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1、 MOS集成電路中的隔離集成電路中的隔離 增加場區(qū)二氧化硅的厚度局部場氧化增加場區(qū)二氧化硅的厚度局部場氧化 側(cè)墻掩膜隔離側(cè)墻掩膜隔離 雙極集成電路中的隔離雙極集成電路中的隔離 結(jié)隔離結(jié)隔離MOSFET本身自隔離本身自隔離產(chǎn)生寄生場效應(yīng)晶體管產(chǎn)生寄生場效應(yīng)晶體管抑制方法抑制方法防止開啟防止開啟提高寄生場效應(yīng)晶體管的閾值電壓提高寄生場效應(yīng)晶體管的閾值電壓增加場區(qū)二氧化硅的厚度局部場氧化增加場區(qū)二氧化硅的厚度局部場氧化增大氧化層下溝道的摻雜濃度，即形成溝道阻增大氧化層下溝道的摻雜濃度，即形成溝道阻擋層擋層 主要介紹主要介紹0.18 m的的CMOS集成電路硅工集成電路硅工藝的主要步驟。這有助于對半導(dǎo)體
2、制造有藝的主要步驟。這有助于對半導(dǎo)體制造有一個更好的了解。一個更好的了解。 CMOS反相器由兩個晶體管構(gòu)成，一個反相器由兩個晶體管構(gòu)成，一個nCMOS和一個和一個pCMOS。 在硅襯底上形成的、摻雜類型與硅襯底相在硅襯底上形成的、摻雜類型與硅襯底相反的區(qū)域稱阱反的區(qū)域稱阱well。阱通常是通過注。阱通常是通過注入或擴散工藝形成，摻雜為入或擴散工藝形成，摻雜為n型稱為型稱為n阱，阱，摻雜為摻雜為p型稱為型稱為p阱阱,而在同一硅片上形成而在同一硅片上形成n阱和阱和p阱的稱為雙阱阱的稱為雙阱twin-well。 淺槽隔離淺槽隔離STI是在襯底上制作的晶體管有是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。 分為三步：槽刻蝕、氧化物填充、氧化物分為三步：槽刻蝕、氧
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