存儲(chǔ)器與可編程邏輯器件習(xí)題及答案

1、 第8章存儲(chǔ)器與可編程邏輯器件8.1存儲(chǔ)器概述自測(cè)練習(xí)1 存儲(chǔ)器中可以保存的最小數(shù)據(jù)單位是（ ）。 （a） 位 （b） 字節(jié) （c） 字2 指出下列存儲(chǔ)器各有多少個(gè)存儲(chǔ)單元？多少根地址線和數(shù)據(jù)線？（a） 2K×8位 （ ）（ ）（b） 256×2位 （ ）（ ）（c） 1M×4位 （ ）（ ）3 ROM是（ ）存儲(chǔ)器。 （a）非易失性 （b）易失性 （c）讀/寫 （d） 以字節(jié)組織的4數(shù)據(jù)通過（ ）存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。（a）讀操作 （b）啟動(dòng)操作 （c）寫操作 （d） 尋址操作5RAM給定地址中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在（ ）情況下會(huì)丟失。 （a）電源關(guān)閉 （b）數(shù)據(jù)從該地址讀出

2、（c）在該地址寫入數(shù)據(jù) （d）答案（a）和（c）6具有256個(gè)地址的存儲(chǔ)器有（）地址線。（a）條 （b）條 （c）8條 （d）16條7可以存儲(chǔ)字節(jié)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)容量是（）。（a）×位 （b）×位 （c）×位 （d）×位答案：1 a2（a） 2048×8，11 （b） 512，8 （c） 1024×1024×4，203a4c5d6c7b8.2隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM） 自測(cè)練習(xí)1. 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）存儲(chǔ)單元是利用（ ）存儲(chǔ)信息的，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）存儲(chǔ)單元是利用（ ）存儲(chǔ)信息的。2. 為了不丟失信息，DRAM必須定期進(jìn)行（

3、 ）操作。3. 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按讀、寫功能可分成（ ）和（ ）兩大類。4. RAM電路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分組成。5. 6116RAM有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲(chǔ)容量為（ ）位。答案：1柵極電容，觸發(fā)器2刷新3只讀存儲(chǔ)器，讀/寫存儲(chǔ)器4地址譯碼，存儲(chǔ)矩陣，讀/寫控制電路511，8，2K×8位8.3 只讀存儲(chǔ)器（ROM）自測(cè)練習(xí)1 ROM可分為（ ）、（ ）、（ ）和（ ）幾種類型。2 ROM只讀存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)中包含（ ）、（ ）和（ ）共三個(gè)組成部分。3 若將存儲(chǔ)器的地址輸入作為（ ），將數(shù)據(jù)輸出作為（ ），則存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的功能。4 掩膜ROM可實(shí)

4、現(xiàn)的邏輯函數(shù)表達(dá)式形式是（ ）。5 28256 型EEPROM有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲(chǔ)容量為（ ）位，是以字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)信息的。6 EPROM是利用（ ）擦除數(shù)據(jù)的，EEPROM是利用（ ）擦除數(shù)據(jù)的。7 PROM/EPROM/EEPROM 分別代表（ ）。8一個(gè)PROM/EPROM能寫入（ ）（許多，一）次程序。9存儲(chǔ)器2732A是一個(gè)（ ）（EPROM，RAM）。10在微機(jī)中，4種存儲(chǔ)類型為（ ）。答案：1ROM，PROM，EPROM，EEPROM2存儲(chǔ)矩陣，地址譯碼，輸出控制電路3輸入，輸出4標(biāo)準(zhǔn)與或形式（最小項(xiàng)表達(dá)式）515，8，32K×8 6紫外線，電7可編程

5、的只讀存儲(chǔ)器，可擦可編程的只讀存儲(chǔ)器，電可擦可編程的只讀存儲(chǔ)器8一次/許多9EPROM10寄存器，高速緩存，主存，外存8.4 快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）自測(cè)練習(xí)1 非易失性存儲(chǔ)器有（ ）。（a）ROM和RAM （b）ROM和閃存 （c）閃存和RAM2 Flash Memory的基本存儲(chǔ)單元電路由（ ）構(gòu)成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特點(diǎn)。3 Flash Memory 28F256有（ ）和（ ）兩種操作方式。4 從功能上看，閃存是（ ）存儲(chǔ)器，從基本工作原理上看，閃存是（ ）存儲(chǔ)器。5 Flash28F256有（ ）根地址線，（ ）根數(shù)據(jù)線，其存儲(chǔ)容量為 （ ）位，編程

6、操作是按字節(jié)編程的。答案：1b2一個(gè)浮柵MOS管，浮柵上的電荷，非易失3只讀存儲(chǔ)方式，讀/寫存儲(chǔ)方式4RAM，ROM515，8，32K×8 8.5存儲(chǔ)器的擴(kuò)展自測(cè)練習(xí)1 存儲(chǔ)器的擴(kuò)展有（ ）和（ ）兩種方法。2 如果用2K×16位的存儲(chǔ)器構(gòu)成16K×32位的存儲(chǔ)器，需要（ ）片。 （a） 4 （b） 8 （c） 163 用4片256×4位的存儲(chǔ)器可構(gòu)成容量為（ ）位的存儲(chǔ)器。4 若將4片6116 RAM擴(kuò)展成容量為4K×16位的存儲(chǔ)器，需要（ ）根地址線。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 將多片1K×4位的存儲(chǔ)器

7、擴(kuò)展成8K×4位的存儲(chǔ)器是進(jìn)行（ ）擴(kuò)展；若擴(kuò)展成1K×16位的存儲(chǔ)器是進(jìn)行（ ）擴(kuò)展。6 的存儲(chǔ)器有（）根數(shù)據(jù)線，（）根地址線，若該存儲(chǔ)器的起始地址為，則最高地址為（），欲將該存儲(chǔ)器擴(kuò)展為的存儲(chǔ)系統(tǒng)，需要的存儲(chǔ)器（）個(gè)。答案：1字?jǐn)U展，位擴(kuò)展2C3256×16/1K×44C5字，位64，8，F(xiàn)F，8 8.6 可編程陣列邏輯PAL自測(cè)練習(xí)1 PAL的常用輸出結(jié)構(gòu)有（ ）、（ ）、（ ）和 （ ）4種。2 字母PAL代表（ ）。3 PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別是（ ）。（a）PAL的與陣列可充分利用（b）PAL可實(shí)現(xiàn)組合和時(shí)序邏輯電路（c）PRO

8、M和EPROM可實(shí)現(xiàn)任何形式的組合邏輯電路4 具有一個(gè)可編程的與陣列和一個(gè)固定的或陣列的PLD為（ ）。（a）PROM （b）PLA （c）PAL5 一個(gè)三態(tài)緩沖器的三種輸出狀態(tài)為（ ）。（a）高電平、低電平、接地 （b）高電平、低電平、高阻態(tài)（c）高電平、低電平、中間狀態(tài)6 查閱資料，確定下面各PAL器件的輸入端個(gè)數(shù)、輸出端個(gè)數(shù)及輸出類型。 （a）PAL12H6 （ ）（ ）（ ）（b）PAL20P8 （ ）（ ）（ ） （c）PAL16L8 （ ）（ ）（ ）答案：1輸出結(jié)構(gòu)，可編程輸入/輸出結(jié)構(gòu)，寄存器輸出結(jié)構(gòu)，異或輸出結(jié)構(gòu)2可編程陣列邏輯3B4C5B6（a）12，6，高電平 （b）20

9、，8，可編程極性輸出 （c）16，8，低電平8.7 通用陣列邏輯GAL自測(cè)練習(xí)1GAL具有（ ）（a）一個(gè)可編程的與陣列、一個(gè)固定的或陣列和可編程輸出邏輯（b）一個(gè)固定的與陣列和一個(gè)可編程的或陣列（c）一次性可編程與或陣列（d）可編程的與或陣列2GAL16V8具有（ ）種工作模式。3GAL16V8在簡(jiǎn)單模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置；在復(fù)雜模式工作下有（ ）種不同的OLMC配置。4GAL16V8具有（ ）。（a）16個(gè)專用輸入和8個(gè)輸出（b）8個(gè)專用輸入和8個(gè)輸出（c）8個(gè)專用輸入和8個(gè)輸入/輸出（d）10個(gè)專用輸入和8個(gè)輸出5如果一個(gè)G

10、AL16V8需要10個(gè)輸入，那么，其輸出端的個(gè)數(shù)最多是（ ）。（a）8個(gè) （b）6個(gè) （c）4個(gè)6若用GAL16V8的一個(gè)輸出端來實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)，那么此函數(shù)可以是（ ）與項(xiàng)之和的表達(dá)式。（a）16個(gè) （b）8個(gè) （c）10個(gè)7與、或、非、異或邏輯運(yùn)算的ABEL表示法分別為（ ）。8邏輯表達(dá)式用ABEL語言描述時(shí)，應(yīng)寫為（ ）。答案：1A2333，2，24B專用輸入，專用組合輸出，復(fù)合輸入/輸出（I/O），寄存器組合I/O，寄存器輸出5C687B8&，#，!，$9A&B#A&!B#!A&B8.8 CPLD、FPGA和在系統(tǒng)編程技術(shù)簡(jiǎn)介自測(cè)練習(xí)1PLD器件的設(shè)計(jì)一

11、般可分為（ ）、（ ）和( )三個(gè)步驟以及 ( )、 ( ) 和( ) 三個(gè)設(shè)計(jì)驗(yàn)證過程.2ISP表示（ ）。（a）在系統(tǒng)編程的（b）集成系統(tǒng)編程的（c）集成硅片程序編制器3CPLD表示（ ）。（a）簡(jiǎn)單可編程邏輯陣列 （b）可編程交互連接陣列（c）復(fù)雜可編程邏輯陣列 （d）現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯陣列4FPGA是（ ）。（a）快速可編程門陣列 （b）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（c）文檔可編程門陣列 （d）復(fù)雜可編程門陣列5FPGA是采用（ ）技術(shù)實(shí)現(xiàn)互連的。（）熔絲（）CMOS（）EECMOS （d）SRAM6PLD的開發(fā)需要有（ ）的支持。（a）硬件和相應(yīng)的開發(fā)軟件（b）硬件和專用的編程語言（c）開發(fā)軟件（d

12、）專用的編程語言答案：1 設(shè)計(jì)輸入，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，編程，功能仿真，時(shí)序仿真，測(cè)試2 a3 c4 b5 d6 a習(xí)題8 存儲(chǔ)器有哪些分類？各有何特點(diǎn)？8 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們各適用于哪些場(chǎng)合？8 靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM在電路結(jié)構(gòu)和讀寫操作上有何不同？8 Flash Memory有何特點(diǎn)和用途？它和其它存儲(chǔ)器比較有什么不同？8 某臺(tái)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存儲(chǔ)器設(shè)置有20位的地址線，16位的并行輸入/輸出端，試計(jì)算它的最大存儲(chǔ)容量？8 試用4片2114（1024×4位的RAM）和3-8譯碼器組成4096×4位的存儲(chǔ)器8 試用4片2114RAM連接成2K

13、5;8位的存儲(chǔ)器。8 PROM實(shí)現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P88所示。（1） 分析電路功能，說明當(dāng)ABC取何值時(shí)，函數(shù)F1=F2=1；（2） 當(dāng)ABC取何值時(shí)，函數(shù)F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P888 用PROM實(shí)現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。8 用PROM實(shí)現(xiàn)下列多輸出函數(shù)，畫出陣列圖。F1=+ABDF2=+F3=+F4=8 PAL器件的結(jié)構(gòu)有什么特點(diǎn)？8 描述PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別。8 任何一個(gè)組合邏輯電路都可以用一個(gè)PAL來實(shí)現(xiàn)嗎？為什么？8 選用適當(dāng)?shù)腜AL器件設(shè)計(jì)一個(gè)3位二進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器。當(dāng)X=0時(shí)，實(shí)現(xiàn)加

14、法計(jì)數(shù)；當(dāng)X=1時(shí)，實(shí)現(xiàn)減法計(jì)數(shù)。8 為什么GAL能取代大多數(shù)的PAL器件？ 8 試用GAL16V8實(shí)現(xiàn)一個(gè)8421碼十進(jìn)制計(jì)數(shù)器。習(xí)題解答：81存儲(chǔ)器有哪些分類？各有何特點(diǎn)？（基本題，第1、2、3、4節(jié)）答：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分類為：ROM、RAM和Flash存儲(chǔ)器。ROM屬于非易失性存儲(chǔ)器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失。ROM又可分為：掩膜ROM、PROM、EPROM和EEPROM。掩模ROM和PROM是一次性編程的，EPROM和EEPROM是可以重復(fù)編程的。掩模ROM、PROM和EPROM在正常工作時(shí)，所存數(shù)據(jù)是固定不變的，只能讀出，不能寫入。只有EEPROM在正常工作時(shí)所存數(shù)據(jù)是可以讀出，也可以寫

15、入。RAM也稱為讀/寫存儲(chǔ)器，是易失性存儲(chǔ)器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失。在正常工作時(shí)可以隨時(shí)讀出，也可以隨時(shí)寫入，因而使用靈活，讀寫方便。RAM分靜態(tài)（SRAM）和動(dòng)態(tài)（DRAM）存儲(chǔ)器，它們的不同的特點(diǎn)是：DRAM需要刷新電路保存數(shù)據(jù)，而SRAM不需要。Flash閃存是理想的大容量、非易失性和可讀可寫的存儲(chǔ)器，且存儲(chǔ)速度較快，讀寫方便。所存數(shù)據(jù)在沒有電源的情況下可以無限定地保存下來。82 ROM和RAM的主要區(qū)別是什么？它們各適用于哪些場(chǎng)合？（基本題，第1、2、3節(jié)） 答：ROM和RAM的主要區(qū)別是：ROM屬于非易失性存儲(chǔ)器，斷電后所存數(shù)據(jù)不丟失；而RAM是易失性存儲(chǔ)器，斷電后所存數(shù)據(jù)全部丟失

16、。 ROM通常用來存放不需要經(jīng)常修改的程序或數(shù)據(jù)，如計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的BIOS程序、系統(tǒng)監(jiān)控程序、顯示器字符發(fā)生器中的點(diǎn)陣代碼等。靜態(tài)RAM存儲(chǔ)電路由于MOS管較多，集成度不高，但不需要刷新電路，外部控制邏輯電路簡(jiǎn)單，且存取速度比動(dòng)態(tài)RAM快，因而通常用作微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的高速緩存(Cache)。動(dòng)態(tài)RAM與靜態(tài)RAM相比，其基本存儲(chǔ)單元所用的MOS管少，存儲(chǔ)密度高、功耗低。但存取速度比靜態(tài)RAM慢，需要定時(shí)刷新。但由于DRAM的高存儲(chǔ)密度、低功耗及價(jià)格便宜等突出優(yōu)點(diǎn)，使之非常適用于在需要大容量的系統(tǒng)中用作主存儲(chǔ)器?，F(xiàn)代計(jì)算機(jī)均采用各種類型的DRAM作為可讀寫主存。8 靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)

17、器DRAM在電路結(jié)構(gòu)和讀寫操作上有何不同？（基本題，第、2、3節(jié)） 答： SRAM和DRAM在電路結(jié)構(gòu)上的不同是：DRAM電路中有刷新電路，而SRAM沒有。這是因?yàn)镈RAM電路是利用柵極電容保存信息的，而電容存在漏電效應(yīng)，為保證信息不因漏電丟失，所以必須定期對(duì)電路進(jìn)行刷新。SRAM和DRAM的讀/寫操作由片選信號(hào)、讀/寫信號(hào)（和輸出允許信號(hào)）控制。當(dāng)=0時(shí)，RAM為正常工作狀態(tài)，若=1，則執(zhí)行讀操作，存儲(chǔ)單元里的數(shù)據(jù)將送到輸入/輸出端上；若=0，則執(zhí)行寫操作，加到輸入/輸出端上的數(shù)據(jù)將寫入存儲(chǔ)單元；當(dāng)=1時(shí)，RAM的輸入/輸出端呈高阻狀態(tài)，即不能對(duì)RAM進(jìn)行讀/寫操作。所不同的是對(duì)于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器

18、DRAM的每一次的讀/寫操作實(shí)質(zhì)上是對(duì)單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路信息的一次恢復(fù)或增強(qiáng)。84 說明Flash Memory有何特點(diǎn)和用途。它和其它存儲(chǔ)器比較有什么不同？（基本題，第4節(jié)）答：Flash Memory是一種具有較高存儲(chǔ)容量、較低價(jià)格、可在線擦除與編程的新一代讀寫存儲(chǔ)器，從基本工作原理上看，閃存屬于ROM型存儲(chǔ)器，但由于它又可以隨時(shí)改寫其中的信息，所以從功能上看，它又相當(dāng)于隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM。從這個(gè)意義上說，傳統(tǒng)的ROM與RAM的界限和區(qū)別在閃存上已不明顯。它的這些獨(dú)特性能使其廣泛應(yīng)用于包括嵌入式系統(tǒng)、儀器儀表、汽車器件以及數(shù)碼影音產(chǎn)品中。 Flash Memory和其它存儲(chǔ)器比較其不同點(diǎn)可通過

19、下表體現(xiàn)：內(nèi)存類型非易失性高密度一個(gè)晶體管單元系統(tǒng)內(nèi)部寫能力閃存是是是是SRAM不是不是不是是DRAM不是是是是ROM是是是不是EPROM是是是不是EEPROM是不是不是是85 某臺(tái)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存儲(chǔ)器設(shè)置有20位的地址線，16位的并行輸入/輸出端，試計(jì)算它的最大存儲(chǔ)容量？ （基本題，第1節(jié)） 答：它的最大存儲(chǔ)容量為：220×16位=1M×16位I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9

20、 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0I/O1I/O2I/O33-8譯碼器A0A 1A9A10A110100A Y0B Y1C Y2G1 Y3 Y786 試用4片2114（1024×4位的RAM）和3-8譯碼器組成4096×4位的存儲(chǔ)器。 解：將4片2114擴(kuò)展成4096×4位的存儲(chǔ)器，只須字?jǐn)U展，位不變，地址線為12個(gè)，其中低10位作為2114的地址輸入。由于譯碼器要求采用3-8譯碼器，故譯碼器的地址輸入端只有兩位A10A11，高位設(shè)置為0，另外的3個(gè)控制信號(hào)應(yīng)如圖所示。（綜合題，第5節(jié)）87 試

21、用4片2114 RAM連接成2K×8位的存儲(chǔ)器。（綜合題，第5節(jié)）解：將4片2114擴(kuò)展成2K×8位的存儲(chǔ)器，字位均需擴(kuò)展，即先進(jìn)行位擴(kuò)展，再進(jìn)行字?jǐn)U展。位擴(kuò)展時(shí)，將4片2114分成2組，每組2片，2片2114的地址線、均連在一起，數(shù)據(jù)輸入/輸出線并行作為輸入/輸出線；再將2組進(jìn)行字?jǐn)U展，擴(kuò)展時(shí)，地址線的低10位與2組的地址線相連，高位地址接其中一組的片選，再經(jīng)一非門接另一組的片選，所有的2114的接在一起，2組的數(shù)據(jù)輸入/輸出線對(duì)應(yīng)連在一起作為擴(kuò)展后的數(shù)據(jù)輸入/輸出線。 I/O0I/O1I/O2I/O3 I/O4I/O5I/O6I/O7I/O0 I/O1 I/O2 I/O

22、32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSA0A 1A9A1018 PROM實(shí)現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖P88所示。（綜合題，第3節(jié)）分析：（1）說明當(dāng)ABC取何值時(shí)，函數(shù)F1=F2=1；（2） 當(dāng)ABC取何值時(shí)，函數(shù)F1=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC圖P88解：根據(jù)PROM的點(diǎn)陣圖可寫出輸出函數(shù)：F1=

23、m0+m1+m3+m5F2= m3+m5 +m6+m7可知（1）當(dāng)ABC=011或ABC=101時(shí)，F(xiàn)1=F2=1（2）當(dāng)ABC=010或ABC=100時(shí)，F(xiàn)1=F2=089 用PROM實(shí)現(xiàn)全加器，畫出陣列圖，確定PROM的容量。（綜合題，第1、3節(jié)） 解：列全加器真值表如下 Ai Bi C i-1Si C i+10 0 00 00 0 11 00 1 01 00 1 10 11 0 01 01 0 10 11 1 00 11 1 11 1 根據(jù)真值表可得輸出函數(shù) Si = m1+m2+m4+m7C i+1= m3+m5+m6+m7 其點(diǎn)陣圖如下，PROM的容量為8×2位。 W0 W

24、1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1SiCi+1AiBiC i-1810 用PROM實(shí)現(xiàn)下列多輸出函數(shù)，畫出陣列圖。（綜合題，第3節(jié)）F1=+ +ABDF2=+F3=+F4= 解：由于PROM實(shí)現(xiàn)的邏輯函數(shù)的形式為最小項(xiàng)形式，首先將輸出函數(shù)轉(zhuǎn)化成最小項(xiàng)形式，即有： F1=+ABD=m（0，2，3，7，10，11，14，15）F2=+=m（0，2，4，6，9，10，11，12，14）F3=+=m（1，5，10，11，12，）F4= =m（0，2，5，7，8，10，11，13，15）故可選用16×4位的PROM，如圖習(xí)題810點(diǎn)陣圖所示。F1F2F3F4 W0 W1 W2 W3 W

25、4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W 13 W14 W151習(xí)題810點(diǎn)陣圖811 PAL器件的結(jié)構(gòu)有什么特點(diǎn)？（基本題，第6節(jié)）答：PAL器件的結(jié)構(gòu)由可編程的與陣列、固定的或陣列和可編程的輸出邏輯電路三部分組成。其輸出邏輯可分為多種輸出及反饋電路，因而構(gòu)成了各種型號(hào)的PAL器件。根據(jù)PAL器件的輸出結(jié)構(gòu)和反饋電路的不同，可將它們大致分成專用輸出結(jié)構(gòu)、可編程輸入/輸出結(jié)構(gòu)、寄存器輸出結(jié)構(gòu)、異或輸出結(jié)構(gòu)等幾種類型。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)具體的要求不同，選用不同的輸出結(jié)構(gòu)的PAL器件。812 描述PAL與PROM、EPROM之間的區(qū)別。（綜合題，第3、6節(jié)）答：區(qū)別是PROM

26、和EPROM由固定的與陣列和可編程的或陣列構(gòu)成，而PAL是由可編程的與陣列、固定的或陣列和可編程輸出邏輯電路三部分組成，因此PROM和EPROM只能實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路，而PAL由于有可編程的輸出邏輯電路，不僅可以實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路，而且可以實(shí)現(xiàn)時(shí)序邏輯電路。813 任何一個(gè)組合邏輯電路都可以用一個(gè)PAL來實(shí)現(xiàn)嗎？為什么？（基本題，第6節(jié)）答：不可以，一個(gè)PAL的輸入變量是一定的，所以PAL的應(yīng)用受輸入變量的限制。814 選用適當(dāng)?shù)腜AL器件設(shè)計(jì)一個(gè)3位二進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器。當(dāng)X=0時(shí)，實(shí)現(xiàn)加法計(jì)數(shù)；當(dāng)X=1時(shí)，實(shí)現(xiàn)減法計(jì)數(shù)。（綜合題，第6節(jié)） 解：3位二進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器是一個(gè)時(shí)序邏輯電路，且有3個(gè)輸出，

27、故選用PAL16R4較合適。根據(jù)要求，3位二進(jìn)制可逆計(jì)數(shù)器的狀態(tài)表如下： XQ2Q1Q0Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+1XQ2Q1Q0Q2 n+1Q1 n+1Q0 n+10000001100011100010101111110001001111101010011100110110001001011100011010111010110100110111101000101110001001000由狀態(tài)表可得次態(tài)方程：Q2 n+1=Q1 n+1=Q0 n+1=由于PAL16R4的輸出端設(shè)置為反相三態(tài)緩沖器，故次態(tài)方程應(yīng)取反，則有：D2= n+1= D1= n+1=D0= n+1=Q0其電路圖如習(xí)題814電路圖所示。815 為什么GAL能取代大多數(shù)的PAL器件？（基本題，第7節(jié)）答： 這是因?yàn)镚AL的輸出結(jié)構(gòu)配置了輸出邏輯宏單元OLMC（Output Logic Macro Cell），用戶可以通過編程選擇輸出結(jié)構(gòu)，它既可以編程為組合邏輯電路輸出，又可以編程為寄存器輸出；既可以輸出低電平有效，又可以輸出高電平有效等等。這樣GAL器件就可以在功能上通過編程代替PAL的各種輸出結(jié)構(gòu)。816 試用GAL16V8實(shí)現(xiàn)一個(gè)8421