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文檔簡介

1、研究概述基本原理實驗手段應用發(fā)展不足與展望研究概述基本原理實驗手段應用發(fā)展不足與展望1929狄拉克從理論上預言正電子的存在.安德森，從實驗上觀測到正電子的存在LSimon和KZuber發(fā)現(xiàn) e +- e -對的產生E. Bell和R. L. Graham測出在固體中正電子湮沒的復雜譜正電子正電子是電子的反粒子，一般用符號e+表示。兩者除電荷符號相反外,其他性質（靜止質量、電荷的電量等）都相同正電子的來源1.在某些宇宙射線中2.射線轟擊過程中3.不穩(wěn)定同位素的原子核衰變時會出現(xiàn)實驗手段應用發(fā)展不足與展望基本原理研究概述電子對效應高能光子從原子核旁邊經過，在原子核的庫倫場作用下，轉化為一個正電子和

2、一個負電子，即電子對生成 正電子湮沒特性三種主要輻射光子三種湮沒類型自由態(tài)湮沒自由態(tài)湮沒捕獲態(tài)湮沒捕獲態(tài)湮沒正電子正電子素素湮沒湮沒湮沒類型應用發(fā)展不足與展望研究概述實驗手段基本原理實驗手段正電子壽命譜 雙湮沒輻射角分布實驗技術多普勒展寬譜正電子壽命譜正電子壽命譜儀雙湮沒輻射角分布多普勒展寬譜原因：在固體中，湮滅對有一定的動量，而湮沒輻射是湮沒對在運動過程中發(fā)射的，由于多普勒效應，每個湮沒輻射的能量就有一個寬度能量為m 0 c 2 的光子的多普勒能量移動應為： E = (P L /2m e c)E 0=c*PL/2實驗手段不足與展望研究概述應用發(fā)展基本原理對金屬材料輻照效應的研究空位型晶體缺陷

3、刃位錯點陣示意圖堆垛層錯缺陷晶粒間界缺陷類型在醫(yī)學上的應用實例前兩個應該是胼胝體層面的變化，胼胝體富含連接兩側反駁，半球的聯(lián)絡纖維在薄膜上的應用 一般薄膜樣品采取多層疊合以增加試樣的厚度 慢正電子束技術半導體、聚合物、化學、生物學在其他方面的應用1.晶體缺陷和摻雜效應2.半導體輻照效應的研究3.研究離子注入層的損傷4.研究硅的激光退火過程1.研究聚合物的玻璃態(tài)轉變2.研究聚合物的相變3.研究靜態(tài)聚合物的結晶度4.研究聚合過程和聚合度5.研究輻照對聚合物微結構 的影響正電子素反應動力學a)正電子素的猝滅化學反應b) 正電子形成的抑制效應生物學在催化研究中的應用a)金屬氧化物的最佳分散條件b) 過渡金屬催化劑研究c)價態(tài)的研究a) PAT在生物大分子研究中的應用b) PAT在生物膜研究中的應用c) 正電子發(fā)射斷層照相實驗手段應用發(fā)展研究概述不足與展望基本原理不足研究概述一解譜方法不同，得到的結果會有一定偏差二正電子從捕獲態(tài)變成自由態(tài)的逃逸率為三非晶態(tài)

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