的唯一性定理；求知電荷1. 電介質(zhì)的極性分子在無(wú)外電場(chǎng)作用下，所有正、負(fù)電荷的作用中心不相重合，而形成電偶極子，但由于電偶極矩方向不規(guī)則，電偶極矩的矢量和為零。在外電場(chǎng)作用下，極性分子的電矩發(fā)生，_ 使電偶極矩的矢量和不再為零，而產(chǎn)生 。2. 轉(zhuǎn)向；極化1. 圖示一長(zhǎng)直圓柱形電容器， 內(nèi)、外圓柱導(dǎo)體間充滿介電常數(shù)為 的電介質(zhì)，當(dāng)內(nèi)圓柱導(dǎo)體充電到電壓 后，拆去電壓源，然后將 介 質(zhì)換成 的介質(zhì)，則電容器單位長(zhǎng)度的電容 將增加 倍。而兩導(dǎo)體間的電場(chǎng)強(qiáng)度將是

32、原來(lái)電場(chǎng)強(qiáng)度的2.1.是；1r； r電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的積分形式是，_它說(shuō)明恒定電流場(chǎng)的傳導(dǎo)電流。_2. 蜒Ev dlv 0, Jv dSv 0 ；連續(xù)的1. 電通密度（電位移）矢量的定義式為 ；若在各向同性的線性 電介質(zhì) 中，則電通密度 與電場(chǎng)強(qiáng)度 的關(guān)系又可表示為 。v v v2. 0E P ； E1. 介電常數(shù)的電導(dǎo)率分別為 及的兩種導(dǎo)電媒質(zhì)的交界面，如已知媒質(zhì) 2 中電流密度的法向分量 ，則分界面上的電荷面密度 ，要電荷面密度為零，必須滿足 條件。2. 1 2 2 1 ； 1 22. J2n；1 2 1 21. 寫出下列兩種情況下，介電常數(shù)為 的均勻無(wú)界媒質(zhì)中電場(chǎng)強(qiáng)度的量值隨距

33、離的變化規(guī)律（1） 帶電金屬球（帶電荷量為 Q）；（2）無(wú)限長(zhǎng)線電荷（電荷線密度為 ）。2. Q/4 0r 2； /2 r1. 真空中一半徑為 a 的球殼，均勻分布電荷Q，殼內(nèi)任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 ；殼外任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 。182. 0； Q /4 0r21. 將一個(gè)由一對(duì)等量異號(hào)電荷構(gòu)成的電偶極子放在非勻強(qiáng)電場(chǎng)中，不僅受一個(gè)_ _ 作用，發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，還要受力的作用，使 發(fā)生平動(dòng)，移向電場(chǎng)強(qiáng)的方向。2. 力矩；電偶極子中心1. 電偶極子是指_， 寫出表征其特征的物理 量電 偶極矩的數(shù)學(xué)表達(dá)式。_vv2. 兩個(gè)相距一定距離的等量異號(hào)的電荷；pv qdl1. 矢量場(chǎng)中Ar 圍繞某一點(diǎn)P作一閉合曲面S，則

34、矢量A穿過(guò)閉合曲面S的通量為；若 0，則流出S面的通量流入的通量， 即通量由S面內(nèi)向外，說(shuō)明S面內(nèi)有 。2.A dsr ；大于； 擴(kuò)散；正源s1. 矢量場(chǎng)的散度在直角坐標(biāo)下的表示形式為 ，它的結(jié)果為一 場(chǎng)。2.Ar Ax Ay Az ； 標(biāo)量xyz1. 散度定理的表達(dá)式為 ；斯托克斯定理的表達(dá)式為 。rr r r r2. AdrsA dv ；? A dl( A) dsrs v s1. 標(biāo)量場(chǎng)的梯度是一 場(chǎng)，表示某一點(diǎn)處標(biāo)量場(chǎng)的 。2. 矢量； 變化率1. 研究一個(gè)矢量場(chǎng)，必須研究它的 和 ，才能確定該矢量場(chǎng)的性質(zhì)，這即2. 散度；旋度； 亥姆霍茲定理1. 標(biāo)量場(chǎng)的梯度的方向?yàn)?；數(shù)值為 。2.

35、 指向標(biāo)量增加率最大的方向或是等值面的法線方向；該方向上標(biāo)量的增加率1. 距離源 r 處 t 時(shí)刻的標(biāo)量位是由 時(shí)刻的電荷密度決定的，故把標(biāo)量位 (r,t) 稱 為。r2. t r , 滯后位v191. 描述天線的參數(shù)有2. 輻射場(chǎng)強(qiáng)、方向性、輻射功率、效率1. 對(duì)于是磁偶極子與開槽天線的輻射場(chǎng)，可以利用 和電磁學(xué)上的原理來(lái)求解 。2. 電磁對(duì)偶；巴俾涅1. 如圖所示兩個(gè)載流線圈，所受的電流力使兩線圈間的距離（）擴(kuò)大； 縮??； 不變2. B 1. 真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷之間的作用力（ ）A. 若此兩個(gè)點(diǎn)電荷位置是固定的，則不受其他電荷的引入而改變B. 若此兩個(gè)點(diǎn)電荷位置是固定的，則受其他電荷的引入而

36、改變C. 無(wú)論固定與不固定，都不受其他電荷的引入而改變2. A1. 真空中有三個(gè)點(diǎn)電荷 、 、 。 帶電荷量 ， 帶電荷量 ，且 。要使每個(gè)點(diǎn) 電荷所受的電場(chǎng)力都為零，則（ ）A. 電荷位于 、 電荷連線的延長(zhǎng)線上，一定與 同號(hào)，且電荷量一定大于B. 電荷可位于連線的任何處，可正、可負(fù)，電荷量可為任意大小C. 電荷應(yīng)位于 、 電荷連線的延長(zhǎng)線上，電荷量可正、可負(fù)，且電荷量一定要大于2. A擴(kuò)大； 縮?。?不變1. 如圖所示兩個(gè)載流線圈，所受的電流力使兩線圈間的距 離（ ）2. A 1. 電流是電荷運(yùn)動(dòng)形成的，面電流密度可以表示成（ ）；2. B1. 載有電流 半徑為 的圓環(huán)，置 于 的均勻磁場(chǎng)

37、中，線圈20所在平面的法線方向 ，此時(shí)線圈（ ） 受到 方向的力； B. 不受力；C. 受到一轉(zhuǎn)矩2. C 1. 均勻直線式天線陣中，若最大輻射方向發(fā)生在與陣軸線相垂直的方向上，則稱為（ ）A側(cè)射陣；B端射陣；C直線陣2. A）時(shí)刻發(fā)生的變化作出響應(yīng)。（其中 r 為源點(diǎn)與場(chǎng)點(diǎn)的距離1. 場(chǎng)點(diǎn)在 t 時(shí)刻對(duì)源點(diǎn)（C為光速）AtCt2. A1. 均勻直線式天線陣中，若最大輻射方向發(fā)生在陣軸線的方向上，則稱為（ ）。 A側(cè)射陣；B端射陣；C直線陣2. B1. 源點(diǎn)t 時(shí)刻對(duì)場(chǎng)點(diǎn)在（）時(shí)刻發(fā)生的變化作出響應(yīng)。（其中r 為源點(diǎn)與場(chǎng)點(diǎn)的距離C為光速）rrA t； B t ；ccCt2. B 1. 對(duì)于電偶

38、極子遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)的特點(diǎn)，下述表述錯(cuò)誤的是（ ）21A只有 E ,H 分量，TEM波；BE、H同頻率，同相位；C波阻抗E&k 等于媒質(zhì)的本征阻抗。H&pD輻射功率與sin 成正比。2. D1. 下述關(guān)于理想點(diǎn)源天線的描述錯(cuò)誤的是（ ）A是無(wú)方向性天線； B方向圖是一球面； C方向圖為不規(guī)則形狀的曲面。2. C 1. 偶極子遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)的輻射功率與（ ）成正比。2A sin ； B sin2 ；C1/ sin2.1.對(duì)于偶極子天線的遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)，表述正確的是AE&H&sin , 與 無(wú)關(guān) ； BE&H&sin , 與 有關(guān) ；CE&H&sin2 ,與 有關(guān) 1/ sin2. A1. 偶極子天線的遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)與（1Ar ；

39、 B 1 ；r）成正比C2. B1. 偶極子天線的的方向圖因子與（）成正比22A sin ； B sin2 ；C1/ sin 2. A1. 下列關(guān)于電磁對(duì)偶性的互換規(guī)則，正確的是（ ）AE H ， H E ； B ， 1/ ；C em ， 1/ ；D A，J2. C1. 在導(dǎo)波系統(tǒng)中，存在TEM波 的條件是A. ； B. ； C.2. C1. 矩形波導(dǎo)中的波導(dǎo)波長(zhǎng) 、工作波長(zhǎng) 和截止波長(zhǎng) 之間的關(guān)系為（A.B.C.2. C1. 在給定尺寸的矩形波導(dǎo)中，傳輸模式的階數(shù)越高，相應(yīng)的截止頻率（ ）A. 越高； B. 越低； C. 與階數(shù)無(wú)關(guān)2. A1. 在傳輸 TEM波 的導(dǎo)波系統(tǒng)中，波的相速度 與

40、參數(shù)相同的無(wú)界媒質(zhì)中波的相速度 相比， 是（ ）A. 更小； B. 相等 ； C. 更大2. B1. 在傳輸 模的矩形空波導(dǎo)管中，當(dāng)填充電介質(zhì) 后，設(shè)工作頻率不變， 其波阻抗 將（ ）A. 變大； B. 變??； C. 不變232. B 1. 對(duì)于給定寬邊 的矩形波導(dǎo)，當(dāng)窄邊 增大時(shí)，衰減將（ ）A. 變小； B. 變大； C. 不變2. A1. 在選擇波導(dǎo)尺寸 時(shí)，為保證波導(dǎo)中能傳輸 波，應(yīng)滿足（ ）A. ； B. ； C.2. A1. 矩形波導(dǎo)中傳輸 波，若提高工作頻率，則波阻抗 將（ ）A. 變大； B. 變??； C. 不變2. B1. 矩形波導(dǎo) （ 尺寸為 ） 中傳輸波，當(dāng)頻率一定時(shí)，若

41、將寬邊尺寸增大一倍,其相位系數(shù) 將（ ）A. 變大； B. 變??； C. 不變2. A1. 矩形波導(dǎo)中，截止頻率最低的 模是（ ） 模 ； 模 ；模2. C1.兩個(gè)載流線圈的自感分別為 和 ，互感為 。 分別通有電流 和 ， 則系統(tǒng)的儲(chǔ)能為）A.B.C.2. C1. 用有限差分近似表示 處的 ， 設(shè) ， 則不正確的式子是（ ）；2. C241. 損耗媒質(zhì)中的電磁波, 其傳播速度隨媒質(zhì)電導(dǎo)率 的增大而（A. 不變；B. 減小； C. 增大2. B1. 矩形波導(dǎo) （ 尺寸為 ）中傳輸波，當(dāng)頻率一定時(shí)，若將寬邊尺寸 增大一倍（ 變?yōu)?） ，其截止波長(zhǎng) 將（ ）A. 變大； B. 變?。?C. 不變2

42、. A 1. 在無(wú)損耗媒質(zhì)中, 電磁波的相速度與波的頻率（A. 成正比； B. 成反比； C. 無(wú)關(guān)2. C1. 同軸線、傳輸線 （ ）A. 只能傳輸 TEM 波B. 只能傳輸TE 波和 TM 波C. 既能傳輸 TEM 波 ， 又能傳輸TE 波和TM 波2. C 7、 試題關(guān)鍵字自感、互感1. 兩線圈的自感分別為 和 ， 互感為 ， 若在 線圈下方放置一無(wú)限大鐵磁平板，如圖所示，則（）A. 、 增加， 減小B. 、 和 均增加C. 、 不變， 增加2. B1. 在電阻性終端的無(wú)損耗傳輸線上，當(dāng)時(shí)（ 為終端負(fù)載電阻） , 在終端（ ）A. 電流最大值； B. 電流最小值； C. 以上兩條都不是2

43、. A1. 矩形波導(dǎo)（尺寸為）中傳輸 波， 當(dāng)頻率一定時(shí)，若將寬邊尺寸增大一倍 , 其相位系數(shù) 將（）25A. 變大； B. 變??； C. 不變2. A1. 損耗媒質(zhì)中的平面電磁波, 其波長(zhǎng) 隨著媒質(zhì)電導(dǎo)率 的增大，將（ ）A. 變長(zhǎng)； B. 變短； C. 不變2. B1. 兩個(gè)極化方向相互垂直的線極化波疊加，當(dāng)振幅相等，相位差為 或 時(shí)，將形成 （）A. 線極化波； B. 圓極化波； C. 橢圓極化波2. B1. 均勻平面波由介質(zhì) 垂直入射到理想導(dǎo)體表面時(shí)，產(chǎn)生全反射，入射波與反射波疊加將形成駐 波，其電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)的波節(jié)位置（）A. 相同； B. 相差 ； C. 相差2. B1. 已知一導(dǎo)

44、電媒質(zhì)中平面電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度表示為 ，則該導(dǎo)電媒 質(zhì)可視為（ ）A. 良導(dǎo)體； B. 非良導(dǎo)體； C. 不能判定2. A1. 一平面電磁波由無(wú)損耗媒質(zhì) 垂直入射至無(wú)損耗媒質(zhì) 的平面分界面上，分界面上的電場(chǎng)強(qiáng)度 為最大值的條件是（ ）A. 媒質(zhì) 2 的本征阻抗（ 波阻抗） 大于媒質(zhì)1的本征阻抗B. 媒質(zhì) 2 的本征阻抗（ 波阻抗） 小于媒質(zhì)1的本征阻抗C. 媒質(zhì) 2 的本征阻抗（ 波阻抗） 為純虛數(shù)2. A1. 已知一均勻平面波以相位系數(shù) 在空氣中沿 軸方向傳播，則該平面波的頻率為 （）；2. C261. 已知電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度為 ，則該電磁波為 （）A. 左旋圓極化波； B. 右旋圓極化波； C

45、. 線橢圓極化波2. A1. 均勻平面波從一種本征阻抗 （ 波阻抗） 為 的無(wú)耗損媒質(zhì)垂直入射至另一種本征阻抗為 的無(wú)耗媒質(zhì)的平面上，若 , 則兩種媒質(zhì)中功率的時(shí)間平均勻值 的關(guān)系為 （）；2. A1. 已知一均勻平面波的電場(chǎng)強(qiáng)度振幅為 ，當(dāng) 時(shí)，原點(diǎn)處的 達(dá)到最大值且取向?yàn)?，該平面波以相位系數(shù) 在空氣中沿 方向傳播，則其電場(chǎng)強(qiáng)度 可表示為（ ）；2. B1. 若介質(zhì) 為完純介質(zhì)，其介電常數(shù) ，磁導(dǎo)率 ，電導(dǎo)率 ；介質(zhì) 為空氣。 平面電磁波由介質(zhì) 向分界平面上斜入射，入射波電場(chǎng)強(qiáng)度與入射面平行，若入射角 ，則 介質(zhì) （ 空氣） 中折射波的折射角 為（ ）；2. B1. 一金屬圓線圈在均勻磁場(chǎng)

46、中運(yùn)動(dòng)，以下幾種情況中，能產(chǎn)生感應(yīng)電流的是（ ） 線圈沿垂直于磁場(chǎng)的方向平行移動(dòng) 線圈以自身某一直徑為軸轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)軸與磁場(chǎng)方向平行 線圈以自身某一直徑為軸轉(zhuǎn)動(dòng)，轉(zhuǎn)軸與磁場(chǎng)方向垂直2. C271. 如圖所示，半徑為 的圓線圈處于變化的均勻磁場(chǎng)中，線圈平面與 垂直。已知 ，則線圈中感應(yīng)電場(chǎng)強(qiáng)度 的大小和方向?yàn)椋ǎ? 逆時(shí)針方向順時(shí)針方向 逆時(shí)針方向2. C1. 已知正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度矢量 則電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)矢量 （ 即相量） 為（）2. B1. 已知無(wú)源真空中，正弦電磁場(chǎng)的復(fù)矢量 （ 即相量 , ） 其中 和 是常矢量，那么一定有（ ）和；2. C1. 對(duì)于載有時(shí)變電流的長(zhǎng)直螺線管中的坡印廷矢量 ，下列

47、陳述中，正確的是（ ）A. 無(wú)論電流增大或減小， 都向內(nèi)B. 無(wú)論電流增大或減小， 都向外C. 當(dāng)電流增大， 向內(nèi)；當(dāng)電流減小時(shí)， 向外2. B 1. 由半徑為 的兩塊圓形導(dǎo)體板構(gòu)成的平行板電容器，極板間媒質(zhì)的介電常數(shù)為 、磁導(dǎo)率為 、 電導(dǎo)率為零。當(dāng)電容器充電時(shí)，極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變化率為 ，則兩極板間距離軸線 處 的磁感應(yīng)強(qiáng)度 為（ ）28；2. B1. 比較位移電流與傳導(dǎo)電流，下列陳述中，不正確的是（ ）A. 位移電流與傳導(dǎo)電流一樣，也是電荷的定向運(yùn)動(dòng)B. 位移電流與傳導(dǎo)電流一樣，也能產(chǎn)生渦旋磁場(chǎng)C. 位移電流與傳導(dǎo)電不同，它不產(chǎn)生焦耳熱損耗2. A1. 已知在電導(dǎo)率 、介電常數(shù) 的海水中

48、，電場(chǎng)強(qiáng)度 ，則位移電流密度為（ ） :2. C 1. 自由空間中，正弦電磁場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度 和磁場(chǎng)強(qiáng)度 分別為 ， 那么，通過(guò) 平面內(nèi)邊長(zhǎng)為 和 的方形面積的平均功率為 （ ）；2. B1. 導(dǎo)電媒質(zhì)中，已知電場(chǎng)強(qiáng)度 ，則媒質(zhì)中位移電流密度 的相位與傳導(dǎo)電流密度 的相位（ ）相差 ； 相差 ； 相同2. A1. 在無(wú)限大被均勻磁化的磁介質(zhì)中，有一圓柱形空腔，其軸線 平行于磁化強(qiáng)度 , 則空腔中點(diǎn) 的 與磁介質(zhì)中的 滿 足（ ）292. C 1. 兩塊平行放置載有相反方向電流線密度 與 的無(wú)限大薄板，板間距離為 , 這時(shí)（ ）A. 兩板間磁感應(yīng)強(qiáng)度 為零B. 兩外側(cè)的磁感應(yīng)強(qiáng)度 為零。（ ）C.

49、板間與兩側(cè)的 都為零2. B 1. 若要增大兩線圈之間的互感，可以采用以下措施（ ）A. 增加兩線圈的匝數(shù)B. 增加兩線圈的電流C. 增加其中一個(gè)線圈的電流2. A 1. 在無(wú)限長(zhǎng)線電流 附近有一塊鐵磁物質(zhì)，現(xiàn)取積分路徑1234，它部分地經(jīng)過(guò)鐵磁物質(zhì)，則在以下諸式中，正確的是（ ）（ 注: 與回路 鏈結(jié)的鐵磁物質(zhì)被磁化后等效的磁化電流）2. C 1. 若在兩個(gè)線圈之間插入一塊鐵板，則（ ）A. 兩線圈的自感均變小B. 兩線圈的自感不變C. 兩線圈的自感均變大 2. C301. 下列矢量哪個(gè)可能是磁感應(yīng)強(qiáng)度 ，式中 為常數(shù)（ ）2. B1. 通有電流 的長(zhǎng)直螺線管軸線處，有一半徑為 的載流環(huán)形小

50、線圈，設(shè)環(huán)面的法線方向與螺線 管軸線之間的夾角為 ，則（ ）A. 此環(huán)形小線圈受到的轉(zhuǎn)矩將使其與螺線管線圈之間的互感 達(dá)到最大值B. 此環(huán)形小線圈受到的轉(zhuǎn)矩使其與螺線管線圈之間的互感 等于零C. 當(dāng)時(shí)，環(huán)形小線圈受到軸向力2. A1. 空氣與磁介質(zhì) （ 導(dǎo)磁媒質(zhì)） 的分界面為無(wú)限大平面，有一載流線圈位于磁介質(zhì)內(nèi)部，則該線圈 （）A. 將受到遠(yuǎn)離分界面的斥力B. 將受到朝向分界面的吸力C. 將不受力。2. A1. 平面為兩種媒質(zhì)的分界面，已知分界面處 ， ，則分 界面上有電流線密度為: （）2. C1. 一半徑為 的圓柱形鐵棒在均勻外磁場(chǎng)中磁化后，棒內(nèi)的磁化強(qiáng)度為 ， 則鐵棒表面的磁化電流密度為

51、（ ）2. B311. 根據(jù)恒定磁場(chǎng)中磁感應(yīng)強(qiáng)度 、磁場(chǎng)強(qiáng)度 與磁化強(qiáng)度 的定義可知，在各向同性媒質(zhì)中: （）與 的方向一定一致， 的方向可能與 一致，也可能與 相反 、 的方向可能與 一致，也可能與 相反 磁場(chǎng)強(qiáng)度的方向總是使外磁場(chǎng)加強(qiáng)。2. A 1.1. 圖示 一點(diǎn)電荷Q與一半徑為a 、不接地導(dǎo)體球 的球心 相距為 ， 則導(dǎo)體球的電位 （ ）A. 一定為零B. 可能與點(diǎn)電荷Q 的大小、位置有關(guān)C. 僅與點(diǎn)電荷Q 的大小、位置有關(guān)2. B1. 以位函數(shù) 為待求量的邊值問(wèn)題中，設(shè) 、 、 都為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函數(shù)，則所謂 第二類邊值問(wèn)題是指給定 （）（ 為 在邊界上的法向?qū)?shù)值）2. B1. 以位

52、函數(shù) 為待求量邊值問(wèn)題中，設(shè) 、 、 都為邊界點(diǎn) 的點(diǎn)函數(shù)，則所謂第 一類邊值問(wèn)題是指給定（）；（ 為 在邊界上的法向?qū)?shù)值）2. A1. 靜電場(chǎng)中電位為零處的電場(chǎng)強(qiáng)度（ ）A. 一定為零； B. 一定不為零； C. 不能確定322. C1. 電源以外恒定電流場(chǎng)基本方程的微分形式說(shuō)明它是（ ） 有散無(wú)旋場(chǎng)； 無(wú)散無(wú)旋場(chǎng)； 無(wú)散有旋場(chǎng)2. B1. 恒定電流場(chǎng)中，不同導(dǎo)電媒質(zhì)交界面上自由電荷面密度 的條件是（ ）2. A1. 試確定靜電場(chǎng)表達(dá)式中，常數(shù) c 的值是（）A. ； B. ；C.2. A1. 圖示一平行板電容器內(nèi)，置有兩層厚度各為 的介 質(zhì)，其介質(zhì)的介電常數(shù)分別為 與 ，且 。若 兩平行板電極外接電壓源的電壓為 ，試比較圖中點(diǎn) A、 點(diǎn)