晶硅與薄膜對比

1、1. 生產(chǎn)過程3. 價(jià)格4. 發(fā)展前景5. 應(yīng)用方面2. 發(fā)展情況生產(chǎn)過程晶硅與薄膜電池生產(chǎn)過程對比生長單晶硅 1200度融化單晶硅棒切片做solar cell組件 module晶硅生產(chǎn)過程薄膜電池生產(chǎn)過程原材料自動(dòng)化做成solar cell組件 module單晶硅電池生產(chǎn)溫度在1200度以上，而薄膜為200度，薄膜耗能低。在生產(chǎn)過程中生產(chǎn)成本較低。晶硅受原材料硅的影響，硅的價(jià)格變化很大。而薄膜的原材料是SiH4氣體，不受硅材料影響晶硅高耗能，薄膜低耗能晶硅與薄膜的發(fā)展情況最早開發(fā)的電池技術(shù)，技術(shù)非常成熟，效率增加和成本降低的潛力非常有限在效率方面已經(jīng)接近最高水平，再有大的提升不太可能在設(shè)備方

2、面，晶硅電池的生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)也已非常成熟，接近最高水平，在設(shè)備方面的降價(jià)也基本沒有了可能。效率增加和成本降低的潛力巨大薄膜剛剛起步，各方面都還不太成熟。在技術(shù)方面，轉(zhuǎn)換效率有較大的提升空間，理論轉(zhuǎn)換效率可以與晶硅接近，只是現(xiàn)在薄膜的技術(shù)還不是很成熟，所以效率比較低。在設(shè)備方面，設(shè)備成本較高，因?yàn)槭切屡d起來的，設(shè)備里面包括一大部分設(shè)備的技術(shù)費(fèi)用，隨著技術(shù)的提高以及規(guī)?；a(chǎn)后，設(shè)備成本會(huì)有一個(gè)較大的降低，屆時(shí)薄膜電池的成本將會(huì)有一次大的降低。晶硅與薄膜電池的價(jià)格對比在價(jià)格方面，晶硅的極限價(jià)格為1.75美元，而薄膜的價(jià)格現(xiàn)在已經(jīng)低于此價(jià)格。如果薄膜電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到10%的話，成本將會(huì)在0.40.5美

3、元，屆時(shí)薄膜電池在成本方面將具有壓倒性優(yōu)勢。晶硅電池與薄膜在應(yīng)用方面的對比應(yīng)用方面：晶硅電池品種顏色單一，應(yīng)用范圍相對小。所占市場范圍逐步降低 薄膜電池應(yīng)用形式多樣，應(yīng)用范圍廣，所占市場范圍逐年增加硅基薄膜電池是未來太陽能主流的原因：1. 能夠滿足特定市場的需求，并壟斷這部分市場 計(jì)算器和玩具等弱光市場應(yīng)用，BIPV建筑一體化的市場應(yīng)用。2. 技術(shù)本身的特點(diǎn)和優(yōu)勢 低成本，可做成半透明，低污染，低能耗。晶體硅太陽能電池是高能耗的。CIGS和聚光型成本高。3. 技術(shù)發(fā)展的可持續(xù)性 主要的成膜設(shè)備與TFT-LCD兼容，大大降低了設(shè)備研發(fā)成本。CIGS等其他新型薄膜太陽能技術(shù)不具備這樣的特點(diǎn)。通過添

4、加成膜設(shè)備實(shí)現(xiàn)雙節(jié)甚至三節(jié)電池提高轉(zhuǎn)化效率，原有設(shè)備可繼續(xù)使用，與新技術(shù)具有很好的兼容性，減少了設(shè)備投資。4. 技術(shù)的開放性 成熟的設(shè)備供應(yīng)商就有4家以上，生產(chǎn)廠家更多，技術(shù)研發(fā)投入非常多。而同樣低成本的CdTe技術(shù)由于First Solar一家獨(dú)大，以及其技術(shù)受到原材料的限制等原因，無法得到下游系統(tǒng)應(yīng)用商的大力支持，研發(fā)投入受到限制。薄膜太陽能電池的成本趨勢目前單節(jié)太陽能電池的成本是1W/1.5美元雙節(jié)薄膜太陽能電池的成本預(yù)計(jì)是1W/1.2美元規(guī)模化生產(chǎn)后雙節(jié)薄膜電池的成本預(yù)計(jì)是1W/0.7美元薄膜太陽能電池的成本最低預(yù)計(jì)是1W/0.5美元薄膜太陽能電池的成本達(dá)到1W/0.5美元后，加上建電

5、站其他成本同步下降的話，那么太陽能發(fā)電的成本將接近煤電。多晶硅太陽電陽電池的特點(diǎn): 具有穩(wěn)定高效的光電轉(zhuǎn)換效率。表面覆深藍(lán)色氮化硅減反膜,顏色均勻美觀。高品質(zhì)的銀和銀鋁漿料，確保良好的導(dǎo)電性、可靠的附著力和很好的電極可焊性。高精度的絲網(wǎng)印刷圖形和高平整度，使得電池易于自動(dòng)焊接和激光切割。單單晶硅太陽電陽電池的特點(diǎn):1.光電轉(zhuǎn)換效率高，可靠性高。 2.先進(jìn)的擴(kuò)散技術(shù)，保證片內(nèi)各處轉(zhuǎn)換效率的均勻性。 3.運(yùn)用先進(jìn)的PECVD成膜技術(shù)，在電池表面鍍上深藍(lán)色的氮化硅減反射膜，顏色均勻美觀。 4.應(yīng)用高品質(zhì)的金屬漿料制作背場和電極，確保良好的導(dǎo)電性、可靠的附著力和很好的電極可焊性。 5.高精度的絲網(wǎng)印刷圖形和高平整度，使得電池易于自動(dòng)焊接和激光切割。Cooperation Model OTHERSquest to SunFilm (Q-cell)to s