穩(wěn)壓二極管工作原理及故障特點(20220215154853)

1、穩(wěn)壓二極管工作原理及故障特點穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓根本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓 管接入電路以后，假設由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電 壓變動時，負載兩端的電壓將根本保持不變。穩(wěn)壓二極管在電路中常用“ ZD加數(shù)字表示，如：ZD5表示編號為5的穩(wěn)壓管。故障特點：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這 3種故障中， 前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后 2 種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸 出不穩(wěn)定。常用穩(wěn)壓二極管的型號及穩(wěn)壓值如下表：型 號 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734

2、1N4735 1N47441N4750 1N47511N4761穩(wěn)壓值 3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工 作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設備和一些電子電路中獲得廣泛的應用。我們把這種類型 的二極管稱為穩(wěn)壓管，以區(qū)別用在整流、檢波和其他單向導電場合的二極管。 如圖畫出了穩(wěn)壓管的伏安特性及其符號。(1) 穩(wěn)定電壓Uz Uz就是PN結的擊穿電壓，它隨工作電流和溫度的不同而略有 變化。對于同一型號的穩(wěn)壓管來說，穩(wěn)壓值有一定的離散性。(2) 穩(wěn)定電流Iz穩(wěn)壓管工作時的參考電流值。它通常有一定的范圍，

3、即IzminIzmax。(3) 動態(tài)電阻rz它是穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值，如上圖所示，即 這個數(shù)值隨工作電流的不同而改變。通常工作電流越大，動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓 性能越好。(4) 電壓溫度系數(shù) 它是用來說明穩(wěn)定電壓值受溫度變化影響的系數(shù)。不同型號 的穩(wěn)壓管有不同的穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)，且有正負之分。穩(wěn)壓值低于4v的穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)為負值；穩(wěn)壓值高于 6v的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓的溫度 系數(shù)為正值；介于4V和6V之間的，可能為正，也可能為負。在要求高的場合， 可以用兩個溫度系數(shù)相反的管子串聯(lián)進行補償(如2DW7) 額定功耗Pz前已指出，工作電流越大，動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好，但 是

4、最大工作電流受到額定功耗 Pz的限制，超過P2將會使穩(wěn)壓管損壞。選擇穩(wěn)壓管時應注意：流過穩(wěn)壓管的電流 Iz不能過大，應使Iz Izmin，否那么不能穩(wěn)定輸 出電壓，這樣使輸入電壓和負載電流的變化范圍都受到一定限制。以下列圖示出 了穩(wěn)壓管工作時的動態(tài)等效電路，圖中二極管為理想二極管。穩(wěn)壓管吞效電路光敏二極管和光敏三極管符號:光敏二極管和光敏三極管是光電轉換半導體 器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻 性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優(yōu)。一、光敏二極管1 結構特點與符號光敏二極管和普通二極管相比雖 然都屬于單向導電的非線性半導體器件， 但在 結構上有其特殊的地方。光敏二極管在電路中的符號如

5、圖Z0129所示。光敏二極管使用時要反向接入電路中，即正極接電源負極，負 極接電源正極。2 .光電轉換原理根據(jù)PN結反向特性可知，在一定反向電壓范圍內(nèi)，反向電流很 小且處于飽和狀態(tài)。此時，如果無光照射 PN結，那么因本征激發(fā)產(chǎn)生的電子- 空穴對數(shù)量有限，反向飽和電流保持不變，在光敏二極管中稱為暗電流。當 有光照射PN結時，結內(nèi)將產(chǎn)生附加的大量電子空穴對稱之為光生載流子， 使流過PN結的電流隨著光照強度的增加而劇增，此時的反向電流稱為光電流。 不同波長的光蘭光、紅光、紅外光在光敏二極管的不同區(qū)域被吸收形成 光電流。被外表P型擴散層所吸收的主要是波長較短的蘭光，在這一區(qū)域， 因光照產(chǎn)生的光生載流子

6、電子，一旦漂移到耗盡層界面，光敬三極管具育腐AFN結* 其屋未匣理與二械管相同但它 靶址信E燮弍巴信舅苗同村，還 曲大了信號電逾，30有更高 的典壊度.一服光裁二極蒼的基 験已在管內(nèi)遙摟，只育匚利社韻 劌出鏡也有將基?？傄龅?亠光戰(zhàn)營也升有硅吾和諸普 tor 2AU 二樣譽J . 3ALI 尊犀 館管；2CU. 2D1L 30J，3DLTS g晉里甲光靈童時不証從外 也來區(qū)別是二機皆玉是三極管 貝駝幽型號集判定.型號； 3D(J5B (NPH)符號,或就會在結電場作用下，被拉 向N區(qū)，形成局部光電流； 彼長較長的紅光，將透過P 型層在耗盡層激發(fā)出電子 一空穴對，這些新生的電子 和空穴載流子也

7、會在結電 場作用下，分別到達N區(qū)和 P區(qū)，形成光電流。波長更 長的紅外光，將透過P型層 和耗盡層，直接被N區(qū)吸 收。在N區(qū)內(nèi)因光照產(chǎn)生的 光生載流子空穴一旦漂移到耗盡區(qū)界面，就會在結電場作用下被拉向 P區(qū)，形成光電流。因此，光 照射時，流過PN結的光電流應是三局部光電流之和。二、光敏三極管 光敏三極管和普通三極管的結構相類似。不同之處是光敏三極管 必須有一個對光敏感的PN結作為感光面，一般用集電結作為受光結，因此， 光敏二極管實質上是一種相當于在基極和集電極之間接有光敏二極管的普通 二極管。其結構 及符號如圖Z0130所示。三、光敏二極管的兩種工作狀態(tài)光敏二極管又稱光電二極管，它是一種光電轉換

8、器件，其根本原理是光照到P-N結上時，吸收光能并轉變?yōu)殡娔?。它具有兩種工作狀態(tài)：1當光敏二極管加上反向電壓時，管子中的反向電流隨著光照強度的改變 而改變，光照強度越大，反向電流越大，大多數(shù)都工作在這種狀態(tài)。2光敏二極管上不加電壓，利用 P-N結在受光照時產(chǎn)生正向電壓的原理， 把它用作微型光電池。這種工作狀態(tài)，一般作光電檢測器。光敏二極管分有P-N結型、PIN結型、雪崩型和肖特基結型，其中用得最多的 是P-N結型，價格廉價。光信號放大和開關電路集成線性穩(wěn)壓電路如果將前述的串聯(lián)型穩(wěn)壓電源電路全部集成在一塊硅片上，加以封裝后引岀三端引腳，就成了三端集成穩(wěn)壓電源了。正電壓輸岀的78XX系列，負電壓輸岀

9、的79XX系列。其中XX表示固定電壓輸岀的數(shù)值。如:7805、7806、7809、7812、7815、7818、7824 等，指輸岀電壓是 +5V、+6V、+9V、+12V、+15V、+ 18V、+24V。79XX系列也與之對應，只不過是負電壓輸岀。這類穩(wěn)壓器的最大輸岀電流為，塑料封裝仃0-220最大功耗為10W加散熱器；金屬殼封裝TO-3外形，最大功耗為 20W加散熱 器。2. 78系列三端集成穩(wěn)壓器內(nèi)部電路框圖3. 三端集成穩(wěn)壓器的典型應用固定輸出連接片一T780(1-iq了 gooI Gc 一cJGND 丄G0 33對工uf0 1 p_L_L78XX系列正固定輸出連接 79XX系列負固定

10、輸出連接在使用時必須注意：(VI)和(Vo)之間的關系，以W7805為例，該三端穩(wěn)壓器的固 定輸出電壓是5V,而輸入電壓至少大于8V，這樣輸入/輸出之間有3V的壓差。使調(diào)整管保證工作在放大區(qū)。但壓差取得大時，又會增加集成塊的功耗，所以， 兩者應兼顧，即既保證在最大負載電流時調(diào)整管不進入飽和， 又不致于功耗偏大。固定雙組輸出連接擴大輸出電流連接，原輸出二極管D以低消T管VBE壓降而設置，擴大的輸岀電流為: 電流是Io，現(xiàn)可以近似擴大 B倍。擴大輸出電壓范圍78 x x三端可調(diào)式集成穩(wěn)壓電路其型號有正輸岀三端可調(diào)式、負輸岀三端可調(diào)式兩種。如LM317型是正電壓輸岀型，LM337是負電壓輸岀可調(diào)式。

11、其輸岀電壓可在1.2540V之間調(diào)節(jié)。QUIADJ叫=張丸咎W =皿1煜R2就能在一定范圍其中，VREF=1.25V,而ladj很小，通常略去，所以，由公式可得，只要調(diào)節(jié) 調(diào)節(jié)輸岀電壓的大小。具有正負輸岀的實際應用電路如以下列圖所示。 * o丄 H 1.2-201 VLM137更多請進入相關分類本空間資料均是由于個人愛好，經(jīng)過收集整理而成，不排除一局部資料來源于其它媒體書籍， 雜志，網(wǎng)絡等，并且由于需要，可能對原文有所改動，由于人力有限，無法一一通知原作者及 驗證其岀處，不便之處敬請見諒！如原作者不愿將其文章登于我站，請來信告知，本站將盡快集成線性穩(wěn)壓電路如果將前述的串聯(lián)型穩(wěn)壓電源電路全部集成

12、在一塊硅片上，加以封裝后引岀三端引腳，就成了三端集成穩(wěn)壓電源了。正電壓輸岀的78XX系列，負電壓輸岀的79XX系列。其中XX表示固定電壓輸岀的數(shù)值。如:7805、7806、7809、7812、7815、7818、7824 等，指輸岀電壓是 +5V、+6V、+9V、+12V、+15V、+ 18V、+24V。79XX系列也與之對應，只不過是負電壓輸岀。這類穩(wěn)壓器的最大輸岀電流為，塑料封裝仃0-220最大功耗為10W加散熱器；金屬殼封裝TO-3外形，最大功耗為 20W加散熱 器。2. 78系列三端集成穩(wěn)壓器內(nèi)部電路框圖3.三端集成穩(wěn)壓器的典型應用固定輸出連接78XX系列正固定輸出連接79XX系列負固

13、定輸出連接在使用時必須注意：VI和Vo之間的關系，以W7805為例，該三端穩(wěn)壓器的固 定輸出電壓是5V,而輸入電壓至少大于8V，這樣輸入/輸出之間有3V的壓差。 使調(diào)整管保證工作在放大區(qū)。但壓差取得大時，又會增加集成塊的功耗，所以， 兩者應兼顧，即既保證在最大負載電流時調(diào)整管不進入飽和， 又不致于功耗偏大。固定雙組輸出連接擴大輸出電流連接 二極管D以低消T管VBE壓降而設置，擴大的輸岀電流為： “二用啟二0點，原輸岀電流是Io，現(xiàn)可以近似擴大 B倍。r78 X X 0 厶I擴大輸出電壓范圍，所以三端可調(diào)式集成穩(wěn)壓電路其型號有正輸岀三端可調(diào)式、負輸岀三端可調(diào)式兩種。如LM317型是正電壓輸岀型，

14、LM337是負電壓輸岀可調(diào)式。其輸岀電壓可在1.2540V之間調(diào)節(jié)。其中，VREF=1.25V,而ladj很小，通常略去，所以，由公式可得，只要調(diào)節(jié)R2就能在一定范圍調(diào)節(jié)輸岀電壓的大小。具有正負輸岀的實際應用電路如以下列圖所示。 空+2.4 U2輸出低電平Uol。與非門所有輸入端都接高電平時，輸出電壓的值稱為輸出低電平UOL。產(chǎn)品標準值為Uol8。4平均傳輸延遲時間tpd。在與非門輸入端加上一個脈沖電壓，那么輸岀電壓將對輸入電壓有一定的時間延遲，從輸入脈沖上升沿的50%處起到輸出脈沖下降沿的 50%處的時間叫做上升延遲時間 tpdl;從輸入脈沖下降沿的 50%處到輸出脈 沖上升沿的50%處的時

15、間叫做下降延遲時間 tpd2。平均傳輸延遲時間tpd定義為tpdl與tpd2的平均值，即:平均傳輸延遲時間是衡量與非門開關速度的一個重要參數(shù)，此參數(shù)值愈小愈好。除了與非門外，TTL門電路還有與門、或門、非門、或非門、異或門等多種不同功能的產(chǎn)品。如圖8-17所示介紹的是幾種常用的TTL門電路芯片?；蚍情T電路圖或非門的邏輯符號及波形圖如圖8-14所示?；蚍情T的邏輯功能是：輸入全為0,輸岀才為1 ;只要有一個輸入為1,輸岀就為0?；蚍情T真值表如表8-5所示。表8-5或非門真值表ABY001010100110或非門的邏輯功能用邏輯表達式描述那么為:Y-AB(8-5)或非門也可有兩個或兩個以上的輸入端。

16、或非門邏輯符號圖或非門的邏輯功能 是：輸入全為0,輸岀才為1 ;只要有一個輸入為1,輸岀就為0。或非門真值表如表所示。表8-5或非門真值表ABY001010100110或非門的邏輯功能用邏輯表達式描述那么為：f 一e或非門也可有兩個或兩個以上的輸入端CMOS邏輯門電路CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后，所開發(fā)出的第二種廣泛應用的數(shù)字集成器件，從開展趨勢來看，由于制造工藝的改進，CMOS電路的性能有可能超越 TTL而成為占主導地位的邏輯器件。CMOS電路的工作速度可與 TTL相比擬，而它的功耗和抗干擾能力那么遠優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲器件，以及PLD器件都采用CMOS藝制造

17、，且費用較低。早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列，隨后開展為4000B系列。當前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論 CMOS反相器，然后介紹其他 CMO邏輯門電路r;MOS管結構圖MOS管主要參數(shù):T開啟電壓又稱閾值電壓：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；標準的N溝道MOS管，Vt約為36V ;通過工藝上的改進，可以使 MOS管的Vt值降到23V。2. 直流輸入電阻Rgs即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比這一特性有時以流過柵極的柵流表示MOS管的Rgs可以很容易地超過 1010Q。3. 漏源擊穿電壓BVds在Vgs=0增強型

18、的條件下，在增加漏源電壓過程中使 Id開始劇增時的Vds稱為漏源擊穿電壓 BVdsI D劇增的原因有以下兩個方面：1漏極附近耗盡層的雪崩擊穿2漏源極間的穿通擊穿有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加Vds會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的Id4. 柵源擊穿電壓BVgs在增加柵源電壓過程中，使柵極電流Ig由零開始劇增時的 Vgs，稱為柵源擊穿電壓 BVgs。5. 低頻跨導gm在Vds為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導gm反映了柵源電壓對漏極電

19、流的控制能力是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)一般在十分之幾至幾 mA/V的范圍內(nèi)6. 導通電阻Ron導通電阻Ron說明了 Vds對Id的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)在飽和區(qū)，Id幾乎不隨Vds改變，Ron的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間由于在數(shù)字電路中，MOS管導通時經(jīng)常工作在 Vds=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻 Ron可用原點的Ron來近似對一般的MOS管而言，Ron的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容Cgs、柵漏電容Cgd和漏源電容CDSCgs和Cgd約為13pFCds約在0.11pF之間 8低頻噪聲系數(shù)NF噪聲是由管子內(nèi)部載流子

20、運動的不規(guī)那么性所引起的由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)那么的電壓或電流變化噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù) NF來表示，它的單位為分貝dB這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測岀的噪聲系數(shù)場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小一、CMOS反相器由本書模擬局部，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補 MOS或CMOS電路。以下列圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強型 MOSFET組成，其中一個為 N溝道結構，另一個為 P 溝道結構。為了電路能正

21、常工作，要求電源電壓Vdd大于兩個管子的開啟電壓的絕對值之和，即VDD (VTN + |VTP|)。Vll B電路簡化電路首先考慮兩種極限情況：當VI處于邏輯0時，相應的電壓近似為 0V ;而當VI處于邏輯1時，相應的電壓近似為Vdd。假設在兩種情況下 N溝道管Tn為工作管P溝道管TP為負載管。但是，由于電路是互補 對稱的，這種假設可以是任意的，相反的情況亦將導致相同的結果。以下列圖分析了當vi=V DD時的工作情況。在 TN的輸出特性iD VDS VGSN= V DD(注意VDSN=VO)上， 疊加一條負載線，它是負載管T P在VsgP=0V時的輸出特性iD Vsd。由于VsgpV Vt V

22、TN=|V Tp|=Vt，負VOL 0V典型載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。兩條曲線的交點即工作點。顯然，這時的輸岀電壓 值v 10mV，而通過兩管的電流接近于零。這就是說，電路的功耗很小微瓦量級以下列圖分析了另一種極限情況， 此時對應于VI = 0V。此時工作管Tn在VGSN= 0的情況下運用，其輸出 特性ip Vds幾乎與橫軸重合，負載曲線是負載管 T P在VsGP= V DD時的輸出特性iD Vds。由圖可知，工作 點決定了 Vo= Voh-Vdd;通過兩器件的電流接近零值 ?？梢娚鲜鰞煞N極限情況下的功耗都很低。由此可知，根本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或

23、 +Vdd，而功耗幾乎為零。以下列圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中Vdd=10V，Vtn=|Vtp|=Vt=2V。由于 Vdd Vtn + |Vtp|，因此，當 Vdd-|Vtp|vIV tn時,Tn和Tp兩管同時導通?？紤]到電路是互補對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負載。還應注意到，器件在放大區(qū)飽和區(qū)呈現(xiàn)恒流特性，兩器件之一可當作高阻值的負載。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比擬急劇。兩管在V=Vdd/2處轉換狀態(tài)。Th樹止g左tfi和區(qū)匚卜yj s在可變電阻區(qū):B !i, tkWtp均在飽和區(qū)iC丁衛(wèi)在飽和區(qū)/一0在可變電阻區(qū)246810門丹CMOS反相器在電容負載情況下，它的開通

24、時間與關閉時間是相等的，這是因為電路具有互補對稱的性質。以下列圖表示當S反相器中，兩管的Vi=0V時，Tn截止，Tp導通，由Vdd通過Tp向負載電容Cl充電的情況。由于 CMO電容Cl的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。gm值均設計得較大，其導通電阻較小，充電回路的時間常數(shù)較小。類似地，亦可分析、CMOS門電路以下列圖是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個串聯(lián)的 N溝道增強型MOS管和兩個并聯(lián)的P溝 道增強型MOS管。每個輸入端連到一個 N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。當輸入端 A、B中只要有一個為低電平時，就會使與它相連的全為高電平時，才會使兩個串聯(lián)的NMOS管截

25、止，與它相連的 PMOS管導通，輸出為高電平；僅當 A、BNMOS管都導通，使兩個并聯(lián)的 PMOS管都截止，輸出為低電平。因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即n個輸入端的與非門必須有 n個NMOS管串聯(lián)和n個PMOS管并聯(lián)以下列圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個并聯(lián)的 N溝道增強型MOS管和兩個串聯(lián)的 道增強型MOS管。當輸入端A、B中只要有一個為高電平時，就會使與它相連的NMOS管導通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當 A、B全為低電平時，兩個并聯(lián) NMOS管都截止，兩個串聯(lián)的 PMOS管都導通， 輸岀為高電平。因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達式為顯然，n個

26、輸入端的或非門必須有 n個NMOS管并聯(lián)和n個PMOS管并聯(lián)。比擬CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯(lián)的，其輸岀電壓隨管子個數(shù)的增加而增 加；或非門那么相反，工作管彼此并聯(lián)，對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。上圖為CMOS異或門電路。它由一級或非門和一級與或非門組成?；蚍情T的輸出或非門的輸岀L即為輸入A、B的異或L = A-B+X=A- B+ Av B=B + 月 F= AB如在異或門的后面增加一級反相器就構成異或非門，由于具有-上t一二二的功能，因而稱為同或門同或門。異成門和同或門的邏輯符號如以下列圖所示。昇或門三、BiCMOS門電路雙極型CMOS或BiCMOS

27、的特點在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視VtjdCSV)上圖表示根本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見， MOSFET用符號M表示BJT用T表示。和 T2構成推拉式輸出級。而 Mp、Mn、Mi、M2所組成的輸入級與根本的 CMOS反相器很相似。輸入信號 vi 同時作用于Mp和Mn的柵極。當vi為高電壓時Mn導通而Mp截止；而當vi為低電壓時，情況那么相反，Mp 導通，Mn截止。當輸岀端接有同類 BiCMOS門電路時，輸岀級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。上述電路中Ti和T2的基

28、區(qū)存儲電荷亦可通過 Mi和M2釋放，以加快電路的開關速度。當vi為高電壓時Mi導通，Ti基區(qū)的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中Ti類似。同理，當vi為低電壓時，電源電壓 Vdd通過Mp以鼓勵M2使M?導通，顯然T?基區(qū)的存儲 電荷通過M2而消散?？梢?，門電路的開關速度可得到改善。根據(jù)前述的CMOS門電路的結構和工作原理， 同樣可以用BiCMOS技術實現(xiàn)或非門和與非門。如果要實現(xiàn)或非邏輯關系，輸入信號用來驅動并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET那么彼此串聯(lián)。正如以下列圖所示的2輸入端或非門當A和B均為低電平時，那么兩個MOSFET Mpa和Mpb均導通，導通而Mna和Mnb均截止，輸出L 為高電平。與