雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

1、測(cè)試目的;雙脈沖測(cè)試法可以便捷的測(cè)試 IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性能，獲取 IGBT穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)過程中的主要參數(shù)，用以評(píng)估IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)的性 能，并進(jìn)行電路參數(shù)的優(yōu)化。具體包括測(cè)試IGBT的實(shí)際工況、開關(guān)損耗、關(guān)斷電壓尖峰、開 關(guān)暫態(tài)震蕩情況、二極管反向恢復(fù)電流、雜散電感影響、吸收電路影 響、 短路保護(hù)功能等，可以通過測(cè)試進(jìn)行優(yōu)化柵極電阻RGon和RGff參數(shù)、吸收電路參數(shù)、開關(guān)頻率設(shè)置等，并可以進(jìn)行IGBT模塊的并聯(lián)和串聯(lián)實(shí)驗(yàn)。二、測(cè)試項(xiàng)目1）測(cè)試IGBT開關(guān)波形和開關(guān)損耗2）驗(yàn)證IGBT的安全工作區(qū)域3）驗(yàn)證二極管的安全工作區(qū)域4）分析主回路雜散電感影響5）進(jìn)行短路保護(hù)測(cè)試6）進(jìn)行IGBT并聯(lián)

2、測(cè)試7）優(yōu)化IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)8）吸收電路等參數(shù)，開通關(guān)斷電阻的參數(shù)9）對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能三、測(cè)試方法1開通關(guān)斷特性1）整體測(cè)試系統(tǒng)1 f肚 *12）可測(cè)試項(xiàng)目開通關(guān)斷電阻的參數(shù)；二極管的反向恢復(fù)特性；主回路雜散 電感；IGBT的開關(guān)波形和開關(guān)損耗；驅(qū)動(dòng)電路的寄生參數(shù)。3）雙脈沖測(cè)試過程VgeT1雙脈沖波形圖1 T1開通時(shí)刻圖2 T2關(guān)斷時(shí)刻圖3 T3開通時(shí)刻（二極管反向恢復(fù)）圖4 T3開通時(shí)刻2短路測(cè)試1）整體測(cè)試系統(tǒng)圖5短路測(cè)試方法1圖6短路測(cè)試方法2圖5中上管很重要，他給出了短路后的續(xù)流回路，缺點(diǎn)是短路電纜感無(wú)法控制

3、；圖6所示的測(cè)試電路中短路回路中的電感量穩(wěn)定， 短路回路的電流變化率高，通常選用圖6方案。2）可測(cè)試項(xiàng)目模塊的短路性能，驅(qū)動(dòng)模塊的性能，母線的雜散電感。3二極管測(cè)試1）整體測(cè)試系統(tǒng)圖7二極管測(cè)試電路2）可測(cè)試項(xiàng)目并聯(lián)二極管的安全工作區(qū)；二極管的反向恢復(fù)電流的 di/dt ;二 極管的反向恢復(fù)電流的峰值；反向恢復(fù)后電流是否有震蕩，拖尾有多長(zhǎng)，震蕩，拖尾有多長(zhǎng)；Vce電壓是否正確變化；測(cè)算出損耗。3）雙脈沖測(cè)試過程illf2Auad1 -I Hiiir圖8上管第一個(gè)脈沖開通時(shí)刻圖9上管第一個(gè)脈沖關(guān)斷時(shí)刻圖10上管第二個(gè)脈沖開通時(shí)刻（二極管反向恢復(fù)）圖11上管第二個(gè)脈沖開通時(shí)刻四、系統(tǒng)方案DCkMVX卜J倜魄傘電理ITTsiAC2?fiV hjw12a I. LIX-IIXWVWJKMF認(rèn)電網(wǎng)滕一一 一一一nr2ivi-|vDCI5VUPvIlifc卜 LAt 22mDC血電H XTil圖12雙脈沖測(cè)試平臺(tái)圖13五、需要的設(shè)備1）高壓電源2）電容組疊直流母排3）疊層直流母排4）負(fù)載電感（可以自己繞制）5）被測(cè)IGBT及驅(qū)動(dòng)電路5.被測(cè)IGBT及驅(qū)動(dòng)電路6）示波器（最好是4