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1、第一章 晶體二極管及應(yīng)用電路一、半導(dǎo)體知識(shí)1本征半導(dǎo)體·單質(zhì)半導(dǎo)體材料是具有4價(jià)共價(jià)鍵晶體結(jié)構(gòu)的硅(Si)和鍺(Ge)(圖1-2)。前者是制造半導(dǎo)體IC的材料(三五價(jià)化合物砷化鎵GaAs是微波毫米波半導(dǎo)體器件和IC的重要材料)。·純凈(純度>7N)且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在一定的溫度下,本征半導(dǎo)體內(nèi)的最重要的物理現(xiàn)象是本征激發(fā)(又稱熱激發(fā)或產(chǎn)生)(圖1-3)。本征激發(fā)產(chǎn)生兩種帶電性質(zhì)相反的載流子自由電子和空穴對(duì)。溫度越高,本征激發(fā)越強(qiáng)。·空穴是半導(dǎo)體中的一種等效載流子。空穴導(dǎo)電的本質(zhì)是價(jià)電子依次填補(bǔ)本征晶格中的空位,使局部顯示電荷的空位宏觀
2、定向運(yùn)動(dòng)(圖1-4)。·在一定的溫度下,自由電子與空穴在熱運(yùn)動(dòng)中相遇,使一對(duì)自由電子和空穴消失的現(xiàn)象稱為載流子復(fù)合。復(fù)合是產(chǎn)生的相反過(guò)程,當(dāng)產(chǎn)生等于復(fù)合時(shí),稱載流子處于平衡狀態(tài)。2雜質(zhì)半導(dǎo)體·在本征硅(或鍺)中滲入微量5價(jià)(或3價(jià))元素后形成N型(或P型)雜質(zhì)半導(dǎo)體(N型:圖1-5,P型:圖1-6)。·在很低的溫度下,N型(P型)半導(dǎo)體中的雜質(zhì)會(huì)全部電離,產(chǎn)生自由電子和雜質(zhì)正離子對(duì)(空穴和雜質(zhì)負(fù)離子對(duì))。·由于雜質(zhì)電離,使N型半導(dǎo)體中的多子是自由電子,少子是空穴,而P型半導(dǎo)體中的多子是空穴,少子是自由電子。·在常溫下,多子>>少子(
3、圖1-7)。多子濃度幾乎等于雜質(zhì)濃度,與溫度無(wú)關(guān);兩少子濃度是溫度的敏感函數(shù)。·在相同摻雜和常溫下,Si的少子濃度遠(yuǎn)小于Ge的少子濃度。3半導(dǎo)體中的兩種電流在半導(dǎo)體中存在因電場(chǎng)作用產(chǎn)生的載流子漂移電流(這與金屬導(dǎo)電一致);還存在因載流子濃度差而產(chǎn)生的擴(kuò)散電流。4PN結(jié)·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層PN結(jié)(圖1-8)。·PN結(jié)是非中性區(qū)(稱空間電荷區(qū)),存在由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓;PN結(jié)內(nèi)載流子數(shù)遠(yuǎn)少于結(jié)外的中性區(qū)(稱耗盡層);PN結(jié)內(nèi)的電場(chǎng)是阻止結(jié)外兩區(qū)的多子越結(jié)擴(kuò)散的(稱勢(shì)壘層或阻擋層)。·正偏PN結(jié)(
4、P區(qū)外接高于N區(qū)的電壓)有隨正偏電壓指數(shù)增大的電流;反偏PN結(jié)(P區(qū)外接低于N區(qū)的電壓),在使PN結(jié)擊穿前,只有其值很小的反向飽和電流。即PN結(jié)有單向?qū)щ娞匦裕ㄕ珜?dǎo)通,反偏截止)。·PN結(jié)的伏安方程為:,其中,在T=300K時(shí),熱電壓mV。·非對(duì)稱PN結(jié)有結(jié)(P區(qū)高摻雜)和結(jié)(N區(qū)高摻雜),PN結(jié)主要向低摻雜區(qū)域延伸(圖1-9)。二、二極管知識(shí)·普通二極管內(nèi)芯片就是一個(gè)PN結(jié),P區(qū)引出正電極,N區(qū)引出負(fù)電極(圖1-13)。·在低頻運(yùn)用時(shí),二極的具有單向?qū)щ娞匦?,正偏時(shí)導(dǎo)通,Si管和Ge管導(dǎo)通電壓典型值分別是0.7V和0.3V;反偏時(shí)截止,但Ge管的反向
5、飽和電流比Si管大得多(圖1-15)。·低頻運(yùn)用時(shí),二極管是一個(gè)非線性電阻,其交流電阻不等于其直流電阻。二極管交流電阻定義:·穩(wěn)壓管電路設(shè)計(jì)時(shí),要正確選取限流電阻,使穩(wěn)壓管在一定的負(fù)載條件下正常工作。二極管交流電阻估算:·二極管的低頻小信號(hào)模型就是交流電阻,它反映了在工作點(diǎn)Q處,二極管的微變電流與微變電壓之間的關(guān)系。·二極管的低頻大信號(hào)模型是一種開(kāi)關(guān)模型,有理想開(kāi)關(guān)、恒壓源模型和折線模型三種近似(圖1-20)。三、二極管應(yīng)用1單向?qū)щ娞匦詰?yīng)用·整流器:半波整流(圖1-28),全波整流(圖P1-8a),橋式整流(圖P1-8b)·限幅器:
6、頂部限幅,底部限幅,雙向限幅(圖P1-9)·鉗位電路*·通信電路中的應(yīng)用*:檢波器、混頻器等2正向?qū)ㄌ匦约皯?yīng)用二極管正向充分導(dǎo)通時(shí)只有很小的交流電阻,近似于一個(gè)0.7V(Si管)或0.3V(Ge管)的恒壓源。3反向擊穿及應(yīng)用·二極管反偏電壓增大到一定值時(shí),反向電流突然增大的現(xiàn)象即反向擊穿。·反向擊穿的原因有價(jià)電子被碰撞電離而發(fā)生的“雪崩擊穿”和價(jià)電子被場(chǎng)效激發(fā)而發(fā)生的“齊納擊穿”。·反向擊穿電壓十分穩(wěn)定,可以用來(lái)作穩(wěn)壓管(圖1-33)。4高頻時(shí)的電容效應(yīng)及應(yīng)用·高頻工作時(shí),二極管失去單向?qū)щ娞匦?,其原因是管?nèi)的PN結(jié)存在電容效應(yīng)(結(jié)
7、電容)。·結(jié)電容分為PN結(jié)內(nèi)的勢(shì)壘電容與PN結(jié)兩側(cè)形成的擴(kuò)散電容。·隨偏壓的增大而增大,與正偏電流近似成正比。·反偏二極管在高頻條件下,其等效電路主要是一個(gè)勢(shì)壘電容。利用這一特性的二極管稱為變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管在通信電路中有較多的應(yīng)用。第二章 雙極型晶體三極管(BJT)一、BJT原理·雙極型晶體管(BJT)分為NPN管和PNP管兩類(圖2-1,圖2-2)。·當(dāng)BJT發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏時(shí),稱為放大偏置。在放大偏置時(shí),NPN管滿足;PNP管滿足。·放大偏置時(shí),作為PN結(jié)的發(fā)射結(jié)的VA關(guān)系是:(NPN),(PNP)。·在BJ
8、T為放大偏置的外部條件和基區(qū)很薄、發(fā)射區(qū)較基區(qū)高摻雜的內(nèi)部條件下,發(fā)射極電流將幾乎轉(zhuǎn)化為集電流,而基極電流較小。·在放大偏置時(shí),定義了(是由轉(zhuǎn)化而來(lái)的分量)極之后,可以導(dǎo)出兩個(gè)關(guān)于電極電流的關(guān)系方程:其中,是集電結(jié)反向飽和電流,是穿透電流。·放大偏置時(shí),在一定電流范圍內(nèi),、基本是線性關(guān)系,而對(duì)三個(gè)電流都是指數(shù)非線性關(guān)系。·放大偏置時(shí):三電極電流主要受控于,而反偏通過(guò)基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng),對(duì)電流有較小的影響。影響的規(guī)律是;集電極反偏增大時(shí),增大而減小。·發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均反偏時(shí)BJT為截止?fàn)顟B(tài),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)都正偏時(shí),BJT為飽和狀態(tài)。二、BJT靜態(tài)伏安特性曲線
9、·三端電子器件的伏安特性曲線一般是畫出器件在某一種雙口組態(tài)時(shí)輸入口和輸出口的伏安特性曲線族。BJT常用CE伏安特性曲線,其畫法是:輸入特性曲線:(圖2-13)輸出特性曲線:(圖2-14)·輸入特性曲線一般只畫放大區(qū),典型形狀與二極管正向伏安特性相似。·輸出特性曲線族把伏安平面分為4個(gè)區(qū)(放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū))放大區(qū)近似的等間隔平行線,反映近似為常數(shù),放大區(qū)曲線向上傾是基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)所致。·當(dāng)溫度增加時(shí),會(huì)導(dǎo)致增加,增加和輸入特性曲線左移。三、BJT主要參數(shù)·電流放大系數(shù):直流,直流;交流和,、也滿足。·極間反向電流:集電結(jié)
10、反向飽和和電流;穿透電流·極限參數(shù):集電極最大允許功耗;基極開(kāi)路時(shí)的集電結(jié)反向擊穿電壓;集電極最大允許電流·特征頻率BJT小信號(hào)工作,當(dāng)頻率增大時(shí)使信號(hào)電流與不同相,也不成比例。若用相量表示為,則稱為高頻。是當(dāng)高頻的模等于1時(shí)的頻率。四、BJT小信號(hào)模型·無(wú)論是共射組態(tài)或共基組態(tài),其放大電壓信號(hào)的物理過(guò)程都是輸入信號(hào)使正偏發(fā)射結(jié)電壓變化,經(jīng)放大偏置BJT內(nèi)部的的正向控制過(guò)程產(chǎn)生集電極電流的相應(yīng)變化(出現(xiàn)信號(hào)電流),在集電極電阻上的交流電壓就是放大的電壓信號(hào)。·當(dāng)發(fā)射結(jié)上交流電壓mV時(shí),BJT的電壓放大才是工程意義上的線性放大。·BJT混合小信號(hào)
11、模型是在共射組態(tài)下推導(dǎo)出的一種物理模型(圖2-28),模型中有七個(gè)參數(shù):基本參數(shù):基區(qū)體電阻,由廠家提供、高頻管的比低頻管小基區(qū)復(fù)合電阻:估算式:,發(fā)射結(jié)交流電阻跨導(dǎo):估算(ms),基調(diào)效應(yīng)參數(shù) :估算,厄利電壓:估算以上參數(shù)滿足:高頻參數(shù):集電結(jié)電容 :由廠家給出;發(fā)射結(jié)電容:估算*·最常用的BJT模型是低頻簡(jiǎn)化模型(1)電壓控制電流源()模型(圖2-23)(2)電流控制電流源()模型(圖2-24,常用),其中第三章 晶體管放大器基礎(chǔ)一、基本概念·向放大器輸入信號(hào)的電路模型一般可以用由源電壓串聯(lián)源內(nèi)阻來(lái)表示,接受被放大的信號(hào)的電路模型一般可以用負(fù)載電阻來(lái)表示(圖3-1)。
12、·未輸入信號(hào)(靜態(tài))時(shí),放大管的直流電流電壓稱為放大器的工作點(diǎn)。工作點(diǎn)由直流通路求解。·放大器工作時(shí),信號(hào)(電流、電壓)均迭加在靜態(tài)工作點(diǎn)上,只反映信號(hào)電流、電壓間關(guān)系的電路稱為交流通路。·放大器中的電壓參考點(diǎn)稱為“地”,放大器工作時(shí),某點(diǎn)對(duì)“地”的電壓不變(無(wú)交流電壓),該點(diǎn)為“交流地”。·交流放大器中的耦合電容可以隔斷電容兩端的直流電壓,并無(wú)衰減地將電容一端的交流電壓傳送到另一端,耦合電容上應(yīng)基本上無(wú)交流電壓,或即是交流短路的。傍路電容也是對(duì)交流電流短路的電容。·畫交流通路時(shí)應(yīng)將恒壓源短路(無(wú)交流電壓),恒流源開(kāi)路(無(wú)交流電流);耦合、傍路
13、電容短路(無(wú)交流電壓)。·畫直流通路時(shí)應(yīng)將電容開(kāi)路(電容不通直流),電感短路(電感上直流電壓為零)。二、BJT偏置電路1固定基流電流(圖3-7a)·特點(diǎn):簡(jiǎn)單,隨溫度變化小;但輸出特性曲線上的工作點(diǎn)(、)隨溫度變化大。·Q點(diǎn)估計(jì),·直流負(fù)載線2基極分壓射極偏置電路(圖3-14)·特點(diǎn):元件稍多。但在滿足條件()時(shí),工作點(diǎn)Q(,)隨溫度變化很小,穩(wěn)定工作點(diǎn)的原理是電流取樣電壓求和直流負(fù)反饋(§)。·Q點(diǎn)估算:,直流負(fù)載線以上近似計(jì)算在滿足時(shí)有足夠的準(zhǔn)確性。三、基本CE放大器的大信號(hào)分析·交流負(fù)載線是放大器(圖3-6b
14、)工作時(shí),動(dòng)點(diǎn)(,)的運(yùn)動(dòng)軌跡。交流負(fù)載線經(jīng)過(guò)靜態(tài)工作點(diǎn),且斜率為。·因放大器中晶體管的伏安特性的非線性使輸出波形出現(xiàn)失真,這是非線性失真。非線性失真使輸出信號(hào)含有輸入信號(hào)所沒(méi)有的新的頻率分量。·大信號(hào)時(shí),使BJT進(jìn)入飽和區(qū)產(chǎn)生飽和失真;使BJT進(jìn)入截止區(qū),產(chǎn)生截止失真。NPN管CE放大器的削頂失真是截止失真;削底失真是飽和失真。對(duì)于PNP管CE放大器則相反。·將工作點(diǎn)安排在交流負(fù)載線的中點(diǎn),可以獲得最大的無(wú)削波失真的輸出。四、BJT基本組態(tài)小信號(hào)放大器指標(biāo)1基本概念:輸入電阻是從放大器輸入口視入的等效交流電阻。是信號(hào)源的負(fù)載,表明放大器向信號(hào)源吸收信號(hào)功率。放大
15、器在輸出口對(duì)負(fù)載而言,等效為一個(gè)新的信號(hào)源(這說(shuō)明放大器向負(fù)載輸出功率),該信號(hào)源的內(nèi)阻即輸出電阻。·任何單向化放大器都可以一個(gè)通用模型來(lái)等效(圖3-36)。由此模型,放大器各種增益定義如下:端電壓增益:源電壓增益:,電流增益:負(fù)載開(kāi)路電壓增益(內(nèi)電壓增益):,功率增益:·、的分貝數(shù)為;的分貝數(shù)為。·不同組態(tài)放大器增益不同,但任何正常工作的放大器,必須。2CE、CB、CC放大器基本指標(biāo),管端輸入電阻,管端輸出電阻。用電流控制電流源()BJT低頻簡(jiǎn)化模型(圖2-24)導(dǎo)出的三個(gè)組態(tài)的上述基本指標(biāo)由表3-1歸納。表3-1 BJT三種基本放大器小信號(hào)指標(biāo) CE
16、放大器CB放大器CC放大器簡(jiǎn)化交流通路AV(大,反相)(rbe>>rbb)(大,同相)(rbe>>rbb)(<1,同相)(rbe>>rbb)rbe (中)(1+)re (rbe>>rbb) (小)re (rbe>>rbb)rbe+(1+) (大)(1+)(re+) (rbe>>rbb)0.5rcerce (大,與信號(hào)源內(nèi)阻有關(guān))rce0.5rbc(很大,與信號(hào)源內(nèi)阻有關(guān))(小,與RS有關(guān)), ()應(yīng)用功率增益最大節(jié)),RiRo適中,易于與前后級(jí)接口,使用廣泛。高頻放大時(shí)性能好,常與CE和CC組態(tài)結(jié)合使用。如CE-CB
17、組態(tài)CC-CB組態(tài)。Ri大而Ro小,可作高阻抗輸入級(jí)和低阻抗輸出級(jí),隔離級(jí)和功率輸出級(jí)。五、多級(jí)放大電路1基本概念·多級(jí)放大器的級(jí)間耦合方式主要有電容耦合(阻容耦合)(圖3-39)、變壓器耦合(圖3-41)和直接耦合(圖3-42、3-43)三種方式。·對(duì)于直接耦合放大器,其工作頻率的下限可以為零(稱為直流放大器),但輸出易發(fā)生所謂“零點(diǎn)漂移”(輸出端靜態(tài)電壓緩慢變化),形成假信號(hào)。零點(diǎn)漂移的主要原因是前級(jí)工作點(diǎn)隨溫度變化,這種變化因級(jí)間直接耦合被逐級(jí)放大。在輸出端出現(xiàn)可觀的漂移電壓。·直流放大器由于輸入輸出不能使用隔直耦合電容,希望在無(wú)輸入信號(hào)時(shí),輸入端口和輸出端
18、口的靜態(tài)直流電壓為零。滿足這種條件的直流放大器稱為滿足零輸入、零輸出條件。只有用正負(fù)雙電源供電的直流放大器才能實(shí)現(xiàn)零輸入和零輸出。·由于供電電壓源存在內(nèi)阻,使各級(jí)放大器發(fā)生“共電耦合”,這種共電耦合可能導(dǎo)致放大器指標(biāo)變壞甚至自激。放大器中的電源去耦電路就是為了減小和消除共電耦合(圖3-39、3-40)。2多級(jí)放大器指標(biāo)計(jì)算·后級(jí)放大器的輸入電阻是前級(jí)放大器的負(fù)載,在計(jì)算前級(jí)放大器的增益時(shí),一定要把這個(gè)輸入電阻計(jì)為負(fù)載來(lái)計(jì)算增益。·第一級(jí)放大器的輸入電阻即多級(jí)放大器的輸入電阻;末級(jí)放大器的輸出電阻即多級(jí)放大器的輸出電阻。·計(jì)算多級(jí)放大器電壓增益的一般方法是
19、求出各級(jí)增益,再將其相乘。對(duì)BJT多級(jí)基本放大器的一種有效的計(jì)算增益的方法是“觀察法”,應(yīng)該掌握。BJT兩種重要的組合放大電路是共射共基和共集共基組態(tài),其實(shí)用電路之一分別是圖3-45(CE-CB)和圖3-47(CC-CB),應(yīng)能畫出并計(jì)算這兩個(gè)電路的指標(biāo)。第四章 場(chǎng)效應(yīng)管(FET)及基本放大電路一、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)原理·FET分別為JFET和MOSFET兩大類。每類都有兩種溝道類型,而MOSFET又分為增強(qiáng)型和耗盡型(JFET屬耗盡型),故共有6種類型FET(圖4-1)。·JFET和MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)有較大差別,但內(nèi)部的溝道電流都是多子漂移電流。一般情況下,該電流與、都
20、有關(guān)。·溝道未夾斷時(shí),F(xiàn)ET的D-S口等效為一個(gè)壓控電阻(控制電阻的大?。?,溝道全夾斷時(shí),溝道電流為零;溝道在靠近漏端局部斷時(shí)稱部分夾斷,此時(shí)主要受控于,而影響較小。這就是FET放大偏置狀態(tài);部分夾斷與未夾斷的臨界點(diǎn)為預(yù)夾斷。·在預(yù)夾斷點(diǎn),與滿足預(yù)夾斷方程:耗盡型FET的預(yù)夾斷方程:(夾斷電壓)增強(qiáng)型FET的預(yù)夾斷方程:(開(kāi)啟電壓)·各種類型的FET,偏置在放大區(qū)(溝道部分夾斷)的條件由表4-4總結(jié)。表4-4 FET放大偏置時(shí)與應(yīng)滿足的關(guān)系 極 性放大區(qū)條件VDSN溝道管:正極性(VDS>0)VDS>VGSVP(或VT)>0P溝道管:負(fù)
21、極性(VDS<0)VDS<VGSVP(或VT)<0VGS結(jié)型管: 反極性增強(qiáng)型MOS管:同極性耗盡型MOS管:雙極型N溝道管:VGS>VP(或VT)P溝道管:VGS<VP(或VT)·偏置在放大區(qū)的FET,滿足平方律關(guān)系:耗盡型:(零偏飽和漏電流)增強(qiáng)型:*· FET輸出特性曲線反映關(guān)系,該曲線將伏安平面分為可變電阻區(qū)(溝道未夾斷),放大區(qū)(溝道部分夾斷)和截止區(qū)(溝道全夾斷);FET轉(zhuǎn)移特性曲線反映在放大區(qū)的關(guān)系(此時(shí)參變量影響很?。瑘D4-17畫出以漏極流向源極的溝道電流為參考方向的6種FET的轉(zhuǎn)移特性曲線,這組曲線對(duì)表4-4是一個(gè)很好映證。
22、二、FET放大偏置電路·源極自給偏壓電路(圖4-18)。該電路僅適用于耗盡型FET。有一定穩(wěn)Q的能力,求解該電路工作點(diǎn)的方法是解方程組:·混合偏壓電路(圖4-20)。該電路能用于任何FET,在兼顧較大的工作電流時(shí),穩(wěn)Q的效果更好。求解該電路工作點(diǎn)的方法是解方程組:以上兩個(gè)偏置電路都不可能使FET全夾斷,故應(yīng)舍去方程解中使溝道全夾斷的根。三、FET小信號(hào)參數(shù)及模型·迭加在放大偏置工作點(diǎn)上的小信號(hào)間關(guān)系滿足一個(gè)近似的線性模型(圖4-22低頻模型,圖4-23高頻模型)。·小信號(hào)模型中的跨導(dǎo)反映信號(hào)對(duì)信號(hào)電流的控制。等于FET轉(zhuǎn)移特性曲線上Q點(diǎn)的斜率。的估算:耗
23、盡管增強(qiáng)管·小信號(hào)模型中的漏極內(nèi)阻是FET“溝道長(zhǎng)度調(diào)效應(yīng)”的反映,等于FET輸出特性曲線Q點(diǎn)處的斜率的倒數(shù)。四、基本組態(tài)FET小信號(hào)放大器指標(biāo)1基本知識(shí)·FET有共源(CS)共漏(CD)和共柵(CG)三組放大組態(tài)。·CS和CD組態(tài)從柵極輸入信號(hào),其輸入電阻由外電路偏置電阻決定,可以很大。·CS放大器在其工作點(diǎn)電流和負(fù)載電阻與一個(gè)CE放大器相同時(shí),因其較小,可能較小,但其功率增益仍可能很大。·CD組態(tài)又稱源極輸出器,其。在三種FET組態(tài)中,CD組態(tài)輸入電阻很大,而輸出電阻較小,因此帶能力較強(qiáng)。·由于FET的電壓電流為平方關(guān)系,其非線性
24、程度較BJT的指數(shù)關(guān)系弱。因此,F(xiàn)ET放大器的小信號(hào)線性條件對(duì)幅度限制會(huì)遠(yuǎn)大于BJT線性放大時(shí)對(duì)的限制(5mV)。2CS、CD和CG組態(tài)小信號(hào)指標(biāo)由表4-6歸納總結(jié)。表4-6 FET基本組態(tài)放大器小結(jié) CS組態(tài)CD組態(tài)CG組態(tài)簡(jiǎn)化交流通路AV大,反相放大器小于1,同相放大器( 條件:)大,同相放大器,很大,很大,較小 (條件:)rds ,較大,較小>rds ,最大AI決定于RG ,AI>>1決定于RG ,AI>>1AI<1類似CE放大器CC放大器CB放大器 第五章 模擬集成單元電路一、半導(dǎo)體IC電路特點(diǎn)在半導(dǎo)體集成電路中,晶體管工藝簡(jiǎn)單且
25、占有芯片面積??;集電電阻、集成電容工藝并不簡(jiǎn)單且占有芯片的面積隨元件值增大的明顯增大(表5-1);電感無(wú)法集成。根據(jù)IC工藝的這些特點(diǎn),IC電路設(shè)計(jì)思想是盡量多用晶體管,少用電阻(特別是阻值大的電阻),盡量不用電容。二、恒流源1恒壓源與恒流源基本概念恒壓源與恒流源都是耗能的電路裝置。恒壓源的特點(diǎn)是:端口電壓隨電流變化很小,或即內(nèi)阻很小,恒流源的特點(diǎn)是當(dāng)端口電壓變化時(shí),流過(guò)恒流源的電流變化很小,或即內(nèi)阻很大。二者比較如下表: 恒 壓 源恒 流 源理想模型伏安特性曲線實(shí) 際線性近似模型 實(shí) 際伏安特性曲線實(shí)例·充分導(dǎo)通的二極管(圖5.30a)
26、83;擊穿后的穩(wěn)壓管(圖1-35)·倍增電路(圖5-30b)·偏置在放大區(qū)的BJT當(dāng)=常數(shù),或常數(shù)時(shí),可視為恒流源(圖5-3,5,6)。· 模擬IC中常用對(duì)管組成恒流源(圖5-7、8、11、12) 2模擬IC中的恒流源·基本鏡像恒流源(圖5-7,圖5-13a)參考電流恒流源電流內(nèi)阻*特點(diǎn):時(shí),故是的鏡像。該恒流源內(nèi)阻不夠大,鏡像精度不高。·微電流恒流源(圖5-11)參考電流恒流源電流關(guān)系式:特點(diǎn):用不大的電阻兩個(gè)可以實(shí)現(xiàn)A級(jí)的恒流源,故易于集成。該恒流源內(nèi)阻大。對(duì)電源電壓波動(dòng)不敏感。·此例恒流源(圖5-12)參考電流恒流源電
27、流(條件:與相差10倍以內(nèi)時(shí)此式準(zhǔn)確性較高)特點(diǎn):內(nèi)阻大,使用靈活。3恒流源在模擬IC的應(yīng)用·IC放大器中的偏置電路(如恒流源差放圖5-20)·用恒流源作(集電極)有源負(fù)載放大器(圖5-13,圖5-21)。采用集電極有源負(fù)載的CE放大器,在后級(jí)輸入電阻很大的條件下,可以大大提高電壓增益。三、差動(dòng)放大器1基本知識(shí)·差放是一種具有兩輸入端的電路對(duì)稱、元件配對(duì)的平衡電路,它可以有效地放大差模輸入信號(hào);依靠對(duì)稱性和共模負(fù)反饋,差放可以有效抑制共模輸入信號(hào)(一般為干擾信號(hào))。·差放作直流放大器,可以有效地抑制零點(diǎn)漂移。這是因?yàn)榱闫梢缘刃楣材8蓴_信號(hào),從而被差放
28、抑制。·任模輸入信號(hào),的差模和共模分量。差模輸入電壓:(輸入端的一對(duì)差模分量是)共模輸入電壓分量:·差放基本指標(biāo)的定義差模增益(有雙端輸出和單端輸出兩種方式)共模增益(有雙端輸出和單端輸出兩種方式)共模抑制比·差模輸入將地的雙端輸入,但只要很大,信號(hào)對(duì)地單端輸入時(shí)、輸出電壓,基本上與差模輸入時(shí)相同。2差放指標(biāo)的計(jì)算方法單邊等效電路法·當(dāng)信號(hào)差模輸入時(shí),理想對(duì)稱差放在對(duì)稱位置上的點(diǎn)都是交流地。據(jù)此,可畫差放的差模單邊交流通路,由該電路計(jì)算。·當(dāng)信號(hào)共模輸入時(shí),兩對(duì)稱支路交匯成的公共支路上的交流電流是每支路的兩倍。據(jù)此可畫出差放的共模單邊交流通路,
29、由該電路求。理想對(duì)稱差放的。·對(duì)任意輸入信號(hào),可以將其分解成差模和共模分量后,按單邊等效電路法求出輸出,然后相加,其一般表式為:·差放增益的符號(hào)與參考方向、(或)以及單端輸出時(shí)輸出端都有關(guān)。確定差放增益符號(hào)時(shí),首先要明確單邊等效電路是反相還是同相放大器。·采用恒流源偏置的差放(圖5-20)可以增大共模負(fù)反饋,使增大。有源負(fù)載差放(圖5-21)除了使差模增益增加外,還具有雙端轉(zhuǎn)單端功能。3差放的小信號(hào)范圍及大信號(hào)限幅特性·由于差放的對(duì)稱性能有效抑制非線性輸出的偶次諧波分量,故差放的小信號(hào)范圍比單管放大器寬。恒流源CE差放的小信號(hào)條件是mV。·恒流
30、源CE差放當(dāng)mV時(shí),輸出有明顯的限幅特性。該特性在通信電子電路中得到應(yīng)用。四、功率輸出級(jí)1基本概念·功率放大器作為多級(jí)放大器輸出級(jí),工作于大信號(hào)狀態(tài),故小信號(hào)等效電路分析方法不適用。·功放關(guān)注的指標(biāo)主要有效率最大輸出信號(hào)功率非線性失真系數(shù)D·功放管工作于接近極限參數(shù)狀態(tài),故功放管安全使用是設(shè)計(jì)功放要考慮的問(wèn)題。對(duì)BJT功放管,使用中不能超過(guò),和(定義見(jiàn)§)。·按功放管的導(dǎo)通的時(shí)間不同,功放可分為甲類(A類)、乙類(B類)、丙類(C類)和丁類(D類)。對(duì)阻性負(fù)載功放,只能工作在甲類或乙類(雙管電路)。丙類功放一般是以LC回路作負(fù)載的高頻諧振功放。
31、·甲類和乙類電阻負(fù)載功放比較 甲 類乙 類功放管單管(圖5-25a)對(duì)管(圖5-26c)非線性失真優(yōu)于乙類有交越失真問(wèn)題電源功率與輸入信號(hào)無(wú)關(guān),靜態(tài)時(shí)仍消耗功率。輸入越大,越大。靜態(tài)時(shí)電源幾乎不消耗功率管耗靜態(tài)時(shí)最大。靜態(tài)時(shí)為零,激勵(lì)在某一狀態(tài)時(shí)最大。效率<25%<78.5%對(duì)功放管的功率容量的利用低,高, ·乙類功放在輸入信號(hào)過(guò)零時(shí),因功放管未導(dǎo)通而使輸出為零的現(xiàn)象稱為交越失真。可以給功放管加一定的放大偏置使其工作在甲乙類來(lái)消除交越失真。但效率也會(huì)有所降低。·復(fù)合BJT是模擬IC中的一種工藝(又稱達(dá)林頓組態(tài))。教材表5-4總結(jié)了四
32、種BJT復(fù)合管的特點(diǎn)。2OCL和OTL電路指標(biāo)OCL電路:正負(fù)雙電源供電的NPN-PNP互補(bǔ)推挽功放(表5-3原理電路)。OTL電路:正負(fù)單電源供電的NPN-PNP互補(bǔ)推挽功放(表5-3原理電路)。OTL正常工作的條件是:(1)靜態(tài)時(shí)兩發(fā)射極連接的節(jié)點(diǎn)處電壓;(2)耦合電容必須足夠大,使一個(gè)周期內(nèi),保持幾乎不變。兩種互補(bǔ)推挽功放的指標(biāo)及極限參數(shù)的限制有些結(jié)論見(jiàn)表5-3。表5-3 OCL和OTL功放的公式匯集 OCL功放OTL功放原理電路指 標(biāo)POmax(滿激勵(lì)時(shí))(滿激勵(lì)時(shí))PCCmax(滿激勵(lì)時(shí))(滿激勵(lì)時(shí))(滿激勵(lì)時(shí))(滿激勵(lì)時(shí))PT1max時(shí)時(shí)極限參數(shù)限制BVCEOI
33、CMPCM 第六章 放大器的頻率響應(yīng)一、基本知識(shí)·對(duì)放大器輸入正弦小信號(hào),則輸出信號(hào)的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)特性即放大器的頻率響應(yīng)。·在小信號(hào)條件下,且不計(jì)非線性失真時(shí),輸出信號(hào)仍為正弦信號(hào)。故可以用輸出相量與輸入相量之比 即放大器的增益的頻率特性函數(shù)來(lái)分析放大器的頻率響應(yīng)的特性。·,表示輸出正弦信號(hào)與輸入正弦信號(hào)的振幅之比。反映放大倍數(shù)與輸入信號(hào)頻率的關(guān)系,故稱為增益的幅頻特性,是輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的相位差,它反映了放大器的附加相移與輸入信號(hào)頻率的關(guān)系,故稱為增益的相頻特性。·由相量法分析正弦穩(wěn)定響應(yīng)的知識(shí)可知,是關(guān)于的有理分式。·放大器在低頻段
34、表現(xiàn)出增益的頻率特性的原因是電路中的耦合傍路電容在頻率很低時(shí)不能視為交流短路,使交流通路中有電抗元件,從而造成輸出的幅度和附加相位與信號(hào)頻率有關(guān);放大器在高頻段表現(xiàn)出增益的頻率特性的原因是晶體管內(nèi)部電抗效應(yīng)在高頻時(shí)必須考慮(如PN結(jié)電容的容抗不能再視為),使等效電路中存在電抗,造成輸出與頻率有關(guān)。·當(dāng)信號(hào)頻率降低(或升高)到使下降到中頻段增益的倍時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱為放大器的低頻截止頻率(或高頻截止頻率)。·放大器的通頻帶是定義為,又稱3dB帶寬。·當(dāng)對(duì)放大器輸入頻帶信號(hào),若輸入信號(hào)頻率的范圍超過(guò)時(shí),輸出波形會(huì)因此發(fā)生畸變,此即放大器的頻率失真。頻率失真分為幅頻失真和
35、相頻失真。前者是變化所致,后者是不是常數(shù)(或即不與成正比)所致。·頻率失真與非線性失真的重要區(qū)別是:對(duì)于前者,輸出信號(hào)沒(méi)有新的頻率分量,且只有輸入頻帶信號(hào)時(shí)才有頻率失真的問(wèn)題。·在直角坐標(biāo)系下畫出的曲線稱為幅頻特性曲線;曲線稱為相頻特性曲線。二、放大器增益函數(shù)及特點(diǎn)*·將易以復(fù)頻率S,則為放大器的增益函數(shù)(即傳遞函數(shù))。·根據(jù)信號(hào)與系統(tǒng)課的理論,是零狀態(tài)下輸出的拉氏變換與輸入拉氏變換之比。·物理可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的是關(guān)于S的有理分式。使分母為零的根稱為的極點(diǎn),使分子為零的根稱為的零點(diǎn),一個(gè)穩(wěn)定系統(tǒng)的極點(diǎn)數(shù)n和零點(diǎn)數(shù)m,滿足,且極點(diǎn)的實(shí)部為負(fù)數(shù)(或極點(diǎn)位
36、于S的左半開(kāi)平面上)。·放大器低頻增益函數(shù)的,且中頻增益,放大器高頻增益函數(shù)的,且。·如果中某極點(diǎn)頻率比其它極點(diǎn)和零點(diǎn)頻率大10倍以上,則P為低頻主極點(diǎn)。·如果中某個(gè)極點(diǎn)頻率比其它極點(diǎn)、零點(diǎn)頻率小10倍以上,則P為高頻主極點(diǎn)。三、波特圖放大器對(duì)數(shù)頻率特性曲線1概念·波特圖的頻率軸按定刻度位置,但仍標(biāo)示頻率的值。對(duì)數(shù)頻率軸的特點(diǎn)是每10倍頻程相差一個(gè)單位長(zhǎng)度,且點(diǎn)在頻率軸處。·幅頻波特圖的縱坐標(biāo)按的分貝刻度,即所謂分貝線性刻度(圖6-9a)。相頻波特圖的縱坐標(biāo)仍按的角度刻度(圖6-8b)。·波特圖的優(yōu)點(diǎn)是易于用漸近線方法近似作頻率特性曲
37、線。2漸近線波特圖繪法*·首先要判斷是低頻段還是高頻段的頻率特性函數(shù)(全頻段另行討論)。的通式為:若,則為;若,則為。1低頻波特圖畫法·將每個(gè)極零點(diǎn)因子化成以下形式(,)(1)畫幅頻波特圖;在幅頻特性平面上畫出每個(gè)因子(包括中頻增益)的幅頻漸近線波特圖,然后相加。每個(gè)因子對(duì)幅頻波特圖的貢獻(xiàn)如下:·的貢獻(xiàn)為,即一條與無(wú)關(guān)的水平線;·極點(diǎn)因子在極點(diǎn)頻率左側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)分貝,斜率為20dB/dec。·零點(diǎn)因子在零點(diǎn)頻率右側(cè)貢獻(xiàn)正分貝,斜率為dB/dec。(2)畫相頻波特圖:在相頻特性平面上畫出每個(gè)因子(包括)的相頻漸近線波特圖,然后相加。每個(gè)因子的貢獻(xiàn)如下
38、:·,則對(duì)相頻波特圖貢獻(xiàn)為0o。·,則對(duì)相頻波特圖貢獻(xiàn)為。·極點(diǎn)因子,在頻點(diǎn)的左而貢獻(xiàn)正角度。在區(qū)間斜率為45o/dec。頻點(diǎn)為45o,小于處保持90o。·零點(diǎn)因子在左側(cè)貢獻(xiàn)角度,在區(qū)間斜率為/dec;在頻點(diǎn)處為45o(或),在0.1處為90o(或),小于0.1時(shí)保持90o(或),角度的符號(hào)與零點(diǎn)因子幅角的符號(hào)一致。2高頻波特圖的畫法將中每個(gè)極零點(diǎn)因子化成以下形式(,)(1)畫幅頻波特圖畫出每個(gè)因子(包括)對(duì)幅頻波特圖的貢獻(xiàn),然后相加,其規(guī)律如下:·貢獻(xiàn)的分貝為,即一條與無(wú)關(guān)的水平線·極點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)分貝,斜率是dB/dec。
39、183;零點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)正分貝,斜率是20dB/dec。(2)畫出相頻波特圖畫出每個(gè)因子對(duì)相頻波特圖的貢獻(xiàn),然后相加。其規(guī)律如下:·的貢獻(xiàn)是0o()或180o()。·極點(diǎn)因子在右側(cè)貢獻(xiàn)負(fù)角度,斜率/dec;在時(shí),貢獻(xiàn)達(dá)到。·零點(diǎn)因子在0.1右側(cè)貢獻(xiàn)角度,斜率為45o/dec(或/dec)。在時(shí),貢獻(xiàn)達(dá)到并保持90o(或)。角度符號(hào)與零點(diǎn)因子幅角的符號(hào)相同。本章復(fù)習(xí)題填空題第7題用圖示方法全面總結(jié)了各個(gè)因子的波特圖的畫法。3全頻段波特圖的繪制首先要識(shí)別中的高、低頻極點(diǎn)和零點(diǎn),然后將極、零點(diǎn)因子分別寫成繪波圖所需形式,再按前面兩節(jié)的方法繪出波特圖。四、基本放大器的和
40、的估算1的估算·畫出放大器低頻段交流通路和低頻段小信號(hào)模型(模型中有耦合、傍路電容,)·求每個(gè)電容對(duì)應(yīng)的短路時(shí)間常數(shù)。,其中是令模型中除以外其它電容均短路,再?gòu)亩丝谝暼氲拇骶S南等效支路的電阻。的求解方法與求放大器輸出電阻相同。·估算。1.15是修正系數(shù),當(dāng)模型中只有一個(gè)電容時(shí),。是端口視入的等效電阻。2的估算· 畫出放大器高頻段小信號(hào)模型(此時(shí),晶體管因使用了高頻模型,故模型中有電容,)·求每個(gè)電容對(duì)應(yīng)的開(kāi)路時(shí)間常數(shù),其中是令模型中除以外其它電容均開(kāi)路時(shí),再?gòu)亩丝谝暼氲拇骶S南等效電路的電阻。的求解方法與求放大器輸出電阻相同。·估算。1
41、.15是修正系數(shù)。當(dāng)模型中只有一個(gè)電容時(shí),。是端口視入的等效電阻。3滿足主極點(diǎn)條件時(shí)的與分別近似等于低頻主極點(diǎn)頻率和高頻主極點(diǎn)頻率。第七章 負(fù)反饋技術(shù)放大器的輸出電壓(或電流)經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)在放大器輸入端產(chǎn)生反饋信號(hào),該反饋信號(hào)與放大器原來(lái)輸入信號(hào)共同控制放大器的輸入,即構(gòu)成反饋放大器。一、單環(huán)負(fù)反饋理想模型(圖7-2)分析1基本定義:A放大器及增益(開(kāi)環(huán)增益)B網(wǎng)絡(luò)及反饋系數(shù)反饋放大器增益(閉環(huán)增益)反饋深度環(huán)路傳輸當(dāng),即凈輸入小于原輸入時(shí)為負(fù)反饋;反之則為正反饋。2基本反饋方程基本反饋方程由信號(hào)流圖給出的理想反饋模型導(dǎo)出,其成立條件應(yīng)滿足:A放大器正向傳輸信號(hào);B網(wǎng)絡(luò)反向傳輸信號(hào);B網(wǎng)絡(luò)對(duì)A放
42、大器輸入輸出口無(wú)負(fù)載作用,只在輸入口有受控源功能受控于取樣信號(hào)的反饋信號(hào)受控源。3深負(fù)反饋及公式·當(dāng)時(shí)稱深負(fù)反饋,此時(shí)·深負(fù)反饋的特征是:反饋信號(hào)接近原輸入信號(hào),使凈輸入很??;此時(shí),閉環(huán)增益只由反饋網(wǎng)絡(luò)決定。4反饋類型及用雙口網(wǎng)路表示的理想模型·由于基本放大器與反饋網(wǎng)絡(luò)在輸出口的接法不同,取樣信號(hào)可能是輸出電壓或輸出電流;由于基本放大器與反饋網(wǎng)絡(luò)在輸入口的接法不同,求和信號(hào)(,)也可能為電壓或電流。因此有四種不同的反饋類型,表7-1給出了這四種類型的總結(jié)。表7-1 四種反饋類型各物理量的含義 物理量 類型xs、xf、xIxoAAfB電壓取樣電壓求和反饋(電壓串聯(lián)反
43、饋)電壓電壓電壓比電壓比電壓比電壓取樣電流求和反饋(電壓并聯(lián)反饋)電流電壓互阻互阻互導(dǎo)電流取樣電壓求和反饋(電流串聯(lián)反饋)電壓電流互導(dǎo)互導(dǎo)互阻電流取樣電流求和反饋(電流并聯(lián)反饋)電流電流電流比電流比電流比*表中的互阻又稱為傳輸阻抗,互導(dǎo)又稱為傳輸導(dǎo)納。圖7-7示出了四種類型的雙口網(wǎng)絡(luò)連接形式,該圖更直觀示出了反饋網(wǎng)絡(luò)僅是一個(gè)受控源。實(shí)現(xiàn)各類反饋的規(guī)律是:A、B兩網(wǎng)絡(luò)與負(fù)載在輸出口并聯(lián)實(shí)現(xiàn)電壓取樣;串聯(lián)則實(shí)現(xiàn)電流取樣。A、B兩網(wǎng)絡(luò)與源電流在輸入口并聯(lián)形成電流求和;A、B兩網(wǎng)絡(luò)與源電壓在輸入口串聯(lián)形成電壓求和。二、實(shí)際放大器反饋類型和極性判斷1反饋類型·輸出節(jié)點(diǎn)有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò))接至輸
44、入口是電壓取樣·輸入節(jié)點(diǎn)有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò))接至輸出口是電流求和·集電極輸出時(shí),用發(fā)射極電流代替,實(shí)現(xiàn)電流取樣,故應(yīng)流入反饋網(wǎng)絡(luò)。從電路上看,發(fā)射極一定有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò))接到輸入口。按這一思路,則發(fā)射極輸出時(shí),集電極有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò));漏極輸出時(shí),源極有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò));源極輸出時(shí),漏極有反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò))。以上就是BJT和FET放大器實(shí)現(xiàn)電流取樣時(shí)的電路結(jié)構(gòu)。·對(duì)于BJT、FET單管放大器構(gòu)成反饋放大器時(shí),和是凈輸入,故有以下形成電壓求和的形式。(1)對(duì)于BJT,b極輸入時(shí),e極有反饋電阻(最常用的方式)。(2)對(duì)于FET,g極輸入時(shí),s極有反饋電阻(最常
45、用的方式)。·當(dāng)差動(dòng)放大器作輸入級(jí)時(shí),單端輸入,另一輸入端接反饋電阻(或網(wǎng)絡(luò))時(shí),根據(jù)差動(dòng)放大的原理,這是電壓求和。2反饋極性判斷瞬時(shí)極性法假設(shè)輸入信號(hào)(電壓或電流)任一瞬時(shí)的極性(即對(duì)地為或;流入或流出),分析由此極性產(chǎn)生的反饋信號(hào)的極性。若反饋信號(hào)削弱了輸入信號(hào),使凈輸入減小,即為負(fù)反饋;反之則為正反饋。三、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響1負(fù)反饋環(huán)具有自動(dòng)調(diào)節(jié)功能任何因素使輸出端取樣信號(hào)發(fā)生變化,負(fù)反饋可以減小這種變化,使穩(wěn)定。利用負(fù)反饋的穩(wěn)定的功能可以解釋為什么負(fù)反饋能使穩(wěn)定,展寬通頻帶和減小非線性失真。2負(fù)反饋可以提高閉環(huán)增益的穩(wěn)定性。閉環(huán)增益相對(duì)變化率是開(kāi)環(huán)增益相對(duì)變化率的。3負(fù)
46、反饋可以擴(kuò)展閉環(huán)增益的通頻帶對(duì)于具有單極點(diǎn)高低頻模型的反饋放大器,開(kāi)閉環(huán)截正頻率有如下關(guān)系:,是中頻段的反饋深度。4負(fù)反饋可以減小非線性失真。5直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定放大器工作點(diǎn)?;鶚O分壓射極偏置電路采用電流()取樣電壓求和直流負(fù)反饋穩(wěn)定工作點(diǎn)電流。6負(fù)反饋改變輸出電阻與取樣方式有關(guān)。電壓取樣負(fù)反饋使輸出電阻減?。浑娏魅迂?fù)反饋使輸出電阻增大。7負(fù)反饋改變輸入電阻與求和方式有關(guān)。電流求和負(fù)反饋使輸入電阻減??;電壓求和負(fù)反饋使輸入電阻增大。四、AB網(wǎng)絡(luò)法AB網(wǎng)絡(luò)分析法是反饋放大器計(jì)算的一種經(jīng)典方法,其本質(zhì)是將電阻反饋網(wǎng)絡(luò)改造成理想的B網(wǎng)絡(luò),基本放大器成為A放大器,從而可以用基本反饋方程來(lái)計(jì)算閉環(huán)增益
47、。分析步驟:1判斷反饋類型,識(shí)別反饋網(wǎng)絡(luò),明確A、B、量綱。2電壓求和時(shí),信號(hào)源畫成與串聯(lián)的形式,使為原輸入信號(hào)。電流求和時(shí),信號(hào)源畫成與串聯(lián)的形式,使為原輸入信號(hào)。3構(gòu)成A放大器A放大器是考慮了實(shí)際反饋網(wǎng)絡(luò)負(fù)載效應(yīng)和信號(hào)源內(nèi)阻后的基本放大器。對(duì)反饋網(wǎng)絡(luò)采用“串聯(lián)開(kāi)路,并聯(lián)短路”法則,將反饋網(wǎng)絡(luò)的負(fù)載反應(yīng)加到基本放大器的輸入和輸出電路。3由A放大器求A、B、和。由反饋組態(tài)定義出的A在A放大器上求出A??梢栽贏放大器的輸出電路上求B,依據(jù)是:·電流求和時(shí):。由于電流求和時(shí),反饋網(wǎng)絡(luò)對(duì)A放大器輸出的負(fù)載效應(yīng)也是將反饋網(wǎng)絡(luò)輸入口短路求得。故將形式上標(biāo)在A放大器輸出口的反饋網(wǎng)絡(luò)短路的位置,求
48、出。·電壓求和時(shí),。由于電壓求和時(shí),反饋網(wǎng)絡(luò)對(duì)A放大器輸出口的負(fù)載效應(yīng)也是將反饋網(wǎng)絡(luò)輸入口開(kāi)路求得。故將形式上標(biāo)在A放大器輸出口的反饋網(wǎng)絡(luò)開(kāi)路位置,求出。4由基本反饋方程求出、和。電流求和時(shí):,電壓求時(shí)時(shí):。電壓取樣時(shí):,電流取樣時(shí):是反饋放大器的管端輸出電阻。5由求源電壓增益。五、深負(fù)反饋條件下和的估算1判別反饋類型,正確識(shí)別并畫出反饋網(wǎng)絡(luò)。注意電壓取樣時(shí)不要把直接并在輸出口的電阻計(jì)入反饋網(wǎng)絡(luò);電流求和時(shí)不要把并在輸入口的電阻計(jì)入反饋網(wǎng)絡(luò)。2在反饋網(wǎng)絡(luò)輸入口標(biāo)出反饋信號(hào):電壓求和為開(kāi)路電壓,電流求和時(shí)為短路電流,再由反饋網(wǎng)絡(luò)求出反饋系數(shù)B。要注意標(biāo)時(shí)在反饋網(wǎng)絡(luò)入口標(biāo)上正下負(fù);標(biāo)時(shí)必須在反饋網(wǎng)絡(luò)入口以上端流入為參考方向。3求閉環(huán)增益,注意不同的反饋類型的量綱不同。4由求閉環(huán)源電壓增益。電壓取樣電壓求和時(shí):電壓取樣電流求和時(shí):電流取樣電壓求和時(shí):電流取樣電流求和時(shí):其中:是輸出管的管端輸出電流,即取樣電流。是取樣電流過(guò)的輸出負(fù)載電阻。六、負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性1由于電抗元件(管外與管內(nèi),主要是電容),產(chǎn)生的附加相移,
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