模擬電路基礎測試題精

1、模擬電路基礎測試題模擬電路基礎測試題一：填空題(每題 1 分，共 15 分)特性。1. PN 結的基本特性是下降為 1 時的頻率。2. 雙極型晶體管(BJT)的特征頻率是指使分貝。3.某放大器的電壓增益 AV=-70.7 倍。該增益換算成分貝應為。4. 當 N 溝道結型場效應管(JFET)內(nèi)的溝道預夾斷時，VGS和 VDS滿足關系式作負載。5. 在集成放大器內(nèi)部電路中，為了提高電壓增益，常采用放大器的一個特有的現(xiàn)象。6. 零點漂移是將決定放大器的截止頻7. 當放大器小信號模型中只有一個獨立電容時，該電容的率。負反饋。8. 如果要使放大器的輸入電阻增加，可以采用條件在其應用電路中能夠滿足。9.

2、理想運放分析法的實質是。10.放大器增益的對數(shù)頻率特性曲線又稱為工作。11. 變?nèi)荻O管利用反偏二極管的失12. 當放大器輸出信號的頻率分量與輸入信號不完全相同時，放大器出現(xiàn)了真。失真使得輸出波形畸變更嚴重。13. 乙類功放在小信號工作時，因負反饋。14. 要使負載變化是放大器的輸出電壓的變化減小，可對放大器采用15. 當集成放大器內(nèi)部需要微電流時，采用微電流恒流源要優(yōu)于采用基本鏡像恒流源。原因之一是：三：單項選擇題（每題 1 分，共 10 分）1. 圖 1 所示硅二極管電路中的vi(t)是振幅等于 2v 的低頻正弦電壓。該電路中，電阻 RL上的電壓vo(t)的波形應該為()。B.A.D.C.

3、2. 測得某放大器中一支 BJT 的三個電極的直流電壓為：-0.1v,+7.3v 和-0.82v。由此可以判斷，該管是()。D. PNP 鍺管C. PNP 硅管B. NPN 鍺管A. NPN 硅管3. 在下面關于放大器的四鐘說法中，只有()是肯定正確的。B. 放大器有電壓放大功能A. 放大器有功率放大功能D. 放大器的增益帶寬積為常數(shù)C. 放大器有電流放大功能4. FET 共漏(CD)放大器與 BJT 放大器中的（）組態(tài)性能相似。D.CE-CBC. CBB.CEA. CC5. 圖 2 是 OTL 功放原理電路，該電路最大輸出功率的理論值為（）W。D. 2.25C. 4.5B.9A.186. 接

4、上題。在選擇功率管 T1和 T2時，每管的集電極最大耗散功率 PCM必須大于（）W。D. 0.45C. 0.9EMBED Forms.HTML:Option.1B. 1.87. 接 5 題。在靜態(tài)時，OTL 功放中與負載串聯(lián)的電容中的電壓應該為()伏。D. 12C. 6a aB. 3A. 1.5a a8. 將圖 3 電路中的電阻()換成電容，電路的功能改變?yōu)槲⒎蛛娐?。D.R4C.R3B.R2A.R19. 如果用電壓比表示用信號流圖畫出的反饋放大器（圖 4）的環(huán)路傳輸 T,則 T=()。D.vf/vsC.vs/vfB.vf/ viA.vi/ vf10. 在下面 4 種基本放大器組態(tài)中，電路()的小信號范圍最小 。B. CS 放大器A. CE 放大器D. CS 差動放大器C. CE 差動放大器11.晶體管特性曲線不能用來()。B. 估算晶體管的一些參數(shù)A.判斷管子的質量D.圖解分析放大器的指標C.分析放大器的頻率特性12.通用集成運算放大器內(nèi)部電路不具有()的特性。B. 輸入電阻大A.開環(huán)增益高D.輸出電阻小C.深度負反饋13.在圖 3 所示運放應用電路中，稱為“虛地”的點是（）點。D.DC.CB.BA.A14.在以下關于深負反饋的論述中，()是錯誤的。A. 深負反饋，放大器增益與晶體管參數(shù)幾乎無關B. 深負反饋，放大器不易自激C. 深負反饋，放大器中頻段增益穩(wěn)定性很高D. 深負