LED芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

1、WORD格式文件編號QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁次第 1頁共6頁修訂記錄日期版次修訂條款修訂內(nèi)容簡述修訂人備注專業(yè)資料整理WORD格式編制/日期：審核 /日期：批準(zhǔn) /日期 ：專業(yè)資料整理WORD格式會簽專業(yè)資料整理WORD格式總經(jīng)辦財(cái)務(wù)中心營銷中心市場部研發(fā)資材中心采購倉庫專業(yè)資料整理WORD格式體系課工程辦人力資源行政事業(yè)部品保工程設(shè)備處 OJT運(yùn)營中心照明燈絲插件 COB工程設(shè)備 IE SMD本資料為源磊科技之所有財(cái)產(chǎn)，未經(jīng)書面許可不準(zhǔn)透露或使用本資料，亦不準(zhǔn)復(fù)印、復(fù)制或轉(zhuǎn)變成其它形式使用。專業(yè)資料整理WORD格式文件編號QA-WI-064文件名稱正

2、裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁次第2頁共6頁1. 目的標(biāo)準(zhǔn)公司內(nèi)LED 正裝芯片檢驗(yàn)判定標(biāo)準(zhǔn)。防止不合格原材料流入產(chǎn)線，提高生產(chǎn)良率。2. X圍適用于公司LED 正裝芯片類產(chǎn)品3. 定義CR ：功能不正常嚴(yán)重影響信賴性或嚴(yán)重影響成品規(guī)格或嚴(yán)重影響客戶作業(yè)等。MA ：成品質(zhì)量有明顯性或潛在性的影響而不能正常使用。MI ：使用上有一定的影響，但不是功能上的影響。4. 權(quán)責(zé)品保部：品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的建立、修改、執(zhí)行及相關(guān)品質(zhì)記錄。5. 內(nèi)容5.1 抽樣依據(jù)：依照"MIL-STD-105E "并結(jié)合實(shí)際情況。5.2 必須是合格供應(yīng)商，成認(rèn)書和環(huán)保資料齊全，才可進(jìn)展下一步，否那么拒絕

3、檢驗(yàn)。5.3 檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) :檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷資料1.型號、數(shù)量、參數(shù)與送無全檢目視CR檢查貨單據(jù)一致送貨單1.包裝完好，紙盒整齊、芯片靜電袋、 藍(lán)膜完好無包裝全檢，包裝標(biāo)識破損，無受潮現(xiàn)象無藍(lán)膜抽 10目視CR2. 可使用期限必須在保X檢查質(zhì)期內(nèi)一半及以上電極芯片正負(fù)極氧化變色10 X藍(lán)膜 /顯微鏡 *20MA變色允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批外觀檢同一片中不同芯片間和測一顆芯片正負(fù)電極間顏10 X藍(lán)膜 /電極顯微鏡 *20MA色差色差異大批允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有電極上探針痕跡不得超探針過電極面積的 1/3 ，不可10 X藍(lán)膜 /顯微鏡 *20MA痕跡露底材， 不可

4、偏移超過電批極X圍專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件編號QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁次第3頁共6頁芯片破損、增生、形狀大小不規(guī)那么、裂紋，切割允收標(biāo)準(zhǔn)：10 X藍(lán)膜 /MA不良芯片破損增生面積顯微鏡 *20批1/5 芯片面積 ,裂紋不可有。芯片外表的電極區(qū)域有刮傷的痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)： 芯片任一電極刮電極10 X藍(lán)膜 /MA傷面積該電極面積的顯微鏡 *20刮花批1/5非電極區(qū)： 非電極區(qū)刮傷面積該芯片面積的1/4且不可損傷到 PN 結(jié)。外專業(yè)資料整理WORD格式觀檢測芯片表

5、面臟污掉電極排列方向錯誤芯片外表有污染痕跡允收標(biāo)準(zhǔn)：電極區(qū)： 污染面積該電10 X藍(lán)膜 /MA極面積的 1/5顯微鏡 *20批非電極區(qū)： 污染面積該芯片面積的 1/41.電極脫落，有缺口允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有10 X藍(lán)膜 /2.金手指脫落CR顯微鏡 *20允收標(biāo)準(zhǔn)：距離電極批1/2以內(nèi)脫落不可承受芯片中有一排列或幾排列與其他多數(shù)材料10 X藍(lán)膜 /CR排列方向相反， 排列不整顯微鏡 *20批齊專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件名稱外表多金外觀檢測外表漏洞尺寸芯片檢尺寸測文件編號QA-WI-064正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件

6、版次A/0文件頁次第4頁共6頁芯片外表任何地方有多10 X藍(lán)膜 /出的殘金CR顯微鏡 *20允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批芯片任何部位有漏洞、燒黑或其他疑似擊穿現(xiàn)象10 X藍(lán)膜 /CR顯微鏡 *45允收標(biāo)準(zhǔn)：不可有批每批抽10PCS 檢驗(yàn)芯片的長、寬，及電極正負(fù)極無10PCS二次元CR尺寸是否在規(guī)格X圍內(nèi)校正過的廠商芯片每批抽 0.5K 測試 DVF ，VFM11 和 VFM12 設(shè)置1uA ， DVF1 設(shè)置為規(guī)格專業(yè)資料整理WORD格式DVF電流，時間設(shè)置為5ms，無0.5K裸晶測試儀CR未校正的廠商芯片暫無法測試。允收標(biāo)準(zhǔn)：-0.1V<DVF<0.1V校正過的廠商芯片每批性進(jìn)料抽 0.5

7、K 測試 VFD2 ，能未校正的廠商芯片暫無檢法測試無0.5K裸晶測試儀CR閘流體允收標(biāo)準(zhǔn)：電流測5mA 時3V 檔芯片 VFD2<0.05V9V 檔芯片 VFD2<0.1V18V 檔芯片 VFD2<0.15V校正過的廠商芯片每批進(jìn)料抽 0.5K 測試；未校正向正的廠商芯片每批進(jìn)料裸晶測試儀 /積抽 10PCS 測試。無0.5K/10PCSCR電壓分球 /IS 機(jī)允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽電壓±0.1V ，且平均值在標(biāo)簽X圍內(nèi)；專業(yè)資料整理WORD格式檢驗(yàn)工程檢驗(yàn)內(nèi)容及標(biāo)準(zhǔn)不良圖示及說明抽樣水準(zhǔn)檢驗(yàn)方法、 工具缺陷專業(yè)資料整理WORD格式文件編號QA-WI-064文件名稱正裝芯

8、片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁次第 5頁共6頁校正過的廠商芯片每批進(jìn)料抽 0.5K測試；未校裸晶測試儀 /積反向無0.5K/10PC S正的廠商芯片每批進(jìn)料分球 /ISCR電流機(jī)抽 10PCS 測試，測試條件和判定按規(guī)格書標(biāo)準(zhǔn)。校正過的廠商芯片每批進(jìn)料抽0.5K 測試；未校正的廠商芯片每批進(jìn)料裸晶測試儀 /積波長抽 10PCS 測試。 無 0.5K/10PC S CR 分球 /IS 機(jī)允收標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)簽波長± 1nm ，且平均值在標(biāo)簽X圍內(nèi)正裝雙電極芯片每批進(jìn)料抽 0.5K 測試 PO 值 mw，其它類型的芯片暫無法測試亮度允收標(biāo)準(zhǔn)： 實(shí)測平均值在0.5K裸晶測試儀MA檢測無標(biāo)簽X圍

9、內(nèi)， 最小值不低于芯片標(biāo)簽下限的5% ，且低于標(biāo)簽下限的數(shù)量占測試數(shù)量比例不得超過 10% ，不管控上限。每批進(jìn)料抽 10PCS 用反向 2000V 擊打，然后測試靜電IR無10PCS靜電測試儀檢測/允收標(biāo)準(zhǔn)： 按成認(rèn)書標(biāo)準(zhǔn)裸晶測試儀判定 IR2 ，通過率不低于80%靜電檢測后的芯片用小電流再測試啟動電壓；其中 3V 檔、6V 檔和 9V 檔芯片用 1uA 測試 VF5 ，18V檔和 24V 檔芯片用啟動10uA 測試 VF410PCSCR電壓無裸晶測試儀允收標(biāo)準(zhǔn)：3V檔芯片： VF5 ：2-2.8V6V檔芯片： VF5 ：4-5.5V9V檔芯片： VF5 ： 6-8V18V檔芯片：VF4 ：12-16V24V檔芯片：VF4 ：16-21V專業(yè)資料整理WORD格式6、參考文件專業(yè)資料整理WORD格式文件編號QA-WI-064文件名稱正裝芯片進(jìn)料檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件版次A/0文件頁次第6頁共6頁"產(chǎn)品檢驗(yàn)控制程序"YL-