高二化學選修三復習題

1、高二化學選修三復習題1 .在第三周期中，Al、Si、P、S四種元素的第一電離能由大到小的排列順序正確的是A. I1 (P) > I1 (Si) > I1 (S) > I1 (Al)B. I1 (P) > I1 (S) >I1 (Al) >I1 (Si)C. I1 (P ) > I1 (S) > I1 (Si) > I1 (Al)D. I1 (S) > I1 (P) > I1 (Si) > I1 (Al)2 .已知短周期元素的離子 aA2+、bB+、cC3-、dD-都具有相同的電子層結構，則下列敘述正確的是A.原子半徑A&g

2、t;B>C>DB.原子序數(shù)a>b>c>dC.離子半徑 C3->D 一>B+>A2+D.單質的還原性 A>B>D>C3 .最近，意大利科學家使用普通氧分子和帶正電荷的氧離子制造出了由4 個氧原子構成的氧分子，并用質譜儀探測到了它存在的證據(jù)。若該氧分子具有空間對稱結構，下列關于該氧分子的說法正確的是A.不可能含有極性鍵B.是一種新的氧化物C.是氧元素的一種同位素D.是臭氧的同分異構體4、下列判斷錯誤的是A.熔點：Si3N4>NaCl>SiI4B,沸點：NH3>PH3>AsH3C.酸性：HClO4>H2S

3、O4>H3PO4D.堿性：NaOH>Mg(OH)2>Al(OH)35 .設 NA 為阿伏伽德羅常數(shù)的數(shù)值，下列說法正確的是A. 常溫下，0.1mol 過氧化鈉與水完全反應時轉移的電子數(shù)為0.1 NAB.標準狀況下22.4 L NO2所含分子數(shù)為 NAC. 1L 0.5mol L - 1 CH3COONa 溶液中，CH3COO 離子的個數(shù)為 0.5NAD. 60g 水晶含有的Si-O 鍵的條數(shù)為4NA 個6 .已知C3N4 晶體很可能具有比金剛石更大的硬度，且原子間均以單鍵結合，下列關于晶體的說法正確的是A. C3N4 晶體是分子晶體B. C3N4 晶體中，C N 鍵的鍵長比金

4、剛石中C C 鍵的鍵長要短C. C3N4 晶體中每個C 原子連接4 個 N 原子，而每個N 原子連接3 個 C 原子D. C3N4 晶體中微粒間通過離子鍵結合7 .石墨晶體是層狀結構，關于石墨晶體的下列說法中，不正確的是A. 1 mol 石墨晶體中C C 鍵為 2mol8 .晶體中C原子為SP2雜化C. 晶體含有金屬鍵，共價鍵D. 晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)為68.下列關于雜化軌道的敘述中，不正確的是A. 分子中中心原子通過sp3 雜化軌道成鍵時，該分子不一定為正四面體結構B.雜化軌道只用于形成b鍵或用于容納未參與成鍵的孤對電子C. Cu (NH3) 42+和CH4兩個分子中中心原子 Cu和C都是

5、通過sp3雜化軌道成鍵D. 雜化軌道理論與VSEPR 模型分析分子的空間構型結果常常相互矛盾9 .下列物質性質的變化規(guī)律與分子間作用力有關的是A. HF、 HCl 、 HBr、 HI 的熱穩(wěn)定性依次減弱B. 金剛石的硬度大于硅，其熔、沸點也高于硅C. NaF、 NaCl、 NaBr、 NaI 的熔點依次降低D. F2、Cl2、Br2、I2的熔、沸點逐漸升高1 / 5高二化學選修三復習題10 .下列說法中正確的是A.任何一個能層最多只有 s、p、d、f四個能級B.用n表示能層序數(shù)，則每一能層最多容納電子數(shù)為2n2C.核外電子的運動的概率分布圖(電子云)就是原子軌道D.電子的運動狀態(tài)可從能層、能級

6、、軌道11 .下列判斷錯誤的是A.熔點：Si3N4>NaCl>SiI4C,酸性：HClO4>H2SO4>H3PO412 .在以下性質的比較中，正確的是A.微粒半徑： O2<F <Na + <Li +C.共價鍵的鍵能： C-C>C-Si>Si-Si13 .下列說法一定正確的是A.其水溶液導電的一離子晶體C.固態(tài)導電的一定是金屬晶體3個方面進行描述B.沸點：NH3>PH3>AsH3D.堿性：NaOH>Mg(OH)2>Al(OH)3B.單質的熔點：Li<Na<K<RbD.分子中的鍵角： CH4>H2

7、O>CO2B.熔融態(tài)導電的一離子晶體D.固態(tài)不導電熔融態(tài)導電的一定是離子晶體3 / 514 .共價鍵、離子鍵和范德華力都是微粒之間的不同作用力，下列含有上述兩種結合力的是Na2O2SiO2石墨金剛石 NaCl白磷A.B.C. D.15 .下列事實能判斷金屬元素甲的金屬性一定比乙強的有甲單質能與乙鹽的溶液反應甲、乙兩元素原子的最外層電子數(shù)相同，且甲的原子半徑小于乙甲、乙兩短周期元素原子的電子層數(shù)相同，且甲的原子序數(shù)小于乙甲、乙兩元素的單質和鹽酸組成原電池，乙單質表面生成氫氣兩單質分別與氯氣反應時生成的陽離子，乙失去的電子數(shù)比乙多A、全部可以B、僅不可以C、僅不可以D、可以16 .納米技術制

8、成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應用到社會生活和高科技領域。A和B的單質單位質量的燃燒熱大，可用作燃料。已知 A和B為短周期元素，其原子的第一至第 四電離能如下表所示：某同學根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如右圖所示，該同學所畫的電子排布圖違背了。根據(jù)價層電子對互斥理論，預測 A和氯元素形成的簡單分子空間構型為。氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲存問題，C60可用作儲氫材料。已知金刷J石中的 C C的鍵長為154.45pm, C60中CC鍵長為145740Pm，有同學據(jù)此認為 C60 的熔點高于金剛石，你認為是否正確并闡述理 由?？茖W家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其

9、晶胞如圖所示，該物質在低溫時是一種超導體。該物質的K原子和 C60分子的個數(shù)比高二化學選修三復習題繼C60后，科學家又合成了 分子中每個硅原子只跟相鄰的 則Si60分子中兀鍵的數(shù)目為17.下圖表示兩種晶體的微觀結構: -K-圖】用時me*4Kl國口試回答下列有關問題：高溫下，超氧化鉀晶體呈立方體結構。晶體中氧的化合價部分為 化鉀晶體的一個晶胞（晶體中最小的重復單元）。則晶體中，與每個0價，部分為2價。圖K +距離最近的K +有I為超氧個，0價氧原子與-2價氧原子的數(shù)目比為正硼酸（H3BO3 ）是 列有關說法正確的有種片層狀結構白色晶體，層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵相連（如圖II）。下Si60、

10、N60, C、Si、N原子電負性由大到小的順序是。Si603個硅原子形成共價鍵，且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結構，7 / 5正硼酸晶體屬于原子晶體H3BO3分子的穩(wěn)定性與氫鍵有關在H3BO3分子中各原子未能都滿足 8e穩(wěn)定結構含1molH3BO3的晶體中有3mol氫鍵含1molH3BO3的晶體中有3mol極性共價鍵晶體中與每個“構成粒子”相鄰的粒子呈平面正三角形空間構型111! ! i！ 1 ! !11一18.下表為長式周期表的一部分，其中的編號代表對應的元素。試填空:(1)寫O出上表中元素原子的外圍電子排布式（2）元素、的第一電離能大小順序是：（3）某些不同族元素的性質也有一定的相似性

11、,（用元素符號表示）；如上表中元素與元素的氫氧化物有相似的性質,寫出元素的氫氧化物與 NaOH溶液反應后鹽的化學式 （4）元素在一定條件下形成的晶體的基本結構單元如右O二木 圖1和圖27且最近的圖2圖1所示，則在圖1和圖2的結構中與該元素一個原子等距離原子數(shù)之比為：。元素.的電負性順序19.主族元素 W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，W的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍.X、Y和Z分屬不同的周期，它們的原子序數(shù)之和是W原子序數(shù)的5倍.在由元素 W、X、Y、Z組成的所有可能的二組分化合物中，由元素W與Y形成的化合物 M的熔點最高.請回答下列問題：(1)W元素原子的L層電子排布式為 , W3分

12、子的空間構型為 ;(2)X單質與水發(fā)生主要反應的化學方程式為 ;2220.已知A、B、C、D、E、F均為前四周期元索.A元索的原子價電子排布為 ns np , B元索的最 外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，C元索原子的M電子層的P亞層中有3個未成對電子.D元素原子核外的M層中只有2對成對電子。B離子與E離子具有相同的電子層結構，可形成E2B2> E2b型化合物.F元素位于元素周期表的 ds區(qū)，其原子與E原子具有相同的最外層電子數(shù).請回答下面的問題：(1)根據(jù)以上信息推斷： B元素為 F原子核外的價電子排布為 .(2)指出在元索周期表中： D元素在 區(qū)；E元素在 區(qū).(3)當n =2時,A與氫

13、元索形成的相對分子質量為加的分子應屬于 分子(填“極性”或"非極性”)， 該分子中有 個 鍵 個 鍵.(4)當n=3時，A與B形成的晶體屬于 晶體.A單質的晶體結構中，雜化,A原子數(shù)與A-A鍵數(shù)之比為 .DCl2分子中，中心原子 D有對孤對電子，用價層電子對互斥模型推測：DCl2分子的空間構型為 形.兀素F的某種氧化物的晶體晶胞結構如右圖所示，其中實心球表示F原子，則該氧化物的化學式為 .11-5CCAB (AD) 6-10 (BC) A (CD) DB 11-15 BCDBD16.17 (1) 12 (1 分) 3:1 (3分) (2)、(8 分)18. (1) 3d54s1(2) N >O(3) Na2BeO2(4)