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文檔簡介
1、廈新GSM 手機A8是基于美國TI 公司芯片組設(shè)計而成的在目前的各種手機方案中TI 在數(shù)據(jù)處理DSP 方面具有一定的優(yōu)勢該方案與我們目前采用的其他方案如朗訊的方案相比還具有更高的集成度因為其將電源管理功能整合到芯片組中而且存儲器選用將FLASH RAM和SRAM 集成封裝到一個IC 中的MCP 的形式基帶芯片組均采用小體積的BGA 封裝其他的貼片阻容電感等器件均盡量采用0402封裝的小體積器件這樣可以使手機做得更小巧現(xiàn)在我們來介紹一下該方案的主要芯片的大體功能首先說一下它的基帶芯片組基帶芯片組由U500 ULYSSE 和U501 OMEGA 加上MCP 構(gòu)成的ULYSSE 內(nèi)部包含一個M16L
2、80 DSP用于數(shù)據(jù)處理一個ARM7TDMIE 32/16位精簡指令RSIC 處理器微控制器包含有16優(yōu)先級級的中斷控制器可以按照接受來自內(nèi)部和外部的各類中斷一個內(nèi)置的2M bit的RAM 一個時鐘方波發(fā)生器輸入13MHz 信號后可以使處理器工作速度在39104MHz 觸發(fā)電平為低電平或下降沿觸發(fā)SIM 卡接口和其他齊全的各類I/O接口該芯片可以很好地支持ETSI 的GSM layer1,2,3協(xié)議底層應(yīng)用層網(wǎng)絡(luò)層OMEGA 是一個包含完整基帶處理功能的芯片可以進行單通道和多通道GMSK 正交信號I,Q 信號的調(diào)制和解調(diào)語音信號處理則包含通話音量控制側(cè)音信號的產(chǎn)生等射頻控制電源管理SIM 卡電
3、平轉(zhuǎn)換電路充電控制等等它與ULYSSE 配合構(gòu)成GSM 的核心存儲器芯片由32M 的FLASH 和4M 的SRAM 組成而成本方案采用富士通或東芝相同類型的MCP 該MCP 是將4M 的SRAM 晶片直接疊放在32M FLASH上面再做封裝這樣不僅可以將兩芯片的連接線直接在芯片內(nèi)部連接從而省去在PCB 上的部分連接線而且做成一個封裝還可以節(jié)省空間該技術(shù)要求較高的封裝技術(shù)對整機的可靠性沒有影響而且便于手機的小型化設(shè)計射頻控制芯片采用TI 的低功耗TRF6053射頻芯片發(fā)送通路包含發(fā)送混頻器以及正交調(diào)制器低通濾波器電路可編程控制的供電電路等接收電路包含低噪聲放大器LNA 混頻器相位檢測電路I/Q正
4、交信號解調(diào)器帶AGC 的數(shù)控中頻放大器緩沖放大器完整的低通濾波器以及補償電路等等配合雙頻鎖相環(huán)控制集成電路SI4133VCO PA13MHz TCXO濾波器以及其他的相關(guān)電路構(gòu)成系統(tǒng)電路的射頻部分1RF PAM電路圖中的U102即是A8發(fā)射通路的PA(功率放大器 它的pin1和pin8分別是來自VCO 的GSM/DCS信號的輸入腳Pin4和pin7則分別為GSM/DCS信號經(jīng)過放大后的輸出腳Pin7是來自TRF6053的開關(guān)控制信號Pin2是控制PA 發(fā)射功率級的PIN 腳U101和U103是功率檢測器件他們通過耦合將感應(yīng)到的載波功率信號值送到U106的pin12和pin13經(jīng)過內(nèi)部電路處理后
5、產(chǎn)生一個直流的檢測電平與pin5來自基帶芯片的功率級控制電平進行比較比較的結(jié)果產(chǎn)生一個控制信號經(jīng)過pin1輸出直接控制U102的pin2我們手機在待機或通話時GSM 有從5級到19級15級的功率控制當手機離基站遠了基站收到的電磁波信號變?nèi)鹾蠡究刂齐娐窌诮o手機的數(shù)據(jù)包內(nèi)增加要求手機提高發(fā)射功率的請求手機接收到請求后MCU 控制電路可以通過PA_LEVEL控制信號控制U106的pin5使U102輸出相應(yīng)的功率U107純粹是一個非門電路起到變換電平的作用使基帶的控制信號與U106所需的邏輯電平相符BSW 信號是RF 主芯片對PA 電路工作時的開關(guān)控制信號這個信號與PA_ON不同它主要控制手機發(fā)射
6、的Burst 脈沖信號的時序而PA_ON則是RF 收發(fā)電路工作與否的控制電路U104是一個收發(fā)控制開關(guān)電路作用相當于一個雙工器主要控制手機的GSM 發(fā)射DCS 發(fā)射和接收狀態(tài)VC1和VC2是控制電壓在電路圖右邊有一個控制邏輯關(guān)系的列表Pin2和pin6分別是GSM 和DCS 的接收信號輸出Pin8和pin10分別是PA 輸出的GSM 和DCS 發(fā)射信號Pin4是接到手機的天線端U100是一個射頻接口主要用于生產(chǎn)測試其后是手機的天線匹配電路U105和U108是兩個電子門電路R112和R113是必須的它可以保證在電子開關(guān)關(guān)閉時VC1和VC2是低電平電子開關(guān)是由PA_ON和BSW 兩個信號控制Q10
7、1的作用也是相當于一個非門起到控制電平反向的作用U500中央處理器CPUU401程序存儲器SRAM/4M+FLASH/32MU501電源IC 整機供電IQ 信號的調(diào)制和解調(diào)接收和發(fā)送的音頻信號處理射頻控制SIM 卡通信充電控制U405音頻處理器YAMAHA 音效技術(shù)產(chǎn)生16和弦聲音效果 U20013M 時鐘晶振X50132K 時間晶振 U201接收VCO U203中頻處理器RF 放大U205發(fā)射VCO U102功放 U101U103功率檢測進出信號藕合U104雙工器天線開關(guān) U106功率控制 U105U108電子門電路U611耳機檢測 U615背景燈控制*789#一些基本功能及手機快捷方式操作
8、集錦 以下操作都是在待機狀態(tài)下另以下左軟鍵指的是鍵盤區(qū)左上角的那個鍵*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵13查看電池電量:主屏上行為電池門限下行為電池電量電池門限為620電池門限過低會出現(xiàn)待機時間短電池門限過高會出現(xiàn)主屏電量顯示滿格自動關(guān)機后不開機的故障而A8手機電池電壓過低會造成手機和座充都無法給電池充電只能用我們使用的維修電源把電池激活后才能充進電*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵26會查看電池剩余量CHARGE off slim L3:表示是沒有充電 薄電, 電量顯示是滿格3格; 如果是厚電, 則slim 換成standard 的縮寫, 電量是兩格的話, 顯示L2,
9、 依次類推; 如果充電, 則charge off 會變成CC mode(表示是恒流充電(初期, 或CV mode 表示是恒壓充電階段(后期;VB *25f 這里是變化的, 在CV mode階段,VB 會固定在270這個數(shù)字(16進制 或顯示624(10進制, 具體含義是表示電池電壓, 需要進行換算, 計算公式是:VB(換成10進制后/148.5,比如顯示270(16進制 換成十進制就是624, 那么電池電壓就是624/148.5=4.20V顯示226(16進制 換成十進制就是550那么電池電壓就是 226/148.5=3.70V平時在沒有充電時, 也可以根據(jù)VB 值換算成電池電壓*789長按#
10、會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵14是進入主屏的對比度調(diào)節(jié)模式按數(shù)字鍵15是進入小屏的對比度調(diào)節(jié)模式主屏的對比度最佳為20小屏的對比度最佳為40*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵16是開關(guān)主版鍵盤燈功能進入213也是開關(guān)主版鍵盤燈功能*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵211是七色燈調(diào)節(jié)212是開關(guān)七色燈功能 *789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵3是查看版本號*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵41會出現(xiàn)信道場強 *789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵44是手機重新開機*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵5是查看手機序列號手機串號=*#06#*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵241是聽筒音量調(diào)節(jié)*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵25是開關(guān)振動功能 *789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵27是開關(guān)送話器*789長按#會出現(xiàn)廈新手機的工程模式按數(shù)字鍵221是LCD 主屏顯示測試222是LCD 小屏顯示測試1快速關(guān)閉背光燈在白天使用可延長待機時間左軟鍵-3-5-方向鍵左鍵兩下-確定2鈴聲和震動測試也就是A8的跳舞指令*8888#長按#要停止測試按機身左側(cè)的任
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