N溝道耗盡型MOS管_第1頁
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1、N溝道耗盡型MOS管從結構上看，N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似, 其區(qū)別僅在于柵一源極間電壓vGS二0時，耗盡型MOS管中的漏一源極 間已有導電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGSVT時才出現(xiàn)導電溝 道。原因是制造N溝道耗盡型MOS管時，在Si02絕緣層中摻入了大 量的堿金屬正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離 子），如圖13）所示，因此即使vGS二0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場 作用下，漏一源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道（稱為初始 溝道），只要加上正向電壓vDS,就有電流iDo如果加上正的vGS, 柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝

2、道加寬，溝 道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少， 溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數(shù)值時, 導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時 的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相 同，N溝道耗盡型M0S管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能 在vGS&lt；0的情況下工作。而后者在vGS=0 , vGS&gt；0 , VP&lt；vGS&lt；O的情況下均能實現(xiàn)對iD的控制，而且仍能保持柵- 源極間有很大的絕緣電阻，使柵極電流為零。這是耗盡型M0S管的一個重要特點。嚴摻雜后具有正 r離子的絕緣層襯底引線(a)襯底d襯底g(C)圖1 (b). (c)分別是N溝道和P溝道耗盡型MOS管的代表符號。在

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