MOSFET參數(shù)及其測(cè)試方法

1、精選文檔參數(shù)類別（物理特征）：1、漏源電壓系列1.1、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)1.3、VSD：二極管正向（源漏）電壓1.4、dV/dt：二極管恢復(fù)電壓上升速率2、柵源電壓系列2.1、VGS(TH)：開啟電壓2.2、dVGS(TH)/dTJ：開啟電壓的溫度系數(shù)2.3、V(BR)GSS：漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓2.4、VGSR：反向柵源電壓3、其它電壓系列3.1、Vn：噪聲電壓3.2、VGD：柵漏電壓3.3、Vsu：源襯底電壓3.4、Vdu：漏襯底電壓3.5、Vgu：柵襯底電壓二、電流類參數(shù)1、漏源電流系列1.1、ID：最大DS電流1.

2、2、IDM：最大單脈沖DS電流1.3、IAR：最大雪崩電流1.4、IS：最大連續(xù)續(xù)流電流1.5、ISM：最大單脈沖續(xù)流電流1.6、IDSS：漏源漏電流2、柵極電流系列2.1、IGSS：柵極驅(qū)動(dòng)（漏）電流2.2、IGM：柵極脈沖電流2.3、IGP：柵極峰值電流三、電荷類參數(shù)1、Qg：柵極總充電電量2、Qgs：柵源充電電量3、Qgd：柵漏充電電量4、Qrr：反向恢復(fù)充電電量5、Ciss：輸入電容=Cgs+Cgd6、Coss：輸出電容=Cds+Cgd7、Crss：反向傳輸電容=Cgd四、時(shí)間類參數(shù)1、tr：漏源電流上升時(shí)間2、tf：漏源電流下降時(shí)間3、td-on：漏源導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間4、td-off：漏

3、源關(guān)斷延時(shí)時(shí)間5、trr：反向恢復(fù)時(shí)間五、能量類參數(shù)1、PD：最大耗散功率2、dPD/dTJ：最大耗散功率溫度系數(shù)3、EAR：重復(fù)雪崩能量4、EAS：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量六、溫度類參數(shù)1、RJC：結(jié)到封裝的熱阻2、RCS：封裝到散熱片的熱阻3、RJA：結(jié)到環(huán)境的熱阻4、dV(BR)DSS/dTJ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)5、dVGS(TH)/dTJ：開啟電壓的溫度系數(shù)七、等效參數(shù)1、RDSON：導(dǎo)通電阻2、Gfs：跨導(dǎo)=dID/dVGS3、LD：漏極引線電感4、LS：源極引線電感參數(shù)詳解1.1、V（BR）DSS：漏源擊穿電壓（也稱BVDSS、VDSS）定義：在特定的溫度和柵源短接狀況下，流過漏極電流達(dá)

4、到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種狀況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。屬性：V(BR)DSS是正溫度系數(shù)，溫度高時(shí)，漏源擊穿電壓比溫度低時(shí)要大。通常以25時(shí)的漏源擊穿電壓為標(biāo)稱電壓。實(shí)際擊穿電壓通常略大于標(biāo)稱電壓。測(cè)試線路：圖1測(cè)試方法：1、按規(guī)范選取VCC2值、設(shè)定柵極連接方式、連接測(cè)量?jī)x表、調(diào)整ID。2、室溫下夾取被測(cè)管放入測(cè)試座，監(jiān)控ID，讀取VDSS。3、連續(xù)調(diào)整ID，并同步記錄VDSS，即可測(cè)得VDSS_ID特性曲線。1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)1.3、VSD：二極管正向（源漏）電壓1.4、dV/dt：二極管恢復(fù)電壓上升速率2.1、VGS（TH）：開啟電壓（又稱

5、VTH）定義：所加的柵源電壓能使流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的電壓值。屬性：VGS（TH）是負(fù)溫度系數(shù)，這就意味著當(dāng)溫度上升時(shí)，功率管會(huì)在更低的柵源電壓下開啟。測(cè)試線路路與測(cè)試方法參考VDSS測(cè)試。2.2、dVGS(TH)/dTJ：開啟電壓的溫度系數(shù)2.3、V(BR)GSS：漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓2.4、VGSR：反向柵源電壓3.1、Vn：噪聲電壓3.2、VGD：柵漏電壓3.3、Vsu：源襯底電壓3.4、Vdu：漏襯底電壓3.5、Vgu：柵襯底電壓4.1、ID：最大DS電流4.2、IDM：最大單脈沖DS電流4.3、IAR：最大雪崩電流4.4、IS：最大連續(xù)續(xù)流電流4.5、ISM：最大單脈沖續(xù)流

6、電流4.6、IDSS：漏源漏電流5.1、IGSS：柵極驅(qū)動(dòng)（漏）電流5.2、IGM：柵極脈沖電流5.3、IGP：柵極峰值電流5.4、IGDO：源極開路時(shí)的截止柵電流5.5、IGSO：漏極開路時(shí)的截止柵電流6.1、Qg：柵極總充電電量6.2、Qgs：柵源充電電量6.3、Qgd：柵漏充電電量6.4、Qrr：反向恢復(fù)充電電量6.5、Ciss：輸入電容=Cgs+Cgd6.6、Coss：輸出電容=Cds+Cgd6.7、Crss：反向傳輸電容=Cgd7.1、tr：漏源電流上升時(shí)間7.2、tf：漏源電流下降時(shí)間7.3、td-on：漏源導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間7.4、td-off：漏源關(guān)斷延時(shí)時(shí)間7.5、trr：反向恢復(fù)時(shí)間8.1、PD：最大耗散功率8.2、dPD/dTJ：最大耗散功率溫度系數(shù)8.3、EAR：重復(fù)雪崩能量8.4、EAS：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量9.1、RJC：結(jié)到封裝的熱阻9.2、RCS：封裝到散熱片的熱阻9.3、RJA：結(jié)到環(huán)境的熱阻9.4、dV(BR)DSS/dTJ：