數(shù)字電路期末模擬試題及答案

1、數(shù)字電子電路 模擬試題-2題 號(hào) 一 二 三四總 分 得 分 得 分評(píng) 卷 人 一、填空題（共30分）1. 三極管有NPN和PNP兩種類型，當(dāng)它工作在放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)，集電結(jié)；NPN型三極管的基區(qū)是型半導(dǎo)體，集電區(qū)和發(fā)射區(qū)是型半導(dǎo)體。2. 把高電壓作為邏輯1，低電平作為邏輯0的賦值方法稱作邏輯賦值。一種電路若在正邏輯賦值時(shí)為與非門(mén)，則在負(fù)邏輯賦值時(shí)為。3. 四位二進(jìn)制編碼器有個(gè)輸入端；個(gè)輸出端。4. 將十進(jìn)制數(shù)287轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)是；十六進(jìn)制數(shù)是。ABY1Y2Y35. 根據(jù)觸發(fā)器功能的不同，可將觸發(fā)器分成四種，分別是觸發(fā)器、觸發(fā)器、觸發(fā)器和觸發(fā)器。6. 下圖所示電路中，Y1 ；7. Y2 ；

2、Y3 。得 分評(píng) 卷 人二、選擇題(共 20分)1. 當(dāng)晶體三極管時(shí)處于飽和狀態(tài)。A. 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置B. 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置C. 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置2. 在下列三個(gè)邏輯函數(shù)表達(dá)式中，是最小項(xiàng)表達(dá)式。A B. C. 3用8421碼表示的十進(jìn)制數(shù)45，可以寫(xiě)成A45 B. 101101BCD C. 01000101BCD D. 1011012 4采用OC門(mén)主要解決了ATTL與非門(mén)不能相與的問(wèn)題 B. TTL與非門(mén)不能線與的問(wèn)題C. TTL與非門(mén)不能相或的問(wèn)題 5已知某觸發(fā)的特性表如下（A、B為觸發(fā)器的輸入）其輸出信號(hào)的邏輯表達(dá)式為A Qn+1 A B. C.

3、ABQn+1說(shuō)明00Qn保持010置0101置111Qn翻轉(zhuǎn)得 分評(píng) 卷 人三、化簡(jiǎn)下列邏輯函數(shù)，寫(xiě)出最簡(jiǎn)與或表達(dá)式：（共20分）12 Y2m（0，1，8，9，10，11）3 Y3見(jiàn)如下卡諾圖CDAB 000111100001010111110101100101得 分評(píng) 卷 人四、分析設(shè)計(jì)題 (共 30分) 1四選一數(shù)據(jù)選擇器的功能見(jiàn)下表，要實(shí)現(xiàn)Y（A，B，C）m（1，4，6，7）功能，芯片應(yīng)如何連接，畫(huà)出電路連接圖（需寫(xiě)出必要的解題步驟）（20分）EABCY AB W A EB D0 D1 D2 D3 W1高阻000D0001D1010D2011D3Q1 Q1A CPQ2ACPD Q Q觸發(fā)

4、器電路如下圖所示，試根據(jù)CP及輸入波形畫(huà)出輸出端Q1 、Q2 的波形。設(shè)各觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為“0”（10分）。CPAQ1Q2 數(shù)字電子電路 模擬試題-2 評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、填空題（共30分。每空2分，第5小題每空1分）1. 正偏； 反偏； P； N。2. 正邏輯； 負(fù)或非門(mén)。3. 16； 4。4. (100011111)2 ； (11F)16 。5. RS；JK；D；T。6. Y1A B； Y2A B+A B ； Y3AB二、選擇題(共 20分。每題4分)(1)C （2） A (3) C (4) B (5) C三、化簡(jiǎn)下列邏輯函數(shù)，寫(xiě)出最簡(jiǎn)與或表達(dá)式（共20分。第1題6分；第2、3題，每題7分）(1) Y1A+B(2) 或 (3) 四、分析設(shè)計(jì)題 (共 30分。第1題20分；第2題10分) 1、 2分化簡(jiǎn)得：Y（A,B,C）A B CA CA B= A B CA B CA B CA B A B CA B CA B 4分Y AB W A EB D0 D1 D2 D3 “1”C而由功能表可得 Y