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1、AC-DC開關(guān)電源IGBT應(yīng)用原理與主電路圖 AC-DC開關(guān)電源IGBT應(yīng)用原理與主電路圖作者:微葉科技 時間:2015-07-14 16:48 隨著高速IGBT的推出,工作頻率可達50kHz以上,IGBT有用于SMPS(Switch Mode Power Supplies,市電輸入的開關(guān)電源)的趨勢。AC-DC開關(guān)電源的電路拓撲一般是指儲能元件(開關(guān)變壓器或者儲能電感)和功率開關(guān)元件(IGBT、VMOS 等)的配置方式。1.單端正激電路 單端正激式(Forward) SMPS拓撲的電路簡圖如圖1所示。其中,單端是指主開關(guān)為單管電路,正激指的是主開關(guān)變壓器初次級繞組的相位關(guān)系。圖1 正激式拓撲
2、電路系統(tǒng)簡圖 粗虛線框中的電路是功率開關(guān)電路,T是主開關(guān)變壓器;Q1是功率寸姜,D21是次級整流二極管;D22是續(xù)流二被管;L21是儲能電感,兼有扼流濾波作用;N1是主繞組(初級);N4是復(fù)位繞組;N2是次級繞組;帶箭頭的虛線表明了瞬時電流的方向和路徑。2 / 10 所謂正激,即主開關(guān)變壓器初、次級線圈的繞向是一樣的,電氣相位相同。這樣做的好處是,Q1開通時,N2從初級繞組獲得能量,向L21、C2l和負載RL提供能量;Q1關(guān)斷時,L21內(nèi)存儲的能量向負載RL釋放,D22為電感內(nèi)能量的釋放提供通路。同時,D2作為復(fù)位繞組N4的負載,在Q1關(guān)斷期間消耗變壓器磁心中存儲的能量,使磁心復(fù)位。復(fù)位電路也
3、可以像4. 25那樣實現(xiàn),在初級繞組上并聯(lián)DRC(二極管、電阻、電容,Dll 、R11、C11)。 由于負載在Q1開通和關(guān)斷期間都有能量(電流供應(yīng)),因此正激式拓撲的輸出紋波相對較小。 功率開關(guān)管Q1承受的最大直流電壓約為主電路電壓的1倍,電源輸入為220V市電規(guī)格的條件下,Q1的電壓規(guī)格至少為800V。如果采用了APFC 電路,則Q1的電壓規(guī)格至少為1000V。 · EMI和PFC 電路在SMPS中很常見。 EMI電路主要是為了減小開關(guān)電源對電網(wǎng)的污染,PFC(功率因數(shù)校正)電路主要是為了提高開關(guān)電源的功率因數(shù)。EMI電路中的電容X、Y均要采用安規(guī)電容,不能用普通的電容替代,即使電
4、壓規(guī)格足夠也不行。 PFC 電路有APFC(有源功率因數(shù)校正)和PPFC(無源功率因數(shù)校正)兩大類。按照新的EMI規(guī)范,輸出功率超過75W的電源均應(yīng)該配置 PFC 電路。APFC 電路通常稱為單管升壓式APFC 電路,對于220V市電輸入,Cl上的直流電壓即主電源直流電壓410V。2單端反激電路結(jié)構(gòu) 單端反激式(Flyback) SMPS 電路簡圖如圖2所示。粗虛線框中的電路是功率開關(guān)電路,T是主開關(guān)變壓器,Q1是功率開關(guān),D21是次級整流二極管;帶箭頭的虛線表明了瞬時電流的方向和路徑。 圖2 反激式拓撲電路系統(tǒng)簡圖 所謂反激,就是主開關(guān)變壓器切換初、次級線圈的繞向是相反的,電氣相位也相反:Q
5、1開通時,T的次級N2從T的初級N1獲得能量;Q1關(guān)斷時,N2向負載RL釋放能量,并對電容C21充電。 同時,D11、C11、R11構(gòu)成磁心復(fù)位電路,在Q1關(guān)斷期間消耗變壓器磁心中存儲的能量,使磁心復(fù)位。另外,這個復(fù)位電路還有電壓鉗位作用,將N1兩端的電壓鉗制在安全范圍內(nèi)。反激式拓撲的優(yōu)點是,在功率開關(guān)Q1關(guān)斷期間,T初級線圈的反向電壓不會和C1上的電壓相加。因此,在電源輸入為220V市電的條件下,Q1的電壓規(guī)格為600V以上即可;如果采用單管升壓式APFC電路,則Q1的電壓規(guī)格至少為700V。正激式與反激式的主要區(qū)別參見表1。表1 正激式與反激式拓撲的對比(以VMOS為主開關(guān)管)項目正激式反激式主開關(guān)管的電壓規(guī)格(220V市電供電)800V600V儲能電感L21的功能儲能兼濾波濾波(非必須)續(xù)流二極管D22必需不要用主開關(guān)變壓器T的磁心是否有氣隙無有 主開關(guān)變壓器的作用與市電隔離有有變壓有有儲能電感無有主開關(guān)變壓器線圈中的電流小大主開關(guān)變壓器線圈中的損耗(銅損)小大
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