物質(zhì)結(jié)構(gòu)高考題匯總附詳解

1、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)模塊高考真題匯總1.（2013年江蘇）元素X 位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。元素Z 的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。（1）X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。 在1個(gè)晶胞中，X離子的數(shù)目為                  。 該化合物的化學(xué)式為       

2、;          。（2）在Y的氫化物分子中，Y原子軌道的雜化類型是                   。（3）Z的氫化物在乙醇中的溶解度大于Y的氫化物，其原因是             

3、60;        。（4）Y 與Z 可形成YZ42YZ42的空間構(gòu)型為                           。寫出一種與YZ42互為等電子體的分子的化學(xué)式：       

4、                   。（5）X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物X(NH3)4Cl2，1mol該配合物中含有鍵的數(shù)目為           。2.（2013年海南）圖A所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系中（具體反應(yīng)條件略），a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質(zhì)，其余均為它們的化合物，i的溶液為常見

5、的酸，a的一種同素異形體的晶胞如圖B所示?；卮鹣铝袉栴}：（1）圖B對(duì)應(yīng)的物質(zhì)名稱是          ，其晶胞中的原子數(shù)為       ，晶體類型為      。（2）d中元素的原子核外電子排布式為         。（3）圖A中由二種元素組成的物質(zhì)中，沸點(diǎn)最高的是  ，原因是  

6、; ，該物質(zhì)的分子構(gòu)型為   ，中心原子的雜化軌道類型為    。（4）圖A中的雙原子分子中，極性最大的分子是     。（5）k的分子式為  ，中心原子的雜化軌道類型為   ，屬于  分子（填“極性”或“非極性”）。3.（2013年新課標(biāo)1）硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請(qǐng)回答下列問題：（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為  ，該能層具有的原子軌道數(shù)為  ，電子數(shù)為  。（2）硅主要以硅酸鹽、 &

7、#160;等化合物的形式存在于地殼中。（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)          個(gè)原子。（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為     

8、                                 。（5）碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí)：化學(xué)鍵CCCHCOSiSiSiHSiO鍵能/kJ mol-1356413336226318452硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都

9、遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是       。SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是                            。（6）在硅酸鹽中，SiO44-四面體（如下圖（a）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為

10、一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為      ，Si與O的原子數(shù)之比為         ，化學(xué)式為                  。4.（2013年新課標(biāo)2） 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A，B，C，D中，A和B的價(jià)電子層中未成對(duì)電子

11、均只有1個(gè)，平且A-和B+的電子相差為8；與B位于同一周期的C和D，它們價(jià)電子層中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2。       回答下列問題：（1）D2+的價(jià)層電子排布圖為_。（2）四種元素中第一電離最小 的是_，電負(fù)性最大的是_。（填元素符號(hào)）（3）A、B和D三種元素責(zé)成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示。 該化合物的化學(xué)式為_；D的配位數(shù)為_； 列式計(jì)算該晶體的密度_g·cm-3。（4）A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6，期中化學(xué)鍵的類型有 _；該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離

12、子，該離子的化學(xué)式為 _，配位體是_。5.（2013年山東）鹵族元素包括F、Cl、Br等。（1）下列曲線表示鹵族元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢(shì)，正確的是           。（2）利用“鹵化硼法”可合成含B和N兩種元素的功能陶瓷，下圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為         ，該功能陶瓷的化學(xué)式為      

13、    。（3）BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為       和        。第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有       種。（4）若BCl3與XYn通過B原子與X原子間的配位鍵結(jié)合形成配合物，則該配合物中提供孤對(duì)電子的原子是       

14、60;   。6.（2013福建理科綜合）(1)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律，C、N、O第一電離能大小排列是_(2)NF3可由NH3和F2在Cu催化劑存在下反應(yīng)直接得到：上述化學(xué)方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_(填序號(hào))a離子晶體   b分子晶體   c原子晶體   d金屬晶體基態(tài)銅原子的核外電子排布式為_(3)BF3與一定量水形成(H2O)2BF3晶體Q，Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R：晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及_(填序號(hào)) a離子鍵 b共價(jià)鍵  c配位鍵

15、60;d金屬鍵 e氫鍵 f范德華力R中陽離子的空間構(gòu)型為_，陰離子的中心原子軌道采用_雜化(4)已知苯酚()具有弱酸性，其Ka=1.1×10-10；水楊酸第一級(jí)電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵據(jù)此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊 酸)_Ka(苯酚)(填“”或“”)，其原因是 7.（2014課標(biāo)1）早期發(fā)現(xiàn)的一種天然準(zhǔn)晶顆粒由三種Al、Cu、Fe元素組成?；卮鹣铝袉栴}：（1）準(zhǔn)晶是一種無平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過 方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。（2）基態(tài)鐵原子有 個(gè)未成對(duì)電子，三價(jià)鐵離子的電子排布式為： 可用硫氰化鉀奉驗(yàn)三價(jià)鐵離子，形成

16、配合物的顏色為 （3）新制備的氫氧化銅可將乙醛氧化為乙酸，而自身還原成氧化亞銅，乙醛中碳原子的雜化軌道類型為 ；一摩爾乙醛分子中含有的鍵的數(shù)目為： 。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是： 。氧化亞銅為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有四個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，則該晶胞中有 個(gè)銅原子。（4）鋁單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a0405nm，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。列式表示鋁單質(zhì)的密度 g·cm3(不必計(jì)算出結(jié)果)8.（2014課標(biāo)2）周期表前四周期的元素a、b、c、d、e，原子序數(shù)依次增大。a的核外電子總數(shù)與其周期數(shù)相同，b的價(jià)電子層中未成對(duì)電子有3個(gè)，c的最外層電子數(shù)為其內(nèi)

17、層電子數(shù)的3倍，d與c同族；e的最外層只有1個(gè)電子，但次外層有18個(gè)電子?；卮鹣铝袉栴}；(1)b、c、d中第一電離能最大的是_(填元素符號(hào))，e的價(jià)層電子軌道示意圖為_ 。(2)a和其他元素形成的二元共價(jià)化合物中，分子呈三角錐形，該分子的中心原子的雜化方式為_；分子中既含有極性共價(jià)鍵、又含有非極性共價(jià)鍵的化合物是_(填化學(xué)式，寫出兩種)。(3)這些元素形成的含氧酸中，分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3的酸是_；酸根呈三角錐結(jié)構(gòu)的酸是_。(填化學(xué)式)(4)e和c形成的一種離子化合物的晶體結(jié)構(gòu)如圖(a)，則e離子的電荷為_。(5)這5種元素形成的一種11型離子化合物中，陰離子呈四面體結(jié)構(gòu)；陽離子呈軸

18、向狹長(zhǎng)的八面體結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。 (a)(b)該化合物中，陰離子為_，陽離子中存在的化學(xué)鍵類型有_；該化合物加熱時(shí)首先失去的組分是_，判斷理由是_。9.（2014年山東）（12分）【化學(xué)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】石墨烯（圖甲）是一種由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型碳材料，石墨烯中部分碳原子被氧化后，其平面結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變，轉(zhuǎn)化為氧化石墨烯（圖乙）   圖甲 石墨烯結(jié)構(gòu) 圖乙氧化石墨烯結(jié)構(gòu)（1）圖甲中，1號(hào)C與相鄰C形成鍵的個(gè)數(shù)為_。（2）圖乙中，1號(hào)C的雜化方式是_，該C與相鄰C形成的鍵角_（填“>”“<”或“=”）圖甲中1號(hào)C與相鄰C形成的鍵角。（3）若將圖乙所示的氧化石墨烯分散到

19、H2O中，則氧化石墨烯可與H2O形成氫鍵的原子有_（填元素符號(hào)）。（4）石墨烯可轉(zhuǎn)化為富勒烯（C60），某金屬M(fèi)與C60可制備一種低溫超導(dǎo)材料，晶胞如圖丙所示，M原子位于晶胞的棱上與內(nèi)部。該晶胞中M原子的個(gè)數(shù)為_，該材料的化學(xué)式為_。圖丙1. （2013年江蘇）（1）4 （1分） ZnS（1分） （2）sp3（2分）（3）水分子與乙醇分子之間形成氫鍵（2分）（4）正四面體（1分）  CCl4或SiCl4等（1分）（5）16NA或16×6. 02×1023個(gè)（2分）1、解析：元素X 位于第四周期，基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，所以內(nèi)層電子數(shù)2+

20、8+1828，且最外層電子數(shù)為2，所以該原子有30個(gè)電子，為Zn元素；元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有4個(gè)電子，則Y是S元素；元素Z的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍，元素最外層電子數(shù)小于或等于8，所以Z是O元素。（1）根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)并依據(jù)均攤法可知，X離子數(shù)目1/8×8+1/2×6=4。 該晶胞中Y離子數(shù)目4，所以X和Y離子數(shù)目之比等于4:4即1:1，所以該化合物的化學(xué)式為ZnS。（2）在H2S中硫原子的價(jià)層電子數(shù)=2(62×1)÷24，所以采用sp3雜化。（3）在乙醇的水溶液中，水分子和乙醇分子之間易形成氫鍵，氫鍵的存在導(dǎo)致其溶解性增大。（4）SO42-中

21、價(jià)層電子數(shù)4(624×2)÷24，由于沒有孤電子對(duì)，所以是正四面體結(jié)構(gòu)。原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)均相等的是等電子體，所以與YZ42互為等電子體的分子的化學(xué)式為CCl4或SiCl4等。（5）單鍵都是鍵，所以1mol配合物X（NH3）4Cl2中，鍵數(shù)目（3×44）NA16NA。注意配位鍵也是鍵。2.（1）金剛石   8 原子晶體  （2）1s22s22p63s23p5   （3）H2O  分子間形成氫鍵  V形（或角形） sp3 

22、0;（4）HCl （5）COCl2  sp2  極性2、解析：a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見單質(zhì)，b與c反應(yīng)生成水，故b、c分別為H2、O2中的一種，a的一種同素異形體的晶胞中每個(gè)原子周圍有4個(gè)鍵，判斷為金剛石，則a為C，則b為H2、c為O2，由轉(zhuǎn)化關(guān)系可知，f為CO，g為CO2，因i是常見的酸，只由b、d形成可判斷為鹽酸，則d為Cl2，i為HCl，而k與水反應(yīng)生成CO2與鹽酸，該反應(yīng)沒在教材中出現(xiàn)過，且由f、d反應(yīng)得到，應(yīng)含C、O、Cl三種元素，只能判斷為COCl2，（1）有上述分析可知，圖B對(duì)應(yīng)的位置為金剛石，該晶胞中C原子數(shù)目=4+8&#

23、215;1/8+6×1/2=8，屬于原子晶體，（2）d中元素為Cl元素，基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p5；（3）所有兩元素形成的物質(zhì)中，水分子之間存在氫鍵，常溫下是液態(tài)，其它都是氣體，故水的沸點(diǎn)最高，水分子中O原子呈2個(gè)鍵、含有2對(duì)孤電子對(duì)，故為V型結(jié)構(gòu)，（4）所有雙原子分子中，只有H、Cl電負(fù)性差值最大，因而HCl的極性最大，故答案為：HCl；（5）k的分子式為COCl2，COCl2中C原子成3個(gè)鍵、1個(gè)鍵，沒有孤電子對(duì)，C原子采取sp2雜化，為平面三角形結(jié)構(gòu)，分子中正負(fù)電荷中心不重合，屬于極性分子，3.（2013年新課標(biāo)1）（1）M  

24、60;   9       4（2）二氧化硅（3）共價(jià)鍵       3（4）Mg2Si + 4NH4Cl = SiH4 + 4NH3 + 2MgCl2（5）CC鍵和CH鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SiH鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于CO鍵，CH鍵比CO鍵穩(wěn)定。而SiH鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于SiO鍵，所以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵。（6）sp3  

25、0;      13         SiO3n2n- (或SiO 32-)3、解析： （1）原子中，離原子核越遠(yuǎn)的電子層其能量越高，所以Si原子中M電子層能量最高；該原子中含有3個(gè)s軌道、6個(gè)p軌道，所以一共有9個(gè)軌道，（2）硅屬于親氧元素，在自然界中不能以單質(zhì)存在，主要以二氧化硅和硅酸鹽存在。（3）硅單質(zhì)中硅硅之間以共價(jià)鍵結(jié)合，硅晶胞中每個(gè)頂點(diǎn)上有1個(gè)Si、面心是有1個(gè)Si、在晶胞內(nèi)部含有4個(gè)Si原子，利用均攤法知，面心提供的硅原子個(gè)數(shù)=6×1/2=3

26、，（4）可使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍(lán)的氣體是氨氣，再根據(jù)元素守恒知還生成氯化鎂MgCl2，所以反應(yīng)方程式為：Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2，（5）鍵能越大形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定，C-C鍵和C-H鍵的鍵能大于Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能，所以C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定，而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成；鍵能越大形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定，C-H鍵的鍵能大于Si-H鍵的鍵能，而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵，（6）根據(jù)圖片知，每個(gè)三角錐結(jié)構(gòu)中Si原子是1個(gè)，O原子個(gè)數(shù)=

27、2+2×1/2=3，所以硅原子和氧原子個(gè)數(shù)之比=1：3，3個(gè)O原子帶6個(gè)單位負(fù)電荷，每個(gè)硅原子帶4個(gè)單位正電荷，所以形成離子為SiO3n2n- （或SiO32-），4、（1） （2）K F (3) K2NiF4 6 3.4 (4) 離子鍵和配位鍵 F4、解析：A和B的價(jià)電子層中未成對(duì)電子均只有1個(gè)，并且A和B+的電子相差為8。又因?yàn)锳的原子序數(shù)小于B的原子序數(shù)，則A應(yīng)該是F，B是K；K是第四周期，元素，與B位于同一周期的C和D，它們價(jià)電子層中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4和2，且原子序數(shù)相差為2，實(shí)驗(yàn)根據(jù)C的原子序數(shù)小于D的可知，C是Fe，D是Ni。（1）根據(jù)構(gòu)造原理可知，D2+的

28、電子排布式為1s22s22p63s23p63d8。價(jià)層電子排布圖為：（2）金屬性越強(qiáng)，第一電離能越小，非金屬越大，電負(fù)性越大，所以四種元素中第一電離最小的是K，電負(fù)性最大的是F。（3）根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知，K原子的個(gè)數(shù)是8×1/2+2=4；Ni原子個(gè)數(shù)是8×1/8+1=2;F原子的個(gè)數(shù)是16×1/4+4×1/2+2=8，K、Ni 、F原子個(gè)數(shù)比為4:2:8,所以該化合物的化學(xué)式是K2NiF4。根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知，中間的立方體中Ni原子周圍最近的F原子個(gè)數(shù)是6，既配位數(shù)是6。根據(jù)可知該晶胞的目的應(yīng)該是 g·cm-3。（4）A、B+

29、和C3+三種離子組成的化合物是K3FeF6，含有的化學(xué)鍵是離子鍵和配位鍵，其中復(fù)雜的離子是FeF63，配體是F。5.（2013年山東）32、（1）a；（2）2；BN；（3）sp2；sp3；3；（4）X。5、解析：（1）a同一主族中，元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而減小，所以從氟到溴，其電負(fù)性逐漸減小，故a正確；b氟元素沒有正化合價(jià)，第VIIA族氯、溴元素的最高化合價(jià)數(shù)值等于其族序數(shù)，故b錯(cuò)誤；c第VIIA族元素氫化物的沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大，但HF分子間能形成氫鍵，氫鍵屬于特殊的分子間作用力，強(qiáng)度大于分子間作用力，沸點(diǎn)最高，故c錯(cuò)誤；d由于鹵族元素的單質(zhì)均屬于分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量

30、增大范德華力增大，因而沸點(diǎn)逐漸升高，故d錯(cuò)誤；（2）B的原子半徑比N大，因而結(jié)構(gòu)示意圖中大球代表B原子，B原子個(gè)數(shù)=8×1/8+1=2，N原子個(gè)數(shù)=1+4×1/4=2，該晶胞中N原子和B原子個(gè)數(shù)之比=2:2=1:1，所以其化學(xué)式為BN，（3）BCl3中的B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3且不含孤電子對(duì)，所以B原子屬于sp2雜化；NCl3中的N原子的價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)為4且含有一個(gè)孤電子對(duì)，所以N原子屬于sp3雜化；同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素，根據(jù)電離能的變化規(guī)律，半充滿的N原子和全充滿的Be原子第一電離

31、能要比同周期原子序數(shù)大的原子高，故第一電離能介于B、N之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素， （4）BCl3是缺電子化合物，B原子的所有價(jià)電子已經(jīng)使用，因而提供孤對(duì)電子的原子是X， 6.（2013福建理科綜合） NOC  abd  1s22s22p63s23p63d104s1  ad  三角錐形  sp3    中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+  6、解析：（1）同周期自左而右元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)，但氮元素的2p

32、能級(jí)容納3個(gè)電子，處于半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能力降低，氮元素的第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能NOC。（2）NH3、F2、NF3的構(gòu)成微粒為分子，Cu的構(gòu)成微粒是金屬陽離子和自由電子，NH4F的構(gòu)成微粒是陰陽離子，所以這幾種物質(zhì)中NH3、F2、NF3為分子晶體，Cu為金屬晶體，NH4F為離子晶體，故選abd；基態(tài)銅原子為29號(hào)元素，根據(jù)洪特補(bǔ)充規(guī)則，電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1（3）晶體Q為分子晶體，分子內(nèi)部存在共價(jià)鍵，O與B之間存在配位鍵，與分子間存在氫鍵和分子間作用力（范德華力）；B采用sp3雜化，存在孤對(duì)電子，故為三角錐形；（4）因?yàn)榇嬖诜肿觾?nèi)氫鍵，減弱了

33、氫離子的電離，故電離常數(shù)減小。7. 【2014全國卷1】(1) X射線衍射 (2) 4；1s22s22p63s23p63d5；血紅色(3) sp3、sp2；6NA；CH3COOH存在分子間氫鍵；16(4) 12； 7、解析：（1）從外觀無法區(qū)分三者，但用X光照射揮發(fā)現(xiàn)：晶體對(duì)X射線發(fā)生衍射，非晶體不發(fā)生衍射，準(zhǔn)晶體介于二者之間，因此通過有無衍射現(xiàn)象即可確定，（2）26號(hào)元素Fe基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，可知在3d上存在4個(gè)未成對(duì)電子，失去電子變?yōu)殍F離子時(shí)，先失去4s上的2個(gè)電子后失去3d上的1個(gè)電子，因此Fe3+的電子排布式為1s22s22p63s23

34、p63d5，硫氰化鐵為血紅色，（3）乙醛中甲基上的C形成4條鍵，無孤電子對(duì)，因此采取sp3雜化類型，醛基中的C形成3條鍵和1條鍵，無孤電子對(duì)，采取sp2雜化類型；1個(gè)乙醛分子含有6個(gè)鍵和一個(gè)鍵，則1mol乙醛含有6mol鍵，即6NA個(gè)鍵；乙酸分子間可形成氫鍵，乙醛不能形成氫鍵，所以乙酸的沸點(diǎn)高于乙醛；該晶胞中O原子數(shù)為4×1+6×1/2+1/8=8由Cu2O中Cu和O的比例可知該晶胞中銅原子數(shù)為O原子數(shù)的2倍，即Cu為16個(gè)；（4）在Al晶體的一個(gè)晶胞中與它距離相等且最近的Al原子在通過這個(gè)頂點(diǎn)的三個(gè)面心上，面心占1/2，通過一個(gè)頂點(diǎn)可形成8個(gè)晶胞，因此該晶胞中鋁原子的配位數(shù)為8×3×1/2=12；一個(gè)晶胞中Al原子數(shù)為8×1/8+6×1/2=4，因此×(0.405×10?7cm)3×NA=4×27,所以Al的密度=m/v=4×276.02×1023×(0.405×10?7)38.（2014課標(biāo)2） (1)N (2)sp3H2O2