GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序參考模板

1、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序點擊次數：181 發(fā)布時間：2011-3-1 14:24:07GJB 548B-2005 代替 GJB 548A-1996中華人民共和國國家軍用標準微電子器件試驗方法和程序Test methods and procedures for microelectronic device方法 1009.2 鹽霧(鹽汽)1 目的本試驗是為了模擬海邊空氣對器件影響的一個加速的腐蝕試驗1.1 術語和定義1.1.1 腐蝕 corrosion指涂層和(或)底金屬由于化學或電化學的作用而逐漸地損壞1.1.2 腐蝕部位 corrosion site指涂層和(或)底

2、金屬被腐蝕的部位，即腐蝕位置1.1.3 腐蝕生成物(淀積物) corrosion product(dcposit)指腐蝕作用的結果(即銹或氧化鐵、氧化鎳、氧化錫等)。腐蝕生成物可能在原來腐蝕部位，或者由于鹽液的流動或蔓延而覆蓋非腐蝕區(qū)域。1.1.4 腐蝕色斑 corrosion stain腐蝕色斑是由腐蝕產生的半透明沉淀物。1.1.5 氣泡 blister指涂層和底金屬之間的局部突起和分離1.1.6 針孔 pinhole指涂層中產生的小孔，它是完全貫穿涂層的一種缺陷。1.1.7 凹坑 pitting指涂層和(或)底金屬的局部腐蝕，在某一點或小區(qū)域形成空洞1.1.8 起皮 flaking指局部涂

3、層分離，而使底金屬顯露1 / 92 設備鹽霧試驗所用設備應包括：a) 帶有支撐器件夾具的試驗箱。該箱及其附件應彩不會與鹽霧發(fā)生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在試驗箱內，與試驗樣品接觸的所有零件，應當用不產生電解腐蝕的材料制造。該箱應適當通風，以防止產生“高壓”，并保持鹽霧的均勻分布；b) 能適當地防止周圍環(huán)境條件對鹽溶液容器的影響。如需要，為了進行長時間試驗，可采用符合試驗條件C和D(見3.2)要求的備用鹽溶液容器；c) 使鹽液霧化的手段，包括合適的噴嘴和壓縮空氣或者由20%氧、80%氮組成的混合氣體(應防止諸如油和灰塵等雜質隨氣體進入霧化器中);d) 試驗箱應能加熱和控制e) 在高于試驗箱

4、溫度的某溫度下，使空氣潮濕的手段；f) 空氣或惰性氣體于燥器；g) 1倍3倍、10倍20倍和30倍60倍的放大鏡。3 程序3.1 試驗箱的維護和初始處理試驗箱的清洗是為了保證把會對試驗結果產生不良影響的所有物質清除出試驗箱。使試驗箱工作在(353)，用去離子水或蒸餾水進行必要的清洗。每當容器里的鹽溶液用完時，就應當清洗試驗箱。某些試驗可能在清洗之前進行，這取決于盛鹽溶液的容器的大小和所規(guī)定的試驗條件(見3.2)。當需要做長時間試驗(見3.2的試驗條件C和D)時，盛鹽溶液的容器可采用備用的容器來補充，以便試驗不中斷。清洗后，試驗箱開始工作時，鹽溶液應補滿該容器，并且應對試驗箱進行適當地控制，使其

5、溫度穩(wěn)定(見3.1.4)。如果試驗箱中斷工作超過一個星期，即使還留有鹽溶液，也應廢棄。而且試驗箱在重新開始工作之前應當進行清洗。如果鹽溶液的pH值和濃度保持在3.1.1中規(guī)定的范圍之內，允許試驗箱不連續(xù)工作。3.1.1 鹽溶液為了達到3.1.4所要求的淀積速率，鹽溶液的濃度應為0.5%3.0%(重量百分比)的去離子水或蒸餾水溶液。所用的鹽應為氯化鈉，其碘化鈉的質量百分比不得多于0.1%，且總雜質的質量百分比不得多于0.3%。在(353)下測量時，鹽溶液的pH值應在6.57.2 之間。只能用化學純的鹽酸或氫氧化鈉(稀溶液)來調整pH值。3.1.2 引線的預處理除另有規(guī)定外，試驗樣品不應進行預處理

6、。當有要求時(見4c)，樣品進行試驗之前，器件引線應按方法2004試驗條件B1的要求，承受彎曲應力的初始處理。如果進行試驗的樣品已經作為其他試驗的一部分進行過所要求的初始處理，那么，其引線無需重新彎曲。3.1.3 試驗樣品的安置樣品應按下述方位安置在固定的夾具上(有機玻璃棒、尼龍或玻璃纖維篩、尼龍繩等)。樣品應這樣安置，使它們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不會從一個樣品落到另一個樣品上。a) 引線固定于封裝側面或引線從封裝側面引出的雙列封裝(例：側面纖焊雙列封裝和陶瓷玻璃熔封雙列封裝)：蓋面向上，偏離垂直方向1545。將有引線的一個封裝側面向上，偏離垂直方向大

7、于或等于15(見圖Ia)b) 引線固定于封裝底部(與蓋板相對的那一面)或引線從底部引出的封裝(例如金屬圓形封裝，金屬平板封裝)：蓋板偏離垂直方向1545。試驗時一半樣品應蓋面向上；剩下一半，引線向上(見圖1b)c) 引線固定于封裝某一面或從某一面引出，且與蓋板平行的封裝(例如扁平封裝)：蓋板偏離垂直方向1545將有引線的封裝面向上，且偏離垂直方向或等于15。對金屬殼封裝，試驗時一半樣品封帽向上。剩下的樣品外殼向上。其他封裝都應蓋板向上做試驗(見圖1c)。d) 無引線或有引線片式載體：蓋板偏離垂直方向1545,試驗時一半樣品蓋板向上，剩余的樣品蓋板向下(見圖1d)注1：對于要求進行兩種取向的試驗

8、，應把規(guī)定的樣品數分成兩等份(或盡可能接近一半)。在所有的情況下，對所有的封裝表面按3.4進行試驗后的檢查。注2：對開有窗口的紫外線可擦器件進行試驗時，要采取保護措施，以防止光感應電動勢產生電解作用。3.1.4 試驗箱的控制按照第3章的要求對試驗箱進行處理之后，具有溫度至少35的鹽霧在規(guī)定的試驗時間內(見3.2)流過試驗箱。試驗箱內的溫度應保持在(353)。鹽霧的濃度和速度應調節(jié)到使得鹽在試驗區(qū)域內的淀積速率在(2050)g/(m2d)之間。鹽的淀積速率可以用體積的、重要的或其他方法來測定(由用戶任意選擇)。在試驗箱底部收集的鹽液應廢棄。3.2 試驗時間應從下列試驗條件中規(guī)定試驗的最短時間。除

9、另有規(guī)定外，應采用試驗條件A3.3樣品檢驗的準備工作完成試驗后，試驗樣品應立即用自由流動的去離子水(水溫不得超過38)至少沖洗5min，以便除去樣品表面沉淀的鹽。而后樣品用空氣或惰性氣體吹干，進行下述檢查。表1 試驗條件試驗條件 試驗時間hA 24B 48C 96D 2403.4 失效判據除3.4.1 b)和3.4.1 c)另有規(guī)定外，所有檢查都應在放大10倍20倍的情況下進行。注1：腐蝕色斑不應認為是3.4.1a)中所指的缺陷注2: 由引線腐蝕產生的淀積在引線以外部位的腐蝕生成物，不應認為是3.4.1a)中所指的缺陷。注3：引線端頭的腐蝕和由此腐蝕產生的腐蝕生成物，不應判為不合格。注4：若由

10、于幾何形狀尺寸或設計(例如針柵陣列封裝的引線底部或陶瓷雙列封裝的釬焊部分)不能按3.4.1b(作進一步試驗的引線，應根據3.4.1a)失效判據進行判定。3.4.1 帶有表面鍍涂的產品器件出現以下情況則不能接收：a) 腐蝕缺陷面積超過除引線外的任何封裝零件(例如蓋板、管帽或外殼)鍍涂或底金屬面積的5%。在測量中要計入的腐蝕缺陷有：凹坑、氣泡、起皮和腐蝕生成物。腐蝕缺陷面積由以下方法確定：用已知缺陷面積的卡片或照片(見圖2)進行比較，用網格或類似的測量器具或鏡像分析儀直接測量。b) 引線缺損、斷裂或部分分離。此外，若引線出現針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成物完全跨越引線，或玻璃封裝中出現針孔、凹坑

11、、氣泡、起皮、腐蝕生成或腐蝕色斑的引線，應進一步做如下試驗：在引線缺陷處彎曲90，使拉伸應力加到缺陷處。若出現引線的斷裂或底層金屬的破裂面超過引線橫截面積的50%，應拒收。若有多處出現缺陷，應在腐蝕最嚴重處進行彎曲。對10根以上引線出現缺陷的封裝，只需對最多10根腐蝕最嚴重引線進行彎曲。應放大30倍60倍進行破裂情況檢查。c) 規(guī)定標志的一部分脫落、褪色、弄臟、模糊或不可辨認。該檢查應在室內正常照明下放大1倍3倍進行。3.4.2 封裝元件 作為來料檢查，在封裝裝配之前，對封裝元件或部分組裝的封裝殼體進行本試驗，或作為一種選擇性的質量控制在完成封裝之前進行本試驗，或作為一種要求的試驗(見4d)時，呈現下列現象的元件不得接收：a) 腐蝕缺陷面積超過蓋板鍍涂面積或底金屬面積的1.0%，或超過除引線以外其他任何封裝零件(例如外殼)鍍涂面積或底金屬面積的2.5%。器件制造完成后不會暴露于周圍環(huán)境的鍍涂或底金屬層上的腐蝕不必考慮。應