電氣工程概論輔導(dǎo)資料九

1、電氣工程概論輔導(dǎo)資料九主 題： 第二章 電力電子技術(shù)(第1節(jié))學(xué)習(xí)時(shí)間： 2012年11月26日12月2日內(nèi) 容：我們這周主要學(xué)習(xí)電力電子技術(shù)第1節(jié)中的晶閘管的驅(qū)動、功率場效應(yīng)管、絕緣柵型雙極性晶體管、功率半導(dǎo)體器件的保護(hù)，通過學(xué)習(xí)我們要了解掌握晶閘管的驅(qū)動，掌握功率場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、主要參數(shù)、安全工作區(qū)，掌握絕緣柵型雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，掌握功率半導(dǎo)體器件的過壓、過流保護(hù)。第一節(jié) 功率半導(dǎo)體器件2.1.6 晶閘管的驅(qū)動1.晶閘管觸發(fā)電路的基本要求：1）觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有一定的功率和寬度。2）為使并聯(lián)晶閘管元件能同時(shí)導(dǎo)通,觸發(fā)電路應(yīng)能產(chǎn)生強(qiáng)觸發(fā)脈

2、沖。3）觸發(fā)脈沖的同步及移相范圍。4）隔離輸出方式及抗干擾能力。2常見的觸發(fā)電路圖3-12為常見的觸發(fā)電路。它由2個晶體管構(gòu)成放大環(huán)節(jié)、脈沖變壓器以及附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)組成。當(dāng)2個晶體管導(dǎo)通時(shí)，脈沖變壓器副邊向晶閘管的門極和陰極之間輸出脈沖。脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)了觸發(fā)電路和主電路之間的電氣隔離。脈沖變壓器原邊并接的電阻和二極管是為了脈沖變壓器釋放能量而設(shè)的。2.1.7 功率場效應(yīng)晶體管功率場效應(yīng)晶體管是一種單極型電壓控制半導(dǎo)體元件，其特點(diǎn)是控制極靜態(tài)內(nèi)阻極高、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬，開關(guān)頻率可高達(dá)500kHZ，特別適合高頻化的電力電子裝置。但由于電流容量小、耐壓低，一

3、般只適用小功率的電力電子裝置。1.結(jié)構(gòu)與工作原理（1）結(jié)構(gòu)功率場效應(yīng)晶體管按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道；根據(jù)柵源極電壓與導(dǎo)電溝道出現(xiàn)的關(guān)系可分為耗盡型和增強(qiáng)型。功率場效應(yīng)晶體管一般為N溝道增強(qiáng)型。從結(jié)構(gòu)上看，功率場效應(yīng)晶體管與小功率的MOS管有比較大的差別。圖3-13給出了具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的VD-MOSFET單元的結(jié)構(gòu)圖及電路符號。（2）工作原理如圖3-13 所示，功率場效應(yīng)晶體管的三個極分別為柵極G、漏極D和源極S。當(dāng)漏極接正電源，源極接負(fù)電源，柵源極間的電壓為零時(shí)，P基區(qū)與N區(qū)之間的PN 結(jié)反偏，漏源極之間無電流通過。如在柵源極間加一正電壓，則柵極上的正電壓將其下面的P基區(qū)中

4、的空穴推開，電子被吸引到柵極下的P基區(qū)的表面，當(dāng)大于開啟電壓UT 時(shí)，柵極下P基區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，從而使P型半導(dǎo)體反型成N型半導(dǎo)體，成為反型層。由反型層構(gòu)成的N溝道使PN結(jié)消失，漏極和源極間開始導(dǎo)電。越大，功率場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電能力越強(qiáng)，也就越大。2.工作特性（1）靜態(tài)特性1）漏極伏安特性。漏極伏安特性也稱輸出特性，如圖3-14(a)所示，可以分為三個區(qū)，分別是可調(diào)電阻區(qū)I（隨著的增大，呈線性增長），飽和區(qū)II（隨著的增大，基本不變，但大則大），擊穿區(qū)III（隨著的增大，迅速增大，元件擊穿）。2）轉(zhuǎn)移特性。漏極電流與柵源電壓反映了輸入電壓和輸出電流的關(guān)系，稱為轉(zhuǎn)移特性，如圖3-14

5、(b)所示。只有>，才會有。當(dāng)較大時(shí)，特性呈線性。（2）開關(guān)特性圖3-15為元件極間電容的等效電路。器件輸入電容在開關(guān)過程中需要進(jìn)行充、放電，影響了開關(guān)速度。同時(shí)也可看出，靜態(tài)時(shí)雖柵極電流很小，驅(qū)動功率小，但動態(tài)時(shí)由于電容充放電電流有一定強(qiáng)度，故動態(tài)驅(qū)動仍需一定的柵極功率。開關(guān)頻率越高，柵極驅(qū)動功率也越大。功率場效應(yīng)晶體管的開關(guān)過程如圖3-16所示，其中UP 為驅(qū)動電源信號，為柵極電壓，iD 為漏極電流。3.主要參數(shù)與安全工作區(qū)（1）主要參數(shù)1）漏源電壓：是指功率場效應(yīng)晶體管的額定電壓。2）電流定額，：其中是指漏極直流電流，是指漏極脈沖電流幅值。3）柵源電壓：指柵源之間的電壓不能大于，否

6、則元件將被擊穿。（2）安全工作區(qū)功率場效應(yīng)晶體管的正向偏置安全工作區(qū)由四條邊界包圍而成，如圖3-17所示。其中I為漏源通態(tài)電阻限制線；II為最大漏極電流IDM限制線；III為最大功耗限制線；IV為最大漏源電壓限制線。4.驅(qū)動電路圖3-18是一種功率場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路，是具有過載及短路保護(hù)功能的窄脈沖驅(qū)動電路，當(dāng)輸入信號ui由低變高時(shí)，VTI導(dǎo)通，脈沖變壓器的原邊繞組上的電壓為電源電壓UC1在R2、R3 上的分壓值，脈沖變壓器很快飽和后，耦合到副邊繞組的電壓是一個正向尖脈沖，該脈沖使VT2、VT3導(dǎo)通，而VT2、VT3組成了反饋互鎖電路，故VT2、VT3保持導(dǎo)通，VT4導(dǎo)通，從而使功率場效應(yīng)晶

7、體管導(dǎo)通。當(dāng)ui由高電平變低時(shí)，在副邊繞組感應(yīng)出一個負(fù)向尖脈沖，使VT2截止，VT3、VT4截止， VT5瞬間導(dǎo)通，從而關(guān)斷功率場效應(yīng)晶體管。2.1.8 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）絕緣柵雙極型晶體管屬于電壓控制元件，輸入阻抗大、開關(guān)速度高等，目前是電力電子裝置中的主導(dǎo)器件。1.結(jié)構(gòu)與工作原理（1）結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)如圖319(a)所示，相當(dāng)于一個用MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。（2）工作原理當(dāng)柵極加正向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)部形成溝道，PNP型晶體管提供基極電流，使IGBT由高阻狀態(tài)轉(zhuǎn)入低阻導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)柵極加反向電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)電溝道消失，PNP型晶體管的基極電流切斷，IGBT關(guān)斷

8、。2.工作特性（1）靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性主要有輸出特性及轉(zhuǎn)移特性，如圖3-20所示。輸出特性表達(dá)了集電極電流IC與集電極一發(fā)射極間電壓UCE之間的關(guān)系。IGBT的轉(zhuǎn)移特性表示了柵極電壓UG對集電極電流IC的控制關(guān)系。（2）動態(tài)特性IGBT的動態(tài)特性即開關(guān)特性，如圖321所示，其開通過程主要由其MOSFET結(jié)構(gòu)決定。3.擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)（1）擎住效應(yīng)如前所述，在IGBT管內(nèi)存在一個由兩個晶體管構(gòu)成的寄生晶閘管，同時(shí)P基區(qū)內(nèi)存在一個體區(qū)電阻Rbr，跨接在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間，P基區(qū)的橫向空穴電流會在其上產(chǎn)生壓降，在J3結(jié)上形成一個正向偏置電壓。若IGBT的集電極電流IC 大到一

9、定程度，這個Rbr上的電壓足以使N+PN晶體管開通，經(jīng)過連鎖反應(yīng)，可使寄生晶閘管導(dǎo)通，從而IGBT柵極對器件失去控制，這就是所謂的擎住效應(yīng)。（2）安全工作區(qū)IGBT開通與關(guān)斷時(shí)，均具有較寬的安全工作區(qū)。IGBT開通時(shí)對應(yīng)正向偏置安全工作區(qū)，如圖322(a)所示。IGBT關(guān)斷時(shí)所對應(yīng)的為反向偏置安全工作區(qū)，如圖322(b)所示。4.驅(qū)動電路圖323為一電流源柵極驅(qū)動電路，由VT2產(chǎn)生穩(wěn)定的集電極電流IC2，通過調(diào)節(jié)電位器RC可以穩(wěn)定IC2數(shù)值。IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路的原理圖如圖圖324所示。該電路以富士公司開發(fā)的專用集成芯片EXB841為核心組成，工作時(shí)須使用20V 獨(dú)立的直流電源。IGBT驅(qū)動

10、與保護(hù)電路由15V控制電源供電。圖3-24中的RS、VDS、CS構(gòu)成了吸收緩沖電路。5.功率模塊與功率集成電路功率模塊最常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有串聯(lián)、并聯(lián)、單相橋、三相橋以及它們的子電路，而同類開關(guān)器件的串、并聯(lián)目的是要提高整體額定電壓、額定電流。如將功率半導(dǎo)體器件與電力電子裝置控制系統(tǒng)中的檢測環(huán)節(jié)、驅(qū)動電路、故障保護(hù)、緩沖環(huán)節(jié)、自診斷等電路制作在同一芯片上,則構(gòu)成功率集成電路。三菱電機(jī)公司在1991年推出智能功率模塊（IPM）是較為先進(jìn)的混合集成功率器件，由高速、低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的門極驅(qū)動及保護(hù)電路構(gòu)成，其基本結(jié)構(gòu)如圖325所示。IPM的特點(diǎn)為：采用低飽和壓降、高開關(guān)速度、內(nèi)設(shè)低損耗電流傳

11、感器的IGBT功率器件。采用單電源、邏輯電平輸入、優(yōu)化的柵極驅(qū)動。2.1.9 功率半導(dǎo)體器件的保護(hù)1.過電壓保護(hù)過電壓根據(jù)產(chǎn)生的原因可分為兩大類：1）操作過電壓：由變流裝置拉、合閘和器件關(guān)斷等經(jīng)常性操作中電磁過程引起的過電壓。2）浪涌過電壓：由雷擊等偶然原因引起，從電網(wǎng)進(jìn)入變流裝置的過電壓，其幅度可能比操作過電壓還高。對過電壓進(jìn)行保護(hù)的原則是：使操作過電壓限制在晶閘管額定電壓UR 以下，使浪涌過電壓限制在晶閘管的斷態(tài)和反向不重復(fù)峰值電壓UDSM和URSM以下。一個晶閘管變流裝置或系統(tǒng)應(yīng)采取過電壓保護(hù)措施的部位如圖3-26所示。2.過電流保護(hù)由于晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的電流過載能力比一般電氣設(shè)備

12、差得多，因此必須對變流裝置進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^電流保護(hù)。晶閘管變流裝置可能采用的幾種過電流保護(hù)措施如圖3-27所示。3.電壓及電流上升率的限制1）電壓上升率du/dt的限制。2）電流上升率di/dt的限制。4.緩沖電路在自關(guān)斷器件的開關(guān)過程中，器件的工作點(diǎn)要通過線性放大區(qū)，集射極電壓UCE和集電極電流IC 將會同時(shí)增大，造成瞬時(shí)功耗過大，會使自關(guān)斷器件脫離安全工作區(qū)而發(fā)生二次擊穿而損壞，此時(shí)需采用緩沖（吸收）電路進(jìn)行保護(hù)。圖3-28是復(fù)合緩沖（吸收）電路，是將開通與關(guān)斷吸收電路組合在一起構(gòu)成復(fù)合吸收電路。本周要求掌握的內(nèi)容如下：通過學(xué)習(xí)本周我們要了解掌握晶閘管的驅(qū)動，掌握功率場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、主要參數(shù)、安全工作區(qū)，掌握絕緣柵型雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，掌握功率半導(dǎo)體器件的過壓、過流保護(hù)。習(xí)題（一）選擇題1.下列選項(xiàng)對功率場效應(yīng)管特點(diǎn)說法正確的是（）。A單極型電流控制半導(dǎo)體元件B驅(qū)動功率小C開關(guān)速度快D安全工作區(qū)寬答案：BCD 2IGBT輸出特性表達(dá)了集電極電流與集電極-發(fā)射極間電壓之間的關(guān)系，可分為（）。A可變電阻區(qū)B飽和區(qū)C放大區(qū)D擊穿