423環(huán)境試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件控制清單

1、環(huán)境試驗(yàn)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)在舁 廳P文件編號(hào)文件名稱狀態(tài)實(shí)施日期備注1GB/T 2423.1-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫現(xiàn)行2009.10.012GB/T 2423.2-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫現(xiàn)行2009.10.013GB/T 2423.3-2016電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試 驗(yàn)現(xiàn)行2017.07.01替代 2423.3-20064GB/T 2423.4-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Db:交變濕熱（12h+ 12h循環(huán)）現(xiàn)行2009.01.015GB/T 2423.5

2、-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則：沖擊現(xiàn)行1996.08.016GB/T 2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則：碰撞現(xiàn)行1996.08.017GB/T 2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則：傾跌與 翻倒（主要再干設(shè)備型樣品）現(xiàn)行1996.08.018GB/T 2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed:自由跌落現(xiàn)行1996.08.019GB/T 2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb:設(shè)備用恒定濕 執(zhí)作廢2007.09.01作廢被 24

3、23.3-2006替代10GB/T 2423.10-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc:振動(dòng)（正弦）現(xiàn)行2008.10.0111GB/T 2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd:寬頻帶隨機(jī)振 動(dòng)-一般要求作廢2005.10.14作廢12GB/T 2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)-曷再現(xiàn)件作廢2005.10.14作廢13GB/T 2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)-中再現(xiàn)件作廢2005.10.14作廢14GB/T 2423.

4、14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)-低再現(xiàn)性作廢2005.10.14作廢15GB/T 2423.15-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則：穩(wěn)態(tài)加 速度現(xiàn)行2008.10.0116GB/T 2423.16-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則：長(zhǎng)霉現(xiàn)行2009.10.0117GB/T 2423.17-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka:鹽霧現(xiàn)行2009.01.0118GB/T 2423.18-2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kb:鹽霧，交變（氯 化鈉溶

5、液）現(xiàn)行2013.02.0119GB/T 2423.19-2013環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫 試驗(yàn)現(xiàn)行2014.03.0720GB/T 2423.20-2014環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試 驗(yàn)現(xiàn)行2015.04.0121GB/T 2423.21-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)M低氣壓現(xiàn)行2009.10.0122GB/T 2423.22-2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N:溫度變化試驗(yàn) 方法現(xiàn)行2013.06.0123GB/T 2423.23-2013環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方

6、法 試驗(yàn)Q密封現(xiàn)行2014.03.0724GB-T 2423.24-2013電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Sa:模擬地面上的 太陽輻射及苴試驗(yàn)導(dǎo)皿1現(xiàn)行2014.03.0725GB/T 2423.25-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣 壓綜合試驗(yàn)現(xiàn)行2009.10.0126GB/T 2423.26-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/BMI:高溫/低氣壓綜合試蛤現(xiàn)行2009.10.0127GB/T 2423.27-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z-AMD低溫低氣 風(fēng)漏執(zhí)連續(xù)綜合試蛤現(xiàn)行2006

7、.04.0128GB/T 2423.28-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)T:錫焊試驗(yàn)方法現(xiàn)行2006.04.0129GB/T 2423.29-1999電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)U引出端及整體安裝件強(qiáng)度作廢2005.10.14作秀30GB/T 2423.30-2013環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XA和導(dǎo)則在清洗劑中浸漬現(xiàn)行2014.06.1431GB/T 2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法作廢2008.12.01作廢被 2423.101-2008替代32GB/T 2423.32-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法

8、試驗(yàn)Ta_潤(rùn)濕稱量法可焊性現(xiàn)行2008.10.0133GB/T 2423.33-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kca:高濃度二氧 化硫試驗(yàn)現(xiàn)行2005.08.0134GB/T 2423.34-2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ZAD溫度濕度組 合循環(huán)試驗(yàn)現(xiàn)行2013.06.0135GB/T 2423.35-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ZAfc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法現(xiàn)行2006.04.0136GB/T 2423.36-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ZBFc散熱和非散 熱樣品的

9、高溫振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法現(xiàn)行2006.04.0137GB/T 2423.37-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)L:沙塵試驗(yàn)現(xiàn)行2007.09.0138GB/T 2423.38-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)R:水試驗(yàn)方法和 導(dǎo)則現(xiàn)行2009.03.0139GB/T 2423.39-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ee:彈跳現(xiàn)行2009.03.0140GB/T 2423.40-2013環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱現(xiàn)行2014.07.1341GB/T 2423.41-2013環(huán)境試驗(yàn)

10、第2部分：試驗(yàn)方法 風(fēng)壓現(xiàn)行2014.03.0742GB/T 2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫低氣壓振動(dòng)（正弦）綜合試驗(yàn)方法作廢2008.12.01作秀被 2423.102-2008替代43GB/T 2423.43-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 振動(dòng)、沖擊和類似動(dòng)力 學(xué)試蛤樣品的它裝現(xiàn)行2009.01.0144GB/T 2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg:撞擊彈簧錘作廢2005.10.14作廢45GB/T 2423.45-2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)ZABDM氣候順序現(xiàn)行2013.06.014

11、6GB/T 2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ef:撞擊擺錘作廢2005.10.14作廢47GB/T 2423.47-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg:聲振現(xiàn)行1998.10.0148GB/T 2423.48-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ff :振動(dòng)-時(shí)間歷程法現(xiàn)行2009.03.0149GB/T 2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fe:振動(dòng)一正弦 拍頻法現(xiàn)行1998.10.0150GB/T 2423.50-2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy:恒定濕熱

12、 主 要用于元件的加速試驗(yàn)現(xiàn)行2013.02.0151GB/T 2423.51-2012環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)現(xiàn)行2013.02.0152GB/T 2423.52-2003電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)77:結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與撞 擊現(xiàn)行2004.08.0153GB/T 2423.53-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Xb:由手的摩擦造 成標(biāo)記和印刷文字的磨損現(xiàn)行2005.06.0154GB/T 2423.54-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)XC流體污染現(xiàn)行2005.06.0155GB/T 2423.55

13、-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)eh:錘擊試驗(yàn)現(xiàn)行2006.06.0156GB/T 2423.56-2006電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fh:寬帶隨機(jī)振動(dòng) （數(shù)字棒制）和導(dǎo)皿1現(xiàn)行2007.04.0157GB/T 2423.57-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ei:沖擊沖擊響應(yīng)譜合成現(xiàn)行2009.01.0158GB/T 2423.58-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fi:振動(dòng) 混合模 式現(xiàn)行2009.01.0159GB/T 2423.59-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z-Abmh:溫度（低 溫，高溫），低氣壓，振動(dòng)（隨機(jī)）綜合現(xiàn)行2009.11.0160GB/T 2423.60-20