第二章晶體生長的基本規(guī)律

1、第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律第第2章章 晶體生長的基本規(guī)律晶體生長的基本規(guī)律School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律主要教主要教學(xué)學(xué)內(nèi)內(nèi)容容School of Materials Science and Engineering 晶晶體的形體的形成成方方式式 晶晶體生體生長長* * 晶晶面的發(fā)面的發(fā)育育* * 影影響晶體響晶體生生長的外長的外部部因因素素 晶晶體生長體生長技技術(shù)簡術(shù)簡介介第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.1晶體的形成方式晶體的形成方式Sc

2、hool of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律概念：由氣態(tài)物質(zhì)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。 條件：氣態(tài)物質(zhì)處于低蒸汽壓和較低的溫度下。在火山口附近常由火山噴氣直接生成硫、碘或氯化鈉晶體。在火山口附近常由火山噴氣直接生成硫、碘或氯化鈉晶體。雪花就是由于水蒸氣冷卻直接結(jié)晶而成的晶體。雪花就是由于水蒸氣冷卻直接結(jié)晶而成的晶體。School of Materials Science and Engineering 氣-固結(jié)晶作用第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 液-固結(jié)晶作用 從溶液中結(jié)晶從溶液中結(jié)晶條條件

3、：溶件：溶液液過飽過飽和和c = c ceqc：絕對過飽和度：絕對過飽和度； c：溶液濃度；：溶液濃度；ceq ：溶解度：溶解度School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 當溶液達到過飽和時，才能析出晶體。主要有以下幾種 方式： 1)降低飽和溶液的溫度。目的在于降低溶質(zhì)的溶解度，獲 得過飽和溶液，使溶液中多余溶質(zhì)結(jié)晶。 2)減少飽和溶液的溶劑。有兩種途徑： 蒸發(fā)溶劑：如天然鹽湖鹵水蒸發(fā)，鹽類礦物結(jié)晶出來。 電解溶劑：通過電解是溶劑變成氣體逸出，是溶液達到 過飽和析晶。3)通過化學(xué)反應(yīng)，生成難溶物質(zhì)。

4、 CaNO3+Na2CO3=CaCO3 + NaNO3 Ca(OH)2+H3PO4= Ca5(PO4)3(OH) +H2OSchool of Materials Science and Engineering 液-固結(jié)晶作用第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 液-固結(jié)晶作用 從熔體中結(jié)晶 當溫度低于熔點時，晶體開始析出，也就是說，只有當熔體過冷卻時晶體才能發(fā)生。如水在溫度低 于零攝氏度時結(jié)晶成冰；金屬熔體冷卻到熔點以下 結(jié)晶成金屬。條件：熔體過冷卻T = Tf TTf ：熔點； T ：熔體溫度；T： 絕對過冷度。School of Materials Science and

5、Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律同質(zhì)多像轉(zhuǎn)變同質(zhì)多像轉(zhuǎn)變：是指某種晶體，在熱力學(xué)條件改變時轉(zhuǎn)變是指某種晶體，在熱力學(xué)條件改變時轉(zhuǎn)變 為另一種在新條件下穩(wěn)定的晶體。它們在轉(zhuǎn)變前后的成分相為另一種在新條件下穩(wěn)定的晶體。它們在轉(zhuǎn)變前后的成分相 同，但晶體結(jié)構(gòu)不同。同，但晶體結(jié)構(gòu)不同。 例如：例如：石墨在高壓條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸诟邏簵l件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?。石?晶界遷移結(jié)晶：晶界遷移結(jié)晶：典型的晶界遷移再結(jié)晶作用為燒結(jié)。典型的晶界遷移再結(jié)晶作用為燒結(jié)。 固相反應(yīng)結(jié)晶固相反應(yīng)結(jié)晶：兩種或以上粉晶原料，混合成型后進行高兩種或以上粉晶原料，混合成型后進行高溫燒結(jié)，各組

6、分之間會發(fā)生反應(yīng)，形成新的化合物晶體。溫燒結(jié)，各組分之間會發(fā)生反應(yīng)，形成新的化合物晶體。CaO+SiO2=Ca2SiO3 重結(jié)重結(jié)晶晶 ：小晶體的長大作用，但轉(zhuǎn)變過程中有液相參與。小晶體的長大作用，但轉(zhuǎn)變過程中有液相參與。 脫玻脫玻化化 ：玻璃會自發(fā)地轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。玻璃會自發(fā)地轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。School of Materials Science and Engineering 固-固結(jié)晶作用第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律青海察爾汗鹽湖中鹽花結(jié)晶體青海察爾汗鹽湖中鹽花結(jié)晶體School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體

7、生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律石鐘乳、石筍、石柱石鐘乳、石筍、石柱School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律巖漿巖的形成巖漿巖的形成How Igneous Rock Is FormedSchool of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律天然熔體：巖漿天然熔體：巖漿School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律Heat so

8、me solvent to boiling. Place the solid to be recrystallized in anErlenmeyer flask.鹽鹽溶液的溶液的結(jié)結(jié)晶實晶實驗驗Pour a small amount of the hot solvent Into the flask containing the solid.School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律Swirl the flask to dissolve the solid.Place the flask on t

9、he steam bath to keep the solution warm.School of Materials Science and Engineering鹽鹽溶液的溶液的結(jié)結(jié)晶實晶實驗驗第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律If the solid is still not dissolved, add a tiny amount more solvent and swirl again.When the solid is all in solution, set it on the bench top. Do not disturb it!School of Mat

10、erials Science and Engineering鹽鹽溶液的溶液的結(jié)結(jié)晶實晶實驗驗第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律After a while, crystals should appear in the flask.You can now place the flask in an ice bath to finish the crystallization processSchool of Materials Science and Engineering鹽鹽溶液的溶液的結(jié)結(jié)晶實晶實驗驗第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律Close-up of

11、pictures forming in a flaskSchool of Materials Science and Engineering鹽鹽溶液的溶液的結(jié)結(jié)晶實晶實驗驗第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.2 晶體的生長晶體的生長School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.2 晶體的生長晶體的生長晶體形成的三個階段：晶體形成的三個階段：介質(zhì)的過飽和或過冷卻階段；介質(zhì)的過飽和或過冷卻階段；成核階段；成核階段；生長階段。生長階段。School of Materials Scien

12、ce and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 成核是一個相變過程，即在母液相中形成固相小晶芽，這成核是一個相變過程，即在母液相中形成固相小晶芽，這 一相變過程中體系自由能的變化為：一相變過程中體系自由能的變化為：G=Gv+Gs式中式中Gv為新相形成時體系自由能的變化，為新相形成時體系自由能的變化，且且Gv0, GS 為新相形成時新相與舊相界面的表面能，為新相形成時新相與舊相界面的表面能，且且GS0。 也就是說，晶核的形成，一方面由于體系從液相轉(zhuǎn)變?yōu)閮?nèi)也就是說，晶核的形成，一方面由于體系從液相轉(zhuǎn)變?yōu)閮?nèi) 能更小的晶體相而使體系自由能下降，另一方面又由于增

13、能更小的晶體相而使體系自由能下降，另一方面又由于增 加了液加了液-固界面而使體系自由能升高。固界面而使體系自由能升高。School of Materials Science and Engineering晶晶核的形核的形成成第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 只有當只有當G 0時，時， 成核過程才能發(fā)生，因成核過程才能發(fā)生，因 此，晶核是否能形成，此，晶核是否能形成， 就在于就在于Gv與與Gs的相的相 對大小。對大小。見圖：見圖： 體系自由能由升高到體系自由能由升高到 降低的轉(zhuǎn)變時所對應(yīng)降低的轉(zhuǎn)變時所對應(yīng) 的晶核半徑值的晶核半徑值rc稱為稱為 臨臨界半徑界半徑。晶晶核的形核的形

14、成成School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律晶晶核的形核的形成成思考：思考：怎么理解在晶核很小怎么理解在晶核很小時時表面表面能能大于大于體體自由能自由能，而當而當晶晶核長大后核長大后 表面能小于體自由能？表面能小于體自由能？因此，成核過程有一個勢壘：因此，成核過程有一個勢壘：能越過這個勢壘的就可以進行能越過這個勢壘的就可以進行 晶體生長了，否則不行。晶體生長了，否則不行。* 均勻成核均勻成核：介質(zhì)體系內(nèi)的質(zhì)介質(zhì)體系內(nèi)的質(zhì)點點同時同時進進入不入不穩(wěn)穩(wěn)定狀態(tài)定狀態(tài)而而形成形成新新相，稱為相，稱為 均勻

15、成核作用。均勻成核作用。 非均勻成核非均勻成核：在體系內(nèi)，只在體系內(nèi)，只是是某些某些局局部的部的區(qū)區(qū)域（雜域（雜質(zhì)質(zhì)、容、容器器壁）首壁）首先先 形成新相的核，稱為不均勻形成新相的核，稱為不均勻成成核核作作用。用。 成核速度成核速度：在單位時間內(nèi)，在單位時間內(nèi)，單單位體位體積積中所中所形形成的核成的核的的數(shù)目。數(shù)目。 思考思考：為什么在雜質(zhì)、容器為什么在雜質(zhì)、容器壁壁上容上容易易成核？成核？為什么人工合成晶體要放籽晶？為什么人工合成晶體要放籽晶？School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律晶核上的三種位

16、置晶核上的三種位置三三 面面 凹凹 角角二面凹角二面凹角一般位置一般位置 層生長理論層生長理論假設(shè)：晶體由單原子假設(shè)：晶體由單原子 構(gòu)成的立方晶胞堆積構(gòu)成的立方晶胞堆積 而成，相鄰質(zhì)點而成，相鄰質(zhì)點間間 距距 為為a a。 晶體的生長的基本理論aSchool of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律二面凹角二面凹角三種位置上最鄰近的質(zhì)點數(shù)三種位置上最鄰近的質(zhì)點數(shù)三面凹角三面凹角一般位置一般位置 層生長理論層生長理論School of Materials Science and Engineeringa1.414

17、a1.732a三面凹角三面凹角364二面凹角二面凹角264一般位置一般位置144第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律質(zhì)點的堆積順序質(zhì)點的堆積順序 三三面凹角面凹角二面凹角二面凹角一般位置。一般位置。School of Materials Science and Engineering 層生長理論層生長理論第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律晶體的理想生長過程晶體的理想生長過程在晶核的基礎(chǔ)上，逐行生長，在晶核的基礎(chǔ)上，逐行生長，直直到長到長滿滿一一層層面面網(wǎng)，再長相鄰面網(wǎng)，如網(wǎng)，再長相鄰面網(wǎng)，如此此逐層逐層向向外推外推移移；生長停止后，最外層面網(wǎng)就是生長停止后，最

18、外層面網(wǎng)就是實實際晶際晶面面，相相鄰鄰面網(wǎng)的交棱就是實際晶棱。面網(wǎng)的交棱就是實際晶棱。School of Materials Science and Engineering 層生長理論層生長理論第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律藍寶石中的六方環(huán)狀生長紋藍寶石中的六方環(huán)狀生長紋層生長理論可以解釋的現(xiàn)象層生長理論可以解釋的現(xiàn)象晶體的幾何多面體形態(tài)晶體的幾何多面體形態(tài)晶體中的環(huán)帶構(gòu)造晶體中的環(huán)帶構(gòu)造電氣石橫截面上的環(huán)帶電氣石橫截面上的環(huán)帶School of Materials Science and Engineering 層生長理論層生長理論第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基

19、本基本規(guī)規(guī)律律某些晶體內(nèi)部的沙鐘構(gòu)造。某些晶體內(nèi)部的沙鐘構(gòu)造。同種晶同種晶體體的不同的不同個個體，對體，對應(yīng)應(yīng)晶面間晶面間的的夾角不夾角不變變。普通輝石的砂鐘構(gòu)造普通輝石的砂鐘構(gòu)造School of Materials Science and Engineering 層生長理論層生長理論第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 晶體的階梯狀生長School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律晶面上階梯狀的生長紋晶面上階梯狀的生長紋School of Materials Science and E

20、ngineering 晶體的階梯狀生長第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 晶體的螺旋狀生長晶體的螺旋狀生長晶體的螺旋狀生長School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律石墨底面上的生長螺紋石墨底面上的生長螺紋 晶體的螺旋狀生長School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.3 晶面的發(fā)育晶面的發(fā)育School of Materials Science and Engineering第第2 2章

21、章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律內(nèi)容：實際晶體往往為面網(wǎng)密度大的面網(wǎng)所包圍。晶面生長速度：晶面在單位時晶面生長速度：晶面在單位時間間內(nèi)沿內(nèi)沿法法線線方方向向向外推移的距離。向外推移的距離。 布拉維法則晶面法線方向晶面法線方向School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律ABCDab面網(wǎng)密度面網(wǎng)密度ABCDBC生長速度快生長速度快School of Materials Science and Engineering生長速度慢生長速度慢 布拉維法則第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律

22、 布拉維法則面網(wǎng)密度大，生長速度慢；面網(wǎng)密度大，生長速度慢；面網(wǎng)密度小，生長速度快。面網(wǎng)密度小，生長速度快。生長速度最快的面網(wǎng)消縮最快。生長速度最快的面網(wǎng)消縮最快。 布拉維布拉維法法則以簡則以簡化化條件為條件為前前提，沒提，沒有有考慮溫考慮溫度度、 壓力、壓力、濃濃度、雜度、雜質(zhì)質(zhì)等對晶等對晶面面生長速生長速度度產(chǎn)生影產(chǎn)生影響響。School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 居理吳里夫原理 居里：晶體生長的平衡態(tài)表面居里：晶體生長的平衡態(tài)表面能能最小。最小。 吳里夫：生長速度快的晶面表吳里夫：生長速度

23、快的晶面表面面能大。能大。School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 周期鍵鏈（Periodic Bond Chain ）理論 在晶體結(jié)構(gòu)中存在一系列周期在晶體結(jié)構(gòu)中存在一系列周期性性的強的強鍵鍵鏈鏈，其其 重復(fù)特征與晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點的重復(fù)特征與晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點的重重復(fù)一復(fù)一致致。 按鍵鏈的多少，可將晶體生長按鍵鏈的多少，可將晶體生長過過程中程中可可能能出出現(xiàn)現(xiàn) 的晶面分為三種類型。的晶面分為三種類型。School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體

24、生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律F面：面： 平坦面平坦面S面：面：階梯面階梯面K面：面：扭折面扭折面School of Materials Science and Engineering箭頭箭頭A、B、C指示強健指示強健PBC方向方向 F面發(fā)育成較大的面面發(fā)育成較大的面；K面面罕罕見或見或缺缺失失 周期鍵鏈（Periodic Bond Chain ）理論第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.4影響晶體生長的外部因素影響晶體生長的外部因素School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 溫度

25、School of Materials Science and Engineering左：溫度較高時形成左：溫度較高時形成；右：常溫下形成右：常溫下形成方解石（方解石（CaCO3）晶體形態(tài)）晶體形態(tài)第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 雜質(zhì)雜質(zhì)的吸附將改變晶面的比表雜質(zhì)的吸附將改變晶面的比表面面自由自由能能，結(jié)結(jié)果使果使 晶晶面的生長速度發(fā)生變化。面的生長速度發(fā)生變化。School of Materials Science and Engineering溶液中含有少量硼酸溶液中含有少量硼酸NaCl晶體晶體溶液中不含有雜質(zhì)溶液中不含有雜質(zhì)第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)

26、規(guī)律律 介質(zhì)粘度介質(zhì)粘度大，會影響物質(zhì)的運介質(zhì)粘度大，會影響物質(zhì)的運移移和供和供給給。由由于晶體于晶體 的棱和角頂處較易于接受溶質(zhì)的棱和角頂處較易于接受溶質(zhì)，因此因此生生長長較較快；晶快；晶 面中心生長較慢，甚至不生長面中心生長較慢，甚至不生長，結(jié)果結(jié)果形形成成骸骸晶晶。School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律介質(zhì)富含介質(zhì)富含Al2O3；Y3Al2AlO43）晶形）晶形介質(zhì)富含介質(zhì)富含Y2O3 組分的相對濃度School of Materials Science and Engineering第第2

27、 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 渦流渦流使生長晶體的物質(zhì)供應(yīng)不渦流使生長晶體的物質(zhì)供應(yīng)不均均勻。勻。School of Materials Science and Engineering渦流對晶體形態(tài)的影響渦流對晶體形態(tài)的影響第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律良善的訊息可以產(chǎn)生美麗的良善的訊息可以產(chǎn)生美麗的水水結(jié)晶結(jié)晶照片日照片日本本IHM研究所江研究所江本本勝勝博博士士愛和感謝愛和感謝真噁心討厭，真噁心討厭，我要殺了你我要殺了你School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律

28、律聽田園交響曲聽田園交響曲聽離別曲聽離別曲聽重金屬音樂聽重金屬音樂School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律2.5晶體的人工生長技術(shù)晶體的人工生長技術(shù)School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 焰熔法 特點：特點：裝裝置簡單置簡單，成本成本低低 產(chǎn)量大。產(chǎn)量大。原理：原理：原原料在火料在火焰焰中熔中熔融融在籽晶上結(jié)晶。在籽晶上結(jié)晶。 設(shè)備與生產(chǎn)過程設(shè)備與生產(chǎn)過程(以剛玉為以剛玉為 例例)燃燒溫度：燃燒溫度：2

29、200(剛玉剛玉 的熔點為的熔點為2050)。晶體生長速率晶體生長速率： lcm/h。，School of Materials Science and Engineering第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律焰熔法合成晶體生產(chǎn)過程中School of Materials Science and Engineering生長結(jié)束 焰熔法第第2 2章章晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律生產(chǎn)過程結(jié)束 焰熔法School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 提拉法(Czochralski Process )School of Mate

30、rials Science and Engineering晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律又稱丘克拉斯又稱丘克拉斯基基法。主法。主要要用來生用來生長長高質(zhì)量高質(zhì)量的的晶體晶體。半導(dǎo)體單晶：半導(dǎo)體單晶：單單晶晶Si、單晶、單晶Ge； 固體激光器的核心材料固體激光器的核心材料：紅寶石紅寶石(Al2O3)、摻、摻釹釹釔釔 鋁榴石鋁榴石(Nd:Y3Al5O12) 重要的壓電材料重要的壓電材料：鈦酸鋇鈦酸鋇(BaTiO3)、鉭、鉭酸酸鋰鋰(LiTaO3)； 熱釋電材料：熱釋電材料：鈮酸鈮酸鋰鋰(LiNbO3)，用，用于于紅外紅外探探測測和和紅外攝像等技術(shù)。紅外攝像等技術(shù)。 原理：原理：原料在坩堝中加

31、熱熔化，并在與熔體表面接觸的籽原料在坩堝中加熱熔化，并在與熔體表面接觸的籽 晶上結(jié)晶晶上結(jié)晶。 設(shè)備設(shè)備隔熱材料隔熱材料生長晶體生長晶體 窗口窗口銥坩堝銥坩堝 耐耐火材料火材料 射射頻線圈頻線圈提拉法裝置結(jié)構(gòu)示意圖提拉法裝置結(jié)構(gòu)示意圖第第2 2章章 提拉法(Czochralski Process )School of Materials Science and Engineering晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律第第2 2章章 提拉法(Czochralski Process )School of Materials Science and Engine

32、ering提拉法生長晶體過程提拉法生長晶體過程第第2 2章章 提拉法(Czochralski Process )School of Materials Science and Engineering晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律提拉法生產(chǎn)晶體設(shè)備提拉法生產(chǎn)晶體設(shè)備第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 殼熔法-冷坩堝法 專門用于生產(chǎn)立方氧化專門用于生產(chǎn)立方氧化鋯鋯- - -光學(xué)光學(xué)和和激激光光基質(zhì)基質(zhì)材材料料。 原理：氧化鋯的熔化溫度氧化鋯的熔化溫度為為2750oC。沒有容。沒有容器器能能 夠承受如此高的溫度。因此，夠承受如此高的溫度。因此，這這種方種方法法沒沒有有專門專門

33、的的坩坩 堝，而是巧妙地利用原料作為堝，而是巧妙地利用原料作為坩坩堝。堝。School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 設(shè)備設(shè)備 殼熔法-冷坩堝法School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 殼熔法-冷坩堝法School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律 殼熔法-冷坩堝法School of Materials Science and Engineering第第2 2章章 晶體生晶體生長長的的基本基本規(guī)規(guī)律律Cubic Zirconia Rough Crystals(Skull Melting Process) Corundum R