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文檔簡介
1、泓域咨詢/西安功率半導體項目招商引資方案西安功率半導體項目招商引資方案xx有限公司目錄第一章 項目建設背景及必要性分析9一、 行業(yè)基本情況9二、 發(fā)電源管理IC產(chǎn)品的行業(yè)基本情況10三、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況11四、 做大新興產(chǎn)業(yè)14五、 項目實施的必要性14第二章 總論16一、 項目名稱及項目單位16二、 項目建設地點16三、 可行性研究范圍16四、 編制依據(jù)和技術原則17五、 建設背景、規(guī)模18六、 項目建設進度19七、 環(huán)境影響20八、 建設投資估算20九、 項目主要技術經(jīng)濟指標20主要經(jīng)濟指標一覽表21十、 主要結(jié)論及建議22第三章 行業(yè)、市場分析24一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基
2、本情況24二、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))25三、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況29第四章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案32一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容32二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領32產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表32第五章 建筑工程技術方案35一、 項目工程設計總體要求35二、 建設方案36三、 建筑工程建設指標39建筑工程投資一覽表39第六章 運營管理模式41一、 公司經(jīng)營宗旨41二、 公司的目標、主要職責41三、 各部門職責及權限42四、 財務會計制度45第七章 法人治理結(jié)構52一、 股東權利及義務52二、 董事55三、 高級管理人員59四、 監(jiān)事61第八章 節(jié)能方案說明63一、 項目節(jié)能概述63二、 能
3、源消費種類和數(shù)量分析64能耗分析一覽表64三、 項目節(jié)能措施65四、 節(jié)能綜合評價67第九章 勞動安全生產(chǎn)68一、 編制依據(jù)68二、 防范措施71三、 預期效果評價75第十章 工藝技術方案76一、 企業(yè)技術研發(fā)分析76二、 項目技術工藝分析78三、 質(zhì)量管理79四、 設備選型方案80主要設備購置一覽表81第十一章 原輔材料分析82一、 項目建設期原輔材料供應情況82二、 項目運營期原輔材料供應及質(zhì)量管理82第十二章 組織機構及人力資源配置84一、 人力資源配置84勞動定員一覽表84二、 員工技能培訓84第十三章 環(huán)保方案分析86一、 編制依據(jù)86二、 建設期大氣環(huán)境影響分析86三、 建設期水環(huán)
4、境影響分析88四、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析88五、 建設期聲環(huán)境影響分析89六、 環(huán)境管理分析89七、 結(jié)論92八、 建議92第十四章 投資估算及資金籌措94一、 投資估算的編制說明94二、 建設投資估算94建設投資估算表96三、 建設期利息96建設期利息估算表97四、 流動資金98流動資金估算表98五、 項目總投資99總投資及構成一覽表99六、 資金籌措與投資計劃100項目投資計劃與資金籌措一覽表101第十五章 項目經(jīng)濟效益分析102一、 基本假設及基礎參數(shù)選取102二、 經(jīng)濟評價財務測算102營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表102綜合總成本費用估算表104利潤及利潤分配表106三、
5、 項目盈利能力分析106項目投資現(xiàn)金流量表108四、 財務生存能力分析109五、 償債能力分析110借款還本付息計劃表111六、 經(jīng)濟評價結(jié)論111第十六章 項目招標、投標分析113一、 項目招標依據(jù)113二、 項目招標范圍113三、 招標要求113四、 招標組織方式114五、 招標信息發(fā)布114第十七章 總結(jié)說明115第十八章 附表附錄116主要經(jīng)濟指標一覽表116建設投資估算表117建設期利息估算表118固定資產(chǎn)投資估算表119流動資金估算表120總投資及構成一覽表121項目投資計劃與資金籌措一覽表122營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表123綜合總成本費用估算表123利潤及利潤分配表12
6、4項目投資現(xiàn)金流量表125借款還本付息計劃表127報告說明晶體管主要分為雙極性結(jié)型晶體管(三極管)、MOSFET和IGBT。根據(jù)三種晶體管的市場規(guī)模估算,2019年,晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元;2020年,晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結(jié)型晶體管存在功耗偏大等問題,隨著全球節(jié)能減排的推行,其市場規(guī)??傮w趨于衰退,正在被MOSFET所取代;IGBT市場規(guī)模則以較高速度增長。市場競爭格局方面,三極管、MOSFET和IGBT三類產(chǎn)品的市場競爭格局有所不同。其中,全球三極管市場比較分散,MOSFET和IGBT市場集中度較高。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資5499.26萬
7、元,其中:建設投資4276.05萬元,占項目總投資的77.76%;建設期利息100.20萬元,占項目總投資的1.82%;流動資金1123.01萬元,占項目總投資的20.42%。項目正常運營每年營業(yè)收入10700.00萬元,綜合總成本費用8938.40萬元,凈利潤1287.20萬元,財務內(nèi)部收益率16.29%,財務凈現(xiàn)值445.90萬元,全部投資回收期6.54年。本期項目具有較強的財務盈利能力,其財務凈現(xiàn)值良好,投資回收期合理。本項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和行業(yè)技術進步要求,符合市場要求,受到國家技術經(jīng)濟政策的保護和扶持,適應本地區(qū)及臨近地區(qū)的相關產(chǎn)品日益發(fā)展的要求。項目的各項外部條件齊備,交通運
8、輸及水電供應均有充分保證,有優(yōu)越的建設條件。,企業(yè)經(jīng)濟和社會效益較好,能實現(xiàn)技術進步,產(chǎn)業(yè)結(jié)構調(diào)整,提高經(jīng)濟效益的目的。項目建設所采用的技術裝備先進,成熟可靠,可以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量要求。本報告基于可信的公開資料,參考行業(yè)研究模型,旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。第一章 項目建設背景及必要性分析一、 行業(yè)基本情況半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,是電子產(chǎn)品的核心組成部分。從應用領域看,半導體產(chǎn)品主要應用領域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領域。此外,隨著電子產(chǎn)品的升級,半導體在電子產(chǎn)品的含量
9、將逐步提高,未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下,半導體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件,不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行,而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%,但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大,是決定其性價比的核心器件。在日常生活中,凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的,均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基
10、礎性產(chǎn)品,廣泛應用于國民經(jīng)濟建設的各個領域。從產(chǎn)品類型來看,功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件,可進一步分為二極管、晶體管、晶閘管等,其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等,晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等;功率IC屬于集成電路中的模擬IC,可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅(qū)動IC等。二、 發(fā)電源管理IC產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、電源管理IC簡介電源管理IC在電子設備系統(tǒng)中擔負起對電能的變換、分配、檢測等功能,是電子設備中不可或缺的芯片。電源管理IC可應用于手機、可穿戴設備等消費類電子領域以及網(wǎng)絡通訊、工業(yè)、安防等領
11、域的各類終端產(chǎn)品,是模擬芯片的重要組成部分。2、電源管理IC的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計,全球電源管理IC擁有廣闊的市場空間。2020年全球電源管理芯片市場規(guī)模約328.8億美元,2016年至2020年年復合增長率為13.52%。國際市場調(diào)研機構TMR預測,到2026年全球電源管理芯片市場規(guī)模將達到565億美元,年復合增長率高達10.69%。其中以大陸為主的亞太地區(qū)是未來全球電源管理芯片最大的成長動力。全球電源管理芯片被美、歐等國際廠商壟斷,前五大供應商占據(jù)71%市場份額。目前,雖然歐美發(fā)達國家及地區(qū)電源管理芯片廠商在產(chǎn)品線的完整性及整體技術水平上保持領先優(yōu)
12、勢,但隨著國內(nèi)集成電路市場的不斷擴大,部分本土企業(yè)在激烈的市場競爭中逐漸崛起,整體技術水平和國外設計公司的差距不斷縮小。3、電源管理IC的未來發(fā)展趨勢隨著電子產(chǎn)品的種類、功能和應用場景的持續(xù)增加,消費端對電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性、能效、體積等要求也越來越高。為順應終端電子產(chǎn)品的需求,電源管理IC將朝著高效能,微型化及集成化等方向發(fā)展,技術上追求更高的直流耐壓,更小的導通阻抗,以及更小的封裝尺寸。隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車電子、工業(yè)控制等新興應用領域的發(fā)展,電源管理芯片下游市場有望持續(xù)發(fā)展。三、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現(xiàn)
13、,與大多數(shù)二極管正向?qū)ǖ奶匦圆煌浠诜聪驌舸┨匦?,通過對浪涌的快速泄放,可以起到對電子產(chǎn)品的保護作用,對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節(jié)結(jié)構,主要采用臺面結(jié)構技術。21世紀初期以來,隨著半導體芯片制程的發(fā)展,集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢,線寬變窄,同時追求更高的集成度和更低的工作電壓,致使集成電路芯片變得更加敏感,極易受到靜電和浪涌沖擊,造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求,于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD(Electro-S
14、taticdischarge,靜電放電)保護的TVS(以下簡稱為“ESD保護器件”)在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結(jié)構形成,結(jié)構單一,工藝簡單。ESD保護器件對結(jié)構設計和工藝要求更高,結(jié)構更加復雜,一般設計成多路PN結(jié)集成結(jié)構,采用多次外延、雙面擴結(jié)或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護,代表著當前TVS的技術水平和發(fā)展方向。目前,功率半導體行業(yè)內(nèi)部分國際企業(yè)已將ESD保護器件在內(nèi)的TVS單獨分類。比如,安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類,將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產(chǎn)品類別共同列為主要產(chǎn)品類別;安森美將E
15、SD保護單獨分類,與二極管、MOSFET、晶體管等產(chǎn)品類別并列為安森美的主要產(chǎn)品類別;英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021,2020年全球TVS市場規(guī)模約為16.21億美元,預計2021年全球TVS市場規(guī)模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為10.55億美元,預計2023年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為13.20億美元。根據(jù)韋爾股份2019年年度報告,在TVS領域,韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩(wěn)居國內(nèi)第一,
16、其主要競爭對手是外資器件廠家,包括英飛凌(Infineon),安森美(ONSemiconductor),恩智浦半導體(NXP),商升特半導體(Semtech)等。根據(jù)韋爾股份2020年年度報告,其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導,根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告,全球前五大廠商分別為安世半導體(Nexperia)、意法半導體(STMicroelectronics)、商升特(Semtech)、安森美(ONSemiconductor)、晶焱(Amazing)。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元,占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ES
17、D保護器件的未來發(fā)展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛,隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下,預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域,由于產(chǎn)品集成度高,技術要求不斷提升,產(chǎn)品更新?lián)Q代較快,相應地對ESD保護器件的技術創(chuàng)新要求也較高,未來的發(fā)展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優(yōu)點,可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷,順應了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要,市場前景廣闊。四、 做大新興產(chǎn)業(yè)加快新技術產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化,培育壯大人工智能、增材制造(3D打印)、機器人、大數(shù)據(jù)、衛(wèi)
18、星應用等5大新興產(chǎn)業(yè)。以建設國家硬科技創(chuàng)新示范區(qū)為載體,推動互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等與各產(chǎn)業(yè)深度融合,圍繞優(yōu)勢領域重點發(fā)展智能機器人、關鍵器件、核心芯片、無人機、衛(wèi)星通訊導航遙感市場化應用,搭建實施典型應用示范場景,鼓勵支持新技術、新產(chǎn)品、新業(yè)態(tài)、新模式布局應用,形成各具特色、優(yōu)勢互補、結(jié)構合理的新興產(chǎn)業(yè)增長引擎,打造“西安創(chuàng)造”品牌。緊盯產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,謀劃發(fā)展量子信息、類腦智能、生命健康等一批未來產(chǎn)業(yè),搶占經(jīng)濟發(fā)展“新賽道”。到2025年,新興產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務收入超過2000億元。五、 項目實施的必要性(一)提升公司核心競爭力項目的投資,引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結(jié)構,補充流動
19、資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力,降低公司財務費用水平,提升公司盈利能力,促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產(chǎn)業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持,提高公司核心競爭力。第二章 總論一、 項目名稱及項目單位項目名稱:西安功率半導體項目項目單位:xx有限公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xx園區(qū),占地面積約12.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越,交通便利,規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備,非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍1、項目提出的背景及建設必要性;2、市場需求預測;3、建設規(guī)模及產(chǎn)品方案;4、建設地點與建設條性;5、工程技術方案;6、公
20、用工程及輔助設施方案;7、環(huán)境保護、安全防護及節(jié)能;8、企業(yè)組織機構及勞動定員;9、建設實施與工程進度安排;10、投資估算及資金籌措;11、經(jīng)濟評價。四、 編制依據(jù)和技術原則(一)編制依據(jù)1、承辦單位關于編制本項目報告的委托;2、國家和地方有關政策、法規(guī)、規(guī)劃;3、現(xiàn)行有關技術規(guī)范、標準和規(guī)定;4、相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、政策;5、項目承辦單位提供的基礎資料。(二)技術原則1、項目建設必須遵循國家的各項政策、法規(guī)和法令,符合國家產(chǎn)業(yè)政策、投資方向及行業(yè)和地區(qū)的規(guī)劃。2、采用的工藝技術要先進適用、操作運行穩(wěn)定可靠、能耗低、三廢排放少、產(chǎn)品質(zhì)量好、安全衛(wèi)生。3、以市場為導向,以提高競爭力為出發(fā)點,產(chǎn)品無
21、論在質(zhì)量性能上,還是在價格上均應具有較強的競爭力。4、項目建設必須高度重視環(huán)境保護、工業(yè)衛(wèi)生和安全生產(chǎn)。環(huán)保、消防、安全設施和勞動保護措施必須與主體裝置同時設計,同時建設,同時投入使用。污染物的排放必須達到國家規(guī)定標準,并保證工廠安全運行和操作人員的健康。5、將節(jié)能減排與企業(yè)發(fā)展有機結(jié)合起來,正確處理企業(yè)發(fā)展與節(jié)能減排的關系,以企業(yè)發(fā)展提高節(jié)能減排水平,以節(jié)能減排促進企業(yè)更好更快發(fā)展。6、按照現(xiàn)代企業(yè)的管理理念和全新的建設模式進行規(guī)劃建設,要統(tǒng)籌考慮未來的發(fā)展,為今后企業(yè)規(guī)模擴大留有一定的空間。7、以經(jīng)濟救益為中心,加強項目的市場調(diào)研。按照少投入、多產(chǎn)出、快速發(fā)展的原則和項目設計模式改革要求,
22、盡可能地節(jié)省項目建設投資。在穩(wěn)定可靠的前提下,實事求是地優(yōu)化各成本要素,最大限度地降低項目的目標成本,提高項目的經(jīng)濟效益,增強項目的市場競爭力。8、以科學、實事求是的態(tài)度,公正、客觀的反映本項目建設的實際情況,工程投資堅持“求是、客觀”的原則。五、 建設背景、規(guī)模(一)項目背景2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元,2016-2023年復合增速達5%;中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元,中國市場在全球占比約48%。2020年,全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元,2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下,全球MOSFE
23、T增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年,MOSFET每年的增速將不低于6.7%,預計2025年將達到118.47億美元。根據(jù)有關數(shù)據(jù),2020年,全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主,其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先,位居全球功率MOSFET市場第一,前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%,前10大公司營收之和占比高達80.4%。(二)建設規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積8000.00(折合約12.00畝),預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積13303.91。其中:生產(chǎn)工程9055.79,倉儲工程1801.15,行政辦公及生活服務設施1636.55,公共工程8
24、10.42。項目建成后,形成年產(chǎn)xx件功率半導體的生產(chǎn)能力。六、 項目建設進度結(jié)合該項目建設的實際工作情況,xx有限公司將項目工程的建設周期確定為24個月,其工作內(nèi)容包括:項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響該項目在建設過程中,必須嚴格按照國家有關建設項目環(huán)保管理規(guī)定,建設項目須配套建設的環(huán)境保護設施必須與主體工程同時設計、同時施工、同時投產(chǎn)使用。各類污染物的排放應執(zhí)行環(huán)保行政管理部門批復的標準。八、 建設投資估算(一)項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資5499.26萬元,其
25、中:建設投資4276.05萬元,占項目總投資的77.76%;建設期利息100.20萬元,占項目總投資的1.82%;流動資金1123.01萬元,占項目總投資的20.42%。(二)建設投資構成本期項目建設投資4276.05萬元,包括工程費用、工程建設其他費用和預備費,其中:工程費用3615.29萬元,工程建設其他費用548.16萬元,預備費112.60萬元。九、 項目主要技術經(jīng)濟指標(一)財務效益分析根據(jù)謹慎財務測算,項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入10700.00萬元,綜合總成本費用8938.40萬元,納稅總額852.18萬元,凈利潤1287.20萬元,財務內(nèi)部收益率16.29%,財務凈現(xiàn)值445.90萬
26、元,全部投資回收期6.54年。(二)主要數(shù)據(jù)及技術指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積8000.00約12.00畝1.1總建筑面積13303.911.2基底面積4720.001.3投資強度萬元/畝342.642總投資萬元5499.262.1建設投資萬元4276.052.1.1工程費用萬元3615.292.1.2其他費用萬元548.162.1.3預備費萬元112.602.2建設期利息萬元100.202.3流動資金萬元1123.013資金籌措萬元5499.263.1自籌資金萬元3454.453.2銀行貸款萬元2044.814營業(yè)收入萬元10700.00正常運營年份5總成本費用萬元
27、8938.40""6利潤總額萬元1716.27""7凈利潤萬元1287.20""8所得稅萬元429.07""9增值稅萬元377.78""10稅金及附加萬元45.33""11納稅總額萬元852.18""12工業(yè)增加值萬元2940.07""13盈虧平衡點萬元4255.75產(chǎn)值14回收期年6.5415內(nèi)部收益率16.29%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元445.90所得稅后十、 主要結(jié)論及建議此項目建設條件良好,可利用當?shù)刎S富的水、電資源以及便利的
28、生產(chǎn)、生活輔助設施,項目投資省、見效快;此項目貫徹“先進適用、穩(wěn)妥可靠、經(jīng)濟合理、低耗優(yōu)質(zhì)”的原則,技術先進,成熟可靠,投產(chǎn)后可保證達到預定的設計目標。第三章 行業(yè)、市場分析一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,起到開關或放大等作用。隨著技術的發(fā)展,溝槽結(jié)構MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年,英飛凌(Infineon)率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言,MOSFET產(chǎn)品由于其技術及工藝的先進性,很大程度上仍依賴進口,國產(chǎn)
29、化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元,2016-2023年復合增速達5%;中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元,中國市場在全球占比約48%。2020年,全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元,2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下,全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年,MOSFET每年的增速將不低于6.7%,預計2025年將達到118.47億美元。根據(jù)有關數(shù)據(jù),2020年,全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主,其中英飛凌以29
30、.7%的市場份額遙遙領先,位居全球功率MOSFET市場第一,前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%,前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發(fā)展趨勢近二十年來,各個領域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴格,MOSFET和IGBT逐漸成為主流,技術上MOSFET朝著低阻抗發(fā)展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速,據(jù)統(tǒng)計,2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近,占據(jù)功率器件22%的市場份額,長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長,MOSFET需求長期穩(wěn)定。二、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))1
31、、全球經(jīng)濟發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場將是帶動全球半導體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告(McCleanReport2019)公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖,指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素,特別是2010年以后,全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關性,2010-2018年的相關系數(shù)高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右,而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球
32、GDP總量增長的相關系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個,一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少,這是供應基礎的一個重大變化,也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟,這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯(lián)性。二是消費者驅(qū)動的IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅(qū)動的,如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此,隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅(qū)動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導體行業(yè)發(fā)展,近年來出臺了多項扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,鼓勵技術進步。2014年6月,國
33、務院發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要,以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點,提出到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%;到2030年,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平,一批企業(yè)進入國際第一梯隊,實現(xiàn)跨越發(fā)展。2014年9月24日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金一期”)正式設立;2019年10月22日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(簡稱“大基金二期”)注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業(yè),兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產(chǎn)業(yè),實施市場化運作、專業(yè)化管理,充
34、分展現(xiàn)了國家扶持半導體行業(yè)的信心,將大力促進行業(yè)增長。功率半導體作為半導體行業(yè)的重要組成部分,將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境,為功率半導體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇,促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移進程,國內(nèi)功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的產(chǎn)品需求功率器件應用領域十分廣泛,下游終端產(chǎn)品類別繁多,隨著社會發(fā)展和技術發(fā)展,下游終端產(chǎn)品對電能轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求,產(chǎn)品設計將更加復雜化,產(chǎn)品功能將更加多樣化。下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的需求,促進功率器件的技術發(fā)展,促使功率器件朝
35、著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產(chǎn)業(yè)需求和技術創(chuàng)新將引領半導體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領域的快速發(fā)展,相關IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同時,我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術發(fā)展,通過持續(xù)的技術創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級,并積極向中高端市場滲透,與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網(wǎng)絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術發(fā)展和市場增長,我國功率半導體技
36、術水平也將不斷提升,為國內(nèi)功率半導體相關企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。5、市場空間巨大半導體產(chǎn)業(yè)是全球性產(chǎn)業(yè),全球產(chǎn)業(yè)景氣度是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大前提,但中國半導體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)生力更值得關注。半導體行業(yè)發(fā)源于歐美,日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中亦建立了先進的半導體工業(yè)體系。中國半導體起步晚,但近年來,國家高度重視半導體行業(yè)的發(fā)展,不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內(nèi)的半導體行業(yè)。隨著國內(nèi)大循環(huán)、國內(nèi)國際雙循環(huán)格局發(fā)展,國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品需求繼續(xù)增加,國內(nèi)功率半導體設計企業(yè)不斷成長,未來發(fā)展空間巨大。根據(jù)顧問機構InternationalBusinessStrategies(IBS)預測,到203
37、0年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升,到2030年將達到39.8%。預計到2030年,69%的消費量將來自中國本土公司,需求主要來自數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車、醫(yī)療等應用領域。三、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)щ娦远似骷?,其產(chǎn)品結(jié)構比較簡單,一般為單個PN節(jié)結(jié)構,只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今,陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管,廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路
38、中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件,具有放大、開關、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據(jù)結(jié)構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結(jié)型晶體管(Bipolarjunctiontransistor,BJT,俗稱
39、三極管)。 2、二極管、晶體管行業(yè)的市場規(guī)模及競爭格局2018年全球二極管市場規(guī)模達63.93億美元,市場空間廣闊。根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒數(shù)據(jù),中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據(jù)芯謀研究的有關數(shù)據(jù),2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結(jié)型晶體管(三極管)、MOSFET和IGBT。根據(jù)三種晶體管的市場規(guī)模估算,2019年,晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元;2020年,晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結(jié)型晶體管存在功耗偏大等問題,隨著全球節(jié)能減排的推行,其市場規(guī)模總體趨于衰退
40、,正在被MOSFET所取代;IGBT市場規(guī)模則以較高速度增長。市場競爭格局方面,三極管、MOSFET和IGBT三類產(chǎn)品的市場競爭格局有所不同。其中,全球三極管市場比較分散,MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業(yè)的未來發(fā)展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產(chǎn)品,對技術創(chuàng)新要求較高,會隨著應用領域的技術要求不斷提升,推動產(chǎn)品的技術升級,尤其是在消費類電子領域。晶體管中,雙極性結(jié)型晶體管(三極管)是電流型功率開關器件,價格低、功耗大,在少數(shù)價格敏感、感性負載驅(qū)動等應用中還有一定需求,但其正在被功率MO
41、SFET替代。近二十年來,消費類電子、網(wǎng)絡通訊、工業(yè)、安防等領域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴格,MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規(guī)模增長迅速。第四章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容(一)項目場地規(guī)模該項目總占地面積8000.00(折合約12.00畝),預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積13303.91。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx有限公司建設能力分析,建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xx件功率半導體,預計年營業(yè)收入10700.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生
42、產(chǎn)工藝技術水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整,各年生產(chǎn)綱領是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預測情況確定,同時,把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品(服務)名稱單位單價(元)年設計產(chǎn)量產(chǎn)值1功率半導體件xx2功率半導體件xx3功率半導體件xx4.件5.件6.件合計xx10700.00ICInsights發(fā)布的麥克林報告(McCleanReport2019)公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖,指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素,特別是
43、2010年以后,全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關性,2010-2018年的相關系數(shù)高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右,而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個,一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少,這是供應基礎的一個重大變化,也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟,這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯(lián)性。二是消費者驅(qū)動的
44、IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅(qū)動的,如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此,隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。第五章 建筑工程技術方案一、 項目工程設計總體要求(一)設計依據(jù)1、根據(jù)中國地震動參數(shù)區(qū)劃圖(GB18306-2015),擬建項目所在地區(qū)地震烈度為7度,本設計原料倉庫一、罐區(qū)、流平劑車間、光亮劑車間、化學消光劑車間、固化劑車間抗震按8度設防,其他按7度設防。2、根據(jù)擬建建構筑物用材料情況,所用材料當?shù)囟寄芙鉀Q。特殊建材(如:隔熱、防水、耐腐蝕材料)也可根據(jù)需要就地采購。3、施工過程中需要的的
45、運輸、吊裝機械等均可在當?shù)亟鉀Q,可以滿足施工、設計要求。4、當?shù)亟ㄖ藴屎图夹g規(guī)范5、在設計中盡量優(yōu)先選用當?shù)氐胤綐藴蕡D集和技術規(guī)定,以及省標、國標等,因地制宜、方便施工。(二)建筑設計的原則1、應遵守國家現(xiàn)行標準、規(guī)范和規(guī)程,確保工程安全可靠、經(jīng)濟合理、技術先進、美觀實用。2、建筑設計應充分考慮當?shù)氐淖匀粭l件,因地制宜,積極結(jié)合當?shù)氐牟牧?、構件供應和施工條件,采用新技術、新材料、新結(jié)構。建筑風格力求統(tǒng)一協(xié)調(diào)。3、在平面布置、空間處理、構造措施、材料選用等方面,應根據(jù)工程特點滿足防火、防爆、防腐蝕、防震、防噪音等要求。二、 建設方案(一)建筑結(jié)構及基礎設計本期工程項目主體工程結(jié)構采用全現(xiàn)澆鋼筋
46、混凝土梁板,框架結(jié)構基礎采用樁基基礎,鋼筋混凝土條形基礎。基礎工程設計:根據(jù)工程地質(zhì)條件,荷載較小的建(構)筑物采用天然地基,荷載較大的建(構)筑物采用人工挖孔現(xiàn)灌澆柱樁。(二)車間廠房、辦公及其它用房設計1、車間廠房設計:采用鋼屋架結(jié)構,屋面采用彩鋼板,墻體采用彩鋼夾芯板,基礎采用鋼筋混凝土基礎。2、辦公用房設計:采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構,多孔磚非承重墻體,屋面為現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構,基礎為鋼筋混凝土基礎。3、其它用房設計:采用磚混結(jié)構,承重型墻體,基礎采用墻下條形基礎。(三)墻體及墻面設計1、墻體設計:外墻體均用標準多孔粘土磚實砌,內(nèi)墻均用巖棉彩鋼板。2、墻面設計:生產(chǎn)車間的外墻墻面采
47、用水泥砂漿抹面,刷外墻涂料,內(nèi)墻面為乳膠漆墻面。辦公樓等根據(jù)使用要求適當提高裝飾標準。腐蝕性樓地面、地坪以及有防火要求的樓地面采用特殊地面做法。依據(jù)建設部、國家建材局關于建筑采用使用的規(guī)定,框架填充墻采用加氣混凝土空心砌塊墻體,磚混結(jié)構承重墻地上及地下部分采用燒結(jié)實心頁巖磚。(四)屋面防水及門窗設計1、屋面設計:屋面采用大跨度輕鋼屋面,高分子卷材防水面層,上人屋面加裝保護層。2、屋面防水設計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面均采用剛性防水。3、門窗設計:一般建筑物門窗,采用鋁合金門窗,對于變壓器室、配電室等特殊場所應采用特種門窗,具體做法可參見國家標準圖集。有防爆或者防火要求的生產(chǎn)車間,門窗設置應滿足防爆泄
48、壓的要求,玻璃應采用安全玻璃,凡防火墻上門窗均為防火門窗,參見國標圖集。(五)樓房地面及頂棚設計1、樓房地面設計:一般生產(chǎn)用房為水泥砂漿面層,局部為水磨石面層。2、頂棚及吊頂設計:一般房間白色涂料面層。(六)內(nèi)墻及外墻設計1、內(nèi)墻面設計:一般房間為彩鋼板,控制室采用水性涂料面層,衛(wèi)生間采用衛(wèi)生磁板面層。2、外墻面設計:均涂裝高級彈性外墻防水涂料。(七)樓梯及欄桿設計1、樓梯設計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土樓梯。2、欄桿設計:車間內(nèi)部采用鋼管欄桿,其它采用不銹鋼欄桿。(八)防火、防爆設計嚴格遵守建筑設計防火規(guī)范(GB50016-2014)中相關規(guī)定,滿足設備區(qū)內(nèi)相關生產(chǎn)車間及輔助用房的防火間距、安全疏散、及
49、防爆設計的相關要求。從全局出發(fā)統(tǒng)籌兼顧,做到安全適用、技術先進、經(jīng)濟合理。(九)防腐設計防腐設計以預防為主,根據(jù)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的介質(zhì)的腐蝕性、環(huán)境條件、生產(chǎn)、操作、管理水平和維修條件等,因地制宜區(qū)別對待,綜合考慮防腐蝕措施。對生產(chǎn)影響較大的部位,危機人身安全、維修困難的部位,以及重要的承重構件等加強防護。(十)建筑物混凝土屋面防雷保護車間、生活間等建筑的混凝土屋面采用10鍍鋅圓鋼做避雷帶,利用鋼柱或柱內(nèi)兩根主筋作引下線,引下線的平均間距不大于十八米(第類防雷建筑物)或25.00米(第類防雷建筑物)。(十一)防雷保護措施利用基礎內(nèi)鋼筋作接地體,并利用地下圈梁將建筑物的四周的柱子基礎接通,構成環(huán)形
50、接地網(wǎng),實測接地電阻R1.00(共用接地系統(tǒng))。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積13303.91,其中:生產(chǎn)工程9055.79,倉儲工程1801.15,行政辦公及生活服務設施1636.55,公共工程810.42。建筑工程投資一覽表單位:、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程2501.609055.791259.131.11#生產(chǎn)車間750.482716.74377.741.22#生產(chǎn)車間625.402263.95314.781.33#生產(chǎn)車間600.382173.39302.191.44#生產(chǎn)車間525.341901.72264.422倉儲工程1132.801801.1
51、5178.682.11#倉庫339.84540.3553.602.22#倉庫283.20450.2944.672.33#倉庫271.87432.2842.882.44#倉庫237.89378.2437.523辦公生活配套295.941636.55254.433.1行政辦公樓192.361063.76165.383.2宿舍及食堂103.58572.7989.054公共工程802.40810.4281.70輔助用房等5綠化工程1040.8018.41綠化率13.01%6其他工程2239.205.767合計8000.0013303.911798.11第六章 運營管理模式一、 公司經(jīng)營宗旨依據(jù)有關法律
52、、法規(guī),自主開展各項業(yè)務,務實創(chuàng)新,開拓進取,不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務質(zhì)量,改善經(jīng)營管理,促進企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展,努力實現(xiàn)股東利益的最大化,促進行業(yè)的快速發(fā)展。二、 公司的目標、主要職責(一)目標近期目標:深化企業(yè)改革,加快結(jié)構調(diào)整,優(yōu)化資源配置,加強企業(yè)管理,建立現(xiàn)代企業(yè)制度;精干主業(yè),分離輔業(yè),增強企業(yè)市場競爭力,加快發(fā)展;提高企業(yè)經(jīng)濟效益,完善管理制度及運營網(wǎng)絡。遠期目標:探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌,提升企業(yè)核心競爭力。此外,面向國際、國內(nèi)兩個市場,優(yōu)化資源配置,實施多元化戰(zhàn)略,向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展,力爭利用3-5年的時間把公司建設成具有先進管理水
53、平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。(二)主要職責1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策,在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下,以市場需求為導向,依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、功率半導體行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求,制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、根據(jù)國家法律、法規(guī)和功率半導體行業(yè)有關政策,優(yōu)化配置經(jīng)營要素,組織實施重大投資活動,對投入產(chǎn)出效果負責,增強市場競爭力,促進區(qū)域內(nèi)功率半導體行業(yè)持續(xù)、快速、健康發(fā)展。4、深化企業(yè)改革,加快結(jié)構調(diào)整,轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制,建立現(xiàn)代企業(yè)制度,強化內(nèi)部管理,促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。5、指導和加強企業(yè)思想政治工作和精神文明建設,統(tǒng)一管
54、理公司的名稱、商標、商譽等無形資產(chǎn),搞好公司企業(yè)文化建設。6、在保證股東企業(yè)合法權益和自身發(fā)展需要的前提下,公司可依照公司法等有關規(guī)定,集中資產(chǎn)收益,用于再投入和結(jié)構調(diào)整。三、 各部門職責及權限(一)銷售部職責說明1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標和銷售成本控制指標,并負責具體落實。2、依據(jù)公司年度銷售指標,明確營銷策略,制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡,并對任務進行分解,策劃組織實施銷售工作,確保實現(xiàn)預期目標。3、負責收集市場信息,分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展狀況等,并定期將信息報送商務發(fā)展部。4、負責按產(chǎn)品銷售合同規(guī)定收款和催收,并將相關收款情況報送商務發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶,
55、整理和歸納客戶資料,掌握客戶情況,進行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表,并將相關數(shù)據(jù)及時報送商務發(fā)展部總經(jīng)理。7、負責市場物資信息的收集和調(diào)查預測,建立起牢固可靠的物資供應網(wǎng)絡,不斷開辟和優(yōu)化物資供應渠道。8、負責收集產(chǎn)品供應商信息,并對供應商進行質(zhì)量、技術和供就能力進行評估,根據(jù)公司需求計劃,編制與之相配套的采購計劃,并進行采購談判和產(chǎn)品采購,保證產(chǎn)品供應及時,確保產(chǎn)品價格合理、質(zhì)量符合要求。9、建立發(fā)運流程,設計最佳運輸路線、運輸工具,選擇合格的運輸商,嚴格按公司下達的發(fā)運成本預算進行有效管理,定期分析費用開支,查找超支、節(jié)支原因并實施控制。10、負責對部門員工進行業(yè)務素質(zhì)、產(chǎn)品知識培訓和考核等工作,不斷培養(yǎng)、挖掘、引進銷售人才,建設高素質(zhì)的銷售隊伍。(二)戰(zhàn)略發(fā)展部主要職責1、圍繞公司的經(jīng)營目標,擬定項目發(fā)實施方案。2、負責市場信息的收集、整理和分析,定期編制信息分析報告,及時報送公司領導和相關部門;并對各部門信息的及時性和有效性進行考核。3、負責對產(chǎn)品供應商質(zhì)量管理、技術、供應能力和財務評估情況進行匯總,編制供應商評估報告,擬定
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