開(kāi)關(guān)電源EMI整改不同頻段干擾原因及抑制辦法

1、    開(kāi)關(guān)電源EMI整改不同頻段干擾原因及抑制辦法摘要：本文從不同的角度講述了開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：摘要：本文從不同的角度講述了開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法： 1MHZ以內(nèi)-以差模干擾為主 1.增大X電容量; 2.添加差模電感; 3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。 1MHZ-5MHZ-差模共?；旌?#160;采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決， 1.對(duì)于差模干

2、擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量; 2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制; 3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。 5M-以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。 對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用; 可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán). 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。 對(duì)于20-30MHZ， 1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2

3、電容位置; 2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值; 3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。 4.改變PCBLAYOUT; 5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感; 6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù); 7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE; 8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。 9.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻. 30-50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起 1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻; 2.RCD緩沖電路采用1N4

4、007慢管; 3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決; 4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感; 5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路; 6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE; 7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容; 8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小; 9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。 50-100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起 1.可以在整流管上串磁珠; 2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù); 3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEADCORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮? 4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。 5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射. 200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn) 補(bǔ)充說(shuō)明: 開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述. 開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對(duì)EMI.,請(qǐng)密切注意此點(diǎn).