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文檔簡介

1、文文 獻(xiàn)獻(xiàn) 匯匯 報(bào)報(bào) 螺位錯(cuò)輔助管狀和棒狀螺位錯(cuò)輔助管狀和棒狀HfB2晶體的晶體的自發(fā)生長自發(fā)生長 Screw Dislocation Assisted Spontaneous Growth of HfB2 Tubes and Rods2采用溶膠采用溶膠-凝膠凝膠/碳熱還原法合成碳熱還原法合成HfB2粉體;粉體;1 1合成條件(反應(yīng)時(shí)間、合成條件(反應(yīng)時(shí)間、Hf/C和和Hf/B )對(duì)合成)對(duì)合成的的HfB2粉體的純度和形貌的影響;粉體的純度和形貌的影響;1211 3管狀管狀HfB2晶粒的生長機(jī)理(螺位錯(cuò)的影響)。晶粒的生長機(jī)理(螺位錯(cuò)的影響)。31.1.研究背景研究背景應(yīng)用切削工具切削工具耐

2、磨構(gòu)件耐磨構(gòu)件熔煉坩堝熔煉坩堝輕質(zhì)裝甲輕質(zhì)裝甲可加工器件可加工器件密排六方結(jié)構(gòu)密排六方結(jié)構(gòu)兼具離子鍵和兼具離子鍵和共價(jià)鍵共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)性能高熔點(diǎn)高熔點(diǎn)高力學(xué)性能高力學(xué)性能高溫穩(wěn)定高溫穩(wěn)定高硬度高硬度電、熱良導(dǎo)體電、熱良導(dǎo)體41.1.研究背景研究背景化學(xué)法化學(xué)法 (Chemical routes); 反應(yīng)法反應(yīng)法 (Reactive process); 碳熱還原反應(yīng)法碳熱還原反應(yīng)法 (Carbothermal reduction reactions)p存在存在金屬催化劑,制備金屬催化劑,制備棒狀棒狀,V-L-S機(jī)理機(jī)理;p不存在不存在金屬催化劑,制備各向異性金屬催化劑,制備各向異性,機(jī)理不明機(jī)理不明

3、;5氣氛:氣氛:Ar+1%H2用途:去除用途:去除Cl-1和殘余氧和殘余氧6原料化學(xué)計(jì)量比:原料化學(xué)計(jì)量比:Hf:B:C=1:2:57觀點(diǎn)觀點(diǎn):中空管狀?:中空管狀? 證據(jù)不足證據(jù)不足8說明說明:碳不能還原氧化硼,可能在高溫下反應(yīng)生成碳化硼:碳不能還原氧化硼,可能在高溫下反應(yīng)生成碳化硼(B4C)。觀點(diǎn):觀點(diǎn):此層階狀形此層階狀形貌為晶體解理面,貌為晶體解理面,產(chǎn)生于相鄰顆粒間產(chǎn)生于相鄰顆粒間的傳質(zhì)。的傳質(zhì)。1300OC以上溫度以上溫度產(chǎn)生產(chǎn)生HfC和和B4C相。相。9 當(dāng)納米材料通過(相當(dāng)納米材料通過(相鄰顆粒)的特定晶面定鄰顆粒)的特定晶面定向結(jié)合的方式生長時(shí),向結(jié)合的方式生長時(shí),任何界面處

4、的任何界面處的“取向差取向差”均將導(dǎo)致位錯(cuò)產(chǎn)生。均將導(dǎo)致位錯(cuò)產(chǎn)生。 升高溫度和延長保溫時(shí)升高溫度和延長保溫時(shí)間均將促進(jìn)團(tuán)聚顆粒粗化。間均將促進(jìn)團(tuán)聚顆粒粗化?!癘riented attachment”“顆粒重排顆粒重排” 、 “晶體異常長大晶體異常長大” 在在B2O3熔體存在的條件熔體存在的條件下,此類缺陷(位錯(cuò))的下,此類缺陷(位錯(cuò))的 存在有助于晶體取向生長。存在有助于晶體取向生長。10 在低過飽和度的條件下,在低過飽和度的條件下,HfB2晶體的晶體的疊層生長方式被抑制疊層生長方式被抑制,原因,原因是是產(chǎn)生新的表面需要額外的表面能產(chǎn)生新的表面需要額外的表面能。故其生長過程僅產(chǎn)生于螺旋位。故其生長過程僅產(chǎn)生于螺旋位錯(cuò)區(qū)域,從而生成高度取向的一維晶體。錯(cuò)區(qū)域,從而生成高度取向的一維晶體。11 棒狀或管狀晶體棒狀或管狀晶體的高應(yīng)變能高于形的高應(yīng)變能高于形成表面的表面能。成表面的表面能。從而使晶體生長成從而使晶體生長成為中空狀結(jié)構(gòu)。為中空狀結(jié)構(gòu)。12 保溫時(shí)間的延長促進(jìn)棒狀保溫時(shí)間的延長促進(jìn)棒狀HfB2晶體的含量上升。晶體的含量上升。13 B2O3濃度的增大促進(jìn)棒狀濃度的增大促進(jìn)棒狀HfB2晶體的含量上升。晶體的含量上升。14 當(dāng)反應(yīng)物中不存在碳時(shí),即使

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