電子產(chǎn)品ESD認(rèn)證測(cè)試及防制技術(shù)

1、ESD認(rèn)證測(cè)試及防制技術(shù)目錄1 .前言2 .靜電放電的型式3 .靜電放電測(cè)試法規(guī)4 .系統(tǒng)產(chǎn)品靜電測(cè)試4.1 .IEC51000-4-2測(cè)試電壓規(guī)定4.2 IEC61000-4-2測(cè)試結(jié)果評(píng)估判定5 .電子產(chǎn)品之ESD防制設(shè)計(jì)5.1 ESD的防護(hù)設(shè)計(jì)由PCB階段開(kāi)始做起5.2 在PCB上對(duì)ESD保護(hù)常用之設(shè)計(jì)技術(shù)5.3 系統(tǒng)產(chǎn)品之ESD防護(hù)6 .結(jié)語(yǔ)1 .前言靜電對(duì)電子產(chǎn)品的傷害一直是不易解決的問(wèn)題，正常操作的電子產(chǎn)品一但受到靜電的放電(ESD)的作用時(shí)，常會(huì)出現(xiàn)一些不穩(wěn)定的現(xiàn)象，如功能突然失常情形等，輕者須重開(kāi)機(jī)才能排除，有時(shí)電子產(chǎn)品內(nèi)的電子組件會(huì)不堪承受靜電的電壓或電流而損壞。為確保電子產(chǎn)

2、品的功能，國(guó)際知名廠商都要求代工的產(chǎn)品必須符合國(guó)際規(guī)范IES61000-4-2ESD測(cè)試才會(huì)接受。然而欲使電子產(chǎn)品具靜電防制能力，除了從半導(dǎo)體組件的防護(hù)更需從產(chǎn)品系統(tǒng)設(shè)計(jì)防制技術(shù)等兩方面著手，才能發(fā)揮靜電的防護(hù)功能。2 .靜電放電的型式靜電放電的模式通?？梢苑譃闄C(jī)器裝置放電模式(MachineryESDmodel)、家俱放電模式(FurnitureESDmodel)、人體放電模式(PersonnelESDmodel)等三類(lèi)。簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:機(jī)器裝置放電模式較容易在自動(dòng)化的控制流程中發(fā)生，因在自動(dòng)化機(jī)器中被絕緣之金屬組件與絕緣體的摩擦、或是絕緣液體或高壓氣體等流過(guò)摩擦產(chǎn)生的靜電，當(dāng)能量累積到某程度

3、而對(duì)鄰近形成放電的情形。家俱放電模式通常發(fā)生在金屬家俱與絕緣物體的摩擦，如在地毯上或塑料地板拉動(dòng)家俱，或是人從椅子上站起來(lái)瞬間的摩擦產(chǎn)生靜電。人體放電模式是因人體的動(dòng)作摩擦產(chǎn)生靜電，如我們穿膠鞋在地毯行走時(shí)，因摩擦使地毯帶正電膠鞋帶負(fù)電，此時(shí)人體腳底會(huì)感應(yīng)而帶正電，同時(shí)使上半身帶負(fù)電,若這時(shí)候如用手接觸半導(dǎo)體電子組件,會(huì)導(dǎo)致該組件損壞。上述三種形式的靜電放電對(duì)半導(dǎo)體制程和電子產(chǎn)品組裝都顯得很重要，其中以人體放電模式所產(chǎn)生的放電電壓，對(duì)電子產(chǎn)品(半導(dǎo)體組件)之傷害問(wèn)題最廣，因此國(guó)際間對(duì)電子產(chǎn)品防護(hù)人體放電模式的法規(guī)要求日益嚴(yán)謹(jǐn)，即使半導(dǎo)體電子組件在出廠前通過(guò)零件標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)的靜電測(cè)試，被安裝到成品后

4、經(jīng)常仍未能通過(guò)系統(tǒng)產(chǎn)層次的法規(guī)要求。3 .靜電放電測(cè)試法規(guī)回顧10年來(lái)國(guó)際間關(guān)于耐靜電測(cè)試的法規(guī)，在半導(dǎo)體及電子產(chǎn)業(yè)界幾乎都已經(jīng)熟悉美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883.Method3015所定義之人體靜電放電模式(ESDHumanBodyModel),且都接受它的測(cè)試水平要求。但近年來(lái)由國(guó)際電工協(xié)會(huì)(IEC:InternationalElectro-technicalCommission)所制定的電磁兼容基本規(guī)范(EMCBasicstandards)中，包含一項(xiàng)靜電測(cè)試規(guī)范IEC61000-4-2受到國(guó)際間多數(shù)國(guó)家的認(rèn)同，對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)品之靜電耐受(immunity)要求及測(cè)試方法定義很完整，目前信息與

5、行動(dòng)通訊之國(guó)際大公司多引用這規(guī)范作為成品靜電測(cè)試的依據(jù)。IEC61000-4-2主要是以模擬人體靜電放電模式作為放電測(cè)試的基本架構(gòu)，與MIL-STD883所定義之人體靜電放電模式有點(diǎn)相似，最主要差別在于儲(chǔ)能的電容值和放電電阻值不同，則放電能量及靜電蜂值電流自然會(huì)有很大差異。圖1是國(guó)際法規(guī)IEC所定義的模擬人體靜電放電槍的電路構(gòu)造簡(jiǎn)圖。表1所示為軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范883及國(guó)際規(guī)范IEC所定義的模擬人體ESD放電基本電路參數(shù)。參數(shù)比較MIL-STD-883(HBM)IEC61000-4-2(HBM)R1:充電電流限制電阻1-10MW50-100MWR2:放電電阻1500W330W儲(chǔ)能電容100pF150

6、pF表1:MIL-STD-883與IEC61000-4-2之比較883的1.5倍。放電電阻值只約五分之一，即使在相同的ESD電壓所產(chǎn)生的峰值如圖2.所示，8kV ESD 電壓在 MIL-STDIEC 61000-4-2規(guī)范所產(chǎn)生的放電電流可先從表1的電容值比較，IEC規(guī)范的電容值為軍規(guī)這樣的差異，不難了解這兩種法規(guī)的嚴(yán)厲程度的差別電流相差五倍。所以對(duì)電子組件傷害力也明顯不同，-883規(guī)范僅產(chǎn)生約5.3A的峰值放電電流，而在達(dá)到30A,峰值電流大于五倍.這就是大部份產(chǎn)品在通過(guò)零件等級(jí)的靜電測(cè)試后，成品卻有時(shí)仍會(huì)在系統(tǒng)法規(guī)IEC61000-4-2測(cè)試失敗的主要原因也因此促使IEC61000-4-2

7、成為多數(shù)人所接受之系統(tǒng)法規(guī)放電測(cè)試電壓(kV)IEC61000-4-2MIL-STD-883峰值放電電流(A)上升時(shí)間tr(ns)峰值放電電流(A)上升時(shí)間tr(ns)27.50.7-11.32-104120.7-12.62-106250.7-14.02-108300.7-15.32-10表2:IEC61000-4-2與MIL-STD-883放電電流上升時(shí)間比較另外從頻率響應(yīng)的差別分析，按圖1之靜電槍是依據(jù)EN61000-4-2之人體放電模式150pF/330W機(jī)制設(shè)計(jì)，可產(chǎn)生介于700Ps至ij1ns上升時(shí)間的電流波形，峰值電壓可以到達(dá)數(shù)千伏牛I以上，在50ns內(nèi)降到50%電壓，如以50W負(fù)

8、載器校正時(shí)，其峰值電流為20安培，這種時(shí)域的放電波形所包含的頻率成份到300MHz附近仍是屬平坦的頻譜分布，所以有影響的頻率是括展到1GHz以上的帶寬.這種ESD放電波形比MIL-STD-883定義的5ns波形上升時(shí)間產(chǎn)生頻譜的帶寬(約100MHz)嚴(yán)厲許多.因此對(duì)于高速的電子產(chǎn)品測(cè)試，欲使靜電效應(yīng)發(fā)輝作用，ESD放電波形上升時(shí)間必須少于700Ps.因?yàn)橛癊SD放電能量有兩個(gè)參數(shù)：峰值(peaklevel)電流與上升時(shí)間變率(rateofchange,dI/dt).按傅立葉變換(Fouriertransform)可知時(shí)間變率蘊(yùn)含著頻率成F=份："*L；如之前提到IEC61000-4-

9、2電流波形上升時(shí)間0.7ns,帶寬可達(dá)到300MH以上如圖3所示.圖3:IEC61000-4-2之放電電流及頻率響應(yīng)帶寬.4 .系統(tǒng)產(chǎn)品靜電測(cè)試EN61000-4-2模擬人體放電測(cè)試方法包括下列事項(xiàng).?空氣放電測(cè)試：系仿真人的手指在接觸電子產(chǎn)品時(shí)發(fā)生靜電放電的情況.靜電槍用8mm的放電頭，對(duì)電子產(chǎn)品操作人員經(jīng)常容易接觸的非金屬部位做測(cè)試，測(cè)試電壓由低電壓到高電壓，通常測(cè)到正負(fù)8kV.但法規(guī)中保留容許高于正負(fù)15kV的測(cè)試條件.?接觸放電測(cè)試：系模擬操作人員直接或間接透過(guò)手工具接觸電子產(chǎn)品時(shí)發(fā)生放電的情況.測(cè)試時(shí)靜電槍經(jīng)過(guò)放電頭的尖端對(duì)待測(cè)產(chǎn)品的金屬部位做測(cè)放電測(cè)試.測(cè)試電壓仍由低到高，通常測(cè)到

10、正負(fù)4kV.此項(xiàng)測(cè)試法規(guī)保留容許高于正負(fù)4kV的測(cè)試條件.?水平與垂直金屬板放電測(cè)試：系仿真操作人員靠近電子產(chǎn)品接觸臨近的物品放電時(shí)產(chǎn)生耦合場(chǎng)效應(yīng)，這項(xiàng)測(cè)試是以靜電槍對(duì)平行板及水平板放電方式執(zhí)行.測(cè)試電壓條件與接觸放電測(cè)試相同.4.1 .IEC51000-4-2測(cè)試電壓規(guī)定執(zhí)行ESD測(cè)試的電壓由低到高的規(guī)定，是因?yàn)楸粶y(cè)試的產(chǎn)品偶爾在低壓放電時(shí)會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象，但在最高電壓放電時(shí)反而不見(jiàn)失效現(xiàn)象.因此在法規(guī)中有明確定義電壓值須要從最高電壓的25%,50%,75%,100%逐漸增加，ContactdischargeAirdischargeLevelVoltagekVLevelVoltagekV1&#

11、177;21±22±42±43±63±84±84士15XSpecialXSpecial注:X保留對(duì)產(chǎn)品各別指定的測(cè)試規(guī)格.(2):測(cè)試環(huán)境相對(duì)濕度須保持30%-60%;15C-35C(3):樣品至少須打200次以上白放電.表3:IEC61000-4-2測(cè)試電壓與還境條件4.2 IEC61000-4-2測(cè)試結(jié)果評(píng)估判定ESD測(cè)試結(jié)果評(píng)估須按被測(cè)試產(chǎn)品功能受影響的程度做判定，依法規(guī)系將受影響的程度分為四級(jí)，說(shuō)明如下：第一級(jí)為A級(jí)判定(CriterionA):指產(chǎn)品功能在測(cè)試前后及測(cè)試過(guò)程中完全可以正常操作無(wú)任何功能減低或異常現(xiàn)象出現(xiàn)，完全

12、不受ESD放電影響，則稱(chēng)產(chǎn)品符合A級(jí)判定結(jié)果.第二級(jí)為B級(jí)判定(CriterionB):指產(chǎn)品在測(cè)試過(guò)程中，功能會(huì)受ESD放電影響，在放電瞬間會(huì)暫時(shí)性的功能降低，但可以自動(dòng)回復(fù)，這樣的產(chǎn)品則稱(chēng)符合B級(jí)判定結(jié)果.第三級(jí)為C級(jí)判定(CriterionC):指產(chǎn)品功能在測(cè)試前可正常被操作，但測(cè)試過(guò)程中受ESD放電影響，出現(xiàn)功能降低或異常，且功能無(wú)法自動(dòng)回復(fù)，必須經(jīng)由操作人員做重置(Re-set)或重開(kāi)機(jī)的動(dòng)做才能回復(fù)功能，這情形則僅符合C級(jí)判定結(jié)果.第四級(jí)為D級(jí)判定(CriterionD):指產(chǎn)品功能在測(cè)試前可正常被操作，但測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)異常，雖經(jīng)由操作人員做重置(Re-set)或重開(kāi)機(jī)也不能回復(fù)功

13、能，這種情況大概產(chǎn)品已損傷嚴(yán)重，僅符合D級(jí)判定結(jié)果.(這屬不合格).依IEC61000-4-2法規(guī)建議，產(chǎn)品采購(gòu)驗(yàn)證必須符合A級(jí)或B級(jí)的判定才能接受，C級(jí)和D級(jí)判定是不合格的.判定等級(jí)受ESD影響現(xiàn)像結(jié)果A測(cè)試過(guò)程功能完全正常，不受影響合格B功能暫時(shí)性受影響，但可自動(dòng)回復(fù)合格C功能受ESD影響出現(xiàn)異常，須人為重置或重開(kāi)機(jī)排除.不合格D重開(kāi)機(jī)功能也/、能回復(fù)，已損壞.不合格表4:IEC61000-4-2ESD測(cè)試判定等級(jí)圖6:IEC61000-4-2測(cè)試架構(gòu)示意圖5 .電子產(chǎn)品之ESD防制設(shè)計(jì)在討論如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品避免遭受ESD損壞之前，先要了解ESD破壞電子產(chǎn)品的原因，方便后續(xù)討論與技術(shù)的了解.E

14、SD能量是經(jīng)由傳導(dǎo)性能量轉(zhuǎn)移方式引入產(chǎn)品的電子組件內(nèi)，主要破壞力是瞬間峰值電流，電壓是引導(dǎo)放電作用的誘發(fā)位能.ESD開(kāi)始時(shí)是經(jīng)由直接(電流)或間接輻射方式以快速的瞬時(shí)突波沖擊到電路組件上，這當(dāng)中有電流熱效應(yīng)也有電磁場(chǎng)的干擾效應(yīng).故ESD對(duì)造成電子組件失效情況可概分三種情形，(1)硬件失效(Hardfailure),(2)潛在性失效(Latentfailure)和(3)場(chǎng)強(qiáng)感應(yīng)失效(Fieldinductionfailure)1 .硬件失效問(wèn)題：ESD電弧電壓(Sparkvoltage)竄入半導(dǎo)體內(nèi)部使絕緣部位損壞.如在P-N接合點(diǎn)短路或開(kāi)路，內(nèi)部絕緣的氧化層貫穿(punch-through)-

15、金屬氧化處理部位產(chǎn)生熔蝕(melting)等，這都是屬于永久性失效.如圖6;圖7.2 .潛在性失效問(wèn)題：當(dāng)ESD發(fā)生時(shí)系統(tǒng)雖暫時(shí)受到影響，仍然可繼續(xù)動(dòng)作，但功能會(huì)隨時(shí)間逐漸變差，隔數(shù)日或數(shù)周后系統(tǒng)出現(xiàn)異常，最后成為硬件失效.這是因?yàn)榘雽?dǎo)體組件已經(jīng)受到部分不可回復(fù)的損傷，隨著使用時(shí)間日增，異常功能自會(huì)逐漸顯現(xiàn).這種失效是最難捉模，無(wú)法以失效模式分析確認(rèn).若用戶(hù)若遇這類(lèi)產(chǎn)品，應(yīng)該要能意識(shí)到該產(chǎn)品的質(zhì)量狀況，尚不成熟.3 .感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)失效問(wèn)題：當(dāng)ESD的高壓放電火花跟電流會(huì)對(duì)產(chǎn)生電場(chǎng)輻射效應(yīng)，這種寬帶的輻射，經(jīng)常使臨近的電路受干擾而失常，如Latch-Up,或暫時(shí)性程序錯(cuò)亂，及數(shù)據(jù)流失等，嚴(yán)重時(shí)更會(huì)損

16、傷硬件成為永久行硬件失效.3.1. ESD的防護(hù)設(shè)計(jì)由PCB階段開(kāi)始做起談到系統(tǒng)產(chǎn)品的靜電防制設(shè)計(jì)，必須從印刷電路板(PCB)開(kāi)始做ESD的保護(hù).在印刷電路板上也有三種容易造成ESD失誤狀態(tài)如下：1. ESD電流直接流經(jīng)受害電路組件的接腳造成永久性損壞:此類(lèi)模式系由外部組件(如鍵盤(pán),或I/O界面的連接器)直接聯(lián)機(jī)帶入ESD突波電流.要預(yù)防這種直接傷害,即使用一顆串聯(lián)電阻或并聯(lián)電容在這些電路上就可以限制流經(jīng)IC的ESD電流.2. ESD電流流經(jīng)地回路造成重置或損壞:大部份的設(shè)計(jì)者都假設(shè)其電路接地為低阻抗經(jīng)ESD脈充電流通過(guò),IC接地的阻抗極容易產(chǎn)生地電位跳動(dòng)(GroundBounce),這種地彈

17、跳會(huì)使IC重置或鎖定,IC如被鎖定時(shí)非常容易被供應(yīng)的電源摧毀.3. 電磁場(chǎng)間接耦合:例如垂直板與水平板之放電,使電路造成重置,對(duì)于高阻抗組件曾經(jīng)有損壞之報(bào)告,這種失效模式與PCB環(huán)路面積,機(jī)構(gòu)屏蔽好壞而定.欲防護(hù)這種ESD可以從機(jī)構(gòu)屏蔽和PCB設(shè)計(jì)布線著手.3.2. 在PCB上對(duì)ESD保護(hù)常用之設(shè)計(jì)技術(shù)?PCB走線排列時(shí)加放電間隙,這是用一組銳角三角形銅箔尖端相對(duì),間隔約6-10mil,其中一端接地.參閱圖8所示.?PCB走線須考慮減少對(duì)電磁場(chǎng)耦合的敏感度,多應(yīng)用反耦合電容,可減小回路面積.反耦合電容宜選用耐高壓的陶磁電容,這些電容必須放置在靠近I/O連接器處.如圖9所示之例子將耐高壓的陶磁電

18、容放在PCB連接器附近的VCC和Ground,這不僅縮小了環(huán)路面積,也收到反耦合(decoupling)的作用.另在電源及地之間加上高諧振頻率的旁路電容,可降低對(duì)感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)及電磁場(chǎng)間接耦合的反應(yīng),唯電容的等效串聯(lián)電感(ESL)及等效串聯(lián)電阻要越低越好.?在PCB布局時(shí)可以使用低通濾波的方式疏導(dǎo)ESD能量,低通濾波器是由電容與電感組合構(gòu)成,它可以阻止高頻的ESD能量進(jìn)入系統(tǒng).其中電感對(duì)突波會(huì)呈現(xiàn)高阻抗因而衰減了竄入系統(tǒng)的能量,電容是裝置在電感的輸入端,會(huì)將竄入的ESD高頻頻譜能量旁路到接地端.如圖10.使用環(huán)氧鐵質(zhì)(Ferrite)電感對(duì)ESD電流有極佳之衰減能力.?在PCB上可用箝制電路抑制瞬間

19、高壓如圖11,圖12.如使用電壓箝制二極管作抑制,在規(guī)格上必須選擇能承受數(shù)kV之耐壓且dv/dt脈沖響映快速,并能在瞬間消耗大電流的二極管組件.?在PCB部局時(shí)可將對(duì)ESD敏感組件以壕溝方式與其他區(qū)域隔離,以防止ESD事件的轉(zhuǎn)移或耦合到其它功能的部位.?對(duì)間接放電的電磁場(chǎng)耦合及電弧效應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)輻射抵抗力而言,采用多層板比單層板可增加10倍以上的免疫力.3.3. 系統(tǒng)產(chǎn)品之ESD防護(hù)在系統(tǒng)階段的靜電防制措施,最主要是從接口的連接阜作好接地,另外機(jī)殼若為金屬材質(zhì),如要做表面處理前,機(jī)殼或機(jī)構(gòu)在銜接位置務(wù)必保持導(dǎo)電性,如此才可以使機(jī)殼發(fā)揮屏蔽功能.若ESD打在機(jī)構(gòu)屏蔽良好的產(chǎn)品上,理論上機(jī)構(gòu)內(nèi)的電路是不

20、會(huì)受影響的,這就如同以前物理學(xué)家法拉第曾經(jīng)坐在金屬籠試驗(yàn)原理相同.但是電子產(chǎn)品須要有開(kāi)關(guān)及按鈕,因此要防止ESD能量從開(kāi)關(guān)或按鈕進(jìn)入電路板傷及組件,可采用導(dǎo)電材質(zhì)的墊片或墊圈(Gasket)以阻擋ESD電流如圖15所示.目前大多數(shù)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品機(jī)構(gòu)外殼是使用非金屬材料,例如使用塑料質(zhì)外殼,是可以免測(cè)直接接觸放電項(xiàng)目,若其絕緣與耐壓特性不足,在被測(cè)試空氣放電(Airdischarge)時(shí),ESD電弧會(huì)穿透外殼或從機(jī)構(gòu)隙縫竄進(jìn)產(chǎn)品內(nèi)部對(duì)PCB上的IC形成二次放電(Secondarcing)的情況.如圖16所示.要預(yù)防這種靜電問(wèn)題,可在靠近縫隙的位置旁加一片金屬阻隔并接地,一般稱(chēng)之為輔助接地.塑料

21、外殼的電子產(chǎn)品對(duì)ESD脈沖電磁場(chǎng)強(qiáng)不具屏蔽功能,當(dāng)遇到垂直和水平金屬板的間接放電測(cè)試時(shí)特別容易受到影響,對(duì)策是要從電路板的布局減小回路面積或使用雙層以上電路板,以有效降低對(duì)ESD電磁場(chǎng)的感應(yīng).故定在機(jī)殼的接口連接器須有接地防護(hù)措施,其信號(hào)線可視需要狀況選擇用二極管或電容或突波吸做旁路保護(hù)如圖18.對(duì)接口連接線(I/Ocable)要使用環(huán)氧磁磊挾扣(Ferratecore)抑制ESD電流流竄到主要控制電路.但是用電容器旁路時(shí)必須留意電容器未置,如位置不對(duì)反而會(huì)把ESD電流引到主電路影響IC組件,如圖17.在系統(tǒng)接地方式宜采用單點(diǎn)對(duì)機(jī)構(gòu)(機(jī)殼)接地,如圖19當(dāng)高頻的ESD電流經(jīng)機(jī)殼至地的路徑,因有

22、接地電阻存在,對(duì)ESD電流經(jīng)不同的接地點(diǎn),會(huì)產(chǎn)生共模噪聲電壓(V1,V2)干擾系統(tǒng)功能.因應(yīng)對(duì)策是使用單點(diǎn)接地如圖20.故定機(jī)構(gòu)或機(jī)殼的金屬螺絲不宜穿透到內(nèi)部，如圖22所示它會(huì)形成輻射天線，當(dāng)ESD對(duì)該螺絲做接觸放電時(shí),則ESD能量完全經(jīng)由該螺絲對(duì)內(nèi)部輻射及作尖端放電.如金屬外殼有開(kāi)孔未加保護(hù)處理,則經(jīng)過(guò)表面的ESD電流會(huì)透過(guò)該槽孔對(duì)內(nèi)產(chǎn)生輻射.如圖21.保護(hù)對(duì)策如圖23之右圖加輔助接地隔離.6. 結(jié)語(yǔ)對(duì)于電子產(chǎn)品ESD的防護(hù)應(yīng)從設(shè)計(jì)著手,所謂“Designed-inatthedevice”,從零件的選用,PC板的設(shè)計(jì)時(shí)間,到成品系統(tǒng)布線整合,每個(gè)階段都不能草率.對(duì)于ESD讓電子產(chǎn)品失效之三個(gè)

23、因素:瞬時(shí)涌入的大電流的熱效應(yīng),和電壓漂動(dòng)及靜電輻射場(chǎng)強(qiáng)等都必須同時(shí)加上對(duì)策.由其在PC板布局是關(guān)系到電子產(chǎn)品對(duì)ESD敏感度,這是可運(yùn)用PC板布局設(shè)計(jì)技術(shù)控制,而對(duì)MOS,Bipolar等IC組件之ESD防護(hù)能力相對(duì)較弱.需從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)源頭做起.半導(dǎo)體設(shè)計(jì)ESD防護(hù)是最難的一環(huán),期望在大加家的努力下,不久半導(dǎo)體業(yè)可以突破目前的瓶井,推出功能穩(wěn)定且可以抵抗ESD的IC供系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)界使用.參考文獻(xiàn)1. ElectromagneticCompatibilitybyDesign.page366-372ByR&BEnterprises.Author:OrenHartal2. IEC61000-4-2:20003. Electrostaticdischargeunderstand,simulateandfixESDproblem.InterferencecontroltechnologiesInc.AuthorMichelMardiguian.4. PrintedCircuitBoarddesignTechniquesforEMCCompliance.IEEE.Author:MarkI.Montrose5. ComplianceEngineeringMagazine圖1,仿真人體靜電放電靜電槍裝置Amp30201