昂寶OB2263中文規(guī)格書

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上昂寶OB2263中文規(guī)格書通用描述：OB2263是一個(gè)高度集成的電流模式PWM控制IC，優(yōu)化了高性能、低待機(jī)功耗和低成本有效，用于30W內(nèi)的離線反激變換器。正常操作時(shí)，PWM開關(guān)頻率由外部編程并在小范圍內(nèi)調(diào)整。在空載或輕載條件下，IC工作在擴(kuò)展“burst模式”來(lái)減少開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)低待機(jī)功耗和高轉(zhuǎn)換效率。VDD低啟動(dòng)電流和低工作電流有助于用OB2263設(shè)計(jì)一個(gè)啟動(dòng)可靠的電源。一個(gè)大的電阻值可以用于啟動(dòng)電路以最小化待機(jī)功率。內(nèi)部斜率補(bǔ)償，提高了系統(tǒng)的大信號(hào)穩(wěn)定性，減少高PWM占空比輸出時(shí)的可能的次諧波振蕩。電流檢測(cè)輸入腳(CS)過濾信號(hào)前沿消除了信號(hào)的干擾，從而大大降低

2、了設(shè)計(jì)中的外部元件數(shù)量和系統(tǒng)成本。OB2263提供完整的保護(hù)，覆蓋自動(dòng)的自恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP），VDD過壓鉗位和欠壓鎖定（UVLO）。柵極驅(qū)動(dòng)輸出鉗位到最大18V以保護(hù)功率MOSFET。優(yōu)良的EMI性能的獲得是圖騰柱式柵極驅(qū)動(dòng)輸出基于昂寶的專有的頻率抖動(dòng)技術(shù)和軟開關(guān)控制。工作時(shí)，低于20kHz的音能量被最小化，音頻噪聲設(shè)被消除。OB2263封裝提供SOT23-6、SOP-8和DIP-8。特征：n  昂寶特有頻率抖動(dòng)技術(shù)，提升EMI性能。n  擴(kuò)展“burst模式”提高效率和最小的待機(jī)功耗。n  無(wú)

3、音頻噪音。n  擴(kuò)展的可編程PWM開關(guān)頻率。n  內(nèi)同步斜率補(bǔ)償。n  低VDD啟動(dòng)電流和工作電流(1.4mA)。n  CS前沿消除。n  覆蓋自動(dòng)自恢復(fù)的良好保護(hù)：Ø  遲滯的VDD過壓鉗位和欠壓鎖定（UVLO）。Ø  柵極驅(qū)動(dòng)最大18V鎖定。Ø  對(duì)于超過通用輸入電壓的連續(xù)輸出功率限值，昂寶專有線性輸入補(bǔ)償逐周期過流閾值設(shè)定。Ø  過載保護(hù)（OLP）。應(yīng)用：離線的AC/DC

4、反激式變換器l   電池充電器l   電源適配器l   機(jī)頂盒電源l   開放式開關(guān)電源（SMPS） 1 典型應(yīng)用 2 通用信息腳位配置OB2263封裝提供SOT23-6、SOP-8和DIP-8，如下圖：元件號(hào)描述OB2263MPSOT23-6，無(wú)鉛OB2263APDIP8，無(wú)鉛OB2263CPSOP8，無(wú)鉛3 腳位描述腳位名稱I/O描述GNDP電源回路FBI反饋輸入腳，PWM占空比由輸入此腳和SENSE腳的電壓決定RII內(nèi)部

5、振蕩頻率設(shè)置腳，連接到RI和GND的電阻值設(shè)定PWM頻率SENSEI電流檢測(cè)輸入，連接到MOSFET的電流傳感電阻節(jié)點(diǎn)VDDP電源回路GATEO圖騰柱柵極驅(qū)動(dòng)器輸出給功率MOSFET4 推薦工作條件符號(hào)名稱最小最大單位VDD電源電壓1030VRI電阻值100kTA環(huán)境溫度-2085 9 工作描述OB2263是一個(gè)高度集成的PWM控制器IC，針對(duì)離線反激變換器做了優(yōu)化，用于30W以下。擴(kuò)展的Burst模式控制大大降低了待機(jī)功耗，有助于設(shè)計(jì)容易地滿足國(guó)際節(jié)能的要求。l  啟動(dòng)電流和啟動(dòng)控制OB2263設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電流很低，VDD被充電到UVLO閾值水

6、平，芯片迅速啟動(dòng)。因此大啟動(dòng)電阻值能用于減少功率損耗，但為應(yīng)用提供了可靠的啟動(dòng)。對(duì)于通用輸入范圍設(shè)計(jì)的AC/DC適配器，2M，1/8W啟動(dòng)電阻與VDD電容可以提供一個(gè)快速啟動(dòng)和低功耗的解決方案。l  工作電流OB2263的工作電流低于1.4mA，低工作電流與擴(kuò)展的Burst模式控制功能實(shí)現(xiàn)了高效率。l  改善EMI的頻率抖動(dòng)OB2263采用了頻率波動(dòng)/抖動(dòng)（開關(guān)頻率調(diào)制），振蕩頻率隨機(jī)調(diào)制使音能量發(fā)散，發(fā)散頻譜最小化了EMI傳導(dǎo)，因而降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。l  擴(kuò)展Burst模式工作在空載或輕載條件下，開關(guān)模式電源中的大部分功耗是MOS

7、FET晶體管的開關(guān)損耗、變壓器的鐵心損耗和緩沖電路的損耗。功率損耗的大小正比于固定的時(shí)間內(nèi)開關(guān)事件的數(shù)量。降低開關(guān)次數(shù)能減少功率損耗，從而節(jié)約了能源。OB2263根據(jù)負(fù)載條件自動(dòng)調(diào)節(jié)開關(guān)模式。從空載到光/中等負(fù)載條件下，F(xiàn)B輸入低于Burst模式的閾值，芯片進(jìn)入Burst模式控制。只有當(dāng)VDD電壓下降到低于預(yù)定水平和FB輸入為開時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)才輸出。否則，柵極驅(qū)動(dòng)器處于關(guān)閉狀態(tài)，以最大程度地最小化開關(guān)損耗和待機(jī)功耗。頻率控制也消除了任何條件下的音頻噪聲。l  振蕩器工作連接RI和GND之間的電阻設(shè)置恒流源為內(nèi)部電容充電/放電，這就確定了PWM振蕩頻率。在額定負(fù)載和工作環(huán)境下，

8、RI和開關(guān)頻率之間的關(guān)系按如下方程，其中RI單位為k。l  電流檢測(cè)和前沿消除在OB2263電流模式PWM控制，提供逐周期電流限制。開關(guān)電流由Sense腳內(nèi)一個(gè)電阻檢測(cè)。內(nèi)部的前沿消隱電路由于緩沖二極管的反向恢復(fù)，在初始MOSFET的通狀態(tài)砍下了檢測(cè)的電壓尖峰，使此腳不再需要外部RC濾波。在消隱周期，電流限制比較器被禁用，因此無(wú)法關(guān)閉外部MOSFET。PWM占空比是由電流檢測(cè)輸入電壓和FB輸入電壓來(lái)確定。l  內(nèi)部同步斜率補(bǔ)償內(nèi)置斜率補(bǔ)償電路為生成PWM，在電流檢測(cè)輸入電壓增加了斜率電壓，這在CCM時(shí)大大提高了閉環(huán)穩(wěn)定性，防止次諧波振蕩，從而降低輸出紋波

9、電壓。l  柵極驅(qū)動(dòng)OB2263的柵極連接到電源開關(guān)控制的外部MOSFET的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度太弱，導(dǎo)致更高的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，太強(qiáng)則影響EMI。一個(gè)很好的平衡是通過有合適的輸出強(qiáng)度和死區(qū)時(shí)間控制的內(nèi)置的圖騰柱柵極設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這一專用控制方案更容易實(shí)現(xiàn)低空載損耗和良好的電磁系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。MOSFET柵極加了內(nèi)部18V鉗位，保護(hù)高于預(yù)期的VDD輸入。l  保護(hù)控制豐富的保護(hù)功能，包括逐周期電流限制（OCP），過載保護(hù)（OLP）和過壓鉗位，VDD欠壓鎖定（UVLO），實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的電源系統(tǒng)可靠性。昂寶的專有技術(shù)，OCP閾值跟蹤PWM占空比，和由線性電壓補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)超出推薦參考設(shè)計(jì)的通用輸入電壓范圍外的恒定的輸出功率限值。在過載條件下當(dāng)FB輸入