AlGaN GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(HFET)的可靠性問(wèn)題_圖文_第1頁(yè)
AlGaN GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(HFET)的可靠性問(wèn)題_圖文_第2頁(yè)
AlGaN GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(HFET)的可靠性問(wèn)題_圖文_第3頁(yè)
AlGaN GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(HFET)的可靠性問(wèn)題_圖文_第4頁(yè)
AlGaN GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(HFET)的可靠性問(wèn)題_圖文_第5頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、 MESFET,” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., (Special CAD Issue, vol. MTT36, pp. 231238, Feb. 1988. 16 R. J. Trew, Y. Liu, G. L. Bilbro, W. Kuang, R. Vetury, and J. B. Shealy, “Nonlinear source resistance in high voltage microwave AlGaN/GaN HFETs,” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 54, pp. 2

2、0612067, May 2006. 17 J. W. Palmour, et al., “Wide bandgap semiconductor devices andMMICs for RF power applications,” in IEDM Tech. Dig., Dec. 2001, pp. 385388. 18 W. Kuang, R. J. Trew, and G. L. Bilbro, “Modeling of surface defect related gate leakage in AlGaN/GaN HFET,” presented at the Materials Research Society (MR Spring Meeting, San Francisco, CA, Apr.913, 2007. 12

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