模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)提綱資料

1、 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)提綱 （各章重點及公式匯編）半導(dǎo)體 N型 P型 摻雜5價施主雜質(zhì)3價受主雜質(zhì)多子電子空穴少子空穴電子第三章1. 半導(dǎo)體 2PN結(jié)正偏時： 反偏時 ： 削弱內(nèi)電場 增強內(nèi)電場 PN結(jié)變窄，導(dǎo)通； PN結(jié)變寬，截止第四章1、三極管工作在放大區(qū) 2、電流分配關(guān)系條件關(guān)系式NPN型PNP型BE結(jié)正偏BC結(jié)反偏Ic=Ib放大功能VBE= 0.7V(Si) 0.2V(Ge)UCE1VVBE=- 0.7V (Si)-0.2V (Ge)UCE-1V IE = IC+IB3、三極管熱穩(wěn)定性差; IE ICIB 反向飽和電流ICBO；穿透電流ICEO = (1+) ICBO4、共射放大器 （2）

2、最大不失真Vom（振幅）計算（1）圖解方法： UCES為飽和壓降 （3）NPN管共射放大的失真 及消除方法 U（t）截止失真波形 U（t）飽和失真波形（4）直流通路和交流通路要求能熟練掌握（5）三極管小信號等效電路（6）放大電路的計算 共射放大(固定偏置) 共射放大(分壓式偏置) 共集放大靜態(tài)工作點Q的計算電 路動態(tài)計算特點和應(yīng)用 Av1； Vo與Vi反相； Av 1 電壓跟隨 Ai = Io/Ii1 Ai =1+ Ri，Ro 中等. Ri大，Ro小 應(yīng)用于中間放大級 應(yīng)用于輸入級,輸出級,中間隔離級共基放大等點: Av1； Vo與Vi同相, Ai =1, Ri小，Ro大 應(yīng)用于高頻放大（8）

3、增益的db表示方法第五章FET N溝道JFET 耗盡型N-MOS 增強型N-MOS1、符號及等性（包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特）2、FET的特點： Ri大(IG=0); VGS控制ID; 多子導(dǎo)電為單極型晶體管,噪聲小,熱穩(wěn)定性好.3、參數(shù)及 等效電路第8章1、功放主要指標：輸出功率Po 效率 非線性失真?。还Ψ虐踩ぷ?。2、電路及指標計算：類型 電 路 一般情況指標計算 盡限運用 選管原則OCL甲乙類雙電源OTL乙類單電源 第六章1、差分放大電路特點 克服溫漂 抑制共模Vic； 放大差模信號Vid IC1 = IC2 = Io/22、四種差分放大電路指標計算 3、FET差分式放大器 特點： 輸入電阻

4、高， 輸入偏置電流小。4、集成運放的符號和組成框圖第七章 直流負反饋 用于穩(wěn)定靜態(tài)工作點 1、負反饋 交流負反饋 電壓串聯(lián)負反饋； 輸入端 輸出端 類型 （改善性能） 電壓并聯(lián)負反饋； （V=0）串聯(lián) 電壓Uo; (Xf Uo) 電流串聯(lián)負反饋； 電流串并負反饋； （I=0）并聯(lián) 電流Io; (Xf Io)2、負反饋放大框圖3、負反饋電路4、交流負反饋對放大器性能的影響： 以犧牲增益為代價，換來以下各項性能的改善。第二章1、理想運放應(yīng)滿足： 2、理想運放線性運用時(電路上有負反饋)AVO =; Rid = ; 有：虛短 VP=VN (Vid=Vo/AVO= 0)Ro = 0 ; KCMR =

5、; 虛斷 IP=IN= 0 (Rid=) VIO = 0及溫漂為0 ; IIO = 03、基本電路第九章第十章1、整流（半波整流、全波整流和橋式整流）2、濾波（電容濾波和電感濾波） 模擬電子技術(shù)模擬試卷題號及題型一 二 判別題 分析回答計算題總分填空題選擇題12123456得分一、 填空題（20分）1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入_價元素,其多數(shù)載流子是 _ 。2、（圖13）所示電路，二極管D的工作狀態(tài)為_,輸出電壓Uo =_。3、某三極管已知=0.98，當IE=2mA時，IB=_, =_。 （圖13）4、測得某三極管VBE= 0.7V，VCE=0.3V，則該管工作在_區(qū)，管型和材料為_。測

6、得某三極管VE= 3V，VB=3.2V，VC=6V，則該管工作在_區(qū)，管型和材料為_。5、三種基本組態(tài)的放大電路中，既有電壓增益又有電流增益的是_放大電路；帶負載能力最強的是_放大電路。6、已知某放大電路，電壓增益AV=1000，折合分貝數(shù)為_db，其上限頻率fH處電壓增益為_db。7、（圖17）所示放大電路，由Uo（t）波形可知產(chǎn)生了_失真， 消除失真的辦法是_。 （圖17）8、（圖18）示運放構(gòu)成的是_電路，通帶增益等于_。9、晶體振蕩器的特點是_-_高，在并聯(lián)型晶振電路中，晶體等效為_元件。 （圖18）二、 單項選擇題（10分）1、 已知某FET的轉(zhuǎn)移特性如（圖21）所示，該管的符號為_

7、。2、已知某FET的輸出特性如（圖22）所示，可求得gm等于_。 （圖21） （圖22） 2ms， 6ms， 3ms， 4ms 3、為獲得輸入電壓控制的電流源，應(yīng)引入_負反饋。電壓串聯(lián) 電壓并聯(lián) 電流串聯(lián) 電流并聯(lián)4、放大電路中，其信號源內(nèi)阻RS較大，為使負反饋效果好，且?guī)ж撦d能力強應(yīng)引入_負反饋。電流串聯(lián)電流并聯(lián)電壓串聯(lián)電壓并聯(lián)、下列電路中組成NPN型復(fù)合管的是_。（圖26） 6、如（圖26）所示電路，輸出電壓UO等于_。12V 12V 9V 9V7、（圖27）所示，由理想運放構(gòu)成的“電流電壓”變換電路，已知IS=1mA，則VO等于_。 +10V 10V 5V +5V （圖27）8、（圖28

8、）所示振蕩電路，變壓器同名端和振蕩頻率fo應(yīng) 為上述_所示。 （圖28）9、理想運放構(gòu)成的電路如（圖29）所示，VO等于_。 6.6V 6.6V 10V 10V10、互補對稱功率放大電路選擇甲乙類工作狀態(tài)的主要原因是為了_。 輸出功率大 保護功放管 提高效率 消除交越失真 （圖29）三、 判斷題（10分）1、判別下開列電路的級間反饋類型 （a）_ （b）_ （c）_2、用瞬時極性法判別下列電路是否滿足相位平衡條件能夠振蕩(a)_ (b)_四、 問答計算題（60分）1、 圖示放大電路，電容C1，C2Ce對交流可視作短路； 畫出直流通路靜態(tài)ICQ，IBQ，VCEQ值； 畫出交流通路和小信號模型等效

9、電路求AV=VO/Vi；輸入電阻Ri，輸出電阻RO 求AVS=VO/VS； 如將Rb2逐漸減小，首先出現(xiàn)何種非線性失真？輸入正弦波時畫VO（t）失真波形圖。2、 理想運放構(gòu)成的電路如圖所示 A1，A2，A3各組成何種電路？ 求VO1，VO2，VO3值。3、理想運放構(gòu)成的求和積分電路如圖所示 寫輸出電壓UO的表達式設(shè)UC（t=0）=0 已知二個輸入信號Vi1（t），Vi2（t）波形如圖所示。試畫出輸出電壓波形。4、放大電路如圖所示 判斷圖（a）（b）電路級間反饋的類型 圖（a）電路滿足深度負反饋時，估算5、如圖所示電路，已知R=100K，C=0.01F，R1=10 K， 求輸出電壓UO的頻率fo值； 電路正常工作時電阻R2選多大？若要求UO1幅度穩(wěn)定，電阻R2可選哪種熱敏電阻代用？（正溫度系數(shù)或負溫度系數(shù)）若